JPH04305244A - 照明装置とこれによる光励起プロセス装置 - Google Patents
照明装置とこれによる光励起プロセス装置Info
- Publication number
- JPH04305244A JPH04305244A JP3094996A JP9499691A JPH04305244A JP H04305244 A JPH04305244 A JP H04305244A JP 3094996 A JP3094996 A JP 3094996A JP 9499691 A JP9499691 A JP 9499691A JP H04305244 A JPH04305244 A JP H04305244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- integrator
- lamp
- light source
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は照明装置に関し、特に、
半導体素子や電子回路などの製造に用いられ、大面積基
体に均一に高照度の光を色収差少なく照射することが要
求される光励起プロセス装置の照明装置に関する。
半導体素子や電子回路などの製造に用いられ、大面積基
体に均一に高照度の光を色収差少なく照射することが要
求される光励起プロセス装置の照明装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光励起プロセス装置は、半導体素子や電
子回路、特に超ＬＳＩの製造プロセス装置として原理的
に低温で低損傷の処理が可能なため、その実用化が期待
されている。光励起プロセス装置は、現在、クリーニン
グ装置やアニーリング装置へ応用されはじめ、さらに成
膜装置やエッチング装置などへの応用が検討されている
。近年では、超ＬＳＩ製造プロセスの大面積化にともな
って、光励起プロセス装置の照明装置にも高照度および
均一性を保った上での大面積化が要求されている。
子回路、特に超ＬＳＩの製造プロセス装置として原理的
に低温で低損傷の処理が可能なため、その実用化が期待
されている。光励起プロセス装置は、現在、クリーニン
グ装置やアニーリング装置へ応用されはじめ、さらに成
膜装置やエッチング装置などへの応用が検討されている
。近年では、超ＬＳＩ製造プロセスの大面積化にともな
って、光励起プロセス装置の照明装置にも高照度および
均一性を保った上での大面積化が要求されている。
【０００３】図５は光励起プロセス装置に使用される照
明装置の従来例の構成を示す断面図である。
明装置の従来例の構成を示す断面図である。
【０００４】図５に示されるものはマルチランプアレイ
型であり、多数配置された棒状ランプ５０１と、各棒状
ランプ５０１の背部にそれぞれ設けられた複数の背面ミ
ラー５０２より構成されている。各ランプ５０１にてそ
れぞれ発生した光は、直接もしくは背面ミラー５０２で
反射され、下方に設置された処理室（不図示）へ導入さ
れる。
型であり、多数配置された棒状ランプ５０１と、各棒状
ランプ５０１の背部にそれぞれ設けられた複数の背面ミ
ラー５０２より構成されている。各ランプ５０１にてそ
れぞれ発生した光は、直接もしくは背面ミラー５０２で
反射され、下方に設置された処理室（不図示）へ導入さ
れる。
【０００５】図６は他の従来例の構成を示す断面図であ
り、ハエノメレンズ型を示すものである。
り、ハエノメレンズ型を示すものである。
【０００６】点状ランプ６０１にて発生し、点状ランプ
６０１の背部に設けられた背面ミラー６０２によって略
平行な光束とされた光は、二次元状に微小レンズが配置
されたハエノメレンズ６０３およびコリメータレンズ６
０４を通って下方に設置された処理室（不図示）へ導入
される。このとき、ハエノメレンズ６０３を通ることに
より拡大均一化され、コリメータレンズ６０４を通るこ
とにより平行光束化される。
６０１の背部に設けられた背面ミラー６０２によって略
平行な光束とされた光は、二次元状に微小レンズが配置
されたハエノメレンズ６０３およびコリメータレンズ６
０４を通って下方に設置された処理室（不図示）へ導入
される。このとき、ハエノメレンズ６０３を通ることに
より拡大均一化され、コリメータレンズ６０４を通るこ
とにより平行光束化される。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例のうち、マルチランプアレイ型においては、多
数のランプを必要とするためにコストが高いものとなり
、また、照度の均一化を図るために被処理基体をランプ
から離したときには照度が急激に低下してしまうという
問題点がある。ハエノメレンズ型においては、点状ラン
プにて発生した光のすべてがハエノメレンズを通るので
、点状ランプの光強度を上げるとハエノメレンズが過熱
して曇りが発生し、透過率が低下してしまう。また、広
帯域ランプが使用されているときには色収差が生じるた
めに均一化の度合が一定のものにならないという問題点
がある。
記従来例のうち、マルチランプアレイ型においては、多
数のランプを必要とするためにコストが高いものとなり
、また、照度の均一化を図るために被処理基体をランプ
から離したときには照度が急激に低下してしまうという
問題点がある。ハエノメレンズ型においては、点状ラン
プにて発生した光のすべてがハエノメレンズを通るので
、点状ランプの光強度を上げるとハエノメレンズが過熱
して曇りが発生し、透過率が低下してしまう。また、広
帯域ランプが使用されているときには色収差が生じるた
めに均一化の度合が一定のものにならないという問題点
がある。
【０００８】本発明の目的は、従来例の問題点を解決し
、広い面積に均一化された高照度の光を照射することの
できる照明装置を供給することにある。
、広い面積に均一化された高照度の光を照射することの
できる照明装置を供給することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の照明装置は、光
源部と、該光源部にて発生した光を拡大均一化するイン
テグレータ部と、該インテグレータ部にて拡大均一化さ
れた光を平行光束とするコリメータレンズとを具備する
照明装置であって、前記インテグレータ部が光源部にて
発生した光をコリメータレンズに向けて反射させる反射
部材である。
源部と、該光源部にて発生した光を拡大均一化するイン
テグレータ部と、該インテグレータ部にて拡大均一化さ
れた光を平行光束とするコリメータレンズとを具備する
照明装置であって、前記インテグレータ部が光源部にて
発生した光をコリメータレンズに向けて反射させる反射
部材である。
【００１０】この場合、インテグレータ部は、拡散作用
が生じる反射面を有する複数の要素から構成され、前記
各要素は、それぞれの各反射面が周期的に並ぶように配
設されてもよい。
が生じる反射面を有する複数の要素から構成され、前記
各要素は、それぞれの各反射面が周期的に並ぶように配
設されてもよい。
【００１１】
【作用】光を拡大均一化するインテグレータ部が反射部
材であるので、光源部にて発生した光によって加熱され
ることがなくなる。例えば、半径５〜１００ｍｍの球面
の一部が周期的に配設された反射光学素子であるインテ
グレータ部を従来のハエノメレンズの代わりに用いるこ
とにより、ランプの強度を上げた場合にも光強度が低下
せず、色収差も少ない光励起プロセス用照明装置が可能
になる。
材であるので、光源部にて発生した光によって加熱され
ることがなくなる。例えば、半径５〜１００ｍｍの球面
の一部が周期的に配設された反射光学素子であるインテ
グレータ部を従来のハエノメレンズの代わりに用いるこ
とにより、ランプの強度を上げた場合にも光強度が低下
せず、色収差も少ない光励起プロセス用照明装置が可能
になる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例の構成を示す断面
図である。
図である。
【００１４】本実施例はランプ１０１と、ランプ１０１
の背部に設けられランプ１０１とともに光源部を構成す
る背面ミラー１０２と、ランプ１０１からの直接光もし
くは背面ミラー１０２にて反射された光を拡大均一化し
て反射させるインテグレータ部であるミラーインテグレ
ータ１０３および該ミラーインテグレータ１０３による
反射光を略平行な光束とするコリメータレンズ１０４と
により構成されている。
の背部に設けられランプ１０１とともに光源部を構成す
る背面ミラー１０２と、ランプ１０１からの直接光もし
くは背面ミラー１０２にて反射された光を拡大均一化し
て反射させるインテグレータ部であるミラーインテグレ
ータ１０３および該ミラーインテグレータ１０３による
反射光を略平行な光束とするコリメータレンズ１０４と
により構成されている。
【００１５】図２（ａ）は図１中のミラーインテグレー
タ１０３の構成を示す断面図であり、（ｂ）はその平面
図である。
タ１０３の構成を示す断面図であり、（ｂ）はその平面
図である。
【００１６】光を拡大均一化して反射させるミラーイン
テグレータ１０３は、上面が反射面２０７とされる六角
柱状の複数の要素２０６と、各要素２０６をその側面に
て接するように収容するケース２０５より構成されてい
る。なお、図２（ｂ）には簡単化のために要素２０６は
一つだけ示されている。各要素２０６の上面である反射
面２０７は、反射光が拡散するように丸められている。 これにより、ミラーインテグレータ１０３としての反射
面には、拡散作用が生じる反射面２０７が周期的に配設
されることになる。このため、ランプ１０１にて発生し
、ミラーインテグレータ１０３にて反射されてコリメー
タレンズ１０４に入射される光は拡大均一化されたもの
となり、コリメータレンズ１０４を通ることにより平行
光束化されて処理室に入射される。
テグレータ１０３は、上面が反射面２０７とされる六角
柱状の複数の要素２０６と、各要素２０６をその側面に
て接するように収容するケース２０５より構成されてい
る。なお、図２（ｂ）には簡単化のために要素２０６は
一つだけ示されている。各要素２０６の上面である反射
面２０７は、反射光が拡散するように丸められている。 これにより、ミラーインテグレータ１０３としての反射
面には、拡散作用が生じる反射面２０７が周期的に配設
されることになる。このため、ランプ１０１にて発生し
、ミラーインテグレータ１０３にて反射されてコリメー
タレンズ１０４に入射される光は拡大均一化されたもの
となり、コリメータレンズ１０４を通ることにより平行
光束化されて処理室に入射される。
