JPH04298810A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH04298810A JPH04298810A JP6304591A JP6304591A JPH04298810A JP H04298810 A JPH04298810 A JP H04298810A JP 6304591 A JP6304591 A JP 6304591A JP 6304591 A JP6304591 A JP 6304591A JP H04298810 A JPH04298810 A JP H04298810A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等に
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関し、特に磁気抵抗
効果素子からの磁界の洩れを防止する構成に関するもの
である。
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関し、特に磁気抵抗
効果素子からの磁界の洩れを防止する構成に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置であ
る磁気ディスク装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッ
ドが要求されている。この要求を満足するものとして、
記憶媒体の速度に依存せず高出力が得られる磁気抵抗効
果型ヘッド(以下MRヘッドという)が注目されている
。
る磁気ディスク装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッ
ドが要求されている。この要求を満足するものとして、
記憶媒体の速度に依存せず高出力が得られる磁気抵抗効
果型ヘッド(以下MRヘッドという)が注目されている
。
【0003】図6は従来のMRヘッドを示す磁気抵抗効
果素子(以下MR素子という)の要部縦断側面図、図7
は非磁性絶縁層を除去した状態の磁気抵抗効果素子の要
部斜視図である。2つの磁気シールド13a、13bの
間に非磁性絶縁層14aよりなる再生ギャップ14が形
成され、該再生ギャップ14の下端の一方の磁気シール
ド13a寄りにMR素子11が配置される。MR素子1
1はその長手方向(y軸方向)が容易軸方向に一致する
ようにパターン形成されており、該MR素子11の中央
部に信号検出領域16を残して両端に信号導出用の引き
出し導体層12が接合されている。従って、MR素子1
1及び引き出し導体層12は、再生ギャップ14の非磁
性絶縁層14aを介して磁気シールド13a、13bと
電気的に絶縁されていることになる。センス電流Jは引
き出し導体層12を介してMR素子11の中央部に形成
された長方形の信号検出領域16に流されることになる
。
果素子(以下MR素子という)の要部縦断側面図、図7
は非磁性絶縁層を除去した状態の磁気抵抗効果素子の要
部斜視図である。2つの磁気シールド13a、13bの
間に非磁性絶縁層14aよりなる再生ギャップ14が形
成され、該再生ギャップ14の下端の一方の磁気シール
ド13a寄りにMR素子11が配置される。MR素子1
1はその長手方向(y軸方向)が容易軸方向に一致する
ようにパターン形成されており、該MR素子11の中央
部に信号検出領域16を残して両端に信号導出用の引き
出し導体層12が接合されている。従って、MR素子1
1及び引き出し導体層12は、再生ギャップ14の非磁
性絶縁層14aを介して磁気シールド13a、13bと
電気的に絶縁されていることになる。センス電流Jは引
き出し導体層12を介してMR素子11の中央部に形成
された長方形の信号検出領域16に流されることになる
。
【0004】上記MR素子11に加えられる磁界Hに対
するMR素子11の比抵抗ρの変化特性を表す曲線は図
9に示すような山型となり、磁界Hの変化にともなうM
R素子11の抵抗変化を電圧(電流)の変化として取り
出すには、上記山型カーブの直線部を利用するところか
ら、MR素子11にはバイアス磁界Hbをかけるように
している。
するMR素子11の比抵抗ρの変化特性を表す曲線は図
9に示すような山型となり、磁界Hの変化にともなうM
R素子11の抵抗変化を電圧(電流)の変化として取り
出すには、上記山型カーブの直線部を利用するところか
ら、MR素子11にはバイアス磁界Hbをかけるように
している。
【0005】そこで、上記構成においてMR素子11に
はセンス電流Jが流されており、このセンス電流Jが形
成する磁界によってMR素子11に近い方の磁気シール
ド13aが磁化される。この磁気シールド13aが磁化
されることによって形成される磁界をMR素子11のバ
イアス磁界Hbとしている。そして、図9に示すように
