JPH042974A - 半導体装置のテスト方法 - Google Patents
半導体装置のテスト方法Info
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- JPH042974A JPH042974A JP2105546A JP10554690A JPH042974A JP H042974 A JPH042974 A JP H042974A JP 2105546 A JP2105546 A JP 2105546A JP 10554690 A JP10554690 A JP 10554690A JP H042974 A JPH042974 A JP H042974A
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 6
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- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
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- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明は、半導体装置のテスト方法に係り、特にロッ
ト毎に行われる半導体ICの電気的特性の検査方法に関
するものである。
ト毎に行われる半導体ICの電気的特性の検査方法に関
するものである。
第2図は従来の半導体装置のテスト方法を示すフローチ
ャー1・で、、 (21)〜(28)は各ステップを示
す。
ャー1・で、、 (21)〜(28)は各ステップを示
す。
次に検査手順について説明する。
とのテスト方法は、検査中連続して一定数以上不良品が
検出された時に不良状態と判定するもので、あらかじめ
判断基準となる値Xを設定しておく。
検出された時に不良状態と判定するもので、あらかじめ
判断基準となる値Xを設定しておく。
まず、検査を実行しくステップ(21))、良品か不良
品かの判定を行う(ステップ(22))。この時、良品
と判定されれば連続不良カラン1−用のカウンタ値をク
リアしくステ・ツブ(27))、ステップ(28)へと
進む。一方、不良品と判定されれば連続不良カウノト用
のカウンタ値をインクリメンl−L、、(ステップ(2
3))、次いてそのカウンタ値が設定値X以上となった
か否かの判定を行う(ステップ(24))。
品かの判定を行う(ステップ(22))。この時、良品
と判定されれば連続不良カラン1−用のカウンタ値をク
リアしくステ・ツブ(27))、ステップ(28)へと
進む。一方、不良品と判定されれば連続不良カウノト用
のカウンタ値をインクリメンl−L、、(ステップ(2
3))、次いてそのカウンタ値が設定値X以上となった
か否かの判定を行う(ステップ(24))。
そして、設定値未満であれば、ロットの終りか否かの判
定を行い(ステップ(28))、ロットの終りであれば
検査を終了し、ロットの終りでなければ再度ステップ(
21)へ戻り、検査を繰り返し実行する。
定を行い(ステップ(28))、ロットの終りであれば
検査を終了し、ロットの終りでなければ再度ステップ(
21)へ戻り、検査を繰り返し実行する。
しかし゛、ステップ(24)で連続不良カウント用のカ
ウンタ値が設定値X以上になったと判定されれば、検査
装置は外部スイッチによって解除が行われるまで一時停
止状態となり (ステップ(25))、解除が行われる
と(ステップ(26)Lステ、ンプ(27)へと進む。
ウンタ値が設定値X以上になったと判定されれば、検査
装置は外部スイッチによって解除が行われるまで一時停
止状態となり (ステップ(25))、解除が行われる
と(ステップ(26)Lステ、ンプ(27)へと進む。
上記のような従来の半導体装置のテスト方法では、個々
のD U T (Device Under Te5t
)が完全に故障している場合にしか有効でないうえ、
検査装置が不安定状態の場合に連続不良数設定値内で1
個でも良品と判定されれば、連続不良数がカウントクリ
アされてそのまま検査続行してしまい、異常発見後に検
査を停止しても、相当量の再検査をする乙とが必要であ
り、また、最悪の場合歩留りが低下するなどの問題があ
った。
のD U T (Device Under Te5t
)が完全に故障している場合にしか有効でないうえ、
検査装置が不安定状態の場合に連続不良数設定値内で1
個でも良品と判定されれば、連続不良数がカウントクリ
アされてそのまま検査続行してしまい、異常発見後に検
査を停止しても、相当量の再検査をする乙とが必要であ
り、また、最悪の場合歩留りが低下するなどの問題があ
った。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、不連続な不良多発状態でも検査できろとと
もに、ICの品種固有の歩留り実績に応して検査を行う
ことが可能な半導体装置のナス1一方法を得る乙とを目
的とする。
れたもので、不連続な不良多発状態でも検査できろとと
もに、ICの品種固有の歩留り実績に応して検査を行う
ことが可能な半導体装置のナス1一方法を得る乙とを目
的とする。
この発明に係る半導体装置のテスト方法は、同一検査個
数に対するグループ間の半導体装置の良品数をカウント
した後、良品数の比較を行うことにより半導体装置の完
成状態または検査結果の正常/異常の判定を行うもので
ある。
数に対するグループ間の半導体装置の良品数をカウント
した後、良品数の比較を行うことにより半導体装置の完
成状態または検査結果の正常/異常の判定を行うもので
ある。
この発明においては、グループ間の半導体装置の良品数
の差が、例えば歩留り実績等に基づく一定の値より拡大
した時に不良状態または検査結果に異常があったと判定
される。
の差が、例えば歩留り実績等に基づく一定の値より拡大
した時に不良状態または検査結果に異常があったと判定
される。
第1図は乙の発明の半導体装置のテスト方法の一実施例
を示すフローチャー1・で、(1)〜(14)は各ステ
ップを示す。
を示すフローチャー1・で、(1)〜(14)は各ステ
ップを示す。
次に検査手順について説明する。
乙の発明のテスト方法は、同一検査個数に対する各グル
ープのD U T毎の良品数をカラン・1・し、良品カ
ウント用のカウンタ値があらかじめ設定された値となっ
た時点で良品数の差を検出(7、この差が設定された許
容値を超えた時に不良状態または検査結果に異常があっ
たと判定するもので、あらかしめ良品数の差の検出を行
う際の良品カウント用のカウンタ値2品種固有の歩留り
実績に応した許容値を設定しておく。いま、M:良品が
多いDUTの良品数2m:良品が少ないDUTの良品数
、S:良品設定値、X:良品検出タイミング設定用のカ
ウンタ値とし、カウンタ値x −= 30 、良品差膜
定値5=30(%)、許容値として、例えばM×
を設定するものとする。
ープのD U T毎の良品数をカラン・1・し、良品カ
ウント用のカウンタ値があらかじめ設定された値となっ
た時点で良品数の差を検出(7、この差が設定された許
容値を超えた時に不良状態または検査結果に異常があっ
たと判定するもので、あらかしめ良品数の差の検出を行
う際の良品カウント用のカウンタ値2品種固有の歩留り
実績に応した許容値を設定しておく。いま、M:良品が
多いDUTの良品数2m:良品が少ないDUTの良品数
、S:良品設定値、X:良品検出タイミング設定用のカ
ウンタ値とし、カウンタ値x −= 30 、良品差膜
定値5=30(%)、許容値として、例えばM×
を設定するものとする。
まず、検査を実行しくステップ(1))、良品か不良品
かの判定を行う(ステップ(2))。この時、良品と判
定されれば各DUT毎に良品カラノト用のカウンタ値を
イノクリメントシ(ステップ(3))、次いで良品が多
いDUTの良品数M(良品カラノト用のカウンタ値)が
設定されたカウンタ値X30以上か否かの判定を行う(
ステップ(4))。
かの判定を行う(ステップ(2))。この時、良品と判
定されれば各DUT毎に良品カラノト用のカウンタ値を
イノクリメントシ(ステップ(3))、次いで良品が多
いDUTの良品数M(良品カラノト用のカウンタ値)が
設定されたカウンタ値X30以上か否かの判定を行う(
ステップ(4))。
そして、設定値未満であれば、連続不良カラン1−用の
カウンタ値をクリアしくステップ(9))、さらにロツ
1−の終りか否かの判定を行い(ステップ(10))、
口・ソトの終りであれば検査を終了(7、ロットの終り
でなければ再度ステップ(1)へ戻り、検査を繰り返し
実行する。そして、ステップ(4)で良品数Mが設定さ
れたカウンタ値X−30以上でか否かの判定を行う(ス
テップ(5))。この時、例えばM=30.m=21と
いう具合にM −rn≧外部スイッチによる解除が行わ
れるまで一時停止状態となる(ステップ(6))。すな
わち、半導体装置の完成状態が不良状態または検査結果
が異常であったと判定されたことになる。この後、解除
が行われると(ステップ(7))、ステップ(8)へ進
み、各DUT毎の良品カウント用のカウンタ値をクリア
し、次いてステップ(9)、 (103へと進む。
カウンタ値をクリアしくステップ(9))、さらにロツ
1−の終りか否かの判定を行い(ステップ(10))、
口・ソトの終りであれば検査を終了(7、ロットの終り
でなければ再度ステップ(1)へ戻り、検査を繰り返し
実行する。そして、ステップ(4)で良品数Mが設定さ
れたカウンタ値X−30以上でか否かの判定を行う(ス
テップ(5))。この時、例えばM=30.m=21と
いう具合にM −rn≧外部スイッチによる解除が行わ
れるまで一時停止状態となる(ステップ(6))。すな
わち、半導体装置の完成状態が不良状態または検査結果
が異常であったと判定されたことになる。この後、解除
が行われると(ステップ(7))、ステップ(8)へ進
み、各DUT毎の良品カウント用のカウンタ値をクリア
し、次いてステップ(9)、 (103へと進む。
一方、ステ・ツブ(2)において不良品と判定されれば
、連続不良カラン)−用のカウンタ値をイノクリメノト
シ(ステップ(11)) 、次いでそのカウンタ値が設
定値X以上となったか否かの判定を行う(ステップ(1
2))。そして、設定値未満であれば、ステ・ツガ(1
0)へと進んで口・ソ1−の終りが否かの判定を行い、
設定値以上であれば、外部スイ・ソチによる解除が行わ
オ]るまて一時停止状態となり (ステップ(13))
、解除が行われると(ステップ(14))ステップ(
9)へと進む。
、連続不良カラン)−用のカウンタ値をイノクリメノト
シ(ステップ(11)) 、次いでそのカウンタ値が設
定値X以上となったか否かの判定を行う(ステップ(1
2))。そして、設定値未満であれば、ステ・ツガ(1
0)へと進んで口・ソ1−の終りが否かの判定を行い、
設定値以上であれば、外部スイ・ソチによる解除が行わ
オ]るまて一時停止状態となり (ステップ(13))
、解除が行われると(ステップ(14))ステップ(
9)へと進む。
すなオ)ち、この実施例の半導体装置のテスト方法によ
れば、従来のように一定数以上の不良品が連続して検出
された時に、半導体装置の完成状態が不良状態であると
判定されるだけでなく、各DU T毎の良品数の差が一
定数以上に開いた時に、半導体装置の完成状態が不良状
態または検査結果が異常であったと判定されるので、不
良多発状態を容易に判定でき、信頼度が向上する。
れば、従来のように一定数以上の不良品が連続して検出
された時に、半導体装置の完成状態が不良状態であると
判定されるだけでなく、各DU T毎の良品数の差が一
定数以上に開いた時に、半導体装置の完成状態が不良状
態または検査結果が異常であったと判定されるので、不
良多発状態を容易に判定でき、信頼度が向上する。
なお、上記実施例では異常検出時に装置を一時停止する
場合を示したが、アラームとして外部機制(CRT、i
°リッタ等)に表示するようにしてもよい。
場合を示したが、アラームとして外部機制(CRT、i
°リッタ等)に表示するようにしてもよい。
この発明は以上説明したとおり、グループ間の半導体装
置の良品数をカウントシた後、良品数の比較を行うこと
により半導体装置の完成状態または検査結果の正常/異
常の判定を行うので、不連続な不良多発状態を品種固有
の歩留り実績に基づいて検出することが可能であり、ケ
ス1〜性能および信頼度が向上するという効果がある。
置の良品数をカウントシた後、良品数の比較を行うこと
により半導体装置の完成状態または検査結果の正常/異
常の判定を行うので、不連続な不良多発状態を品種固有
の歩留り実績に基づいて検出することが可能であり、ケ
ス1〜性能および信頼度が向上するという効果がある。
第1図はこの発明の半導体装置のテスト方法の一実施例
を示すフローチャー1・、第2図は従来の半導体装置の
テスト方法を示すフローチャ−1・である。 図において、(1)〜(14)は各ステップを示す。
を示すフローチャー1・、第2図は従来の半導体装置の
テスト方法を示すフローチャ−1・である。 図において、(1)〜(14)は各ステップを示す。
Claims (1)
- 複数グループの半導体装置の電気的特性を同時に検査
する半導体装置のテスト方法において、同一検査個数に
対する前記グループ間の前記半導体装置の良品数をカウ
ントした後、良品数の比較を行うことにより前記半導体
装置の完成状態または検査結果の正常/異常の判定を行
うことを特徴とする半導体装置のテスト方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2105546A JPH042974A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体装置のテスト方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2105546A JPH042974A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体装置のテスト方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH042974A true JPH042974A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14410581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2105546A Pending JPH042974A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体装置のテスト方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH042974A (ja) |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2105546A patent/JPH042974A/ja active Pending
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