JPH0431355B2

JPH0431355B2 -

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Publication number: JPH0431355B2
Application number: JP60271736A
Authority: JP
Priority date: 1985-03-14
Filing date: 1985-12-04
Publication date: 1992-05-26
Also published as: CA1241058A; US4668913A; DE3676520D1; JPS61213781A; EP0195217B1; EP0195217A1

Description

【発明の詳細な説明】Ａ産業上の利用分野本発明は、磁気抵抗（リラクタンス）感知装置
に係る。

Ｂ従来技術従来技術に於て、種々の磁気誘導感知装置が存
在しており、銀行小切手上の磁気インク文字を感
知する作業や、パルスの発生又はタイミングのた
めに適用されている。又、自動車の点火システム
に於ける点火ロータ位置の誘導感知、歯車のカウ
ント及び機械制御等にも、一般に適用されてい
る。誘導感知装置は、導電性コイルと交又する磁
束の線の数の増減により生じる磁束の時間変化率
に依存している。それらの感知装置に於ては、磁
化された媒体又は機械素子が移動する必要があ
る。これに対して、磁気抵抗感知装置は、静止状
態に於て、即ち該感知装置と感知すべき媒体とが
相対的に移動していない状態に於て、出力を生じ
ることができるが、磁気回路の磁気抵抗路に於け
る変化により生じる駆動コイル電流又は電圧の変
動の精確な測定に依存している。それらの装置
は、電源に於ける電流及び電圧のゆらぎ、熱によ
る影響等によつて生じる変動が大きいので、保守
及び操作が本来的に難しい。

Ｃ発明が解決しようとする問題点本発明の目的は、磁気感知手段が磁気回路に直
列又は並列に挿入され、磁気抵抗を感知すべき媒
体又は素子に供給される磁束の少なくとも一部で
ある実質的に一定の磁束が上記磁気感知手段に分
割されて流され、上記媒体又は素子が上記磁気回
路に挿入されたときに該媒体又は素子の有無によ
り生じる上記磁気感知手段に流れる磁束の変動が
測定される、改良された磁気抗感知装置を提供す
ることである。

Ｄ問題点を解決するための手段本発明は、導電性コイル及び透磁性コア部材を
有する電磁石と、上記コア部材に結合された磁気
回路に配置されている少なくとも２つの透磁性結
合部材と、上記結合部材に結合された磁気回路に
配置されている磁気感知手段と、上記磁気感知手
段に信号電流を供給する手段とを有している。磁
気抵抗の変化を検出する磁気抵抗感知装置を提供
する。

本発明の一実施例に於ては、透磁性材料より成
る一対の結合部材即ち結合脚部に一定レベルの磁
束を供給する。実質的に一定の磁束の源が設けら
れている。それらの透磁性の脚部には、磁気抵抗
効果（MR効果）による磁気感知手段が、該脚部
に直列に設けられており、又は該脚部をブリツジ
するように並列に設けられている。上記磁気感知
手段は、上記脚部の先端に近接して配置されてい
る、磁気抵抗を感知すべき媒体又は素子と、磁気
的に直列又は並列な回路に配置されている。一定
の磁束の源は、透磁性構造体のコア部材を囲むコ
イルに於ける、一定の電流を供給される、一定の
巻回数によつて供給される。

Ｅ実施例本発明は、磁気を検出及び感知する分野に於て
広く適用することができるが、通常の銀行小切手
の自動的読取及び分類等のために磁気インク文字
を感知及び検出する場合等に於て特に有用であ
る。以下に、本発明をそのような適用例について
更に詳細に説明するが、磁気抵抗の感知は、磁気
インク文字の感知に限らず、パルスのカウント、
タイミング、及び近接測定のための一般的な磁気
感知にも用いられることは明らかである。

自動的に読取られるように銀行小切手に設けら
れている磁気インク文字が、極めて小さな残留磁
気しか有していないことは周知である。そのよう
な文字が磁化された場合、典型的なカルボニル鉄
インク材料からの感知に用いられる垂直磁界成分
は、数エルステツド程度しかない。そのようなイ
ンク文字のための通常の検出機構には、磁気誘導
感知装置が用いられている。そのような感知装置
に於ては、磁束の微分を感知する技術が用いられ
ていることにより、最小限の信号対雑音比を得る
ためにも、高速度の輸送及び精巧な周波数フイル
タ機構が必要である。しかしながら、磁気インク
文字の材料は、磁界にさらされたとき、空気より
も低い磁気抵抗路を生じる。カルボニル鉄の平均
透磁率は、20ガウスの磁界の存在の下で略55であ
ることが、文献に示されている。このことから、
磁気抵抗の感知は、磁気インク文字の存在を検出
するための極めて好ましい方法である。

本発明の好実施例に於ては、磁気インク文字の
有無により生じる磁気抵抗の差の効果を測定する
ための他の素子とともに、新規な結合された磁気
抵抗効果による磁気感知手段（MR磁気感知手
段）が用いられている。例えば、磁気を感知する
トランジスタ、ダイオード、ホール効果セル等の
他の形の磁気感知手段も用いられるので、上記の
MR磁気感知手段自体については簡単に説明す
る。本出願人の特公平２−59522号明細書は、適
当なMR磁気感知手段の構造を詳細に示してい
る。

本発明に於て用いられている感知技術は、磁気
インク文字の存在を検出するために交流磁界を用
いる必要がなく、又磁気インク文字の存在を感知
しようとする前にそれらの文字を予め条件づける
必要もない。この技術を用いた場合には、検出シ
ステムが速度により影響されないので、銀行小切
手を機械で走査しても、手で走査しても、同一の
結果が生じる。直流又は静止状態の磁気抵抗の測
定も可能である。

第１Ａ図に於て、本発明の一実施例による磁気
抵抗感知ヘツドが、表面上に或る厚さの透磁性イ
ンク層を付着されている。１例として示されてい
る用紙に近接して示されている。

第１Ａ図に示されている実施例は、LSI回路技
術に於て一般的に用いられているフオトリソグラ
フイによる付着及びエツチングの技術を用いて形
成されている。その技術は、文字の配列体全体を
感知するために、多数のMR磁気感知手段が並列
に設けられるように、小さい寸法のMR磁気感知
手段の形成を容易にするために用いられている。
従つて、上記MR磁気感知手段３は、半導体基板
１の上面に付着されて示されている。透磁性のＵ
字形又はＣ字形構造体に於ける垂直な結合脚部２
は、典型的には1μｍ又はそれ以下の厚さ及び第
１Ａ図に於て寸法W_Lにより示されている略0.1mm
の幅を有している、ニツケル鉄合金で形成するこ
とができる。それらの２つの結合脚部２は、該脚
部２の幅と略同一の距離W_Sだけ相互に離隔てい
る。上記MR磁気感知手段３は、例えば、250Å
の厚さを有する中間のチタン分離層５を有してい
る、各々300Åの厚さを有する一対のニツケル鉄
層１４より成る。MR磁気感知手段３は、透磁性
の脚部２に磁気的に結合されているが、例えば厚
さ5000Åの二酸化シリコン層の如き酸化物層４に
より電気的に分離されている。酸化物層４は、第
１Ａ図に於ては明らかに示されていないが、透磁
性の脚部２が、結合されたMR磁気感知手段３と
実際に電気的及び物理的に接触しないように、上
記脚部２を分離させている。

空気間隙９は、透磁性のコア部材６を透磁性の
脚部２から分離させている。空気間隙９は、脚部
２の下方端部からコア部材６を通る磁気抵抗路
が、脚部２の下方端部からMR磁気感知手段３を
通る磁気抵抗路よりもずつと大きい磁気抵抗を有
するようにするために設けられている。空気間隙
９は又、MR磁気感知手段３と、脚部２の先端に
近接して配置されたとき、実質的に磁気保持路と
して働く、磁気抵抗を感知すべき透磁性材料１３
とによつて分割される、実質的に一定の磁束を伝
達する手段を与える。典型的には、用紙の基板１
２上に付着された磁気インク層である材料１３
は、何分の１ミクロンから１又は2μｍの程度の
距離10だけ分離させることができる。磁気インク
層１３は、脚部２の先端から放出される磁束のた
めの実質的磁気保持路として働く。

コア部材６は、透磁性の脚部２と同様にニツケ
ル鉄合金より成り、その周囲に、アルミニウムの
如き導電性の線より成る、Ｎ回の巻数の導電性磁
化コイル７を付着されている。透磁性のコア部材
６の上面及び下面には、周知の如く、適当な酸化
物絶縁層が形成されている。簡単に説明すると、
基板１上に酸化物層が付着され、第１Ａ図に於て
点線で示されている如き、導電性磁化コイル７の
下部が設けられ、もう１つの絶縁層が付着され
て、その上にコア部材６の材料が付着される。更
に絶縁層が付着され、導電性コイルを接続すべき
位置に開孔がエツチングされる。それから、導電
性コイル７の上部が上記絶縁層上及び上記のエツ
チングされた開孔中に付着されて、導電性コイル
の下部に接触される。それから、コイル電流Ｉを
供給するために、電気接点８が設けられる。その
結果、NIアンペア・回数の起磁力を有する電磁
コアが形成される。

MR磁気感知手段３の典型的寸法は、第１Ａ図
に示す如く、幅5μｍ及び長さ12乃至15μｍであ
る。

第１Ｂ図は、第１Ａ図の線１Ｂ−１Ｂに於ける
断面図である。磁気を感知すべき領域に於て中間
のチタン分離層５により分離された２つのニツケ
ル鉄層より成るMR磁気感知手段３に電気接点Ａ
及びＢが形成されている。第１Ｂ図に示されてい
る如く、MR磁気感知手段３が磁気を感知する領
域は、２つの脚部の間の間隙領域である。MR磁
気感知手段３のニツケル鉄層は、脚部２の下の領
域に於て電気的及び機械的に接続されている。接
点Ａ及びＢは、好実施例に於ては３ミリアンペア
程度の感知電流I_Sを供給するために用いられる。

再び、第１Ａ図に於て、３ミリアンペアの感知
電流がMR磁気感知手段３の接点Ａ及びＢに加え
られるとき、導電性コイル７に於ける一定の電流
Ｉにより、コア部材６に於ける磁束が一定である
とすると、MR磁気感知手段３は脚部２の一方の
端部に分路を形成し即ちブリツジし、用紙の基板
１２上に付着された磁気インク層１３の如き透磁
性材料に近接する他方の端部はコア部材６からの
磁束の他の部分を流す。磁気インク層１３の磁気
抵抗に応じて、該磁気インク層１３を通る磁気抵
抗路は、MR磁気感知手段３を通る磁気抵抗路よ
りも大きく又は小さくなる。従つて、MR磁気感
知手段３は、各々コア部材６からの磁束のより多
い又はより小さい部分を流す。その結果、MR磁
気感知手段３の導電性に於ける変動を接点Ａ及び
Ｂを経て観察することができ、脚部２の界面に於
て観察される磁気抵抗が直接示される。磁気を感
知するトランジスタ、ホール効果セル等の他の多
くの感知技術を用いてもよいことは明らかであ
る。しかしながら、上述の如き磁気抵抗効果によ
る感知技術は、磁気構造体の他の部分を形成する
ために用いられる銑造技術と容易に適合するの
で、極めて優れている。

第１Ａ図及び第１Ｂ図から理解される如く、磁
気抵抗感知ヘツド構造体の基本的設計は簡単であ
り、殆ど全体的に、マスキング及び付着が容易で
ある簡単なアウトラインを有する。付着された磁
性層及び絶縁層から成つている。MR磁気感知手
段３は、摩耗、銑造、及び熱による影響の問題を
最小限にするために、磁気インク文字を有してい
る用紙との界面から比較的離れた位置に配置され
ている。

MR磁気感知手段３は、垂直な結合脚部をブリ
ツジしている該感知手段全体の長さに垂直に配置
された磁化容易軸を各々有している２つの平行な
ニツケル鉄層より成る。それらの２つの層は、第
１Ａ図及び第２図に示されている如く、容易軸に
沿つて静磁気的に結合されている。第１Ａ図及び
第１Ｂ図に於ては、200乃至350Å程度の厚さを有
する低導電率の金属層として、チタンが選択され
ている。その層は、チタン分離層５として示され
ている。その低導電率の金属は、感知電流を著し
く減少させず、MR磁気感知手段３を形成してい
る２つの層の間に磁気交換結合機構が生じること
を防ぐ。或る密度の電流がMR磁気感知手段３の
２つの層の両方に流れると、その電流は、反対方
向で平行な方向に磁化容易軸を有する結合を生ぜ
しめる相互磁界を該感知手段３の層に生じる。こ
の相互磁界は、第１Ａ図及び第２図に示されてい
る如く、磁化容易軸に沿つて配向されている。

他方の層に流れる電流I_Sにより一方の層に生じ
る磁界強度は、上記一方の層に流れる電流により
上記他方の層に生じる磁界の方向と反対である。
電流I_Sは、MR磁気感知手段３に於て電圧降下を
生じ、その電圧降下は、垂直な結合脚部２の下方
端部に於て生じる媒体への結合による磁気抵抗の
変化によつて生じる、該感知手段３に流れる磁束
の割合の変化の影響を受ける、該感知手段３の抵
抗値の変化によつて修正される。結合脚部２の下
方端部に於ける磁気抵抗の変動は、上記感知手段
３に流れる磁束に於て、そして該感知手段３の２
つの層の各々の全体的磁気抵抗を修正するそれら
の層に於ける静止状態の全体的磁化ベクトルに於
て、比例する変化を生ぜしめる。

MR磁気感知手段３の断面を示す第１Ｂ図に於
て、該感知手段３の感知部分は脚部２の間であ
る。結合されたMR磁気感知手段３は、二酸化シ
リコン絶縁層４により脚部２から絶縁されてい
る。該感知手段３の２つの層の各々の厚さは同一
である必要があり、典型的には300Åである。そ
れらの層の寸法も該感知手段自体の全体的な磁気
抵抗を制御するので、それらの各層の高さ及び幅
も等しい必要がある。当技術分野に於て周知の如
く、上記の型のMR磁気感知手段は、磁化容易軸
を選択された方向に生じるように配向された強い
磁界の存在の下で付着される。この例の場合に
は、磁化容易軸は、MR磁気感知手段３の全体の
長さに垂直に選択されている。

導電性コイル７に供給された電流Ｉは磁束を生
じ、その磁束は、空気間隙９を経て垂直な結合脚
部２に結合し、そしてMR磁気感知手段３を経て
結合して、該感知手段の層内の磁化を磁化困難軸
の方向（第１Ａ図及び第２図に於て水平方向）に
向つて回転させる。MR磁気感知手段３は、それ
らの層内の磁化が磁化困難軸に平行にされると
き、飽和状態になる。MR磁気感知手段３に流れ
る電流I_Sは、該感知手段の２つの層内の磁化を磁
化容易軸に向つて回転させようとする。その後の
動作に於て、上記感知手段３の２つの層内の磁化
が磁化困難軸に向つて均一に回転されるように、
電流が導電性コイル７を経て流される。それらの
各層に流れる電流I_Sは、磁化ベクトルが完全に磁
化困難軸に達することを防ぐ。この装置は、磁化
ベクトルが磁化困難軸に近いとき、最大の感度を
有し、磁化ベクトルが磁化容易軸に近いとき、最
小の感度を有する。

結合脚部２の下方端部が磁気インク層を有する
媒体に近接して配置されると、導電性コイル７に
流れるコイル電流Ｉにより生じた磁束の一部が、
磁気インク層１３に流れ、MR磁気感知手段３を
分路させて、該感知手段に流れる磁束を減少させ
る。これが生じると、MR磁気感知手段３の２つ
の層内の磁化が再び回転して、磁化容易軸の方向
に戻る。その結果、端子Ａ及びＢの間の電気抵抗
に変化が生じ、その変化は一定の電流I_Sを維持す
るために必要とされる電圧の変動に於て容易に観
察される。

第２図は、第１Ａ図に示された構造体を少し修
正した実施例を示す。その修正された構造体は、
垂直な脚部２の下の領域に於けるMR磁気感知手
段３内の磁化の中間的状態を最小限にする。脚部
２からMR磁気感知手段３への磁界の結合は磁束
集中効果により増加し、MR磁気感知手段の有効
長さが増加して、信号の振幅が少くとも20％増加
する。

再び第１Ａ図に於て、感知ヘツド構造体と銀行
小切手との間の高さが距離10として示されてい
る。その高さは０乃至約0.025mmの範囲で変化し、
その信号応答は、脚部２が磁気インク層１３と接
触するとき、600μVであり、寸法10の間隔が約
0.006mmであるとき、370μVであり、上記間隔が
約0.025mmであるとき、240μVである。その場合、
１×10⁶A／cm²の電流密度の電流がMR磁気感知手
段３に流れているものと仮定し、又略40ｍＡの電
流が導電性コイルに流され、５回の巻数のコイル
が用いられているものと仮定する。磁気インクの
透磁性は20ガウスに於て55であり、MR磁気感知
手段の抵抗は略27オームであると仮定する。３ｍ
Ａの感知電流が用いられている。従つて、MR磁
気感知手段により消費される電力は略243μWで
ある。シヨツト雑音は、100000サイクルの帯域幅
で0.26μV程度である。

第３Ａ図に於て、改良された型のMR磁気感知
手段が示されており、第１Ａ図に於けるMR磁気
感知手段３の代りに、２つのMR磁気感知手段３
ａ及び３ｂが示されている。又、それらの感知手
段は、第１Ａ図に於ける脚部２に分路即ちブリツ
ジせずに、透磁性の結合脚部２ａ及び２ｂと直列
に配置されている。第３Ａ図及び第３Ｂ図に示さ
れている構造体は、第１Ａ図、第１Ｂ図、及び第
２図に示されている構造体よりもずつと高い感度
を有する、もう１つの実施例を示している。この
ヘツド構造体は、55でなく、４程度の小さい透磁
性を有する薄い磁気インク層を、銀行小切手の表
面から、前述の実施例に於て仮定された略0.006
乃至0.012mmの通常の高さでなく、略0.05mmの高
さで検出することができる。

第３Ａ図に於て、この実施例の基本的設計は、
第１図の場合と同様であり、この実施例に於て
も、殆どの素子が、LSI回路技術に於て周知であ
る、層をマスク及び付着する工程を用いて形成さ
れる。第１Ａ図、第１Ｂ図、第２図、及び第３Ａ
図に於て、同様な素子は同じ番号で示されてお
り、異なる構造及び動作についてだけ説明する。

第３Ａ図に示されている基本的構造体は、逆Ｕ
字形である。この構造体に於ては、結合された
MR磁気感知手段３ａ及び３ｂが、各々の結合脚
部２ａ及び２ｂの一部を形成している。他の図に
於ける導電性コイルと同様な導電性コイル７が、
上部部材を包囲しており、MR磁気感知手段３ａ
及び３ｂを付勢し、結合脚部２ａ及び２ｂの端部
に於ける間隙に磁束を供給する。第３Ａ図に示さ
れている如く、MR磁気感知手段３ａ及び３ｂの
幅は、1μｍの厚さを有するニツケル鉄の結合脚
部２ａ及び２ｂの幅よりも小さい。MR磁気感知
手段３ａ及び３ｂの幅は、導電性コイル７に必要
な電流の大きさに著しく影響するが、全体的な信
号の振幅には何ら関係を有していない。この構造
体のMR磁気感知手段３ａ及び３ｂ並びに脚部２
ａ及び２ｂは、第１Ａ図及び第１Ｂ図に関連して
示したものと同一の型、構造、及び全体的寸法を
有する、一対の平行な単軸性の磁性層より成る。
電気的には、２つの磁気感知手段３ａ及び３ｂは
直列に接続されており、電流I_Sは前述の如く接点
Ａ及びＢ間に流れる。抵抗の変化により接点Ａ及
びＢの間に生じる電圧は、一定の電流I_Sを維持す
るために必要な電圧である。その電圧の変動は、
MR磁気感知手段３ａ及び３ｂに流れる磁束の差
を示し、結局に於て、脚部２ａ及び２ｂの端部に
於ける間隙に導入される材料の磁気抵抗を示す。

本発明の磁気抵抗感知装置の動作は、閉じたル
ープに流れる磁束と該ループの磁気抵抗Ｒとの積
が、該ループを包囲する巻線の数に比例するとい
う基本的原理に依存する。第３Ａ図の構造体に於
て、逆Ｕ字型構造体に於ける脚部の２ａ及び２ｂ
の端部の間に閉じた磁気抵抗路の一部が、磁気イ
ンク層によりブリツジされると、その閉じたルー
プの磁気抵抗は、空気間隙の場合よりも大きく降
下する。上記の基本的原理が充たされるために
は、電流と巻数との積が一定であるので、上記閉
じたループに流れる磁束は、所与の電流に於て、
増加しなければならない。従つて、MR磁気感知
手段３ａ及び３ｂ内の磁化は、磁化困難軸に関し
て、安定な静止状態の角度から新しい静止状態の
角度に回転する。その結果、MR磁気感知手段３
ａ及び３ｂに於ける抵抗値が変化し、接点Ａ及び
Ｂの間に生じる電圧が著しく変化する。

感知電流I_Sは、第３Ｂ図に於てより明確に示さ
れている如く、脚部２ａ及び２ｂの間の間隙をブ
リツジし且つそれらの脚部から酸化物層４により
電気的に分離されている、非透磁性の脚部に流れ
る。中間のチタン分離層５が、第３Ｂ図に示され
ている如く、MR磁気感知手段３ａの２つの層を
分離させている。しかしながら、点Ｃに於ては、
上記チタン層は除かれており、上記２つの層が直
接物理的及び電気的に相互に接触している。それ
らの点Ｃの一方は、第３Ａ図に示されている導電
性部材１１を経て、第３Ａ図に示されている構造
体の他方の脚部２ｂを占める感知手段に於ける他
方の点Ｃに接続されている。導電性部材１１は透
磁性を有していないため、コア部材６からの磁束
を何ら分路させず、又磁気的動作と何ら相互作用
しない。

第３Ａ図に示されている磁気抵抗感知装置に於
て、５回の巻線のコイル、110ｍＡのコイル電流、
15ｍＡの感知電流、８オームの感知抵抗、20ガウ
スに於て55の透磁性を有するインク、並びに幅
0.025mm及び長さ0.15mmのMR磁気感知手段が用い
られたものと仮定すると、感知ヘツド構造体と銀
行小切手との間の高さ10に関して計算された信号
応答は以下の通りである。上記高さが０の場合、
3.94ｍＶの信号が得られる筈である。0.006mmの
高さの場合、2.68ｍＶの信号が予測される。
0.012mmの高さの場合には、２ｍＶの信号、0.025
mmの高さの場合には、1.2ｍＶの信号、そして
0.05mmの高さの場合には、725μVの信号が予測さ
れる。第１Ａ図及び第１Ｂ図に於ける構造体の場
合に対して、第３Ａ図及び第３Ｂ図に示されてい
る如き構造体に於ては、１桁以上の大きさの信号
応答振幅の増加が得られる。

当業者に明らかな如く、本発明の磁気抵抗感知
装置は、磁気抵抗を感知する種々の作業に適用す
ることができる。その作業の性質によつて、結合
部材の構造体の形、MR磁気感知手段の配向、及
び用いられる種々の電流及び電圧の大きさは変化
するが、磁気感知手段及び磁気抵抗を検出する素
子の動作モード及び基本的構造は変らない。従つ
て、本発明の範囲及び要旨を免脱することなく、
多くの変更が可能である。

Ｆ発明の効果本発明によれば、磁気感知手段が磁気回路に直
列又は並列に挿入され、磁気抵抗を感知すべき媒
体又は素子に供給される磁束の少なくとも一部で
ある実質的に一定の磁束が上記磁気感知手段に分
割されて流され、上記媒体又は素子が上記磁気回
路に挿入されたときに該媒体又は素子の有無によ
り生じる上記磁気感知手段に流れる磁束の変動が
測定される、改良された磁気抵抵抗感知装置が得
られる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は磁気インク文字に近接して配置され
ている本発明の一実施例による磁気抵抗感知ヘツ
ド構造体を示す概略的立面図、第１Ｂ図は半導体
基板上に付着された多層構造体を示している、第
１Ａ図の線１Ｂ−１Ｂに於ける断面図、第２図は
第１Ａ図及び第１Ｂ図の実施例の変形を示す概略
的立面図、第３Ａ図は磁気感知手段が磁気抵抗感
知ヘツド構造体の透磁性の脚部に直列に設けられ
ている、本発明の他の実施例を示す概略的立面
図、第３Ｂ図は第３Ａ図の線３Ｂ−３Ｂに於ける
断面図である。１……半導体基板、２，２ａ，２ｂ……透磁性
結合脚部、３，３ａ，３ｂ……磁気抵抗効果によ
る（MR）磁気感知手段、４……酸化物（二酸化
シリコン）絶縁層、５……チタン分離層、６……
透磁性コア部材、７……導電性磁化コイル、８，
Ａ，Ｂ……電気接点、９……空気間隙、１０……
磁気抵抗感知ヘツド構造体と磁気インク層との間
の距離、１１……導電性部材、１２……用紙基
板、１３……透磁性材料（磁気インク層）、14…
…一対のニツケル鉄層、Ｉ……コイル電流、I_S…
…感知電流。

Claims

【特許請求の範囲】１一定の磁束を与える磁束源と、上記磁束源に近い近接端及び上記磁束源から遠
い遠方端を各々有する２個の透磁性結合部材と、透磁性材料を有する磁束感知手段と、上記２個の透磁性結合部材の各々は、上記近接
端に上記一定の磁束が与えられるよう各々上記磁
束源に、互いに等しいリラクタンスの第１の複数
のリラクタンス・ギヤツプを介して結合され、且
つ上記磁束の一部が上記磁束感知手段に与えられ
るよう各々上記近接端のところで互いに等しいリ
ラクタンスの第２の複数のリラクタンス・ギヤツ
プを介して結合されたことと、上記磁束の残りの部分が被感知物に与えられる
よう上記２個の透磁性結合部材の遠方端相互間の
第３のリラクタンス・ギヤツプに上記被感知物が
配設されるようにしたことと、上記第１、第２、及び第３のリラクタンス・ギ
ヤツプは、上記透磁性結合部材の上記遠方端及び
上記磁束源を通る磁路の総リラクタンスよりも上
記透磁性結合部材の上記遠方端及び上記磁束感知
手段を通る磁路の総リラクタンスの方が小さくな
るよう構成したこととよりなり、これによつて、上記被感知物を通る磁束量に反
比例する磁束変動が上記磁束感知手段に生じる磁
気抵抗感知装置。２一定の磁束を与える磁束源と、上記磁束源に近い近接端及び上記磁束源から遠
い遠方端を有する各々２個の透磁性結合部材であ
つて、上記磁束源からの磁束を受け、上記磁束を
被感知物に伝える上記透磁性結合部材と、透磁性材料を有する磁束感知手段と、上記磁束源は上記磁束感知手段に第１の互いに
等しい複数のリラクタンス・ギヤツプを介して上
記一定の磁束が与えられるよう配設されること
と、上記磁束感知手段により、上記一定の磁束が上
記透磁性結合部材の上記近接端に第２の互いに等
しい複数のリラクタンス・ギヤツプを介して伝え
られることと、上記透磁性結合部材の上記遠方端相互間の第３
のリラクタンス・ギヤツプに上記被感知物が配設
されるようにしたことと、上記第１、第２、及び第３のリラクタンス・ギ
ヤツプは、上記透磁性結合部材の上記遠方端及び
上記磁束源を通る磁路の総リラクタンスよりも上
記透磁性結合部材の上記遠方端及び上記磁気感知
手段を通る磁路の総リラクタンスの方が小さくな
るよう構成したこととよりなり、これによつて、上記被感知物を通る磁束量に正
比例する磁束変動が上記磁束感知手段に生じる磁
気抵抗感知装置。