JPH04300914A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
- Publication number
- JPH04300914A JPH04300914A JP3091475A JP9147591A JPH04300914A JP H04300914 A JPH04300914 A JP H04300914A JP 3091475 A JP3091475 A JP 3091475A JP 9147591 A JP9147591 A JP 9147591A JP H04300914 A JPH04300914 A JP H04300914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- formula
- semiconductor device
- phenol resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 7
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 2
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- -1 tertiary amine compounds Chemical class 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- QIRNGVVZBINFMX-UHFFFAOYSA-N 2-allylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC=C QIRNGVVZBINFMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/02—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
- C08G59/04—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule of polyhydroxy compounds with epihalohydrins or precursors thereof
- C08G59/06—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule of polyhydroxy compounds with epihalohydrins or precursors thereof of polyhydric phenols
- C08G59/08—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule of polyhydroxy compounds with epihalohydrins or precursors thereof of polyhydric phenols from phenol-aldehyde condensates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3218—Carbocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
- C08L63/04—Epoxynovolacs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/40—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、流動性が良好な上、膨
張係数が小さく、高ガラス転移温度を有しながら低応力
性であり、しかも、接着性、低吸湿性に優れた硬化物を
与えるエポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物
の硬化物で封止された半導体装置に関する。
張係数が小さく、高ガラス転移温度を有しながら低応力
性であり、しかも、接着性、低吸湿性に優れた硬化物を
与えるエポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物
の硬化物で封止された半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体産業の中で樹脂封止型のダイオード、トランジス
タ、IC、LSI、超LSIが主流となっており、なか
でも硬化性エポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤
を配合したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性
樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐
湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体
装置を封止することが多く行なわれている。
半導体産業の中で樹脂封止型のダイオード、トランジス
タ、IC、LSI、超LSIが主流となっており、なか
でも硬化性エポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤
を配合したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性
樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐
湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体
装置を封止することが多く行なわれている。
【0003】これら半導体装置は最近ではその集積度が
益々大きくなり、それに応じてチップ寸法も大きくなり
つつあるが、一方、これに対してパッケージ外形寸法は
、電子機器の小型化、軽量化の要求に伴い小型化、薄型
化が進んでいる。更に、半導体部品を回路基板へ取り付
ける方法においても基板上の部品の高密度化や基板の薄
型化のため、半導体部品の表面実装がよく行なわれるよ
うになってきた。
益々大きくなり、それに応じてチップ寸法も大きくなり
つつあるが、一方、これに対してパッケージ外形寸法は
、電子機器の小型化、軽量化の要求に伴い小型化、薄型
化が進んでいる。更に、半導体部品を回路基板へ取り付
ける方法においても基板上の部品の高密度化や基板の薄
型化のため、半導体部品の表面実装がよく行なわれるよ
うになってきた。
【0004】しかしながら、半導体装置を回路基板へ表
面実装する場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか
、又は半田が溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一
般的であるが、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラ
ックが発生したり、リードフレームやチップと封止樹脂
との界面に剥離が生じたりするという問題があった。 このようなクラックや剥離は、表面実装時の熱衝撃以前
に半導体装置の封止樹脂層が吸湿していると更に顕著な
ものとなるが、実際の作業工程においては、封止樹脂層
の吸湿は避けられず、このため実装後のエポキシ樹脂で
封止した半導体装置の信頼性が大きく損なわれる場合が
あった。
面実装する場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか
、又は半田が溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一
般的であるが、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラ
ックが発生したり、リードフレームやチップと封止樹脂
との界面に剥離が生じたりするという問題があった。 このようなクラックや剥離は、表面実装時の熱衝撃以前
に半導体装置の封止樹脂層が吸湿していると更に顕著な
ものとなるが、実際の作業工程においては、封止樹脂層
の吸湿は避けられず、このため実装後のエポキシ樹脂で
封止した半導体装置の信頼性が大きく損なわれる場合が
あった。
【0005】従って、回路基板へ表面実装後に高い信頼
性の半導体装置を与え得る高品質の半導体装置封止用エ
ポキシ樹脂組成物の開発が望まれていた。
性の半導体装置を与え得る高品質の半導体装置封止用エ
ポキシ樹脂組成物の開発が望まれていた。
【0006】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
流動性が良好である上、高いガラス転移温度を有し、膨
張係数が小さく、低応力性、低吸湿性に優れた硬化物を
与えるエポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹脂組成
物の硬化物で封止された表面実装時の熱衝撃後において
も高い信頼性を有する半導体装置を提供することを目的
とする。
流動性が良好である上、高いガラス転移温度を有し、膨
張係数が小さく、低応力性、低吸湿性に優れた硬化物を
与えるエポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹脂組成
物の硬化物で封止された表面実装時の熱衝撃後において
も高い信頼性を有する半導体装置を提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、(A)ナフ
タレン環含有エポキシ樹脂、(B)下記一般式(1)で
示されるフェノール樹脂を含有するフェノール樹脂及び
(C)無機質充填剤を必須成分として組み合わせて配合
した場合、得られるエポキシ樹脂組成物は流動性が良好
であると共に、膨張係数が小さく、高いガラス転移温度
を有し、かつガラス転移温度以上の温度領域で弾性率が
低下するなどの特徴を有する低応力性に優れた硬化物を
与えること、しかも従来の低弾性率化の手法で得られる
エポキシ樹脂組成物はガラス転移温度の低下や樹脂強度
の不足などの欠点を合わせ持っているものであったが、
本発明のエポキシ樹脂組成物は低弾性率でありながらガ
ラス転移温度の低下がない上、低吸湿性であるなど、従
来のエポキシ樹脂組成物では得られなかった優れた特性
を有する硬化物を与えることを知見した。また、かかる
硬化物で封止された半導体装置は表面実装時の熱衝撃後
においても高い信頼性を有し、このため上記エポキシ樹
脂組成物はSOP、SOJ、TSOP、TQFPなどの
半導体装置に使用でき、特に表面実装用半導体装置の封
止材として非常に優れた特性を有していることを知見し
、本発明をなすに至った。
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、(A)ナフ
タレン環含有エポキシ樹脂、(B)下記一般式(1)で
示されるフェノール樹脂を含有するフェノール樹脂及び
(C)無機質充填剤を必須成分として組み合わせて配合
した場合、得られるエポキシ樹脂組成物は流動性が良好
であると共に、膨張係数が小さく、高いガラス転移温度
を有し、かつガラス転移温度以上の温度領域で弾性率が
低下するなどの特徴を有する低応力性に優れた硬化物を
与えること、しかも従来の低弾性率化の手法で得られる
エポキシ樹脂組成物はガラス転移温度の低下や樹脂強度
の不足などの欠点を合わせ持っているものであったが、
本発明のエポキシ樹脂組成物は低弾性率でありながらガ
ラス転移温度の低下がない上、低吸湿性であるなど、従
来のエポキシ樹脂組成物では得られなかった優れた特性
を有する硬化物を与えることを知見した。また、かかる
硬化物で封止された半導体装置は表面実装時の熱衝撃後
においても高い信頼性を有し、このため上記エポキシ樹
脂組成物はSOP、SOJ、TSOP、TQFPなどの
半導体装置に使用でき、特に表面実装用半導体装置の封
止材として非常に優れた特性を有していることを知見し
、本発明をなすに至った。
【0008】従って、本発明は、(A)ナフタレン環含
有エポキシ樹脂、(B)下記一般式(1)で示されるフ
ェノール樹脂を含有するフェノール樹脂、(C)無機質
充填剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物及び該エポ
キシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供
する。
有エポキシ樹脂、(B)下記一般式(1)で示されるフ
ェノール樹脂を含有するフェノール樹脂、(C)無機質
充填剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物及び該エポ
キシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供
する。
【0009】
【化2】
【0010】以下、本発明に付き更に詳しく説明する。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、上述したように(
A)ナフタレン環含有エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂及び(C)無機質充填剤を配合してなるものである
。
A)ナフタレン環含有エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂及び(C)無機質充填剤を配合してなるものである
。
【0011】ここで、(A)成分のナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂として具体的には、下記の化合物を挙げるこ
とができる。
ポキシ樹脂として具体的には、下記の化合物を挙げるこ
とができる。
【0012】
【化3】
【0013】更に、上述したナフタレン環を有するエポ
キシ樹脂と共に、必要に応じて、例えばビスフェノール
A型エポキシ樹脂,フェノールノボラック型エポキシ樹
脂,アリルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリ
フェノールアルカン型エポキシ樹脂及びその重合物、ビ
フェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポ
キシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、脂環
式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂などを併用することができ
る。
キシ樹脂と共に、必要に応じて、例えばビスフェノール
A型エポキシ樹脂,フェノールノボラック型エポキシ樹
脂,アリルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリ
フェノールアルカン型エポキシ樹脂及びその重合物、ビ
フェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポ
キシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、脂環
式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂などを併用することができ
る。
【0014】次に、(B)成分のフェノール樹脂は(A
)成分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであ
り、本発明においては下記一般式(1)で示されるフェ
ノール樹脂を含有するものを使用する。
)成分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであ
り、本発明においては下記一般式(1)で示されるフェ
ノール樹脂を含有するものを使用する。
【0015】
【化4】
【0016】一般式(1)で示されるフェノール樹脂と
して具体的には次の化合物を挙げることができる。
して具体的には次の化合物を挙げることができる。
【0017】
【化5】
【0018】上記一般式(1)で示されるフェノール樹
脂は吸湿後の半田浸漬の際の耐クラック性、低吸湿化に
効果があるが、これを硬化剤として単独で使用した場合
、ガラス転移温度が若干低下する場合がある。そのため
、一般式(1)のフェノール樹脂はそれ単独で用いるよ
りもノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノー
ル樹脂、トリフェノールアルカン型樹脂及びその重合体
等のフェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂
、更にアミン系硬化剤や酸無水物系硬化剤と併用するの
がよく、特に下記ナフタレン環含有フェノール樹脂との
併用はガラス転移温度を低下させずにより一層の低吸湿
化を達成するため最適である。この場合、一般式(1)
のフェノール樹脂の使用量は、(B)成分のフェノール
樹脂全体の10重量%以上、特に30〜80重量%の範
囲とすることが好ましい。
脂は吸湿後の半田浸漬の際の耐クラック性、低吸湿化に
効果があるが、これを硬化剤として単独で使用した場合
、ガラス転移温度が若干低下する場合がある。そのため
、一般式(1)のフェノール樹脂はそれ単独で用いるよ
りもノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノー
ル樹脂、トリフェノールアルカン型樹脂及びその重合体
等のフェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂
、更にアミン系硬化剤や酸無水物系硬化剤と併用するの
がよく、特に下記ナフタレン環含有フェノール樹脂との
併用はガラス転移温度を低下させずにより一層の低吸湿
化を達成するため最適である。この場合、一般式(1)
のフェノール樹脂の使用量は、(B)成分のフェノール
樹脂全体の10重量%以上、特に30〜80重量%の範
囲とすることが好ましい。
【0019】
【化6】
【0020】なお、本発明において、エポキシ樹脂及び
硬化剤としてのフェノール樹脂中におけるナフタレン環
の含有量は5〜80重量%、特に10〜60重量%の範
囲とすることが好ましい。ナフタレン環の含有量が10
重量%未満であると硬化物の低吸湿化、また、ガラス転
移温度以上の温度領域での低弾性率効果が顕著でないた
め、吸湿後の熱衝撃時の耐クラック性が十分改善されな
いことがある。またナフタレン環の含有量が80重量%
を超えると、樹脂の溶融粘度が高くなりすぎて製造時に
エポキシ樹脂が完全に分散しなくなり、成形性や硬化物
特性等において不利になる場合がある。
硬化剤としてのフェノール樹脂中におけるナフタレン環
の含有量は5〜80重量%、特に10〜60重量%の範
囲とすることが好ましい。ナフタレン環の含有量が10
重量%未満であると硬化物の低吸湿化、また、ガラス転
移温度以上の温度領域での低弾性率効果が顕著でないた
め、吸湿後の熱衝撃時の耐クラック性が十分改善されな
いことがある。またナフタレン環の含有量が80重量%
を超えると、樹脂の溶融粘度が高くなりすぎて製造時に
エポキシ樹脂が完全に分散しなくなり、成形性や硬化物
特性等において不利になる場合がある。
【0021】また、上記(A)成分、(B)成分に含ま
れるエポキシ基の量(aモル)とフェノール性水酸基の
量(bモル)の比はa/b=0.5〜1.5の範囲にあ
ることが望ましく、a/bが上記範囲外にあると、硬化
性、低応力性、吸湿性において不利になる場合がある。
れるエポキシ基の量(aモル)とフェノール性水酸基の
量(bモル)の比はa/b=0.5〜1.5の範囲にあ
ることが望ましく、a/bが上記範囲外にあると、硬化
性、低応力性、吸湿性において不利になる場合がある。
【0022】(C)成分の無機質充填剤は、通常エポキ
シ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる
。具体的には、例えば溶融シリカ,結晶シリカ等のシリ
カ類,アルミナ,窒化珪素,窒化アルミニウム,ボロン
ナイトライド,酸化チタン,ガラス繊維等が挙げられる
。これらの中でも溶融シリカが望ましく、その平均粒径
は3〜15μmのものが成形性の面から望ましい。また
、溶融シリカの形状は、高充填化やチップ表面に対する
応力を小さくするため球状のものが望ましい。なお、無
機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤表面の強度を強くす
るため、予めシランカップリング剤などで表面処理した
ものを配合することが好ましい。
シ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる
。具体的には、例えば溶融シリカ,結晶シリカ等のシリ
カ類,アルミナ,窒化珪素,窒化アルミニウム,ボロン
ナイトライド,酸化チタン,ガラス繊維等が挙げられる
。これらの中でも溶融シリカが望ましく、その平均粒径
は3〜15μmのものが成形性の面から望ましい。また
、溶融シリカの形状は、高充填化やチップ表面に対する
応力を小さくするため球状のものが望ましい。なお、無
機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤表面の強度を強くす
るため、予めシランカップリング剤などで表面処理した
ものを配合することが好ましい。
【0023】これら無機質充填剤はその1種を単独で使
用でき、また2種以上を併用するようにしてもよく、そ
の配合量は特に制限されないが、(A)成分と(B)成
分との合計量100部(重量部、以下に同じ)に対して
100〜1000部、特に200〜700部の範囲とす
ることが好ましい。
用でき、また2種以上を併用するようにしてもよく、そ
の配合量は特に制限されないが、(A)成分と(B)成
分との合計量100部(重量部、以下に同じ)に対して
100〜1000部、特に200〜700部の範囲とす
ることが好ましい。
【0024】更に、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
硬化触媒を配合することができ、この硬化触媒としては
イミダゾール化合物、三級アミン化合物、リン系化合物
等が例示されるが、1,8−ジアザビシクロ(5.4.
0)ウンデセン−7とトリフェニルホスフィンとを重量
比で0:1〜1:1、好ましくは0.01:1〜0.5
:1の範囲で使用する併用触媒とすることが好ましい。 1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7
の比率が上記範囲より高くなるとガラス転移温度が低く
なる場合がある。上記併用触媒の添加量は特に制限され
ないが、(A)成分と(B)成分の合計量100部に対
して0.2〜2部、特に0.4〜1.2部とすることが
望ましい。
硬化触媒を配合することができ、この硬化触媒としては
イミダゾール化合物、三級アミン化合物、リン系化合物
等が例示されるが、1,8−ジアザビシクロ(5.4.
0)ウンデセン−7とトリフェニルホスフィンとを重量
比で0:1〜1:1、好ましくは0.01:1〜0.5
:1の範囲で使用する併用触媒とすることが好ましい。 1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7
の比率が上記範囲より高くなるとガラス転移温度が低く
なる場合がある。上記併用触媒の添加量は特に制限され
ないが、(A)成分と(B)成分の合計量100部に対
して0.2〜2部、特に0.4〜1.2部とすることが
望ましい。
【0025】本発明の組成物には、更に必要に応じて各
種の添加剤を配合することができる。例えば熱可塑性樹
脂,熱可塑性エラストマー,有機合成ゴム,シリコーン
系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、ス
テアリン酸などの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カ
ーボンブラック,コバルトブルー,ベンガラ等の顔料、
酸化アンチモン,ハロゲン化合物等の難燃化剤、グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシランなどのシラン類、ア
ルキルチタネート類等の表面処理剤、老化防止剤、ハロ
ゲントラップ剤等の添加剤を配合することができる。
種の添加剤を配合することができる。例えば熱可塑性樹
脂,熱可塑性エラストマー,有機合成ゴム,シリコーン
系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、ス
テアリン酸などの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カ
ーボンブラック,コバルトブルー,ベンガラ等の顔料、
酸化アンチモン,ハロゲン化合物等の難燃化剤、グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシランなどのシラン類、ア
ルキルチタネート類等の表面処理剤、老化防止剤、ハロ
ゲントラップ剤等の添加剤を配合することができる。
【0026】本発明のエポキシ樹脂組成物は、その製造
に際し上述した成分の所定量を均一に撹拌、混合し、予
め70〜95℃に加熱してあるニーダ、ロール、エクス
トルーダーなどにより混練、冷却し、粉砕するなどの方
法で得ることができる。ここで、成分の配合順序に特に
制限はない。
に際し上述した成分の所定量を均一に撹拌、混合し、予
め70〜95℃に加熱してあるニーダ、ロール、エクス
トルーダーなどにより混練、冷却し、粉砕するなどの方
法で得ることができる。ここで、成分の配合順序に特に
制限はない。
【0027】かくして得られる本発明のエポキシ樹脂組
成物はSOP型,SOJ型,TSOP型,TQFP型等
の半導体装置の封止用に有効に使用でき、この場合、成
形は従来より採用されている成形法、例えばトランスフ
ァ成形、インジェクション成形、注型法などを採用して
行なうことができる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成
物の成形温度は150〜180℃で30〜180秒、ポ
ストキュアーは150〜180℃で2〜16時間行なう
ことが望ましい。
成物はSOP型,SOJ型,TSOP型,TQFP型等
の半導体装置の封止用に有効に使用でき、この場合、成
形は従来より採用されている成形法、例えばトランスフ
ァ成形、インジェクション成形、注型法などを採用して
行なうことができる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成
物の成形温度は150〜180℃で30〜180秒、ポ
ストキュアーは150〜180℃で2〜16時間行なう
ことが望ましい。
【0028】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、以下の例において部はいずれも重
量部である。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、以下の例において部はいずれも重
量部である。
【0029】〔実施例1〜8、比較例1,2〕下記に示
すエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を表1に示す割合で
使用し、下記に示す硬化触媒0.6部、トリフェニルホ
スフィン0.5部、比表面積1.4m2/g,平均粒径
15μmの溶融球状シリカ250部、比表面積2.5m
2/g,平均粒径10μmの溶融球状シリカ250部、
比表面積10m2/g,平均粒径1.0μmの溶融球状
シリカ70部、三酸化アンチモン8部、カーボンブラッ
ク1.5部、カルナバワックス1部及びγ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン3部を熱2本ロールにて
均一に溶融混合し、冷却、粉砕して、エポキシ樹脂組成
物を得た。
すエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を表1に示す割合で
使用し、下記に示す硬化触媒0.6部、トリフェニルホ
スフィン0.5部、比表面積1.4m2/g,平均粒径
15μmの溶融球状シリカ250部、比表面積2.5m
2/g,平均粒径10μmの溶融球状シリカ250部、
比表面積10m2/g,平均粒径1.0μmの溶融球状
シリカ70部、三酸化アンチモン8部、カーボンブラッ
ク1.5部、カルナバワックス1部及びγ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン3部を熱2本ロールにて
均一に溶融混合し、冷却、粉砕して、エポキシ樹脂組成
物を得た。
【0030】
【化7】
【0031】
【化8】
【0032】硬化触媒
1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7
とフェノールノボラック樹脂(TD2131大日本イン
キ製)とを20/80重量比の割合で130℃で30分
加熱溶融混合したのち、50μm以下に粉砕したもの。
とフェノールノボラック樹脂(TD2131大日本イン
キ製)とを20/80重量比の割合で130℃で30分
加熱溶融混合したのち、50μm以下に粉砕したもの。
【0033】次に、これらの組成物につき、次の(イ)
〜(ヘ)の諸試験を行なった。結果を表1に併記する。 (イ)スパイラルフロー EMMI規格に準じた金型を使用して180℃、70k
g/cm2の条件で測定した。 (ロ)曲げ強さ及び曲げ弾性率 JIS−K6911に準じて180℃、70kg/cm
2、成形時間2分の条件で10×4×100mmの曲げ
試験片を成形し、180℃で4時間ポストキュアーした
ものについて215℃で測定した。 (ハ)膨張係数、ガラス転移温度 直径4mm、長さ15mmの試験片を用いて、TMA法
により毎分5℃の速さで昇温した時の値を測定した。 (ニ)吸湿半田後の耐クラック性 2×4×0.4mmの大きさのシリコンチップを4×1
2×1.8mmの大きさのSOパッケージ用リードフレ
ーム(42アロイ)に接着し、これにエポキシ樹脂組成
物を成形条件180℃、70kg/cm2、成形時間2
分で成形し、180℃で4時間ポストキュアーした。
〜(ヘ)の諸試験を行なった。結果を表1に併記する。 (イ)スパイラルフロー EMMI規格に準じた金型を使用して180℃、70k
g/cm2の条件で測定した。 (ロ)曲げ強さ及び曲げ弾性率 JIS−K6911に準じて180℃、70kg/cm
2、成形時間2分の条件で10×4×100mmの曲げ
試験片を成形し、180℃で4時間ポストキュアーした
ものについて215℃で測定した。 (ハ)膨張係数、ガラス転移温度 直径4mm、長さ15mmの試験片を用いて、TMA法
により毎分5℃の速さで昇温した時の値を測定した。 (ニ)吸湿半田後の耐クラック性 2×4×0.4mmの大きさのシリコンチップを4×1
2×1.8mmの大きさのSOパッケージ用リードフレ
ーム(42アロイ)に接着し、これにエポキシ樹脂組成
物を成形条件180℃、70kg/cm2、成形時間2
分で成形し、180℃で4時間ポストキュアーした。
【0034】これを85℃/85%RHの雰囲気に48
時間及び168時間放置したのち、250℃の半田浴に
10秒間浸漬し、パッケージクラック数/総数を測定し
た。 (ホ)耐湿性 1MDRAMチップを20ピンのSOJフレームに接着
し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件180℃、7
0kg/cm2、成形時間2分で成形し、180℃で4
時間ポストキュアーした。
時間及び168時間放置したのち、250℃の半田浴に
10秒間浸漬し、パッケージクラック数/総数を測定し
た。 (ホ)耐湿性 1MDRAMチップを20ピンのSOJフレームに接着
し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件180℃、7
0kg/cm2、成形時間2分で成形し、180℃で4
時間ポストキュアーした。
【0035】これを121℃/100%RH雰囲気中に
24時間放置して吸湿させたのち、260℃の半田浴に
10秒間浸漬し、更に121℃/100%RH雰囲気中
に300時間放置したときのAl配線断線数/総数を測
定した。 (ヘ)吸水率 成型条件180℃、70kg/cm2、成形時間2分で
成形し、180℃で4時間ポストキュアーした直経50
mm、厚さ2mmの円板を121℃/100%RH雰囲
気中に24時間放置し、吸水率を測定した。
24時間放置して吸湿させたのち、260℃の半田浴に
10秒間浸漬し、更に121℃/100%RH雰囲気中
に300時間放置したときのAl配線断線数/総数を測
定した。 (ヘ)吸水率 成型条件180℃、70kg/cm2、成形時間2分で
成形し、180℃で4時間ポストキュアーした直経50
mm、厚さ2mmの円板を121℃/100%RH雰囲
気中に24時間放置し、吸水率を測定した。
【0036】
【表1】
【0037】表1の結果より、ナフタレン環含有エポキ
シ樹脂を使用していても、硬化剤として式(1)で示さ
れるフェノール樹脂以外のフェノール樹脂を使用したも
の(比較例1,2)は、いずれもガラス転移温度以上で
曲げ弾性率が高く、耐クラック性、耐湿性が悪く、吸水
率が大きいことが認められる。
シ樹脂を使用していても、硬化剤として式(1)で示さ
れるフェノール樹脂以外のフェノール樹脂を使用したも
の(比較例1,2)は、いずれもガラス転移温度以上で
曲げ弾性率が高く、耐クラック性、耐湿性が悪く、吸水
率が大きいことが認められる。
【0038】これに対し、ナフタレン環含有エポキシ樹
脂と共に、硬化剤として式(1)で示されるフェノール
樹脂を用いたもの(実施例1〜4)は、流動性、曲げ強
さ、ガラス転移温度、線膨張係数が比較例と同等である
上、ガラス転移温度以上で曲げ弾性率が顕著に低下し、
吸水率が少なく、耐クラック性、耐湿性に優れているこ
とが認められる。
脂と共に、硬化剤として式(1)で示されるフェノール
樹脂を用いたもの(実施例1〜4)は、流動性、曲げ強
さ、ガラス転移温度、線膨張係数が比較例と同等である
上、ガラス転移温度以上で曲げ弾性率が顕著に低下し、
吸水率が少なく、耐クラック性、耐湿性に優れているこ
とが認められる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエポキシ
樹脂組成物は、上述した成分の組合わせとしたことによ
り、流動性が良好であるとともに、低弾性率であり、特
にガラス転移以上の温度で著しく弾性率が低下し、線膨
張係数が小さく、低応力でありながらガラス転移温度が
高く、しかも低吸湿性の硬化物が得られるものであり、
このため本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止さ
れた半導体装置は表面実装時の熱衝撃においても高い信
頼性を有するものである。
樹脂組成物は、上述した成分の組合わせとしたことによ
り、流動性が良好であるとともに、低弾性率であり、特
にガラス転移以上の温度で著しく弾性率が低下し、線膨
張係数が小さく、低応力でありながらガラス転移温度が
高く、しかも低吸湿性の硬化物が得られるものであり、
このため本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止さ
れた半導体装置は表面実装時の熱衝撃においても高い信
頼性を有するものである。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)ナフタレン環含有エポキシ樹脂
、(B)下記一般式(1)で示されるフェノール樹脂を
含有するフェノール樹脂、(C)無機質充填剤を必須成
分とするエポキシ樹脂組成物。 【化1】 - 【請求項2】 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物の
硬化物で封止された半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091475A JPH04300914A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
EP92302564A EP0506360B1 (en) | 1991-03-29 | 1992-03-25 | Epoxy resin compositions and semiconductor devices encapsulated therewith |
DE69202608T DE69202608T2 (de) | 1991-03-29 | 1992-03-25 | Epoxydharzzusammensetzungen und damit eingekapselte Halbleiteranordnungen. |
KR1019920005192A KR0181716B1 (ko) | 1991-03-29 | 1992-03-28 | 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
US08/187,262 US5418266A (en) | 1991-03-29 | 1994-01-27 | Epoxy resin compositions and semiconductor devices encapsulated therewith |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091475A JPH04300914A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04300914A true JPH04300914A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=14027425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3091475A Pending JPH04300914A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5418266A (ja) |
EP (1) | EP0506360B1 (ja) |
JP (1) | JPH04300914A (ja) |
KR (1) | KR0181716B1 (ja) |
DE (1) | DE69202608T2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230187A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH05230170A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH11140277A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP2003176335A (ja) * | 2002-10-11 | 2003-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物並びにこれを用いた半導体装置 |
WO2014155975A1 (ja) | 2013-03-28 | 2014-10-02 | パナソニック株式会社 | 絶縁熱伝導性樹脂組成物 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1261171B (it) * | 1992-03-03 | 1996-05-09 | Ruetgerswerke Ag | Miscuglio resinoso a basso contenuto di prodotti di scissione. |
US7041771B1 (en) * | 1995-08-11 | 2006-05-09 | Kac Holdings, Inc. | Encapsulant with fluxing properties and method of use in flip-chip surface mount reflow soldering |
SG63803A1 (en) * | 1997-01-23 | 1999-03-30 | Toray Industries | Epoxy-resin composition to seal semiconductors and resin-sealed semiconductor device |
TW452944B (en) * | 1997-06-03 | 2001-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Phenolic resin, resin composition, molding material for encapsulation, and electronic component device |
JPH11140166A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
EP0933809B1 (en) * | 1998-02-02 | 2006-11-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for mounting flip-chip semiconductor devices |
AU2003228106A1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-12-12 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Fire retardant resin composition, method of its production, shaped articles comprising the same, and silica |
CN1890286B (zh) * | 2003-12-08 | 2010-05-26 | 积水化学工业株式会社 | 热固性树脂组合物、树脂片以及用于绝缘基板的树脂片 |
US7943706B2 (en) * | 2005-03-24 | 2011-05-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
US20060241215A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
JP4844725B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-12-28 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US8048969B2 (en) * | 2005-04-25 | 2011-11-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
US20070207322A1 (en) * | 2006-03-01 | 2007-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
KR101388750B1 (ko) * | 2012-07-31 | 2014-04-25 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판용 에폭시 수지 조성물, 절연필름, 프리프레그 및 다층 인쇄회로기판 |
JP6924292B2 (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-25 | 日本化薬株式会社 | エポキシ樹脂混合物、エポキシ樹脂組成物およびその硬化物 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5967660A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Toshiba Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
JPS6460623A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition for semiconductor sealing |
JPH02189326A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH04209623A (ja) * | 1990-12-10 | 1992-07-31 | Nippon Kayaku Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
JPH04235918A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-25 | Kenji Katagiri | 脂肪肝治療剤 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3384618A (en) * | 1960-11-24 | 1968-05-21 | Imoto Minoru | Method of producing synthetic resins from aromatic glycols and a phenol |
US3275708A (en) * | 1966-07-11 | 1966-09-27 | Dow Chemical Co | Phenolic adducts of diphenyloxides or biphenyls, with epoxy resins |
JPS53299A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-05 | Hitachi Ltd | Epoxy resin composition |
JPS59230017A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 新規ポリグリシジルエ−テル及びその製法 |
JPS60112813A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Dainippon Ink & Chem Inc | 成形材料用エポキシ樹脂組成物 |
EP0218228B1 (en) * | 1985-10-07 | 1993-09-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
JPH0617458B2 (ja) * | 1987-03-16 | 1994-03-09 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
JPH06104712B2 (ja) * | 1987-04-08 | 1994-12-21 | 東レ株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物 |
JPH0657740B2 (ja) * | 1988-09-27 | 1994-08-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH0291118A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH0791364B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1995-10-04 | 東レ株式会社 | 半導体封止用半田耐熱性エポキシ樹脂組成物 |
JPH0617440B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1994-03-09 | 新日鐵化学株式会社 | 新規エポキシ樹脂及びその製造法 |
CA2033978C (en) * | 1989-06-20 | 1995-02-14 | Hiromi Morita | Phenolic novolak resins, cured substances therefrom and method for production thereof |
JPH0390075A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | エポキシ樹脂及びその中間体並びにその製造法 |
EP0439171B1 (en) * | 1990-01-25 | 1995-12-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition and semiconductor device encapsulated therewith |
JP2526747B2 (ja) * | 1991-05-21 | 1996-08-21 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP3000717U (ja) | 1994-02-03 | 1994-08-16 | 株式会社博進紙器製作所 | 電報用装飾台紙 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3091475A patent/JPH04300914A/ja active Pending
-
1992
- 1992-03-25 DE DE69202608T patent/DE69202608T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-25 EP EP92302564A patent/EP0506360B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-28 KR KR1019920005192A patent/KR0181716B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-01-27 US US08/187,262 patent/US5418266A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5967660A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Toshiba Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
JPS6460623A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition for semiconductor sealing |
JPH02189326A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH04209623A (ja) * | 1990-12-10 | 1992-07-31 | Nippon Kayaku Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
JPH04235918A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-25 | Kenji Katagiri | 脂肪肝治療剤 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230187A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH05230170A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH11140277A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP2003176335A (ja) * | 2002-10-11 | 2003-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物並びにこれを用いた半導体装置 |
WO2014155975A1 (ja) | 2013-03-28 | 2014-10-02 | パナソニック株式会社 | 絶縁熱伝導性樹脂組成物 |
US9779853B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-10-03 | Panasonic Corporation | Insulating thermally conductive resin composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0506360B1 (en) | 1995-05-24 |
KR0181716B1 (ko) | 1999-05-15 |
DE69202608T2 (de) | 1996-01-18 |
US5418266A (en) | 1995-05-23 |
EP0506360A2 (en) | 1992-09-30 |
EP0506360A3 (en) | 1993-01-13 |
DE69202608D1 (de) | 1995-06-29 |
KR920018142A (ko) | 1992-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5298548A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor devices encapsulated therewith | |
JPH04300914A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
KR100191744B1 (ko) | 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 | |
JP4692885B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
US5166228A (en) | Epoxy resin compositions containing polysubstituted novolac epoxy resins and naphthylene based phenolic resin curing agents and semiconductor devices encapsulated therewith | |
JPH06345847A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3479812B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH0597969A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH04300915A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH08157696A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2004292514A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2658755B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2658752B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2991849B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP3206317B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造法及びエポキシ樹脂組成物 | |
JP2783116B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3611002B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置 | |
JP3225745B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH05262961A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物及び硬化物 | |
JPH07238147A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2500548B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH0952940A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH02209949A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び硬化物 | |
JPH082940B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH07126490A (ja) | エポキシ樹脂組成物 |