【００１７】本実施例のものにおいては、上記のような
ミラーインテグレータにて反射させることによって光を
拡大均一化するため、ランプの照度を大きなものとする
ことができ、大面積基体に均一化された高照度の光を効
率よく照射することができた。
ミラーインテグレータにて反射させることによって光を
拡大均一化するため、ランプの照度を大きなものとする
ことができ、大面積基体に均一化された高照度の光を効
率よく照射することができた。
【００１８】なお、ランプ１０１としては点状光源が望
ましく、高圧Ｈｇランプ、Ｘｅ−Ｈｇランプ、Ｘｅラン
プなどから用途により適当なものを選択すればよい。本
実施例においては高圧Ｈｇランプを使用した。また、背
面ミラー１０２はランプ１０１にて発生した光を平行光
束化するものが望ましい。なお、光源として平行光束を
持つレーザを用いる場合は背面ミラー１０２は不必要と
なる。
ましく、高圧Ｈｇランプ、Ｘｅ−Ｈｇランプ、Ｘｅラン
プなどから用途により適当なものを選択すればよい。本
実施例においては高圧Ｈｇランプを使用した。また、背
面ミラー１０２はランプ１０１にて発生した光を平行光
束化するものが望ましい。なお、光源として平行光束を
持つレーザを用いる場合は背面ミラー１０２は不必要と
なる。
【００１９】ミラーインテグレータ１０３の反射面は複
数の要素２０６の各反射面２０７によって構成されるも
のとして説明したが、これは反射面に所定の精度を持た
せたうえで製造を容易とするために行ったものである。 ミラーインテグレータの製造方法は、この方法に限定さ
れるものではなく、同様の周期的な反射面を成形したう
えでミラーを蒸着するものとしてもよい。
数の要素２０６の各反射面２０７によって構成されるも
のとして説明したが、これは反射面に所定の精度を持た
せたうえで製造を容易とするために行ったものである。 ミラーインテグレータの製造方法は、この方法に限定さ
れるものではなく、同様の周期的な反射面を成形したう
えでミラーを蒸着するものとしてもよい。
【００２０】ミラーインテグレータ１０３を構成する各
要素２０６の各反射面２０７の形状としては、球面が造
り易く望ましい。各球面の半径は基体の大きさと、ミラ
ーインテグレータ１０３とコリメータレンズ１０４との
間隔によってほぼ決定され、５〜１００ｍｍ程度である
。例えば、各要素２０６の大きさを６ｍｍ、基体の大き
さをφ６″とし、ミラーインテグレータ１０３とコリメ
タータレンズ１０４との間隔が３５０ｍｍの場合には、
半径２８ｍｍ程度が適当である。ミラーインテグレータ
１０３の各要素２０６の形状は本実施例のように六角柱
状に限定されるものではなく、例えば円形でも良い。し
かし、反射光の均一化のためには最も密に詰められる形
状（例えば本実施例のような六角柱状や角柱状）が望ま
しい。反射面２０７の材質としては各種金属、特に可視
紫外領域における反射率の高いＡ１が望ましい。
要素２０６の各反射面２０７の形状としては、球面が造
り易く望ましい。各球面の半径は基体の大きさと、ミラ
ーインテグレータ１０３とコリメータレンズ１０４との
間隔によってほぼ決定され、５〜１００ｍｍ程度である
。例えば、各要素２０６の大きさを６ｍｍ、基体の大き
さをφ６″とし、ミラーインテグレータ１０３とコリメ
タータレンズ１０４との間隔が３５０ｍｍの場合には、
半径２８ｍｍ程度が適当である。ミラーインテグレータ
１０３の各要素２０６の形状は本実施例のように六角柱
状に限定されるものではなく、例えば円形でも良い。し
かし、反射光の均一化のためには最も密に詰められる形
状（例えば本実施例のような六角柱状や角柱状）が望ま
しい。反射面２０７の材質としては各種金属、特に可視
紫外領域における反射率の高いＡ１が望ましい。
【００２１】次に、本発明を光ＣＶＤ装置に応用した実
施例について図３を参照して説明する。
施例について図３を参照して説明する。
【００２２】ランプ１０１にて発生した光は、ミラーイ
ンテグレータ１０３とコリメータレンズ１０４とによっ
て均一な平行光束とされ、石英性の光導入窓３１３を介
して反応室３０７に導入される。基体３０８は、その下
部に設けられたヒータ３１０によって加熱される支持体
３０９上に載置される。処理を行うための原料ガス３１
２は、反応室３０７中の基体３０８近傍の部分から導入
され、基体３０８と反応後は排気３１１として反応室３
０７から排出される。
ンテグレータ１０３とコリメータレンズ１０４とによっ
て均一な平行光束とされ、石英性の光導入窓３１３を介
して反応室３０７に導入される。基体３０８は、その下
部に設けられたヒータ３１０によって加熱される支持体
３０９上に載置される。処理を行うための原料ガス３１
２は、反応室３０７中の基体３０８近傍の部分から導入
され、基体３０８と反応後は排気３１１として反応室３
０７から排出される。
【００２３】次に、本実施例における成膜動作について
説明する。
説明する。
【００２４】まず、支持体３０９上に基体３０８を設置
する。続いてヒータ３１０に電流を流し、基体３０８を
室温から数百℃の間の所望の温度まで加熱する。次に、
原料ガス３１２を流し、排気３１１側に設けられたコン
ダクタンスバルブ（不図示）により反応室３０７内を０
．１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒの間の所望の圧力に保
持する。この後、ランプ１０１を点灯し、所望の膜厚が
得られるまで成膜を行う。
する。続いてヒータ３１０に電流を流し、基体３０８を
室温から数百℃の間の所望の温度まで加熱する。次に、
原料ガス３１２を流し、排気３１１側に設けられたコン
ダクタンスバルブ（不図示）により反応室３０７内を０
．１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒの間の所望の圧力に保
持する。この後、ランプ１０１を点灯し、所望の膜厚が
得られるまで成膜を行う。
【００２５】ランプ１０１として高圧水銀ランプを用い
、原料ガス３１２としてＳｉ２ Ｈ６を２０ｓｃｃｍ、
ＮＨ３ を２００ｓｃｃｍ供給し、圧力５Ｔｏｒｒ、基
板温度３００℃、照度１３０ｍＷ／ｃｍ２ の条件でφ
６″基板上に成膜を行った。その結果、良質なＳｉＮ膜
が±３％の均一性をもって２０ｎｍ／ｍｉｎ．と比較的
高速に成膜された。
、原料ガス３１２としてＳｉ２ Ｈ６を２０ｓｃｃｍ、
ＮＨ３ を２００ｓｃｃｍ供給し、圧力５Ｔｏｒｒ、基
板温度３００℃、照度１３０ｍＷ／ｃｍ２ の条件でφ
６″基板上に成膜を行った。その結果、良質なＳｉＮ膜
が±３％の均一性をもって２０ｎｍ／ｍｉｎ．と比較的
高速に成膜された。
【００２６】原料ガスを代えることにより、ＳｉＮ、Ｓ
ｉＯ２ ，Ｔａ２ Ｏ５ ，Ａｌ２ Ｏ３ ，ＡｌＮな
どの絶縁体、ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＧａＡｓなど
の半導体、Ａｌ，Ｗなどの金属が成膜可能である。
ｉＯ２ ，Ｔａ２ Ｏ５ ，Ａｌ２ Ｏ３ ，ＡｌＮな
どの絶縁体、ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＧａＡｓなど
の半導体、Ａｌ，Ｗなどの金属が成膜可能である。
【００２７】次に、本発明を光アシストプラズマＣＶＤ
装置に応用した実施例について図４を参照して説明する
。
装置に応用した実施例について図４を参照して説明する
。
【００２８】本実施例においては、反応室３０７の外周
部には、プラズマ発生手段であり高周波電源４１２より
電力供給を受けるリング状の高周波電極４１１が券回さ
れ、また、高周波電極４１１の近傍に形成される電界に
対して垂直な磁界を発生させるための磁界発生手段であ
る磁石４１３が設けられている。また、基体３０８の処
理を行うための原料ガスには、図３に示した実施例と同
様に反応室３０７中の基体３０８近傍の部分から導入さ
れる原料ガス３１２とプラズマ発生領域を通って基体３
０８に到達するように反応室３０７の上部より導入され
る第２の原料ガス４１４とがある。この他の構成は図３
に示した実施例とほぼ同様であるため、図３と同じ番号
を付して説明は省略する。
部には、プラズマ発生手段であり高周波電源４１２より
電力供給を受けるリング状の高周波電極４１１が券回さ
れ、また、高周波電極４１１の近傍に形成される電界に
対して垂直な磁界を発生させるための磁界発生手段であ
る磁石４１３が設けられている。また、基体３０８の処
理を行うための原料ガスには、図３に示した実施例と同
様に反応室３０７中の基体３０８近傍の部分から導入さ
れる原料ガス３１２とプラズマ発生領域を通って基体３
０８に到達するように反応室３０７の上部より導入され
る第２の原料ガス４１４とがある。この他の構成は図３
に示した実施例とほぼ同様であるため、図３と同じ番号
を付して説明は省略する。
【００２９】次に、本実施例における成膜動作について
説明する。
説明する。
【００３０】まず、支持体３０９上に基体３０８を設置
し、ランプ１０１を点灯すると共にヒータ３１０に電流
を流し、基体３０８を室温から数百℃の間の所望の温度
に加熱する。次に、原料ガス３１２および第２の原料ガ
ス４１４を流し、排気３１１側に設けられたコンダクタ
ンスバルブ（不図示）により反応室３０７内を１０ｍＴ
ｏｒｒから１Ｔｏｒｒの間の所望の圧力に保持する。さ
らに、磁石４１３による数百Ｇのマグネトロン磁場の存
在下、高周波電極４１１に高周波電源４１２で発生した
高周波電力を供給し、高周波電極４１１近傍に局在した
プラズマを発生させ、所望の膜厚が得られるまで成膜を
行う。
し、ランプ１０１を点灯すると共にヒータ３１０に電流
を流し、基体３０８を室温から数百℃の間の所望の温度
に加熱する。次に、原料ガス３１２および第２の原料ガ
ス４１４を流し、排気３１１側に設けられたコンダクタ
ンスバルブ（不図示）により反応室３０７内を１０ｍＴ
ｏｒｒから１Ｔｏｒｒの間の所望の圧力に保持する。さ
らに、磁石４１３による数百Ｇのマグネトロン磁場の存
在下、高周波電極４１１に高周波電源４１２で発生した
高周波電力を供給し、高周波電極４１１近傍に局在した
プラズマを発生させ、所望の膜厚が得られるまで成膜を
行う。
【００３１】ランプ１０１としてＸｅランプを用い、原
料ガス３１２としてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）
を１００ｓｃｃｍ、第２の原料ガス４１４としてＯ２
を５００ｓｃｃｍ供給し、圧力０．１Ｔｏｒｒ、基板温
度３００℃、照度０．６Ｗ／ｃｍ２ 、高周波電力５０
０Ｗ、磁束密度１３０Ｇの条件でφ６″基板上に成膜を
行った。その結果、水素含有率１ａｔｍ％以下、ストレ
ス２×１０８ ｄｙｎｅ／ｃｍ２ 引張と良質なＳｉＯ
２ 膜が±３％の均一性をもって１８０ｎｍ／ｍｉｎ．
と高速に成膜された。
料ガス３１２としてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）
を１００ｓｃｃｍ、第２の原料ガス４１４としてＯ２
を５００ｓｃｃｍ供給し、圧力０．１Ｔｏｒｒ、基板温
度３００℃、照度０．６Ｗ／ｃｍ２ 、高周波電力５０
０Ｗ、磁束密度１３０Ｇの条件でφ６″基板上に成膜を
行った。その結果、水素含有率１ａｔｍ％以下、ストレ
ス２×１０８ ｄｙｎｅ／ｃｍ２ 引張と良質なＳｉＯ
２ 膜が±３％の均一性をもって１８０ｎｍ／ｍｉｎ．
と高速に成膜された。
【００３２】原料ガスを代えることにより、ＳｉＮ，Ｓ
ｉＯ２ ，Ｔａ２ Ｏ５ ，Ａｌ２ Ｏ３ ，ＡｌＮな
どの絶縁体、ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＧａＡｓなど
の半導体、Ａｌ、Ｗなどの金属が成膜可能である。
ｉＯ２ ，Ｔａ２ Ｏ５ ，Ａｌ２ Ｏ３ ，ＡｌＮな
どの絶縁体、ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＧａＡｓなど
の半導体、Ａｌ、Ｗなどの金属が成膜可能である。
【００３３】なお、上記各計測値のうち、・密度は、エ
リプソメトリにより計測された屈折率とオージェ電子分
光により計測された組成比およびローレンツ−ローレン
ツ関係式により求めた。 ・水素含有率は赤外吸収スペクトル中のＳｉ−Ｈ，Ｎ−
Ｈバンドの吸光度を吸収係数で割求めた。 ・ストレスは干渉計により測定した成膜前後の基体のそ
りの変化より求めた。
リプソメトリにより計測された屈折率とオージェ電子分
光により計測された組成比およびローレンツ−ローレン
ツ関係式により求めた。 ・水素含有率は赤外吸収スペクトル中のＳｉ−Ｈ，Ｎ−
Ｈバンドの吸光度を吸収係数で割求めた。 ・ストレスは干渉計により測定した成膜前後の基体のそ
りの変化より求めた。
【００３４】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００３５】請求項１に記載のものにおいては、光強度
が大幅に低下することなく、色収差も生じないためラン
プが発生する光強度を大きくすることができ、広い面積
に均一化された高照度の光とすることができる効果があ
る。
が大幅に低下することなく、色収差も生じないためラン
プが発生する光強度を大きくすることができ、広い面積
に均一化された高照度の光とすることができる効果があ
る。
【００３６】請求項２に記載のものにおいては、上記の
効果を備えたインテグレータ部を容易に製造することが
できる効果がある。
効果を備えたインテグレータ部を容易に製造することが
できる効果がある。
【００３７】請求項３に記載のものにおいては、光励起
のための光として広い面積に均一化された高照度の光が
用いられるため、高性能かつ高速な処理が可能な光励起
プロセス装置を実現することができる効果がある。
のための光として広い面積に均一化された高照度の光が
用いられるため、高性能かつ高速な処理が可能な光励起
プロセス装置を実現することができる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）は図１中のミラーインテグレータ１０３
の構成を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
の構成を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図３】本発明を光ＣＶＤ装置に応用した実施例の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明を光アシストプラズＣＶＤ装置に応用し
た実施例の構成を示す図である。
た実施例の構成を示す図である。
【図５】マルチランプアレイ型の従来例の構成を示す図
である。
である。
【図６】ハエノメレンズ型の従来例の構成を示す図であ
る。
る。
１０１ ランプ
１０２ 背面ミラー
１０３ ミラーインテグレータ
１０４ コリメータレンズ
２０５ ケース
２０６ 要素
２０７ 反射面
３０７ 反応室
３０８ 基体
３０９ 支持体
３１０ ヒータ
３１１ 排気
３１２ 原料ガス
３１３ 光導入窓
４１１ 高周波電極
４１２ 高周波電源
４１３ 磁石
４１４ 第２の原料ガス
Claims (3)
- 【請求項１】 光源部と、該光源部にて発生した光を
拡大均一化するインテグレータ部と、該インテグレータ
部にて拡大均一化された光を平行光束とするコリメータ
レンズとを具備する照明装置であって、前記インテグレ
ータ部が、光源部にて発生した光をコリメータレンズに
向けて反射させる反射部材であることを特徴とする照明
装置。 - 【請求項２】 インテグレータ部は、拡散作用が生じ
る反射面を有する複数の要素から構成され、前記各要素
は、それぞれの各反射面が周期的に並ぶように配設され
ている請求項１記載の照明装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の照明
装置が励起用の光源として使用されることを特徴とする
光励起プロセス装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094996A JPH04305244A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 照明装置とこれによる光励起プロセス装置 |
| US07/854,403 US5223039A (en) | 1991-04-02 | 1992-03-19 | Illuminating apparatus and photo-excited process apparatus using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094996A JPH04305244A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 照明装置とこれによる光励起プロセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305244A true JPH04305244A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=14125473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094996A Pending JPH04305244A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 照明装置とこれによる光励起プロセス装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5223039A (ja) |
| JP (1) | JPH04305244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8699593B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-04-15 | Panasonic Corporation | Communication medium determining apparatus and method of determining communication medium |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5212118A (en) * | 1991-08-09 | 1993-05-18 | Saxena Arjun N | Method for selective chemical vapor deposition of dielectric, semiconductor and conductive films on semiconductor and metallic substrates |
| JP2989063B2 (ja) * | 1991-12-12 | 1999-12-13 | キヤノン株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| JP3148004B2 (ja) * | 1992-07-06 | 2001-03-19 | 株式会社東芝 | 光ｃｖｄ装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH06333857A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2942239B2 (ja) * | 1997-05-23 | 1999-08-30 | キヤノン株式会社 | 排気方法及び排気装置、それを用いたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP3352418B2 (ja) | 1999-01-28 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 減圧処理方法及び減圧処理装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB204538A (en) * | 1922-10-11 | 1923-10-04 | Christian Gottlob Feucht | Improvements in railway switches |
| US4202605A (en) * | 1979-04-05 | 1980-05-13 | Rockwell International Corporation | Active segmented mirror |
| US4289380A (en) * | 1980-04-03 | 1981-09-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser beam linear adjustable integrating mirror |
| JPS60128264A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-09 | Nec Corp | 薄膜形成方法 |
| JPS63216974A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| JPH01306567A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜の形成方法 |
-
1991
- 1991-04-02 JP JP3094996A patent/JPH04305244A/ja active Pending
-
1992
- 1992-03-19 US US07/854,403 patent/US5223039A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8699593B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-04-15 | Panasonic Corporation | Communication medium determining apparatus and method of determining communication medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5223039A (en) | 1993-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8858753B2 (en) | Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method | |
| JP5686971B2 (ja) | フォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 | |
| US20070030568A1 (en) | High-reflectance visible-light reflector member, liquid-crystal display backlight unit employing the same, and manufacture of the high-reflectance visible-light reflector member | |
| KR20090017468A (ko) | 반도체 웨이퍼 처리 방법 및 장치 | |
| JPH04305244A (ja) | 照明装置とこれによる光励起プロセス装置 | |
| US6914011B2 (en) | Film deposition system and method of fabricating semiconductor device employing the film deposition system | |
| US5681394A (en) | Photo-excited processing apparatus and method for manufacturing a semiconductor device by using the same | |
| JP2973611B2 (ja) | 光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2000068222A (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP2005079336A (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US4803095A (en) | Chemical vapor reaction process by virtue of uniform irradiation | |
| JP2004216321A5 (ja) | ||
| US4882263A (en) | Method of treating photoresists | |
| JPS61216449A (ja) | パタ−ン薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH03276625A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP3139058B2 (ja) | 光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0635663B2 (ja) | 表面処理方法および装置 | |
| JPH07294705A (ja) | 紫外線照射後処理方法 | |
| JPH11223707A (ja) | 光学部材及びその製造方法 | |
| JPH04365318A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPS6193630A (ja) | 二酸化硅素膜の製法 | |
| JPH0430519A (ja) | 基板表面処理装置 | |
| JPH0447454B2 (ja) | ||
| JP2003059855A (ja) | 光照射式加熱処理装置 | |
| JP3088446B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |