JPH04296043A - 層間絶縁膜形成方法 - Google Patents
層間絶縁膜形成方法Info
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- JPH04296043A JPH04296043A JP6060291A JP6060291A JPH04296043A JP H04296043 A JPH04296043 A JP H04296043A JP 6060291 A JP6060291 A JP 6060291A JP 6060291 A JP6060291 A JP 6060291A JP H04296043 A JPH04296043 A JP H04296043A
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- Japan
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- film
- insulating film
- interlayer insulating
- aluminum wiring
- plasma nitride
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- Pending
Links
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- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、層間絶縁膜形成方法に
関し、更に詳しくはプラズマ窒化膜による層間絶縁が可
能な層間絶縁膜形成方法に関する。
関し、更に詳しくはプラズマ窒化膜による層間絶縁が可
能な層間絶縁膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】耐湿性，耐酸性のブロッキングを目的と
したプロセスにおいては、層間絶縁膜にプラズマ窒化膜
が使用される。
したプロセスにおいては、層間絶縁膜にプラズマ窒化膜
が使用される。
【０００３】すなわち、図７に示すようなデバイス１の
表面に図８のようにプラズマ窒化膜３を形成する。
表面に図８のようにプラズマ窒化膜３を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この後、図９に示すよ
うに、後工程としてアルミ配線部２ａの上に更に別のア
ルミ配線部４を形成することがある。このような場合、
はじめからあるアルミ配線部２ａの上のプラズマ窒化膜
３の一部を除去して第二のアルミ配線部４を形成する。
うに、後工程としてアルミ配線部２ａの上に更に別のア
ルミ配線部４を形成することがある。このような場合、
はじめからあるアルミ配線部２ａの上のプラズマ窒化膜
３の一部を除去して第二のアルミ配線部４を形成する。
【０００５】しかし、このプラズマ窒化膜３を形成する
場合、アルミ配線部２ａ，２ｂの側面に形成される膜は
、デバイス１の平坦部に形成される膜に比較して、膜の
緻密性がよくない。従って、このプラズマ窒化膜３を形
成した後の第二のアルミ配線部形成の工程で、図９に示
すように、アルミ配線部２ａの側面にクラックが入りや
すいなどの問題がある。
場合、アルミ配線部２ａ，２ｂの側面に形成される膜は
、デバイス１の平坦部に形成される膜に比較して、膜の
緻密性がよくない。従って、このプラズマ窒化膜３を形
成した後の第二のアルミ配線部形成の工程で、図９に示
すように、アルミ配線部２ａの側面にクラックが入りや
すいなどの問題がある。
【０００６】クラックが生じると、耐湿性，耐酸性のブ
ロッキングが良好に行なわれず、層間絶縁膜としての本
来の目的が達成できない。
ロッキングが良好に行なわれず、層間絶縁膜としての本
来の目的が達成できない。
【０００７】本発明はこのような点に着目してなされた
ものであり、その目的は、プラズマ窒化膜を層間絶縁膜
として使用した場合、均一な緻密性を有する膜を形成す
ることが可能な層間絶縁膜形成方法を提供することにあ
る。
ものであり、その目的は、プラズマ窒化膜を層間絶縁膜
として使用した場合、均一な緻密性を有する膜を形成す
ることが可能な層間絶縁膜形成方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明方法は、デバイス上のアルミ配線部の側面に酸化膜に
よるサイドウォールを形成し、デバイス１及びアルミ配
線部表面全体にプラズマ窒化膜による成膜を行うことを
特徴とするものである。
明方法は、デバイス上のアルミ配線部の側面に酸化膜に
よるサイドウォールを形成し、デバイス１及びアルミ配
線部表面全体にプラズマ窒化膜による成膜を行うことを
特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明において、アルミ配線部の側面に酸化膜
によるサイドウォールが形成されているため、プラズマ
窒化膜は均一な緻密性を有する。
によるサイドウォールが形成されているため、プラズマ
窒化膜は均一な緻密性を有する。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１は本発明方法の一例を示すフローチャ
ートであり、図２〜図６は本発明方法の工程により層間
絶縁膜を形成する様子を示す構成図である。尚、従来と
同じものについては、同一番号を付し再度の説明は省略
する。
ートであり、図２〜図６は本発明方法の工程により層間
絶縁膜を形成する様子を示す構成図である。尚、従来と
同じものについては、同一番号を付し再度の説明は省略
する。
【００１２】まず、図２に示すようにデバイス１の上に
アルミ配線部２ａ，２ｂを形成する（ステップ１）。
アルミ配線部２ａ，２ｂを形成する（ステップ１）。
【００１３】そして、図３に示すように、デバイス１表
面及びアルミ配線部２ａ，２ｂ表面全体に酸化膜（ＰＳ
Ｇ）５を形成する（ステップ２）。この酸化膜形成はＡ
ＰＣＶＤ装置等で行なう。
面及びアルミ配線部２ａ，２ｂ表面全体に酸化膜（ＰＳ
Ｇ）５を形成する（ステップ２）。この酸化膜形成はＡ
ＰＣＶＤ装置等で行なう。
【００１４】次に、酸化膜５のエッチバックを行なう（
ステップ３）。すなわち、図４に示すように、アルミ配
線部２ａ，２ｂの側面（デバイス１に対する垂直面）部
分の酸化膜をサイドウォール５ａ〜５ｄとして残し、そ
れ以外の部分の酸化膜５をＲＩＥ装置などにより除去す
る。
ステップ３）。すなわち、図４に示すように、アルミ配
線部２ａ，２ｂの側面（デバイス１に対する垂直面）部
分の酸化膜をサイドウォール５ａ〜５ｄとして残し、そ
れ以外の部分の酸化膜５をＲＩＥ装置などにより除去す
る。
【００１５】ここで、デバイス１，アルミ配線部，サイ
ドウォール上の全体に一様にプラズマ窒化膜３を形成す
る（ステップ４）。上記ステップ３でアルミ配線部側面
にサイドウォール構造を取り入れたため、この部分のプ
ラズマ窒化膜３の膜質が良くなると同時に、ステップカ
バレージが良くなる。
ドウォール上の全体に一様にプラズマ窒化膜３を形成す
る（ステップ４）。上記ステップ３でアルミ配線部側面
にサイドウォール構造を取り入れたため、この部分のプ
ラズマ窒化膜３の膜質が良くなると同時に、ステップカ
バレージが良くなる。
【００１６】最後に後工程として、図６に示すように、
プラズマ窒化膜の一部を除去し、第二のアルミ配線部４
をアルミ配線部２ａに接続する（ステップ５）。
プラズマ窒化膜の一部を除去し、第二のアルミ配線部４
をアルミ配線部２ａに接続する（ステップ５）。
【００１７】本実施例で提案した方法で形成したプラズ
マ窒化膜３の場合、サイドウォールにデポされた膜の緻
密性が良く、後工程でクラックが生じるような事態は生
じない。従って、耐湿性，耐酸性のブロッキングが良好
に行なわれ、層間絶縁膜としての目的が達成できる。こ
のため、プラズマ窒化膜の性能を有効に活用することが
できる。
マ窒化膜３の場合、サイドウォールにデポされた膜の緻
密性が良く、後工程でクラックが生じるような事態は生
じない。従って、耐湿性，耐酸性のブロッキングが良好
に行なわれ、層間絶縁膜としての目的が達成できる。こ
のため、プラズマ窒化膜の性能を有効に活用することが
できる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明では
、デバイス上のアルミ配線部の側面に酸化膜によるサイ
ドウォールを形成し、デバイス及びアルミ配線部表面全
体にプラズマ窒化膜による成膜を行うことで、プラズマ
窒化膜を層間絶縁膜として使用した場合に均一な緻密性
を有する膜を形成することが可能な層間絶縁膜形成方法
が実現できる。
、デバイス上のアルミ配線部の側面に酸化膜によるサイ
ドウォールを形成し、デバイス及びアルミ配線部表面全
体にプラズマ窒化膜による成膜を行うことで、プラズマ
窒化膜を層間絶縁膜として使用した場合に均一な緻密性
を有する膜を形成することが可能な層間絶縁膜形成方法
が実現できる。
【図１】本発明方法の一例を示すフローチャートである
。
。
【図２】本発明方法による絶縁膜形成の様子を示す説明
図である。
図である。
【図３】本発明方法による絶縁膜形成の様子を示す説明
図である。
図である。
【図４】本発明方法による絶縁膜形成の様子を示す説明
図である。
図である。
【図５】本発明方法による絶縁膜形成の様子を示す説明
図である。
図である。
【図６】本発明方法による絶縁膜形成の様子を示す説明
図である。
図である。
【図７】従来方法による絶縁膜形成の様子を示す説明図
である。
である。
【図８】従来方法による絶縁膜形成の様子を示す説明図
である。
である。
【図９】従来方法による絶縁膜形成の様子を示す説明図
である。
である。
１ デバイス
２ａ，２ｂ アルミ配線部
３ プラズマ窒化膜
４ アルミ配線部
５ 酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 デバイス（１）上のアルミ配線部（２
ａ，２ｂ）の側面に酸化膜によるサイドウォール（５ａ
，５ｂ）を形成し、デバイス（１）及びアルミ配線部（
２ａ，２ｂ）表面全体にプラズマ窒化膜（３）による成
膜を行うことを特徴とする層間絶縁膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060291A JPH04296043A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 層間絶縁膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060291A JPH04296043A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 層間絶縁膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296043A true JPH04296043A (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=13146962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6060291A Pending JPH04296043A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 層間絶縁膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04296043A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8424997B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-04-23 | Ricoh Company, Limited | Recording device, control method, and recording medium |
| US8491080B2 (en) | 2009-03-03 | 2013-07-23 | Ricoh Company, Ltd. | Recording device, control method, and recording medium |
| US8926053B2 (en) | 2009-12-14 | 2015-01-06 | Ricoh Company, Limited | Recording apparatus, method for adjusting deviation of print position for recording apparatus, and computer program product |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP6060291A patent/JPH04296043A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8491080B2 (en) | 2009-03-03 | 2013-07-23 | Ricoh Company, Ltd. | Recording device, control method, and recording medium |
| US8424997B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-04-23 | Ricoh Company, Limited | Recording device, control method, and recording medium |
| US8926053B2 (en) | 2009-12-14 | 2015-01-06 | Ricoh Company, Limited | Recording apparatus, method for adjusting deviation of print position for recording apparatus, and computer program product |
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