このバイアス磁界Hbの元でMR素子11に対して直角
方向(図8中x軸方向)に移動する磁気記録媒体17の
磁界信号Shに対し、MR素子11の比抵抗ρが線形変
動し、該MR素子11の両端の電圧の変化としての再生
信号Seを検出するようになっている。
はセンス電流Jが流されており、このセンス電流Jが形
成する磁界によってMR素子11に近い方の磁気シール
ド13aが磁化される。この磁気シールド13aが磁化
されることによって形成される磁界をMR素子11のバ
イアス磁界Hbとしている。そして、図9に示すように
このバイアス磁界Hbの元でMR素子11に対して直角
方向(図8中x軸方向)に移動する磁気記録媒体17の
磁界信号Shに対し、MR素子11の比抵抗ρが線形変
動し、該MR素子11の両端の電圧の変化としての再生
信号Seを検出するようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記MR素子11の磁
気抵抗効果を最大限に発揮させようとすると、磁気記録
媒体17から得られる磁束がすべてMR素子11の下端
から上端に抜けることが望ましい。ところが、上記構成
ではMR素子11と磁気シールド13aとの間に磁気抵
抗の高い非磁性絶縁層14aが介在しているので、図8
に示すように磁気記録媒体17からMR素子11に入っ
た磁束の一部はMR素子11の表面から洩れ磁束となっ
て、再生信号に有効に表れない欠点がある。特に、上記
のように一方の磁気シールド13aとMR素子11が接
近していると、該磁気シールド13aが接近している側
のMR素子11の面からの磁束の洩れが多くなり、上記
欠点を更に強めることになる。
気抵抗効果を最大限に発揮させようとすると、磁気記録
媒体17から得られる磁束がすべてMR素子11の下端
から上端に抜けることが望ましい。ところが、上記構成
ではMR素子11と磁気シールド13aとの間に磁気抵
抗の高い非磁性絶縁層14aが介在しているので、図8
に示すように磁気記録媒体17からMR素子11に入っ
た磁束の一部はMR素子11の表面から洩れ磁束となっ
て、再生信号に有効に表れない欠点がある。特に、上記
のように一方の磁気シールド13aとMR素子11が接
近していると、該磁気シールド13aが接近している側
のMR素子11の面からの磁束の洩れが多くなり、上記
欠点を更に強めることになる。
【0007】この発明は上記従来の事情に鑑みて提案さ
れたものであって、MR素子表面よりの磁束の洩れをで
きる限り少なくして、できるだけ大きな信号を検出でき
る磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
れたものであって、MR素子表面よりの磁束の洩れをで
きる限り少なくして、できるだけ大きな信号を検出でき
る磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は以下の手段を採用している。すなわち、図
1に示すように、2つの磁気シールド13a,13bの
間に形成される非磁性絶縁層14aよりなる再生ギャッ
プ14中に配備される磁気抵抗効果素子11に電流を流
し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体17からの信
号磁界を電気信号として再生する磁気抵抗効果型ヘッド
において、一方の磁気シールド13aが絶縁性磁性体か
ら成り、上記信号磁界が流入する上記磁気抵抗効果素子
14の上端部で該磁気抵抗効果素子11と該絶縁性磁性
体の磁気シールド13aとの間に磁気的な接合部10を
形成するようにしている。
にこの発明は以下の手段を採用している。すなわち、図
1に示すように、2つの磁気シールド13a,13bの
間に形成される非磁性絶縁層14aよりなる再生ギャッ
プ14中に配備される磁気抵抗効果素子11に電流を流
し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体17からの信
号磁界を電気信号として再生する磁気抵抗効果型ヘッド
において、一方の磁気シールド13aが絶縁性磁性体か
ら成り、上記信号磁界が流入する上記磁気抵抗効果素子
14の上端部で該磁気抵抗効果素子11と該絶縁性磁性
体の磁気シールド13aとの間に磁気的な接合部10を
形成するようにしている。
【0009】具体的には、前記絶縁性磁性体の磁気シー
ルド13a,13bの下端部に非磁性絶縁材14bを埋
め込んだ切欠部20を設け、該切欠部20を挟んで磁気
抵抗効果素子11を上記絶縁性磁性体の磁気シールド1
3aに対向して配置するとともに、前記磁気抵抗効果素
子11の上端部のみで該磁気抵抗効果素子11と該絶縁
性磁性体の磁気シールド13aを直接当接させた接合部
10を形成する構成とすることができる。また、前記磁
気抵抗効果素子11の上端部と前記絶縁性磁性体の磁気
シールド13aとの間に、該磁気抵抗効果素子11の比
抵抗より十分大きい軟磁性膜30を配置して磁気的な接
合部10を形成する構成とすることもできる。
ルド13a,13bの下端部に非磁性絶縁材14bを埋
め込んだ切欠部20を設け、該切欠部20を挟んで磁気
抵抗効果素子11を上記絶縁性磁性体の磁気シールド1
3aに対向して配置するとともに、前記磁気抵抗効果素
子11の上端部のみで該磁気抵抗効果素子11と該絶縁
性磁性体の磁気シールド13aを直接当接させた接合部
10を形成する構成とすることができる。また、前記磁
気抵抗効果素子11の上端部と前記絶縁性磁性体の磁気
シールド13aとの間に、該磁気抵抗効果素子11の比
抵抗より十分大きい軟磁性膜30を配置して磁気的な接
合部10を形成する構成とすることもできる。
【0010】
【作用】上記構成によって、MR素子11の上端部で一
方の磁気シールド13aと磁気的に接合することになる
ので、磁気記録媒体17よりの信号磁界はMR素子11
の表面から殆ど洩れることなく、MR素子11の下端か
ら上端、更に磁気シールド13aに抜けることになり、
また、上記一方の磁気シールド13aとして絶縁性磁性
体を使用しているので、MR素子11に流れるセンス電
流Jがリークすることがなく大きな再生信号を得ること
ができることになる。
方の磁気シールド13aと磁気的に接合することになる
ので、磁気記録媒体17よりの信号磁界はMR素子11
の表面から殆ど洩れることなく、MR素子11の下端か
ら上端、更に磁気シールド13aに抜けることになり、
また、上記一方の磁気シールド13aとして絶縁性磁性
体を使用しているので、MR素子11に流れるセンス電
流Jがリークすることがなく大きな再生信号を得ること
ができることになる。
【0011】
【実施例】図2は本発明の一実施例を示すMRヘッドの
要部縦断側面図であり、図3は非磁性絶縁層及び後述す
る非磁性絶縁材を除去した状態の該実施例の要部斜視図
である。2枚の磁気シールド13a,13bの間に非磁
性絶縁層14aよりなる再生ギャップ14が形成され、
該再生ギャップ14の間にMR素子11が配置される構
成は従来と同じであるが、上記磁気シールド13a,1
3bの中、MR素子11が近接されて配設される側の磁
気シールド13aには、例えばNiZn等の絶縁性磁性
体が採用される。そして、該磁気シールド13aの下端
に上記MR素子11の高さより僅かに低い切欠部20が
形成され、該切欠部20には上記再生ギャップ14に充
填されたと同じ種類の非磁性絶縁材14bが充填される
。そして、MR素子11は上記切欠部20を介して磁気
シールド13aと対向して配置されるとともに、その上
端が絶縁性の磁気シールド13aと直接当接して磁気的
な接合部10を形成するように配置される。
要部縦断側面図であり、図3は非磁性絶縁層及び後述す
る非磁性絶縁材を除去した状態の該実施例の要部斜視図
である。2枚の磁気シールド13a,13bの間に非磁
性絶縁層14aよりなる再生ギャップ14が形成され、
該再生ギャップ14の間にMR素子11が配置される構
成は従来と同じであるが、上記磁気シールド13a,1
3bの中、MR素子11が近接されて配設される側の磁
気シールド13aには、例えばNiZn等の絶縁性磁性
体が採用される。そして、該磁気シールド13aの下端
に上記MR素子11の高さより僅かに低い切欠部20が
形成され、該切欠部20には上記再生ギャップ14に充
填されたと同じ種類の非磁性絶縁材14bが充填される
。そして、MR素子11は上記切欠部20を介して磁気
シールド13aと対向して配置されるとともに、その上
端が絶縁性の磁気シールド13aと直接当接して磁気的
な接合部10を形成するように配置される。
【0012】この構成によって、上記MR素子11の上
端部と磁気シールド13aの接合部10の磁気抵抗が極
めて低くなり、磁気記録媒体17より流入した磁束は、
上記磁気抵抗の低い接合部10を介してMR素子11の
下端から上端に、更に磁気シールド13aに抜け、MR
素子11の表面からの洩れ磁束が極めて少なくなり、し
かも、磁気シールド13aが絶縁性磁性体であるので、
MR素子11から磁気シールド13aにリークする電流
も極めて小さくなり、MR素子11の両端からは再生信
号を効率よく得ることができる。またこの構成によって
、再生ギャップ14を従来より狭くすることが可能とな
り、高密度記憶の磁気媒体に対応することができること
になる。
端部と磁気シールド13aの接合部10の磁気抵抗が極
めて低くなり、磁気記録媒体17より流入した磁束は、
上記磁気抵抗の低い接合部10を介してMR素子11の
下端から上端に、更に磁気シールド13aに抜け、MR
素子11の表面からの洩れ磁束が極めて少なくなり、し
かも、磁気シールド13aが絶縁性磁性体であるので、
MR素子11から磁気シールド13aにリークする電流
も極めて小さくなり、MR素子11の両端からは再生信
号を効率よく得ることができる。またこの構成によって
、再生ギャップ14を従来より狭くすることが可能とな
り、高密度記憶の磁気媒体に対応することができること
になる。
【0013】図4はこの発明の他の実施例を示すMRヘ
ッドの要部縦断側面図であり、図5は該MRヘッドの非
磁性絶縁層を除去した状態の要部斜視図である。この実
施例においても2つの磁気シールド13a,13bの間
の再生ギャップ14に非磁性絶縁層14aが配置される
点、及びMR素子11が一方の磁気シールド13aに近
接して配置される点は従来と同じである。
ッドの要部縦断側面図であり、図5は該MRヘッドの非
磁性絶縁層を除去した状態の要部斜視図である。この実
施例においても2つの磁気シールド13a,13bの間
の再生ギャップ14に非磁性絶縁層14aが配置される
点、及びMR素子11が一方の磁気シールド13aに近
接して配置される点は従来と同じである。
【0014】この実施例では上記第1の実施例と同様、
上記MR素子11が近接している側の磁気シールド13
aとして絶縁性の磁性体を用いるとともに、該磁気シー
ルド13aとMR素子11の上端部との間にMR素子1
1より比抵抗の大きい軟磁性膜30を配置して、MR素
子11と磁気シールド13aとの間に磁気的な接合部1
0を形成している。この軟磁性膜30としては、Fe系
磁性膜あるいはCo系アモルファス磁性膜、NiFe膜
に第3元素(Rh、Cr、W、Ta、Ti、Nb、C、
O、等)を添加した膜を用いることができる。
上記MR素子11が近接している側の磁気シールド13
aとして絶縁性の磁性体を用いるとともに、該磁気シー
ルド13aとMR素子11の上端部との間にMR素子1
1より比抵抗の大きい軟磁性膜30を配置して、MR素
子11と磁気シールド13aとの間に磁気的な接合部1
0を形成している。この軟磁性膜30としては、Fe系
磁性膜あるいはCo系アモルファス磁性膜、NiFe膜
に第3元素(Rh、Cr、W、Ta、Ti、Nb、C、
O、等)を添加した膜を用いることができる。
【0015】この構成によって、前記実施例と同様、磁
気記録媒体17よりの信号磁束は洩れ磁束を生ずること
なく、MR素子11の下端から上端に抜けて大きな再生
信号を発生するとともに、MR素子11から磁気シール
ド13aにリークする電流も極めて小さくなるので、M
R素子11の両端に大きな再生信号を発生する。また、
上記図2乃至図3に示した実施例のように磁気シールド
13aに加工を施す必要がないので、製造が簡単となる
。
気記録媒体17よりの信号磁束は洩れ磁束を生ずること
なく、MR素子11の下端から上端に抜けて大きな再生
信号を発生するとともに、MR素子11から磁気シール
ド13aにリークする電流も極めて小さくなるので、M
R素子11の両端に大きな再生信号を発生する。また、
上記図2乃至図3に示した実施例のように磁気シールド
13aに加工を施す必要がないので、製造が簡単となる
。
【0016】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は、磁気記
録媒体からMR素子に入力される信号磁束がMR素子表
面から洩れることなく、MR素子の下端から上端まで抜
け、しかも、MR素子に流れるセンス電流がリークする
こともないので、MR素子の両端から効率よく大きな再
生信号を得ることができる効果がある。
録媒体からMR素子に入力される信号磁束がMR素子表
面から洩れることなく、MR素子の下端から上端まで抜
け、しかも、MR素子に流れるセンス電流がリークする
こともないので、MR素子の両端から効率よく大きな再
生信号を得ることができる効果がある。
【0017】接合部が、前記絶縁性磁性体の磁気シール
ドの下端部に設けた切欠部を挟んで磁気抵抗効果素子の
上端部を磁気シールドに当接させた構成である場合、再
生ギャップを従来より狭くきることができ、より高密度
の磁気媒体への記録再生が可能となる効果がある。また
接合部が、軟磁性膜を挟んで磁気抵抗効果素子と磁気シ
ールドとの接合部を形成する構成である場合、磁気シー
ルドに直接加工を加える必要がなく、製造がより容易と
なる効果がある。
ドの下端部に設けた切欠部を挟んで磁気抵抗効果素子の
上端部を磁気シールドに当接させた構成である場合、再
生ギャップを従来より狭くきることができ、より高密度
の磁気媒体への記録再生が可能となる効果がある。また
接合部が、軟磁性膜を挟んで磁気抵抗効果素子と磁気シ
ールドとの接合部を形成する構成である場合、磁気シー
ルドに直接加工を加える必要がなく、製造がより容易と
なる効果がある。
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】本発明の一実施例を示す要部縦断側面図である
。
。
【図3】本発明の一実施例の要部斜視図である。
【図4】本発明の他の実施例の要部縦断側面図である。
【図5】本発明の他の実施例の要部斜視図である。
【図6】従来例の要部縦断側面図である。
【図7】従来例の要部斜視図である。
【図8】従来のMRヘッドにおける信号磁界の流れを示
す説明図である。
す説明図である。
【図9】MRヘッドの特性を示すグラフである。
10 接合部
11 磁気抵抗効果素子(MR素子)13a,13b
磁気シールド 14 再生ギャップ 14a 非磁性絶縁層 14b 非磁性絶縁材 17 磁気記録媒体 20 切欠部 30 軟磁性膜
磁気シールド 14 再生ギャップ 14a 非磁性絶縁層 14b 非磁性絶縁材 17 磁気記録媒体 20 切欠部 30 軟磁性膜
Claims (3)
- 【請求項1】 2つの磁気シールド(13a),(1
3b) の間に形成される非磁性絶縁層(14a) よ
りなる再生ギャップ(14)中に配備される磁気抵抗効
果素子(11)に電流を流し、磁気抵抗効果を利用して
磁気記録媒体(17)からの信号磁界を電気信号として
再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、一方の磁気シ
ールド(13a) が絶縁性磁性体から成り、上記信号
磁界が流入する上記磁気抵抗効果素子(11)の上端部
で該磁気抵抗効果素子(11)と該絶縁性磁性体の磁気
シールド(13a) との間に磁気的な接合部(10)
を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項2】 上記絶縁性磁性体の磁気シールド(1
3a) の下端部に非磁性絶縁材(14b) を埋め込
んだ切欠部(20)を設け、該切欠部(20)を挟んで
磁気抵抗効果素子(11)を上記絶縁性磁性体の磁気シ
ールド(13a) に対向して配置するとともに、前記
磁気抵抗効果素子(11)の上端部のみで該磁気抵抗効
果素子(11)と該絶縁性磁性体の磁気シールド(13
a) とを直接当接させた接合部(10)を形成したこ
とを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果型ヘッド
。 - 【請求項3】 上記磁気抵抗効果素子(11)の上端
部と前記絶縁性磁性体の磁気シールド(13a) との
間に、該磁気抵抗効果素子(11)より十分大きい比抵
抗の軟磁性膜(30)を配置して上記磁気的な接合部(
10)を形成したことを特徴とする請求項1に記載の磁
気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6304591A JPH04298810A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6304591A JPH04298810A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04298810A true JPH04298810A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13217972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6304591A Withdrawn JPH04298810A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04298810A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6765768B2 (en) * | 2001-04-02 | 2004-07-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having ensured insulation between shield and magnetic detecting element |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP6304591A patent/JPH04298810A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6765768B2 (en) * | 2001-04-02 | 2004-07-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having ensured insulation between shield and magnetic detecting element |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |