JP3144224B2 - セラミックコンデンサのスクリーニング方法 - Google Patents
セラミックコンデンサのスクリーニング方法Info
- Publication number
- JP3144224B2 JP3144224B2 JP15675194A JP15675194A JP3144224B2 JP 3144224 B2 JP3144224 B2 JP 3144224B2 JP 15675194 A JP15675194 A JP 15675194A JP 15675194 A JP15675194 A JP 15675194A JP 3144224 B2 JP3144224 B2 JP 3144224B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic capacitor
- defective
- time
- screening
- insulation resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミックコンデン
サの製品中から絶縁抵抗の低い不良品を除去するための
スクリーニング方法に関する。
サの製品中から絶縁抵抗の低い不良品を除去するための
スクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックコンデンサの製造工法では、
その最終工程で、製造中に生じたコンデンサ素子の欠陥
（ボイド，デラミネーション，クラック等）による不良
品を除去するために、絶縁抵抗の測定を行い、抵抗値の
低いものをスクリーニングしている。
その最終工程で、製造中に生じたコンデンサ素子の欠陥
（ボイド，デラミネーション，クラック等）による不良
品を除去するために、絶縁抵抗の測定を行い、抵抗値の
低いものをスクリーニングしている。
【０００３】従来、上記のようなスクリーニングの精度
を向上させるためには、測定電圧のアップ，測定時の極
性反転，測定時間のアップ等の方法が採られている。
を向上させるためには、測定電圧のアップ，測定時の極
性反転，測定時間のアップ等の方法が採られている。
【０００４】良品積層セラミックコンデンサ及び欠陥に
より絶縁抵抗の低い積層セラミックコンデンサの抵抗値
−時間特性（以下充電特性という）を図１に示す。
より絶縁抵抗の低い積層セラミックコンデンサの抵抗値
−時間特性（以下充電特性という）を図１に示す。
【０００５】良品セラミックコンデンサの充電特性は、
時間に対して線（Ａ）のカーブで抵抗値が推移する。即
ち、充電完了までは抵抗は時間に比例して直線で上昇
し、充電が終了すると誘電体の絶縁体としての抵抗値に
飽和する。
時間に対して線（Ａ）のカーブで抵抗値が推移する。即
ち、充電完了までは抵抗は時間に比例して直線で上昇
し、充電が終了すると誘電体の絶縁体としての抵抗値に
飽和する。
【０００６】これに対し、欠陥のある不良品セラミック
コンデンサの充電特性は、欠陥により絶縁抵抗値の低下
が生じた誘電体の上記飽和値が低くなるため一般的に
は、線（Ｂ）のカーブを描く。従って、セラミックコン
デンサのスクリーニングを行う際は、より長い時間で測
定を行い、飽和値により近い場所で抵抗値を測定した方
が、良品と不良品の選別が容易となる。
コンデンサの充電特性は、欠陥により絶縁抵抗値の低下
が生じた誘電体の上記飽和値が低くなるため一般的に
は、線（Ｂ）のカーブを描く。従って、セラミックコン
デンサのスクリーニングを行う際は、より長い時間で測
定を行い、飽和値により近い場所で抵抗値を測定した方
が、良品と不良品の選別が容易となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、実際には、セ
ラミックコンデンサの素子間欠陥部に形成された電流の
パス路が微細な場合、ときとして充電時間の途中で一部
が溶融し、線（Ｃ）のカーブで示すように低下が回復し
たり、逆に線（Ｄ）のカーブのように、時間が進むにつ
れ劣化が進み、抵抗値が低下したりするものがある。
ラミックコンデンサの素子間欠陥部に形成された電流の
パス路が微細な場合、ときとして充電時間の途中で一部
が溶融し、線（Ｃ）のカーブで示すように低下が回復し
たり、逆に線（Ｄ）のカーブのように、時間が進むにつ
れ劣化が進み、抵抗値が低下したりするものがある。
【０００８】また、パス路自身が半導体的性質を持ち、
電流通過中の発熱により抵抗値が変化することもある。
従って、欠陥部分の挙動により一番選別が容易となる時
間（良品と欠陥含有不良品との抵抗に最大の差が生じる
時間）は、一概に長時間が良いとは云えなくなり、製品
中から不良品を確実に除去することができないという問
題がある。
電流通過中の発熱により抵抗値が変化することもある。
従って、欠陥部分の挙動により一番選別が容易となる時
間（良品と欠陥含有不良品との抵抗に最大の差が生じる
時間）は、一概に長時間が良いとは云えなくなり、製品
中から不良品を確実に除去することができないという問
題がある。
【０００９】そこで、この発明の課題は、種々の抵抗値
の挙動を示す欠陥含有不良品のスクリーニング精度を向
上させて、製品中に不良品が混入するのを防止すること
ができるセラミックコンデンサのスクリーニング方法を
提供することにある。
の挙動を示す欠陥含有不良品のスクリーニング精度を向
上させて、製品中に不良品が混入するのを防止すること
ができるセラミックコンデンサのスクリーニング方法を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するため、この発明は、セラミックコンデンサに所定の
電圧を印加するセラミックコンデンサのスクリーニング
方法であって、異なる充電時間で絶縁抵抗を二回以上測
定し、良品の同じ時間の絶縁抵抗と比較し、少なくとも
１つの時間における絶縁抵抗値が、良品の絶縁抵抗値よ
り低い場合に不良品とする構成を採用したものである。
するため、この発明は、セラミックコンデンサに所定の
電圧を印加するセラミックコンデンサのスクリーニング
方法であって、異なる充電時間で絶縁抵抗を二回以上測
定し、良品の同じ時間の絶縁抵抗と比較し、少なくとも
１つの時間における絶縁抵抗値が、良品の絶縁抵抗値よ
り低い場合に不良品とする構成を採用したものである。
【００１１】
【作用】セラミックコンデンサのスクリーニングにおい
て、長い時間電圧を印加して飽和値に近い場所で抵抗値
を測定すれば、飽和値の低い一般的な欠陥不良品の除去
が行える。
て、長い時間電圧を印加して飽和値に近い場所で抵抗値
を測定すれば、飽和値の低い一般的な欠陥不良品の除去
が行える。
【００１２】また、電圧印加時間を短くして測定を行な
うと、飽和値に至るまでに種々の抵抗値の挙動を示す欠
陥含有不良品の除去が行なえ、このように時間の異なる
電圧で抵抗値を測定すれば、欠陥含有不良品のスクリー
ニングに洩れがなくなり、精度が向上する。
うと、飽和値に至るまでに種々の抵抗値の挙動を示す欠
陥含有不良品の除去が行なえ、このように時間の異なる
電圧で抵抗値を測定すれば、欠陥含有不良品のスクリー
ニングに洩れがなくなり、精度が向上する。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。
【００１４】この発明は、積層セラミックコンデンサの
製造最終工程で、製造中に生じた素子の欠陥による不良
品を除去するため、セラミックコンデンサに二種類以上
の時間の異なる電圧を順次印加し、それぞれの時間にお
ける絶縁抵抗の測定を行い、抵抗値の低い不良品をスク
リーニングする方法である。
製造最終工程で、製造中に生じた素子の欠陥による不良
品を除去するため、セラミックコンデンサに二種類以上
の時間の異なる電圧を順次印加し、それぞれの時間にお
ける絶縁抵抗の測定を行い、抵抗値の低い不良品をスク
リーニングする方法である。
【００１５】このように、時間を変えて二回以上の電圧
印加による絶縁抵抗の測定を行うと、長い時間の電圧印
加により飽和値により近い場所で抵抗値を測定し、一般
的な欠陥による不良品の除去が行なえる。
印加による絶縁抵抗の測定を行うと、長い時間の電圧印
加により飽和値により近い場所で抵抗値を測定し、一般
的な欠陥による不良品の除去が行なえる。
【００１６】また、電圧印加時間を短くして絶縁抵抗の
測定を行うと、飽和値に達するまでの間に抵抗値の変化
の挙動を示す欠陥含有不良品の除去が行なえる。
測定を行うと、飽和値に達するまでの間に抵抗値の変化
の挙動を示す欠陥含有不良品の除去が行なえる。
【００１７】積層セラミックコンデンサに電圧を印加し
て絶縁抵抗を測定するスクリーニング時において、欠陥
部分の挙動により、良品と欠陥含有不良品との抵抗に最
大の差が生じるいちばん選別が容易な時間は、先に述べ
たように長時間とは云えず、このため、二種類以上の時
間の異なる電圧を印加して抵抗値の測定を行なうと、欠
陥含有不良品のスクリーニング精度が向上する。
て絶縁抵抗を測定するスクリーニング時において、欠陥
部分の挙動により、良品と欠陥含有不良品との抵抗に最
大の差が生じるいちばん選別が容易な時間は、先に述べ
たように長時間とは云えず、このため、二種類以上の時
間の異なる電圧を印加して抵抗値の測定を行なうと、欠
陥含有不良品のスクリーニング精度が向上する。
【００１８】なお、スクリーニング時の印加電圧の値や
印加時間と回数は、セラミックコンデンサの容量等に応
じて任意に選択すればよい。
印加時間と回数は、セラミックコンデンサの容量等に応
じて任意に選択すればよい。
【００１９】以上のように、この発明によると、セラミ
ックコンデンサに所定の電圧を印加するセラミックコン
デンサのスクリーニング方法であって、異なる充電時間
で絶縁抵抗を二回以上測定し、良品の同じ時間の絶縁抵
抗と比較し、少なくとも１つの時間における絶縁抵抗値
が、良品の絶縁抵抗値より低い場合に不良品とするよう
にしたので、種々の抵抗値の挙動を示す欠陥含有不良品
のスクリーニング精度が大幅に向上し、不良品の除去が
確実に行なえるので、セラミックコンデンサ使用時の故
障発生率を低下させることができる。
ックコンデンサに所定の電圧を印加するセラミックコン
デンサのスクリーニング方法であって、異なる充電時間
で絶縁抵抗を二回以上測定し、良品の同じ時間の絶縁抵
抗と比較し、少なくとも１つの時間における絶縁抵抗値
が、良品の絶縁抵抗値より低い場合に不良品とするよう
にしたので、種々の抵抗値の挙動を示す欠陥含有不良品
のスクリーニング精度が大幅に向上し、不良品の除去が
確実に行なえるので、セラミックコンデンサ使用時の故
障発生率を低下させることができる。
【図１】セラミックコンデンサにおける電圧印加時間と
抵抗値の関係を示す特性図である。
抵抗値の関係を示す特性図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミックコンデンサに所定の電圧を印
加するセラミックコンデンサのスクリーニング方法であ
って、異なる充電時間で絶縁抵抗を二回以上測定し、良
品の同じ時間の絶縁抵抗と比較し、少なくとも１つの時
間における絶縁抵抗値が、良品の絶縁抵抗値より低い場
合に不良品とすることを特徴とするセラミックコンデン
サのスクリーニング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15675194A JP3144224B2 (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
| MYPI9501566 MY117890A (en) | 1994-06-14 | 1995-06-13 | Method for screening ceramic capacitors |
| SG1995000633A SG32368A1 (en) | 1994-06-14 | 1995-06-13 | Method for screening ceramic capacitors |
| CN95108552A CN1071923C (zh) | 1994-06-14 | 1995-06-14 | 陶瓷电容器的筛选方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15675194A JP3144224B2 (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335482A JPH07335482A (ja) | 1995-12-22 |
| JP3144224B2 true JP3144224B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=15634527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15675194A Expired - Fee Related JP3144224B2 (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3144224B2 (ja) |
| CN (1) | CN1071923C (ja) |
| MY (1) | MY117890A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3603640B2 (ja) | 1999-02-04 | 2004-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
| JP3859079B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2006-12-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2969666B2 (ja) * | 1989-08-22 | 1999-11-02 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2989310B2 (ja) * | 1991-04-24 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 積層セラミックコンデンサの判定方法 |
-
1994
- 1994-06-14 JP JP15675194A patent/JP3144224B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-13 MY MYPI9501566 patent/MY117890A/en unknown
- 1995-06-14 CN CN95108552A patent/CN1071923C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1128399A (zh) | 1996-08-07 |
| MY117890A (en) | 2004-08-30 |
| JPH07335482A (ja) | 1995-12-22 |
| CN1071923C (zh) | 2001-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2760263B2 (ja) | セラミックコンデンサの初期故障品のスクリーニング方法 | |
| US6437579B1 (en) | Screening method for a multi-layered ceramic capacitor | |
| JP7415322B2 (ja) | キャパシタ検査装置、及びキャパシタ検査方法 | |
| JP3144224B2 (ja) | セラミックコンデンサのスクリーニング方法 | |
| US6014034A (en) | Method for testing semiconductor thin gate oxide | |
| JP3620636B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの選別方法 | |
| JP2009258099A (ja) | コンデンサの絶縁性の検査方法 | |
| JPH10115651A (ja) | コンデンサ漏れ電流特性の検査方法 | |
| JP3663251B2 (ja) | コンデンサのリーク電流の測定方法 | |
| KR100350181B1 (ko) | 모놀리식 세라믹 커패시터의 선별방법 | |
| JP4062764B2 (ja) | コンデンサの良否判別方法 | |
| JP2994911B2 (ja) | セラミック電子部品のスクリーニング方法 | |
| JP2001338851A (ja) | コンデンサの試験方法及び試験装置 | |
| JP2584093B2 (ja) | 絶縁膜の信頼性評価方法 | |
| US6469517B1 (en) | Sorting method of monolithic ceramic capacitors based on insulation resistance | |
| JP3807649B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの選別方法 | |
| JPH09218173A (ja) | 電歪現象をもつ物体の内部欠陥検査方法 | |
| JPH09330855A (ja) | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 | |
| JPH0766260A (ja) | 半導体装置の不良判別方法及び不良判別手段を備えた半導体装置 | |
| JPH0455771A (ja) | 半導体素子及びその経時絶縁破壊試験方法 | |
| JPH09152455A (ja) | 積層セラミックコンデンサの内部欠陥検出装置およびその方法 | |
| JPH1038965A (ja) | 半導体装置の信頼性評価方法 | |
| JPH11345738A (ja) | 電子部品の絶縁抵抗不良選別方法 | |
| JP2003059784A (ja) | 積層セラミックコンデンサの選別方法 | |
| JPH042974A (ja) | 半導体装置のテスト方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090105 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090105 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140105 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |