JPH04300246A - Ｐｚｔ圧電セラミック材料及びその製造方法 - Google Patents
Ｐｚｔ圧電セラミック材料及びその製造方法Info
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- JPH04300246A JPH04300246A JP3074547A JP7454791A JPH04300246A JP H04300246 A JPH04300246 A JP H04300246A JP 3074547 A JP3074547 A JP 3074547A JP 7454791 A JP7454791 A JP 7454791A JP H04300246 A JPH04300246 A JP H04300246A
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- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 36
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- 229910019714 Nb2O3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910001931 tungsten(III) oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 102220466509 Putative histone H2B type 2-C_S11E_mutation Human genes 0.000 description 3
- 229910017895 Sb2 O3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 229910020698 PbZrO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016264 Bi2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 W2 There are O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(III) oxide Inorganic materials O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，超音波モータ，圧電ポ
ンプ等に用いるＰＺＴ圧電セラミック材料及びその製造
方法に関する。
ンプ等に用いるＰＺＴ圧電セラミック材料及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来技術】ＰＺＴ圧電セラミック材料は，ＰｂＴｉＯ
３ −ＰｂＺｒＯ３ 系の圧電セラミックであり，超音
波モータ，圧電ポンプ，微変位素子，振動計，超音波応
用計測器，強力超音波変成器，医用超音波変成器等，各
種用途に幅広く応用されている。また，ＰＺＴ圧電セラ
ミック材料は，ＢａＴｉＯ３ 系圧電セラミック材料に
比べて圧電特性が優れキュリー温度Ｔｃが高く，使用温
度範囲が広いため，温度安定状に優れている。一方，該
ＰＺＴ圧電セラミック材料は，例えば超音波モータの振
動発生源として用いる場合，高い機械的品質係数Ｑｍと
，高い圧電定数ｄ３１を有することが要求される。
３ −ＰｂＺｒＯ３ 系の圧電セラミックであり，超音
波モータ，圧電ポンプ，微変位素子，振動計，超音波応
用計測器，強力超音波変成器，医用超音波変成器等，各
種用途に幅広く応用されている。また，ＰＺＴ圧電セラ
ミック材料は，ＢａＴｉＯ３ 系圧電セラミック材料に
比べて圧電特性が優れキュリー温度Ｔｃが高く，使用温
度範囲が広いため，温度安定状に優れている。一方，該
ＰＺＴ圧電セラミック材料は，例えば超音波モータの振
動発生源として用いる場合，高い機械的品質係数Ｑｍと
，高い圧電定数ｄ３１を有することが要求される。
【０００３】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記機械的品
質係数と圧電定数とは，互いに相反する条件である。そ
のため，両者を高レベルで両立させたＰＺＴ圧電セラミ
ック材料を得ることは困難である。例えば，機械的品質
係数を高くするため，ＰＺＴ圧電セラミック材料に対し
てマンガン酸化物を（ＭｎＯ２ ）を添加することが知
られている。しかし，マンガン酸化物のみを添加する場
合には，その添加量の増加に伴って，ある程度までは機
械的品質係数の向上が見られるものの，それ以上は向上
が期待できない。また，マンガン酸化物量の増加と共に
，圧電定数が大きく低下してしまう（後述の図１，図２
参照）。本発明は，かかる従来の問題点に鑑み，圧電定
数の低下が少なく，高い機械的品質係数を有するＰＺＴ
圧電セラミック材料及びその製造方法を提供しようとす
るものである。
質係数と圧電定数とは，互いに相反する条件である。そ
のため，両者を高レベルで両立させたＰＺＴ圧電セラミ
ック材料を得ることは困難である。例えば，機械的品質
係数を高くするため，ＰＺＴ圧電セラミック材料に対し
てマンガン酸化物を（ＭｎＯ２ ）を添加することが知
られている。しかし，マンガン酸化物のみを添加する場
合には，その添加量の増加に伴って，ある程度までは機
械的品質係数の向上が見られるものの，それ以上は向上
が期待できない。また，マンガン酸化物量の増加と共に
，圧電定数が大きく低下してしまう（後述の図１，図２
参照）。本発明は，かかる従来の問題点に鑑み，圧電定
数の低下が少なく，高い機械的品質係数を有するＰＺＴ
圧電セラミック材料及びその製造方法を提供しようとす
るものである。
【０００４】
【課題の解決手段】本発明は，ＰＺＴ圧電セラミック材
料成分に対して，マンガン酸化物と，マンガンと複合ペ
ロブスカイトを形成する添加物質とからなる第３成分を
添加してなり，かつ該第３成分におけるマンガン酸化物
と添加物質とはペロブスカイトの組成比であることを特
徴とするＰＺＴ圧電セラミック材料にある。本発明にお
いて，ＰＺＴ圧電セラミック材料成分とは，前記のごと
く，ＰｂＴｉＯ３ −ＰｂＺｒＯ３ 系の圧電セラミッ
ク成分をいう。そして，本発明においては，上記圧電セ
ラミック成分に対して上記第３成分を添加，混合してい
る。 上記圧電セラミック成分としては，例えば，（Ｐｂ０．
９５Ｓｒ０．０５）・（Ｚｒ０．５３ Ｔｉ０．４７
）・Ｏ３ ，（Ｐｂ｛Ｚｒ０．３５Ｔｉ０．２５）・（
Ｎｉ０．２ Ｎｂ０．４ ）｝・Ｏ３ ，Ｐｂ｛（Ｚｒ
０．３ Ｔｉ０．５ ）・（Ｍｇ０．１ Ｗ０．１ ）
｝・Ｏ３ がある。
料成分に対して，マンガン酸化物と，マンガンと複合ペ
ロブスカイトを形成する添加物質とからなる第３成分を
添加してなり，かつ該第３成分におけるマンガン酸化物
と添加物質とはペロブスカイトの組成比であることを特
徴とするＰＺＴ圧電セラミック材料にある。本発明にお
いて，ＰＺＴ圧電セラミック材料成分とは，前記のごと
く，ＰｂＴｉＯ３ −ＰｂＺｒＯ３ 系の圧電セラミッ
ク成分をいう。そして，本発明においては，上記圧電セ
ラミック成分に対して上記第３成分を添加，混合してい
る。 上記圧電セラミック成分としては，例えば，（Ｐｂ０．
９５Ｓｒ０．０５）・（Ｚｒ０．５３ Ｔｉ０．４７
）・Ｏ３ ，（Ｐｂ｛Ｚｒ０．３５Ｔｉ０．２５）・（
Ｎｉ０．２ Ｎｂ０．４ ）｝・Ｏ３ ，Ｐｂ｛（Ｚｒ
０．３ Ｔｉ０．５ ）・（Ｍｇ０．１ Ｗ０．１ ）
｝・Ｏ３ がある。
【０００５】また，上記第３成分は，ハード成分とソフ
ト成分よりなる。ハード成分としてはマンガン酸化物（
ＭｎＯ２ ，Ｍｎ２ Ｏ３）を，ソフト成分として該マ
ンガンと複合ペロブスカイトを形成する添加物質を用い
る。該添加物質としては，アンチモン（Ｓｂ），ニオブ
（Ｎｂ），タングステン（Ｗ），ビスマス（Ｂｉ），バ
ナジウム（Ｖ）などの酸化物を用いる。かかる酸化物と
しては，例えばＳｂ２ Ｏ３ ，Ｎｂ２ Ｏ３ ，Ｗ２
Ｏ３ ，Ｂｉ２ Ｏ３ ，Ｖ２ Ｏ３ がある。そし
て，上記ハード成分Ａと，ソフト成分Ｂとは，複合ペロ
ブスカイトＰｂ（ＡＸ ａ＋ Ｂ１−ｘ ｂ＋）Ｏ３
を形成する条件式である，ａ・ｘ＋ｂ（１−ｘ）＝４
を満足するように混合して，第３成分とする。上記条件
式において，ａ及びｂはハード成分Ａ及びソフト成分Ｂ
のイオン価数である。例えば，ハード成分ＡがＭｎＯ２
で，ソフト成分ＢがＳｂ２ Ｏ３ の場合には，Ｍｎ
Ｏ２ とＳｂ２ Ｏ３ とを１対２のモル比で添加する
。これにより仮想ペロブスカイト組成は，Ｐｂ（Ｍｎ１
／３，Ｓｂ２／３）Ｏ３ となる。
ト成分よりなる。ハード成分としてはマンガン酸化物（
ＭｎＯ２ ，Ｍｎ２ Ｏ３）を，ソフト成分として該マ
ンガンと複合ペロブスカイトを形成する添加物質を用い
る。該添加物質としては，アンチモン（Ｓｂ），ニオブ
（Ｎｂ），タングステン（Ｗ），ビスマス（Ｂｉ），バ
ナジウム（Ｖ）などの酸化物を用いる。かかる酸化物と
しては，例えばＳｂ２ Ｏ３ ，Ｎｂ２ Ｏ３ ，Ｗ２
Ｏ３ ，Ｂｉ２ Ｏ３ ，Ｖ２ Ｏ３ がある。そし
て，上記ハード成分Ａと，ソフト成分Ｂとは，複合ペロ
ブスカイトＰｂ（ＡＸ ａ＋ Ｂ１−ｘ ｂ＋）Ｏ３
を形成する条件式である，ａ・ｘ＋ｂ（１−ｘ）＝４
を満足するように混合して，第３成分とする。上記条件
式において，ａ及びｂはハード成分Ａ及びソフト成分Ｂ
のイオン価数である。例えば，ハード成分ＡがＭｎＯ２
で，ソフト成分ＢがＳｂ２ Ｏ３ の場合には，Ｍｎ
Ｏ２ とＳｂ２ Ｏ３ とを１対２のモル比で添加する
。これにより仮想ペロブスカイト組成は，Ｐｂ（Ｍｎ１
／３，Ｓｂ２／３）Ｏ３ となる。
【０００６】上記のごとく構成した第３成分は，上記圧
電セラミック成分に対して，３〜１５モル（ｍｏｌ）％
添加することが好ましい。３モル％未満では，機械的品
質係数の向上が少なく，一方１５モル％を越えるとその
添加量に応じただけの機械的品質係数の向上が期待でき
ず，また，圧電定数が低くなるおそれがある。
電セラミック成分に対して，３〜１５モル（ｍｏｌ）％
添加することが好ましい。３モル％未満では，機械的品
質係数の向上が少なく，一方１５モル％を越えるとその
添加量に応じただけの機械的品質係数の向上が期待でき
ず，また，圧電定数が低くなるおそれがある。
【０００７】また，上記ＰＺＴ圧電セラミック材料を製
造する方法としては，上記圧電セラミック成分に対して
上記第３成分を添加，混合し，その後焼成する方法があ
る。この焼成は，例えば１２００〜１３００℃において
，鉛雰囲気の条件下で行うことが望ましい。１２００℃
未満では密度不十分のために目的とするＰＺＴ圧電セラ
ミック材料が得難く，１３００℃を越えると機械的品質
係数Ｑｍ，圧電定数ｄ３１が低下するおそれがある。
造する方法としては，上記圧電セラミック成分に対して
上記第３成分を添加，混合し，その後焼成する方法があ
る。この焼成は，例えば１２００〜１３００℃において
，鉛雰囲気の条件下で行うことが望ましい。１２００℃
未満では密度不十分のために目的とするＰＺＴ圧電セラ
ミック材料が得難く，１３００℃を越えると機械的品質
係数Ｑｍ，圧電定数ｄ３１が低下するおそれがある。
【０００８】
【作用及び効果】本発明のＰＺＴ圧電セラミック材料は
，上記のごとくマンガンと複合ペロブスカイトを形成す
る添加物質及びマンガン酸化物とよりなる第３成分を，
上記圧電セラミック成分に添加したものである。そのた
め，該第３成分が上記ＰＺＴの圧電セラミック成分と共
存したＰＺＴ圧電セラミック材料が得られ，高い機械的
品質係数を発揮させることができる。また，上記第３成
分を用いているので，圧電定数の低下も少ない。それ故
，本発明によれば，圧電定数の低下が少なく，高い機械
的品質係数を有するＰＺＴ圧電セラミック材料を提供す
ることができる。また，本発明の製造方法によれば，上
記のごとく優れたＰＺＴ圧電セラミック材料を得ること
ができる。
，上記のごとくマンガンと複合ペロブスカイトを形成す
る添加物質及びマンガン酸化物とよりなる第３成分を，
上記圧電セラミック成分に添加したものである。そのた
め，該第３成分が上記ＰＺＴの圧電セラミック成分と共
存したＰＺＴ圧電セラミック材料が得られ，高い機械的
品質係数を発揮させることができる。また，上記第３成
分を用いているので，圧電定数の低下も少ない。それ故
，本発明によれば，圧電定数の低下が少なく，高い機械
的品質係数を有するＰＺＴ圧電セラミック材料を提供す
ることができる。また，本発明の製造方法によれば，上
記のごとく優れたＰＺＴ圧電セラミック材料を得ること
ができる。
【０００９】
【実施例】上記圧電セラミック成分として（Ｐｂ０．９
５ Ｓｒ０．０５）・（Ｚｒ０．５３ Ｔｉ０．４
７）・Ｏ３ を用い，これに第３成分として（Ａｘ Ｂ
１−ｘ ）Ｏ３ を添加，混合，焼成して，ＰＺＴ圧電
セラミック材料を製造し，その特性を測定した。その結
果を表１，２に示す。上記Ａは前記ハード成分Ａで，マ
ンガン酸化物（ＭｎＯ２ ）を用いた。また，Ｂは上記
ソフト成分Ｂで，Ｓｂ２ Ｏ３ ，Ｎｂ２ Ｏ３ ，Ｗ
２ Ｏ３ を用いた。そして，これら第３成分を，両表
に示すごとく，上記圧電セラミック成分に対して，３〜
１５モル％添加した。
５ Ｓｒ０．０５）・（Ｚｒ０．５３ Ｔｉ０．４
７）・Ｏ３ を用い，これに第３成分として（Ａｘ Ｂ
１−ｘ ）Ｏ３ を添加，混合，焼成して，ＰＺＴ圧電
セラミック材料を製造し，その特性を測定した。その結
果を表１，２に示す。上記Ａは前記ハード成分Ａで，マ
ンガン酸化物（ＭｎＯ２ ）を用いた。また，Ｂは上記
ソフト成分Ｂで，Ｓｂ２ Ｏ３ ，Ｎｂ２ Ｏ３ ，Ｗ
２ Ｏ３ を用いた。そして，これら第３成分を，両表
に示すごとく，上記圧電セラミック成分に対して，３〜
１５モル％添加した。
【００１０】以下，これを詳説する。まず，上記圧電セ
ラミック成分と第３成分とからなる原料を湿式ボールミ
ルによって混合した。この混合物を乾燥後，７００〜９
００℃で３〜１０時間仮焼し，これを再びボールミルで
混合した後乾燥して，調整粉末を得た。該調整粉末に水
とＰＶＡとを含む粘着剤を添加して，３００〜１０００
ｋｇ／ｃｍ２ の圧力で加圧成形した。その後，１２０
０〜１３００℃で１〜３時間焼成を行った。これにより
，直径１５ｍｍ，厚さ０．５ｍｍの円板状のＰＺＴ圧電
セラミック材料を得た。その後，上記円板状ＰＺＴ圧電
セラミック材料に，電極を塗布し，２０〜１００℃のシ
リコンオイルからなる絶縁オイル中にて，電極間に直流
電場２０〜３０ｋｖ／ｃｍを６〜６０分間印加すること
により分極させた。これにより測定試料を得た。
ラミック成分と第３成分とからなる原料を湿式ボールミ
ルによって混合した。この混合物を乾燥後，７００〜９
００℃で３〜１０時間仮焼し，これを再びボールミルで
混合した後乾燥して，調整粉末を得た。該調整粉末に水
とＰＶＡとを含む粘着剤を添加して，３００〜１０００
ｋｇ／ｃｍ２ の圧力で加圧成形した。その後，１２０
０〜１３００℃で１〜３時間焼成を行った。これにより
，直径１５ｍｍ，厚さ０．５ｍｍの円板状のＰＺＴ圧電
セラミック材料を得た。その後，上記円板状ＰＺＴ圧電
セラミック材料に，電極を塗布し，２０〜１００℃のシ
リコンオイルからなる絶縁オイル中にて，電極間に直流
電場２０〜３０ｋｖ／ｃｍを６〜６０分間印加すること
により分極させた。これにより測定試料を得た。
【００１１】次に，上記測定試料の圧電定数ｄ３１，機
械的品質係数Ｑｍを測定した。これらは次式（１），（
２）により算出され，また式（１）中のｋｒ，Ｅ３３Ｔ
，Ｓ１１Ｅ は式（３），（４），（５）で示される
。 圧電定数ｄ３１＝ｋｒ｛〔（１−σ）／２〕・Ｅ３
３Ｔ ・Ｓ１１Ｅ ｝１／２ 〔ｍ／Ｖ〕 ・・・・・（１） 機械的品質係数Ｑｍ＝１／｛２π・ｆｒ・Ｒｏ・Ｃ
〔１−（ｆｒ／ｆａ）２ 〕｝ 〔−〕 ・・・・・（２） １／ｋｒ２ ＝０．３９５ｆｒ／（ｆａ−ｆｒ）＋
０．５７４ 〔−〕・・・・・（３） Ｅ３３Ｔ ＝Ｃ・ｔ／Ｓ 〔Ｆ／ｍ〕・
・・・・（４） １／Ｓ１１Ｅ ＝ρ｛〔２π（１−σ２ ）１／２
／η〕・ｒ・ｆｒ｝２ 〔ｍ２ ／Ｎ〕 ・・・・・（５） ここで，上記式（１）のσは０．３０，式（５）のηは
２．０５である。また，上式中ｔは試料の厚さ（ｍ），
Ｓは試料の端面面積（ｍ２ ），ＣはＬＣＲメータ（Ｙ
ＨＰ−４１９４Ａ）により測定した１ＫＨＺ時の静電容
量（Ｆ），ρは密度（ｇ／ｃｍ３ ），ｆａ，ｆｒはそ
れぞれ***振および共振周波数（ＨＺ）であり，これら
はいずれも周知の方法で測定される。
械的品質係数Ｑｍを測定した。これらは次式（１），（
２）により算出され，また式（１）中のｋｒ，Ｅ３３Ｔ
，Ｓ１１Ｅ は式（３），（４），（５）で示される
。 圧電定数ｄ３１＝ｋｒ｛〔（１−σ）／２〕・Ｅ３
３Ｔ ・Ｓ１１Ｅ ｝１／２ 〔ｍ／Ｖ〕 ・・・・・（１） 機械的品質係数Ｑｍ＝１／｛２π・ｆｒ・Ｒｏ・Ｃ
〔１−（ｆｒ／ｆａ）２ 〕｝ 〔−〕 ・・・・・（２） １／ｋｒ２ ＝０．３９５ｆｒ／（ｆａ−ｆｒ）＋
０．５７４ 〔−〕・・・・・（３） Ｅ３３Ｔ ＝Ｃ・ｔ／Ｓ 〔Ｆ／ｍ〕・
・・・・（４） １／Ｓ１１Ｅ ＝ρ｛〔２π（１−σ２ ）１／２
／η〕・ｒ・ｆｒ｝２ 〔ｍ２ ／Ｎ〕 ・・・・・（５） ここで，上記式（１）のσは０．３０，式（５）のηは
２．０５である。また，上式中ｔは試料の厚さ（ｍ），
Ｓは試料の端面面積（ｍ２ ），ＣはＬＣＲメータ（Ｙ
ＨＰ−４１９４Ａ）により測定した１ＫＨＺ時の静電容
量（Ｆ），ρは密度（ｇ／ｃｍ３ ），ｆａ，ｆｒはそ
れぞれ***振および共振周波数（ＨＺ）であり，これら
はいずれも周知の方法で測定される。
【００１２】次に，測定結果につき説明する。表１，表
２において，比較例Ｃ１〜Ｃ５はＭｎのみ，実施例１〜
５，６〜１０，１１〜１５は，それぞれＭｎとＳｂ，Ｎ
ｂ，Ｗの添加量を３〜１５ｍｏｌ％変化させたものを示
す。比較例Ｃ１〜５においては，Ｍｎ添加量の増加に伴
い機械的品質係数は向上しているが，９ｍｏｌ％で８５
０となり，それ以上の添加をしても頭打ち傾向となる。 また，圧電定数の低下は著しく，１５ｍｏｌ％で６８×
１０−１２ ｍ／Ｖとなった。
２において，比較例Ｃ１〜Ｃ５はＭｎのみ，実施例１〜
５，６〜１０，１１〜１５は，それぞれＭｎとＳｂ，Ｎ
ｂ，Ｗの添加量を３〜１５ｍｏｌ％変化させたものを示
す。比較例Ｃ１〜５においては，Ｍｎ添加量の増加に伴
い機械的品質係数は向上しているが，９ｍｏｌ％で８５
０となり，それ以上の添加をしても頭打ち傾向となる。 また，圧電定数の低下は著しく，１５ｍｏｌ％で６８×
１０−１２ ｍ／Ｖとなった。
【００１３】次に，実施例１〜５については，Ｍｎ１／
３ Ｓｂ２／３ の添加量増加に伴い機械的品質係
数は向上し，１５ｍｏｌ％添加時に１７５０を示してい
る。また，その時の圧電定数は１３５×１０−１２ｍ／
Ｖの高い値を示している。次に，実施例６〜１０，１１
〜１５について説明する。この場合も，それぞれ，Ｍｎ
１／３ Ｎｂ２／３ ，Ｍｎ１／２ Ｗ１／２ の
添加量増加に伴い機械的品質係数は向上し，１５ｍｏｌ
％添加時に１５５０，１４５０の高い値を示し，また圧
電定数はそれぞれ１０６×１０−１２ ，１０８×１０
−１２ｍ／Ｖを示している。
３ Ｓｂ２／３ の添加量増加に伴い機械的品質係
数は向上し，１５ｍｏｌ％添加時に１７５０を示してい
る。また，その時の圧電定数は１３５×１０−１２ｍ／
Ｖの高い値を示している。次に，実施例６〜１０，１１
〜１５について説明する。この場合も，それぞれ，Ｍｎ
１／３ Ｎｂ２／３ ，Ｍｎ１／２ Ｗ１／２ の
添加量増加に伴い機械的品質係数は向上し，１５ｍｏｌ
％添加時に１５５０，１４５０の高い値を示し，また圧
電定数はそれぞれ１０６×１０−１２ ，１０８×１０
−１２ｍ／Ｖを示している。
【００１４】以上に示した比較例（Ｍｎ単独添加）と実
施例１〜５につき，第３成分の添加量と機械的品質係数
又は圧電定数との関係を図１，図２に示す。また，実施
例６〜１０，１１〜１５につき，同様に図３，図４に示
す。これらの図からも知られるごとく，Ｍｎを単体で添
加する場合に比して，ＭｎとＳｂを同時に添加した方が
機械的品質係数，圧電定数が共に大きくなっている。ま
た，ＭｎとＮｂ，ＭｎとＷに関しても同じ結果が得られ
ている。なお，上記の第３成分の添加は，上記実施例に
示したもののみでなく，複合ペロブスカイトを形成する
第３成分すべてに対して適用しうるものである。
施例１〜５につき，第３成分の添加量と機械的品質係数
又は圧電定数との関係を図１，図２に示す。また，実施
例６〜１０，１１〜１５につき，同様に図３，図４に示
す。これらの図からも知られるごとく，Ｍｎを単体で添
加する場合に比して，ＭｎとＳｂを同時に添加した方が
機械的品質係数，圧電定数が共に大きくなっている。ま
た，ＭｎとＮｂ，ＭｎとＷに関しても同じ結果が得られ
ている。なお，上記の第３成分の添加は，上記実施例に
示したもののみでなく，複合ペロブスカイトを形成する
第３成分すべてに対して適用しうるものである。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【図１】比較例Ｃ１〜Ｃ５及び実施例１〜５における，
第３成分添加量と機械的品質係数との関係を示す線図。
第３成分添加量と機械的品質係数との関係を示す線図。
【図２】図１と同様の第３成分添加量と圧電定数との関
係を示す線図。
係を示す線図。
【図３】実施例６〜１０，１１〜１５における第３成分
添加量と機械的品質係数との関係を示す線図。
添加量と機械的品質係数との関係を示す線図。
【図４】図３と同様の第３成分添加量と圧電定数との関
係を示す線図。
係を示す線図。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＰＺＴ圧電セラミック材料成分に対し
て，マンガン酸化物と，マンガンと複合ペロブスカイト
を形成する添加物質とからなる第３成分を添加してなり
，かつ該第３成分におけるマンガン酸化物と添加物質と
はペロブスカイトの組成比であることを特徴とするＰＺ
Ｔ圧電セラミック材料。 - 【請求項２】 ＰＺＴ圧電セラミック材料成分に対し
て，マンガン酸化物と，マンガンと複合ペロブスカイト
を形成する添加物質とからなる第３成分を，該第３成分
におけるマンガン酸化物と添加物質との割合がペロブス
カイトの組成比となるように添加，混合し，その後焼成
することを特徴とするＰＺＴ圧電セラミック材料の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074547A JPH04300246A (ja) | 1991-01-30 | 1991-03-14 | Ｐｚｔ圧電セラミック材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-32006 | 1991-01-30 | ||
| JP3200691 | 1991-01-30 | ||
| JP3074547A JPH04300246A (ja) | 1991-01-30 | 1991-03-14 | Ｐｚｔ圧電セラミック材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04300246A true JPH04300246A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=26370517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3074547A Pending JPH04300246A (ja) | 1991-01-30 | 1991-03-14 | Ｐｚｔ圧電セラミック材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04300246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0959060A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-04 | Nec Corp | 圧電磁器組成物 |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP3074547A patent/JPH04300246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0959060A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-04 | Nec Corp | 圧電磁器組成物 |
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