JPH04289531A - 光情報記録再生装置及びプリズム結合器 - Google Patents
光情報記録再生装置及びプリズム結合器Info
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- JPH04289531A JPH04289531A JP3071964A JP7196491A JPH04289531A JP H04289531 A JPH04289531 A JP H04289531A JP 3071964 A JP3071964 A JP 3071964A JP 7196491 A JP7196491 A JP 7196491A JP H04289531 A JPH04289531 A JP H04289531A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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- G11B7/1359—Single prisms
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/34—Optical coupling means utilising prism or grating
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクメモリ等に
おける光集積手段として用いられる光情報記録再生装置
及びプリズム結合器に関する。
おける光集積手段として用いられる光情報記録再生装置
及びプリズム結合器に関する。
【０００２】
【従来の技術】第一の従来例として、光導波路により光
を検出する手段を備えた光情報記録再生装置の一例を第
１０図に基づいて説明する。基板としてのＳｉ基板１上
にはバッファ層２を介して光導波路層３が積層されてい
る。この光導波路層３の表面には、導波形ビームスプリ
ッタ４と集光グレーティングカプラ５とが形成されてい
る。また、Ｓｉ基板１の両端部に位置して左右２個ずつ
光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが設けられている。こ
れら光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは光導波路層３と
接続されている。さらに、Ｓｉ基板１の一端には、レー
ザ光源としての半導体レーザ７が設けられている。
を検出する手段を備えた光情報記録再生装置の一例を第
１０図に基づいて説明する。基板としてのＳｉ基板１上
にはバッファ層２を介して光導波路層３が積層されてい
る。この光導波路層３の表面には、導波形ビームスプリ
ッタ４と集光グレーティングカプラ５とが形成されてい
る。また、Ｓｉ基板１の両端部に位置して左右２個ずつ
光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが設けられている。こ
れら光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは光導波路層３と
接続されている。さらに、Ｓｉ基板１の一端には、レー
ザ光源としての半導体レーザ７が設けられている。
【０００３】このような構成において、半導体レーザ７
から出射された光は、Ｓｉ基板１の端面に結合され、光
導波路層３により導波される。そして、その導波光は導
波形ビームスプリッタ４を透過し、集光グレーティング
カプラ５により回折され空気中を伝搬していき、光情報
記録媒体としての光ディスク８の表面に照射され、これ
により情報の記録等が行われる。また、その光ディスク
８からの反射光は、再び集光グレーティングカプラ５に
入射して導波光となる。そして、その導波光は導波形ビ
ームスプリッタ４により回折されることにより２つの光
に分割された後、左右２個ずつ設けられた光検出器６ａ
，６ｂ，６ｃ，６ｄに検出される。
から出射された光は、Ｓｉ基板１の端面に結合され、光
導波路層３により導波される。そして、その導波光は導
波形ビームスプリッタ４を透過し、集光グレーティング
カプラ５により回折され空気中を伝搬していき、光情報
記録媒体としての光ディスク８の表面に照射され、これ
により情報の記録等が行われる。また、その光ディスク
８からの反射光は、再び集光グレーティングカプラ５に
入射して導波光となる。そして、その導波光は導波形ビ
ームスプリッタ４により回折されることにより２つの光
に分割された後、左右２個ずつ設けられた光検出器６ａ
，６ｂ，６ｃ，６ｄに検出される。
【０００４】この場合、それら４つの光検出器６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄに検出される信号の値をａ，ｂ，ｃ，ｄ
とすると、これにより検出される再生信号Ｗ、フォーカ
スエラー信号Ｆｏ、トラックエラー信号Ｔｒの値は、以
下のような算術式により求めることができる。
ｂ，６ｃ，６ｄに検出される信号の値をａ，ｂ，ｃ，ｄ
とすると、これにより検出される再生信号Ｗ、フォーカ
スエラー信号Ｆｏ、トラックエラー信号Ｔｒの値は、以
下のような算術式により求めることができる。
【０００５】Ｗ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
Ｆｏ＝（ａ＋ｄ）−（ｂ＋ｃ）
Ｔｒ＝（ｃ＋ｄ）−（ａ＋ｂ）
なお、フォーカスエラー信号Ｆｏはフーコー法により、
また、トラックエラー信号Ｔｒはプシュプル法により検
出することができる。
また、トラックエラー信号Ｔｒはプシュプル法により検
出することができる。
【０００６】また、第二の従来例として、従来における
プリズム結合器の一例を図１１に基づいて説明する。一
部にテーパー形状を有する基板１０の表面には光導波路
層１１が形成されている。この光導波路層１１の表面に
はテーパー状をなすギャップ層１２を介して、プリズム
１３が配設されている。そして、外部に設けられたレー
ザ光源部１４から出射した光は、レンズ１５を介して、
プリズム１３に入射される。このプリズム１３に入射し
た光のうち一部の光は、テーパー状をなすギャップ層１
２を介して、光導波路層２に導波結合する。このような
構造をなすプリズム結合器を用いて、光結合効率として
８８％を得ている。なお、上述したようなプリズム構成
の設計条件は以下のようになる。
プリズム結合器の一例を図１１に基づいて説明する。一
部にテーパー形状を有する基板１０の表面には光導波路
層１１が形成されている。この光導波路層１１の表面に
はテーパー状をなすギャップ層１２を介して、プリズム
１３が配設されている。そして、外部に設けられたレー
ザ光源部１４から出射した光は、レンズ１５を介して、
プリズム１３に入射される。このプリズム１３に入射し
た光のうち一部の光は、テーパー状をなすギャップ層１
２を介して、光導波路層２に導波結合する。このような
構造をなすプリズム結合器を用いて、光結合効率として
８８％を得ている。なお、上述したようなプリズム構成
の設計条件は以下のようになる。
【０００７】光導波路層１１：ポリマーフィルム ｎ
＝１．６０、厚さ０．８８６μｍ ギャップ層１２：ガラス ｎ＝
１．４６プリズム１３：フリントガラス ｎ＝１
．６３ビーム半径：０．１５８ｍｍ
＝１．６０、厚さ０．８８６μｍ ギャップ層１２：ガラス ｎ＝
１．４６プリズム１３：フリントガラス ｎ＝１
．６３ビーム半径：０．１５８ｍｍ
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】第一の従来例において
は、集光グレーティングカプラ５を介して、光ディスク
８に光を集光し、その光ディスク８からの反射光を再び
集光グレーティングカプラ５を介して光導波路３に導く
ため、集光グレーティングカプラ５の回折効率（結合効
率）が光ピックアップでの光利用効率に影響する。
は、集光グレーティングカプラ５を介して、光ディスク
８に光を集光し、その光ディスク８からの反射光を再び
集光グレーティングカプラ５を介して光導波路３に導く
ため、集光グレーティングカプラ５の回折効率（結合効
率）が光ピックアップでの光利用効率に影響する。
【０００９】一般に、集光グレーティングカプラ５の入
射、出射カップリング効率はそれぞれ２０％、５０％と
なっており効率が悪い。光利用効率の面から考えると、
半導体レーザ７から光導波路層３への導波光の励起効率
をａ／１００（％）とすると、導波形ビームスプリッタ
４の透過率が５０％なので、光ディスク８に到達する光
量Ｐｗ、信号検出光学系９に到達する光量Ｐｏは、Ｐｗ
＝ａ×０．５×０．２ ＝０．１×ａ×１００（％） Ｐｏ＝Ｐｗ×０．５×Ｒ ＝０．０２５×ａ×Ｒ×１００（％） となる。この場合、ａ＝１としても、Ｐｗ＝１０％、Ｐ
ｏ＝０．６２５％と小さい。このようなことから、光デ
ィスクメモリに用いる光ピックアップでは、光ディスク
８に到達する光量及び信号検出光学系９に到達する光量
をできる限り多くする必要があるが、前述したような第
一の従来例の装置ではそのような考慮が十分になされて
いない。
射、出射カップリング効率はそれぞれ２０％、５０％と
なっており効率が悪い。光利用効率の面から考えると、
半導体レーザ７から光導波路層３への導波光の励起効率
をａ／１００（％）とすると、導波形ビームスプリッタ
４の透過率が５０％なので、光ディスク８に到達する光
量Ｐｗ、信号検出光学系９に到達する光量Ｐｏは、Ｐｗ
＝ａ×０．５×０．２ ＝０．１×ａ×１００（％） Ｐｏ＝Ｐｗ×０．５×Ｒ ＝０．０２５×ａ×Ｒ×１００（％） となる。この場合、ａ＝１としても、Ｐｗ＝１０％、Ｐ
ｏ＝０．６２５％と小さい。このようなことから、光デ
ィスクメモリに用いる光ピックアップでは、光ディスク
８に到達する光量及び信号検出光学系９に到達する光量
をできる限り多くする必要があるが、前述したような第
一の従来例の装置ではそのような考慮が十分になされて
いない。
【００１０】また、第二の従来例においては、ギャップ
層１２のテーパー領域（テーパー部の長さは１ｍｍ程度
）にレーザ光を入射させるため、ビーム半径は０．１５
８ｍｍと非常に小さいビームを入射させる必要がある。 このため、前述したような構成では、コンマ数ｍｍ以下
の小さいビームしか光導波路層１１に結合することがで
きず、また、そのように非常に小さいビームをギャップ
層１２のテーパー部に入射させる必要があるため、ビー
ムの入射位置では±数十μｍ程度の精度が要求され、そ
の調整が非常に難しいものとなる。さらに、光結合効率
はテーパー部の傾きにより大きく変化するため、厳格な
テーパー制御が必要となり面倒である。
層１２のテーパー領域（テーパー部の長さは１ｍｍ程度
）にレーザ光を入射させるため、ビーム半径は０．１５
８ｍｍと非常に小さいビームを入射させる必要がある。 このため、前述したような構成では、コンマ数ｍｍ以下
の小さいビームしか光導波路層１１に結合することがで
きず、また、そのように非常に小さいビームをギャップ
層１２のテーパー部に入射させる必要があるため、ビー
ムの入射位置では±数十μｍ程度の精度が要求され、そ
の調整が非常に難しいものとなる。さらに、光結合効率
はテーパー部の傾きにより大きく変化するため、厳格な
テーパー制御が必要となり面倒である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明では
、レーザ光源から出射された光をコリメートレンズによ
り平行化し、その平行光を対物レンズにより集光して光
情報記録媒体の表面に照射することにより情報の記録等
を行う光情報記録再生装置において、前記レーザ光源か
ら出射された光が前記光情報記録媒体に向かう間の光路
上に、基板と、この基板上に形成された光導波路層と、
この光導波路層と接続された光検出器と、前記光導波路
層上に形成されその光導波路層よりも低い屈折率をもつ
第一ギャップ層と、この第一ギャップ層上に形成され開
口部を有し前記光導波路層よりも低い屈折率をもつ第二
ギャップ層と、この第二ギャップ層の開口部を満たし前
記第一ギャップ層と接着し前記光導波路層よりも高い屈
折率をもつ接着層と、この接着層の上部で接着固定され
前記光導波路層よりも高い屈折率をもつ誘電体からなる
プリズムとよりなる光集積検出素子を配設した。
、レーザ光源から出射された光をコリメートレンズによ
り平行化し、その平行光を対物レンズにより集光して光
情報記録媒体の表面に照射することにより情報の記録等
を行う光情報記録再生装置において、前記レーザ光源か
ら出射された光が前記光情報記録媒体に向かう間の光路
上に、基板と、この基板上に形成された光導波路層と、
この光導波路層と接続された光検出器と、前記光導波路
層上に形成されその光導波路層よりも低い屈折率をもつ
第一ギャップ層と、この第一ギャップ層上に形成され開
口部を有し前記光導波路層よりも低い屈折率をもつ第二
ギャップ層と、この第二ギャップ層の開口部を満たし前
記第一ギャップ層と接着し前記光導波路層よりも高い屈
折率をもつ接着層と、この接着層の上部で接着固定され
前記光導波路層よりも高い屈折率をもつ誘電体からなる
プリズムとよりなる光集積検出素子を配設した。
【００１２】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
発明において、第二ギャップ層の開口部に位置する端面
部をテーパー状に形成した。
発明において、第二ギャップ層の開口部に位置する端面
部をテーパー状に形成した。
【００１３】請求項３記載の発明では、請求項２記載の
発明において、第二ギャップ層のテーパー状をなす端面
部は、シャドウマスクを配置した状態で第二ギャップ層
を成膜することにより形成した。
発明において、第二ギャップ層のテーパー状をなす端面
部は、シャドウマスクを配置した状態で第二ギャップ層
を成膜することにより形成した。
【００１４】請求項４記載の発明では、請求項１，２，
３記載の発明において、接着剤は、光硬化型接着剤又は
紫外線硬化型接着剤により作成した。
３記載の発明において、接着剤は、光硬化型接着剤又は
紫外線硬化型接着剤により作成した。
【００１５】請求項５記載の発明では、レーザ光源を設
け、このレーザ光源より出射された光を平行化するカッ
プリングレンズを設け、このカップリングレンズにより
平行化された光路上に基板表面上に形成された光導波路
層とこの光導波路層と接続された光検出器と前記光導波
路層の表面にこれよりも低い屈折率で形成されたギャッ
プ調整層とこのギャップ調整層の表面に前記光導波路層
よりも高い屈折率で形成された接着層とこの接着層の一
部に設けられた金属層と前記接着層の表面に前記光導波
路層よりも高い屈折率で形成されたプリズムとよりなる
光集積検出素子を設け、前記レーザ光源より出射され前
記カップリングレンズにより平行化された光が前記光集
積検出素子の前記プリズムに入射し前記光導波路層によ
り導波され再び前記プリズムから出射された光路上に対
物レンズを配設し、この対物レンズにより集光された光
路上に光情報記録媒体を設け、この光情報記録媒体から
の反射光が前記光集積検出素子の前記プリズムから入射
し前記光導波路層により導波され前記光検出器に導かれ
るように設定した。
け、このレーザ光源より出射された光を平行化するカッ
プリングレンズを設け、このカップリングレンズにより
平行化された光路上に基板表面上に形成された光導波路
層とこの光導波路層と接続された光検出器と前記光導波
路層の表面にこれよりも低い屈折率で形成されたギャッ
プ調整層とこのギャップ調整層の表面に前記光導波路層
よりも高い屈折率で形成された接着層とこの接着層の一
部に設けられた金属層と前記接着層の表面に前記光導波
路層よりも高い屈折率で形成されたプリズムとよりなる
光集積検出素子を設け、前記レーザ光源より出射され前
記カップリングレンズにより平行化された光が前記光集
積検出素子の前記プリズムに入射し前記光導波路層によ
り導波され再び前記プリズムから出射された光路上に対
物レンズを配設し、この対物レンズにより集光された光
路上に光情報記録媒体を設け、この光情報記録媒体から
の反射光が前記光集積検出素子の前記プリズムから入射
し前記光導波路層により導波され前記光検出器に導かれ
るように設定した。
【００１６】請求項６記載の発明では、請求項５記載の
発明において、レーザ光源とカップリングレンズとによ
りなる出射光学系から出射され光集積検出素子のプリズ
ムに向かう光の進行方向が前記光集積検出素子の基板面
に対して平行な状態となるように前記出射光学系を配設
し、その出射光学系により出射され前記プリズムから入
射した光が光導波路層により導波され再び前記プリズム
の一斜面で反射された後光情報記録媒体に向かうように
設定した。
発明において、レーザ光源とカップリングレンズとによ
りなる出射光学系から出射され光集積検出素子のプリズ
ムに向かう光の進行方向が前記光集積検出素子の基板面
に対して平行な状態となるように前記出射光学系を配設
し、その出射光学系により出射され前記プリズムから入
射した光が光導波路層により導波され再び前記プリズム
の一斜面で反射された後光情報記録媒体に向かうように
設定した。
【００１７】請求項７記載の発明では、基板上に光導波
路層を形成し、この光導波路層上にその光導波路層より
も低い屈折率をもつ第一ギャップ層を形成し、この第一
ギャップ層上に端面がテーパー部とされ所定幅の開口部
を有し前記光導波路層よりも低い屈折率をもつ第二ギャ
ップ層を形成し、この第二ギャップ層の前記開口部を満
たし前記光導波路層よりも高い屈折率をもつ接着層を前
記第一ギャップ層に接着させ、その接着層の上部に前記
光導波路層よりも高い屈折率をもつ誘電体からなるプリ
ズムを接着固定した。
路層を形成し、この光導波路層上にその光導波路層より
も低い屈折率をもつ第一ギャップ層を形成し、この第一
ギャップ層上に端面がテーパー部とされ所定幅の開口部
を有し前記光導波路層よりも低い屈折率をもつ第二ギャ
ップ層を形成し、この第二ギャップ層の前記開口部を満
たし前記光導波路層よりも高い屈折率をもつ接着層を前
記第一ギャップ層に接着させ、その接着層の上部に前記
光導波路層よりも高い屈折率をもつ誘電体からなるプリ
ズムを接着固定した。
【００１８】請求項８記載の発明では、請求項７記載の
発明において、入射ビームは、第二ギャップ層のテーパ
ー部及び開口部に渡って入射するように設定した。
発明において、入射ビームは、第二ギャップ層のテーパ
ー部及び開口部に渡って入射するように設定した。
【００１９】請求項９記載の発明では、請求項７記載の
発明において、第二ギャップ層のテーパー部は、シャド
ウマスクを配置した状態で第二ギャップ層を成膜するこ
とにより形成した。
発明において、第二ギャップ層のテーパー部は、シャド
ウマスクを配置した状態で第二ギャップ層を成膜するこ
とにより形成した。
【００２０】請求項１０記載の発明では、請求項７記載
の発明において、接着剤は、光硬化型接着剤又は紫外線
硬化型接着剤により作成した。
の発明において、接着剤は、光硬化型接着剤又は紫外線
硬化型接着剤により作成した。
【００２１】
【作用】請求項１記載の発明においては、レーザ光源か
ら出射された光が光情報記録媒体に向かう間の出射光路
では光集積検出素子のプリズムによるデカップリングを
利用し、光情報記録媒体からの反射光路ではそのプリズ
ム底面に位置して第二ギャップ層を配設しデカップリン
グを防止するようにしたので、これによりカップリング
レンズを透過した光は略１００％の光が光情報記録媒体
へ到達することになり、また、その光情報記録媒体から
の反射光のうち略１００％の光がプリズムに到達しその
多くの光を光集積検出素子に形成された光検出器に受光
させることが可能となり、従来に比べ一段と高い光利用
効率を得ることができる。
ら出射された光が光情報記録媒体に向かう間の出射光路
では光集積検出素子のプリズムによるデカップリングを
利用し、光情報記録媒体からの反射光路ではそのプリズ
ム底面に位置して第二ギャップ層を配設しデカップリン
グを防止するようにしたので、これによりカップリング
レンズを透過した光は略１００％の光が光情報記録媒体
へ到達することになり、また、その光情報記録媒体から
の反射光のうち略１００％の光がプリズムに到達しその
多くの光を光集積検出素子に形成された光検出器に受光
させることが可能となり、従来に比べ一段と高い光利用
効率を得ることができる。
【００２２】請求項２記載の発明においては、第二ギャ
ップ層の端面部をテーパー状にしたので、入射光の散乱
を防止することが可能となり、これにより光検出器で検
出できる光量を請求項１記載の発明よりも一段と増加さ
せることができる。
ップ層の端面部をテーパー状にしたので、入射光の散乱
を防止することが可能となり、これにより光検出器で検
出できる光量を請求項１記載の発明よりも一段と増加さ
せることができる。
【００２３】請求項３記載の発明においては、１対１０
００以上のテーパー比をもつ第二ギャップ層を形成する
ことが可能となり、入射位置の調整が容易となる。
００以上のテーパー比をもつ第二ギャップ層を形成する
ことが可能となり、入射位置の調整が容易となる。
【００２４】請求項４記載の発明においては、接着剤を
第二ギャップ層の開口部に満たした後プリズムを圧着し
た状態で光又は紫外線を照射することにより、接着剤が
硬化しプリズムを容易に固定することができるため、プ
リズム作製時の歩留まりを向上させることができる。
第二ギャップ層の開口部に満たした後プリズムを圧着し
た状態で光又は紫外線を照射することにより、接着剤が
硬化しプリズムを容易に固定することができるため、プ
リズム作製時の歩留まりを向上させることができる。
【００２５】請求項５記載の発明においては、レーザ光
源から出射された光が光情報記録媒体に向かう間の出射
光路では光集積検出素子のプリズムによるデカップリン
グを利用し、光情報記録媒体からの反射光路ではそのプ
リズム底面に位置する金属層によりデカップリングを防
止するようにしたので、これによりカップリングレンズ
を透過した光はほぼ１００％の光が光情報記録媒体へ到
達することになり、また、その光情報記録媒体からの反
射光のうちほぼ１００％の光がプリズムに到達しその多
くの光が光集積検出素子に形成された光検出器に入射す
ることができるため、従来に比べ一段と高い光利用効率
を得ることが可能となる。
源から出射された光が光情報記録媒体に向かう間の出射
光路では光集積検出素子のプリズムによるデカップリン
グを利用し、光情報記録媒体からの反射光路ではそのプ
リズム底面に位置する金属層によりデカップリングを防
止するようにしたので、これによりカップリングレンズ
を透過した光はほぼ１００％の光が光情報記録媒体へ到
達することになり、また、その光情報記録媒体からの反
射光のうちほぼ１００％の光がプリズムに到達しその多
くの光が光集積検出素子に形成された光検出器に入射す
ることができるため、従来に比べ一段と高い光利用効率
を得ることが可能となる。
【００２６】請求項６記載の発明においては、光集積検
出素子の基板面に対して平行な状態となるように出射光
学系を配設することによって、光ピックアップ光学系を
光集積検出素子の周囲に近接して配設することができる
ため、より一層小型化した装置を得ることが可能となる
。
出素子の基板面に対して平行な状態となるように出射光
学系を配設することによって、光ピックアップ光学系を
光集積検出素子の周囲に近接して配設することができる
ため、より一層小型化した装置を得ることが可能となる
。
【００２７】請求項７記載の発明においては、光導波路
への光結合効率は主に第一ギャップ層の厚みにより最適
化されることになり、これにより従来のようにテーパー
部の傾きに影響されることなく結合できると共に、開口
部を大きなものとすることによりコンマ数ｍｍ以上の大
きいビームも効率良く結合することが可能となる。
への光結合効率は主に第一ギャップ層の厚みにより最適
化されることになり、これにより従来のようにテーパー
部の傾きに影響されることなく結合できると共に、開口
部を大きなものとすることによりコンマ数ｍｍ以上の大
きいビームも効率良く結合することが可能となる。
【００２８】請求項８記載の発明においては、入射ビー
ムの一部が第二ギャップ層のテーパー部にかかっていさ
えすれば良いため従来よりも入射位置の調整が容易とな
る。
ムの一部が第二ギャップ層のテーパー部にかかっていさ
えすれば良いため従来よりも入射位置の調整が容易とな
る。
【００２９】請求項９記載の発明においては、１対１０
００以上のテーパー比をもつ第二ギャップ層を形成でき
るため、入射位置の調整が容易となる。
００以上のテーパー比をもつ第二ギャップ層を形成でき
るため、入射位置の調整が容易となる。
【００３０】請求項１０記載の発明においては、接着剤
を第二ギャップ層の開口部に満たした後プリズムを圧着
した状態で、光又は紫外線を照射することにより接着剤
が硬化しプリズムを容易に固定することができ、これに
よりプリズム作製時の歩留まりを向上させることができ
る。
を第二ギャップ層の開口部に満たした後プリズムを圧着
した状態で、光又は紫外線を照射することにより接着剤
が硬化しプリズムを容易に固定することができ、これに
よりプリズム作製時の歩留まりを向上させることができ
る。
【００３１】
【実施例】請求項１，４記載の発明の一実施例を図１及
び図２に基づいて説明する。まず、図１に示すように、
レーザ光源としての半導体レーザ１６から出射された光
をコリメートレンズ１７により平行化し、その平行光を
対物レンズ１８により集光して光情報記録媒体としての
光ディスク１９の表面に照射することにより情報の記録
等を行う光情報記録再生装置において、前記半導体レー
ザ１０から出射された光が前記光ディスク１９に向かう
間の光路上に光集積検出素子２０を配設したものである
。すなわち、その光集積検出素子２０は、基板２１上に
バッファ層２２を介して、光導波路層２３が形成されて
いる。この光導波路層２３には光検出器２４ａ，２４ｂ
，２４ｃ，２４ｄが接続され、これら光検出器２４ａ，
２４ｂ，２４ｃ，２４ｄは基板２１中に埋設されている
。また、前記光導波路層２３上にはその光導波路層２３
よりも低い屈折率をもつ第一ギャップ層２５が積層され
ている。この第一ギャップ層２５上には前記光導波路層
２３よりも低い屈折率をもつ第二ギャップ層２６が積層
されている。この第二ギャップ層２６の端面部２６ａに
は、開口部２７が形成されている。その第二ギャップ層
２６の開口部２７には、前記光導波路層２３よりも高い
屈折率をもつ接着層２８が満たされており、これにより
接着層２８は前記第一ギャップ層２５と接着されること
になる。この接着層２８の上部には前記光導波路層２３
よりも高い屈折率をもつ誘電体からなるプリズム２９が
接着固定されている。
び図２に基づいて説明する。まず、図１に示すように、
レーザ光源としての半導体レーザ１６から出射された光
をコリメートレンズ１７により平行化し、その平行光を
対物レンズ１８により集光して光情報記録媒体としての
光ディスク１９の表面に照射することにより情報の記録
等を行う光情報記録再生装置において、前記半導体レー
ザ１０から出射された光が前記光ディスク１９に向かう
間の光路上に光集積検出素子２０を配設したものである
。すなわち、その光集積検出素子２０は、基板２１上に
バッファ層２２を介して、光導波路層２３が形成されて
いる。この光導波路層２３には光検出器２４ａ，２４ｂ
，２４ｃ，２４ｄが接続され、これら光検出器２４ａ，
２４ｂ，２４ｃ，２４ｄは基板２１中に埋設されている
。また、前記光導波路層２３上にはその光導波路層２３
よりも低い屈折率をもつ第一ギャップ層２５が積層され
ている。この第一ギャップ層２５上には前記光導波路層
２３よりも低い屈折率をもつ第二ギャップ層２６が積層
されている。この第二ギャップ層２６の端面部２６ａに
は、開口部２７が形成されている。その第二ギャップ層
２６の開口部２７には、前記光導波路層２３よりも高い
屈折率をもつ接着層２８が満たされており、これにより
接着層２８は前記第一ギャップ層２５と接着されること
になる。この接着層２８の上部には前記光導波路層２３
よりも高い屈折率をもつ誘電体からなるプリズム２９が
接着固定されている。
【００３２】このような構成において、半導体レーザ１
６から出射された光はコリメートレンズ１７により平行
化され、光集積検出素子２０のプリズム２９に入射した
後、その入射した光の一部はプリズム２９の底面で反射
し、他の入射した光は図１中左方向に向かって導波する
。その導波した光は、再度プリズム２９により放射され
る。これをいわゆるデカップリングと呼ぶ。このように
してプリズム２９の底面で反射した光とデカップリング
により放射した光は、再び一緒になってプリズム２９か
ら出射し、対物レンズ１８により集光されて光ディスク
１９の面上に照射され、これにより情報の記録等が行わ
れることになる。また、その光ディスク１９からの反射
光は、再び対物レンズ１８を介して、プリズム２９に入
射する。そして、その入射した光の一部はプリズム２９
の底面で反射され、その他の光は接着層２８、第一ギャ
ップ層２５を介して、光導波路層２３に導波される。 その導波光Ａは、第二ギャップ層２６が存在するために
、再びプリズム２９にデカップリングすることなくその
光導波路層２３中を進行していく。この場合、第一ギャ
ップ層２５の膜厚を制御して所定の光量が光導波路層２
３内に導波するようにしている。また、第二ギャップ層
２６の膜厚が薄い場合には、導波光Ａの一部がプリズム
２９に放射していくため、第二ギャップ層２６の膜厚は
導波光Ａが放射しないように十分厚く設定する必要があ
り、ここでは１μｍ以上の厚みにすればよい。
６から出射された光はコリメートレンズ１７により平行
化され、光集積検出素子２０のプリズム２９に入射した
後、その入射した光の一部はプリズム２９の底面で反射
し、他の入射した光は図１中左方向に向かって導波する
。その導波した光は、再度プリズム２９により放射され
る。これをいわゆるデカップリングと呼ぶ。このように
してプリズム２９の底面で反射した光とデカップリング
により放射した光は、再び一緒になってプリズム２９か
ら出射し、対物レンズ１８により集光されて光ディスク
１９の面上に照射され、これにより情報の記録等が行わ
れることになる。また、その光ディスク１９からの反射
光は、再び対物レンズ１８を介して、プリズム２９に入
射する。そして、その入射した光の一部はプリズム２９
の底面で反射され、その他の光は接着層２８、第一ギャ
ップ層２５を介して、光導波路層２３に導波される。 その導波光Ａは、第二ギャップ層２６が存在するために
、再びプリズム２９にデカップリングすることなくその
光導波路層２３中を進行していく。この場合、第一ギャ
ップ層２５の膜厚を制御して所定の光量が光導波路層２
３内に導波するようにしている。また、第二ギャップ層
２６の膜厚が薄い場合には、導波光Ａの一部がプリズム
２９に放射していくため、第二ギャップ層２６の膜厚は
導波光Ａが放射しないように十分厚く設定する必要があ
り、ここでは１μｍ以上の厚みにすればよい。
【００３３】そして、図２に示すように、導波光Ａは、
光導波路層２３の集光ミラー面Ｂにより２分割され反射
される。その分離、反射された光はビームとなり、一方
のビームは光検出器２４ａと２４ｂとの間に集光され、
他方のビームは光検出器２４ｃと２４ｄとの間に集光さ
れる。この場合、光ディスク１９と対物レンズ１８とが
合焦時にある時には、集光ミラー面Ｂで反射、収束した
光の集光点Ｐは、光検出器２４ａと光検出器２４ｂとの
間、及び、光検出器２４ｃと光検出器２４ｄとの間にそ
れぞれ集光する。一方、光ディスク１９と対物レンズ１
８とが合焦状態からずれて離れた時には、集光点Ｐの位
置は光検出器２４ａの方向、及び、光検出器２４ｄの方
向にそれぞれずれる。また、合焦状態からずれて近づい
た時には、集光点Ｐの位置は、光検出器２４ｂの方向、
及び、光検出器２４ｃの方向にそれぞれずれることにな
る。従って、このような方法によりフォーカスエラー信
号の検出を行うことができ、また、これら４つの光検出
器２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄにより検出された光
信号を用いてトラックエラー信号や再生信号の検出を行
うことができる。
光導波路層２３の集光ミラー面Ｂにより２分割され反射
される。その分離、反射された光はビームとなり、一方
のビームは光検出器２４ａと２４ｂとの間に集光され、
他方のビームは光検出器２４ｃと２４ｄとの間に集光さ
れる。この場合、光ディスク１９と対物レンズ１８とが
合焦時にある時には、集光ミラー面Ｂで反射、収束した
光の集光点Ｐは、光検出器２４ａと光検出器２４ｂとの
間、及び、光検出器２４ｃと光検出器２４ｄとの間にそ
れぞれ集光する。一方、光ディスク１９と対物レンズ１
８とが合焦状態からずれて離れた時には、集光点Ｐの位
置は光検出器２４ａの方向、及び、光検出器２４ｄの方
向にそれぞれずれる。また、合焦状態からずれて近づい
た時には、集光点Ｐの位置は、光検出器２４ｂの方向、
及び、光検出器２４ｃの方向にそれぞれずれることにな
る。従って、このような方法によりフォーカスエラー信
号の検出を行うことができ、また、これら４つの光検出
器２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄにより検出された光
信号を用いてトラックエラー信号や再生信号の検出を行
うことができる。
【００３４】次に、光集積検出素子２０の具体的な構成
例について述べる。今、光集積検出素子２０を構成する
各層において、プリズム２９の屈折率をｎｐ、接着層２
８の屈折率をｎｃ、第一ギャップ層２５の屈折率をｎｇ
、第二ギャップ層２６の屈折率をｎｍ、光導波路層１４
の屈折率をｎｗ、バッファ層２２の屈折率をｎｂとする
と、 ｎｐ，ｎｃ＞ｎｗ＞ｎｇ，ｎｍ，ｎｂ の関係を満たすように形成されている。
例について述べる。今、光集積検出素子２０を構成する
各層において、プリズム２９の屈折率をｎｐ、接着層２
８の屈折率をｎｃ、第一ギャップ層２５の屈折率をｎｇ
、第二ギャップ層２６の屈折率をｎｍ、光導波路層１４
の屈折率をｎｗ、バッファ層２２の屈折率をｎｂとする
と、 ｎｐ，ｎｃ＞ｎｗ＞ｎｇ，ｎｍ，ｎｂ の関係を満たすように形成されている。
【００３５】ここで、具体的な数値例を挙げて述べる。
【００３６】レーザ波長：７９０ｎｍ
プリズム：高屈折率光学ガラス、ｎｐ＝１．７６５６接
着層：高屈折率紫外線硬化型接着剤、ｎｃ＝１．６３第
一ギャップ層：ＳｉＯ２スパッタ膜、ｎｇ＝１．４６７
、ｄ＝０．５２μｍ 第二ギャップ層：ＳｉＯ２スパッタ膜、ｎｍ＝１．４６
７、ｄ＝１．５μｍ 光導波路層：ＳｉＯＮプラズマＣＶＤ膜、ｎｗ＝１．５
５７、ｄ＝１．５μｍ バッファ層：ＳｉＯ２熱酸化膜、 ｎｂ＝１．４６０、ｄ＝１．０μｍ このような各層により光集積検出素子２０を構成した。 プリズム２９を含むカップリング領域で光導波路層２３
に光を導波させるには、プリズム２９の底面での光の入
射角が６１°になるように配置する（この場合、ＴＥｏ
モードとして導波することになる）。コリメートレンズ
１７での平行光のビーム径を４ｍｍとしたところ、ほぼ
１００％の光が光ディスク面に到達し、光ディスク１９
からの反射光のうち約７０％が光集積検出素子２０に導
波でき、その導波光を光検出器２４ａ，２４ｂ，２４ｃ
，２４ｄにより受光することができ、その受光された信
号は電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄにより外部に
取り出される。
着層：高屈折率紫外線硬化型接着剤、ｎｃ＝１．６３第
一ギャップ層：ＳｉＯ２スパッタ膜、ｎｇ＝１．４６７
、ｄ＝０．５２μｍ 第二ギャップ層：ＳｉＯ２スパッタ膜、ｎｍ＝１．４６
７、ｄ＝１．５μｍ 光導波路層：ＳｉＯＮプラズマＣＶＤ膜、ｎｗ＝１．５
５７、ｄ＝１．５μｍ バッファ層：ＳｉＯ２熱酸化膜、 ｎｂ＝１．４６０、ｄ＝１．０μｍ このような各層により光集積検出素子２０を構成した。 プリズム２９を含むカップリング領域で光導波路層２３
に光を導波させるには、プリズム２９の底面での光の入
射角が６１°になるように配置する（この場合、ＴＥｏ
モードとして導波することになる）。コリメートレンズ
１７での平行光のビーム径を４ｍｍとしたところ、ほぼ
１００％の光が光ディスク面に到達し、光ディスク１９
からの反射光のうち約７０％が光集積検出素子２０に導
波でき、その導波光を光検出器２４ａ，２４ｂ，２４ｃ
，２４ｄにより受光することができ、その受光された信
号は電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄにより外部に
取り出される。
【００３７】次に、請求項２，３，４記載の発明の一実
施例を図３に基づいて説明する。光集積検出素子２０の
基本的構成は、前述した実施例（図１参照）の場合と同
様であるが、ここでは、第二ギャップ層２６の端面部２
６ａの形状を変えたものである。すなわち、第二ギャッ
プ層２６の開口部２７側に位置する端面部２６ａは、テ
ーパー状に形成されている。この場合、光ディスク１９
からの反射光がプリズム２９に入射した際、光の一部が
第二ギャップ層２６のテーパー部分に入射する。前述し
た実施例においては端面部２６ａが略垂直になっている
ため、光導波路層２３に入射した光の一部が「散乱」に
より放射される可能性があるが、本実施例のように端面
部２６ａをテーパー状に形成したことによってその散乱
を防止することが可能となり、これにより光利用効率を
向上させることができる。このようなテーパー状をした
端面部２６ａの作成方法としては、第二ギャップ層２６
を積層する際、プリズム２９の位置に対応する箇所に図
示しないシャドウマスクを配置した状態で第二ギャップ
層２６を成膜することにより作成することができ、これ
により、１：１０００以上のテーパー部を得ることがで
きる。
施例を図３に基づいて説明する。光集積検出素子２０の
基本的構成は、前述した実施例（図１参照）の場合と同
様であるが、ここでは、第二ギャップ層２６の端面部２
６ａの形状を変えたものである。すなわち、第二ギャッ
プ層２６の開口部２７側に位置する端面部２６ａは、テ
ーパー状に形成されている。この場合、光ディスク１９
からの反射光がプリズム２９に入射した際、光の一部が
第二ギャップ層２６のテーパー部分に入射する。前述し
た実施例においては端面部２６ａが略垂直になっている
ため、光導波路層２３に入射した光の一部が「散乱」に
より放射される可能性があるが、本実施例のように端面
部２６ａをテーパー状に形成したことによってその散乱
を防止することが可能となり、これにより光利用効率を
向上させることができる。このようなテーパー状をした
端面部２６ａの作成方法としては、第二ギャップ層２６
を積層する際、プリズム２９の位置に対応する箇所に図
示しないシャドウマスクを配置した状態で第二ギャップ
層２６を成膜することにより作成することができ、これ
により、１：１０００以上のテーパー部を得ることがで
きる。
【００３８】なお、これまで述べた２つの実施例におい
て、第二ギャップ層２０はプリズム２３に近接した位置
以外の基板全面に渡って形成されているが、第二ギャッ
プ層２０としてはプリズム２３の端部に対応した位置に
ストライプ状に形成してもよい。この際、第二ギャップ
層２０の両端部をテーパー部を得ることができる。
て、第二ギャップ層２０はプリズム２３に近接した位置
以外の基板全面に渡って形成されているが、第二ギャッ
プ層２０としてはプリズム２３の端部に対応した位置に
ストライプ状に形成してもよい。この際、第二ギャップ
層２０の両端部をテーパー部を得ることができる。
【００３９】次に、請求項５記載の発明の実施例を図４
及び図５に基づいて説明する。図４は、本装置の全体構
成を示すものである。まず、光集積検出素子２６の部分
について述べる。基板としてのＳｉ基板２７上には、バ
ッファ層２８を介して、光導波路層２９が形成されてい
る。この光導波路層２９の表面には、これよりも屈折率
の低いギャップ調整層３０が積層されている。このギャ
ップ調整層３０の表面には、前記光導波路層２９よりも
屈折率の高い接着層３１が積層されている。この接着層
３１によりプリズム３２が接着固定されており、このプ
リズム３２の下方に位置する接着層３１と同一面内には
金属層３３が形成されている。また、Ｓｉ基板２７の上
部には前記光導波路層２９と接続された光検出器３４ａ
，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄが設けられている。
及び図５に基づいて説明する。図４は、本装置の全体構
成を示すものである。まず、光集積検出素子２６の部分
について述べる。基板としてのＳｉ基板２７上には、バ
ッファ層２８を介して、光導波路層２９が形成されてい
る。この光導波路層２９の表面には、これよりも屈折率
の低いギャップ調整層３０が積層されている。このギャ
ップ調整層３０の表面には、前記光導波路層２９よりも
屈折率の高い接着層３１が積層されている。この接着層
３１によりプリズム３２が接着固定されており、このプ
リズム３２の下方に位置する接着層３１と同一面内には
金属層３３が形成されている。また、Ｓｉ基板２７の上
部には前記光導波路層２９と接続された光検出器３４ａ
，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄが設けられている。
【００４０】また、光集積検出素子２６の上部には、レ
ーザ光源としての半導体レーザ３５と、この半導体レー
ザ３５から出射された光を平行化するカップリングレン
ズ２０とからなる出射光学系２１が設けられており、ま
た、プリズム３２を挟んだ前記出射光学系２１と反対側
の位置には対物レンズ２２と光情報記録媒体としての光
ディスク２３が設けられている。なお、光検出素子３４
ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄには外部への引出用端子２
４が接続されている。
ーザ光源としての半導体レーザ３５と、この半導体レー
ザ３５から出射された光を平行化するカップリングレン
ズ２０とからなる出射光学系２１が設けられており、ま
た、プリズム３２を挟んだ前記出射光学系２１と反対側
の位置には対物レンズ２２と光情報記録媒体としての光
ディスク２３が設けられている。なお、光検出素子３４
ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄには外部への引出用端子２
４が接続されている。
【００４１】このような構成において、半導体レーザ３
５から出射された光は、カップリングレンズ２０により
平行光となり、この平行光は光集積検出素子２６のカッ
プリングレンズ２０の一面から入射する。このプリズム
３２に入射した光は、そのプリズム３２の底面で反射さ
れ他面から出射して対物レンズ２２により収束光となり
、光ディスク２３の表面に光スポットを形成し、これに
より情報の記録等が行われる。また、光ディスク２３か
らの反射光は、対物レンズ２２を透過し、プリズム３２
に再入射する。そして、そのプリズム３２に入射した光
はその下部に位置する光導波路層２９に導波され、光検
出器３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄにより検出される
。
５から出射された光は、カップリングレンズ２０により
平行光となり、この平行光は光集積検出素子２６のカッ
プリングレンズ２０の一面から入射する。このプリズム
３２に入射した光は、そのプリズム３２の底面で反射さ
れ他面から出射して対物レンズ２２により収束光となり
、光ディスク２３の表面に光スポットを形成し、これに
より情報の記録等が行われる。また、光ディスク２３か
らの反射光は、対物レンズ２２を透過し、プリズム３２
に再入射する。そして、そのプリズム３２に入射した光
はその下部に位置する光導波路層２９に導波され、光検
出器３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄにより検出される
。
【００４２】このように半導体レーザ３５から出射され
た光が光ディスク３９に導かれるまでの出射光路におい
ては、プリズム３２から入射した光はそのプリズム３２
の底面で反射され、再度、プリズム３２に導かれ外部に
放射されるいわゆる「デカップリング」現象により行わ
れるのに対し、光ディスク３９からの反射光が光検出器
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄに導かれるまでの反射
光路においては、プリズム３２から入射した光はその底
面から光導波路層２９に導かれるが、この時、金属層３
３が存在するため一旦光導波路層２９から入射した光は
そのままの状態で進行していくため前述したような「デ
カップリング」というような現象をなくすことができる
。従って、これにより従来に比べ一段と光利用効率の高
い光集積ピックアップを提供することができることにな
る。
た光が光ディスク３９に導かれるまでの出射光路におい
ては、プリズム３２から入射した光はそのプリズム３２
の底面で反射され、再度、プリズム３２に導かれ外部に
放射されるいわゆる「デカップリング」現象により行わ
れるのに対し、光ディスク３９からの反射光が光検出器
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄに導かれるまでの反射
光路においては、プリズム３２から入射した光はその底
面から光導波路層２９に導かれるが、この時、金属層３
３が存在するため一旦光導波路層２９から入射した光は
そのままの状態で進行していくため前述したような「デ
カップリング」というような現象をなくすことができる
。従って、これにより従来に比べ一段と光利用効率の高
い光集積ピックアップを提供することができることにな
る。
【００４３】次に、その光集積検出素子２６を用いて光
を検出する原理を図５に基づいて述べる。光導波路層２
９内に導波された光は、その光導波路層２９とギャップ
調整層３０とを除去して形成された導波路集光ミラー面
４０ａ，４０ｂにより２つに分割され、その後反射され
る。それら分割、反射された光のうち一方の光は、収束
導波光となって２分割された光検出器３４ａ，３４ｂに
集光される。また、分割、反射されたもう一方の光は、
収束導波光となって別の２分割光検出器３４ｃ，３４ｄ
に集光される。
を検出する原理を図５に基づいて述べる。光導波路層２
９内に導波された光は、その光導波路層２９とギャップ
調整層３０とを除去して形成された導波路集光ミラー面
４０ａ，４０ｂにより２つに分割され、その後反射され
る。それら分割、反射された光のうち一方の光は、収束
導波光となって２分割された光検出器３４ａ，３４ｂに
集光される。また、分割、反射されたもう一方の光は、
収束導波光となって別の２分割光検出器３４ｃ，３４ｄ
に集光される。
【００４４】この場合、光ディスク３９と対物レンズ２
２とが合焦時にある時には、導波路集光ミラー面４０ａ
，４０ｂで反射、収束した光の集光点Ｐは、光検出器３
４ａと光検出器３４ｂとの間、及び、光検出器３４ｃと
光検出器３４ｄとの間にそれぞれ集光する。一方、光デ
ィスク３９と対物レンズ３８とが合焦状態からずれて離
れた時には、集光点Ｐの位置は光検出器３４ａの方向、
及び、光検出器３４ｄの方向にそれぞれずれる。また、
合焦状態からずれて近づいた時には、集光点Ｐの位置は
、光検出器３４ｂの方向、及び、光検出器３４ｃの方向
にそれぞれずれることになる。従って、このような方法
によりフォーカスエラー信号の検出を行うことができ、
また、これら４つの光検出器３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，
３４ｄにより検出された光信号を用いてトラックエラー
信号や再生信号の検出を行うことができる。
２とが合焦時にある時には、導波路集光ミラー面４０ａ
，４０ｂで反射、収束した光の集光点Ｐは、光検出器３
４ａと光検出器３４ｂとの間、及び、光検出器３４ｃと
光検出器３４ｄとの間にそれぞれ集光する。一方、光デ
ィスク３９と対物レンズ３８とが合焦状態からずれて離
れた時には、集光点Ｐの位置は光検出器３４ａの方向、
及び、光検出器３４ｄの方向にそれぞれずれる。また、
合焦状態からずれて近づいた時には、集光点Ｐの位置は
、光検出器３４ｂの方向、及び、光検出器３４ｃの方向
にそれぞれずれることになる。従って、このような方法
によりフォーカスエラー信号の検出を行うことができ、
また、これら４つの光検出器３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，
３４ｄにより検出された光信号を用いてトラックエラー
信号や再生信号の検出を行うことができる。
【００４５】次に、光集積検出素子２６の具体例な構成
例について述べる。今、光集積検出素子２６を構成する
各層において、プリズム３２の屈折率をｎｐ、接着層３
１の屈折率をｎｃ、ギャップ調整層３０の屈折率をｎｇ
、光導波路層２９の屈折率をｎｗ、バッファ層２８の屈
折率をｎｂとすると、 ｎｐ≒ｎｃ＞ｎｗ＞ｎｇ，ｎｂ の関係を満たすように形成されている。なお、金属層３
３は、図５に示すように、ストライプ状に形成してある
。
例について述べる。今、光集積検出素子２６を構成する
各層において、プリズム３２の屈折率をｎｐ、接着層３
１の屈折率をｎｃ、ギャップ調整層３０の屈折率をｎｇ
、光導波路層２９の屈折率をｎｗ、バッファ層２８の屈
折率をｎｂとすると、 ｎｐ≒ｎｃ＞ｎｗ＞ｎｇ，ｎｂ の関係を満たすように形成されている。なお、金属層３
３は、図５に示すように、ストライプ状に形成してある
。
【００４６】ここで、具体的な数値例を挙げて述べる。
【００４７】レーザ波長：７９０ｎｍ
プリズム：高屈折率ガラス
ｎｐ＝１．７６５６
接着層：ポリイミド
ｎｃ＝１．７０
ギャップ調整層：ＳｉＯ２スパッタ膜
ｎｇ＝１．４６７
ｄ＝０．５２μｍ
光導波路層：ＳｉＯ２スパッタ膜
ｎｗ＝１．５５７
ｄ＝１．５μｍ
バッファ層：ＳｉＯ２熱酸化膜
ｎｂ＝１．４６０
ｄ＝１μｍ
このような各層により構成した。また、金属層３３とし
ては、Ａｌ蒸着膜を使用した。この場合、プリズム３２
を含むカップリング部分で光導波路層２９に光を導波さ
せるには、プリズム３２の底面での光の入射角が６１°
になるように配置すればよい（ここでは、ＴＥモードと
して導波する時の入射角度である）。そして、このよう
に構成された光集積検出素子２６を用いて、カップリン
グレンズ２０での平行光のビーム径を４ｍｍに設定した
ところ、ほぼ１００％の光が光ディスク面に到達し、光
ディスク３９からの反射光のうちの約７０％がプリズム
３２を介して光導波路層２９に導波することができ、こ
のようなことから従来に比べ一段と光利用効率を高める
ことが可能となる。
ては、Ａｌ蒸着膜を使用した。この場合、プリズム３２
を含むカップリング部分で光導波路層２９に光を導波さ
せるには、プリズム３２の底面での光の入射角が６１°
になるように配置すればよい（ここでは、ＴＥモードと
して導波する時の入射角度である）。そして、このよう
に構成された光集積検出素子２６を用いて、カップリン
グレンズ２０での平行光のビーム径を４ｍｍに設定した
ところ、ほぼ１００％の光が光ディスク面に到達し、光
ディスク３９からの反射光のうちの約７０％がプリズム
３２を介して光導波路層２９に導波することができ、こ
のようなことから従来に比べ一段と光利用効率を高める
ことが可能となる。
【００４８】次に、請求項６記載の発明の一実施例を図
６に基づいて説明する。なお、前述した実施例（図４参
照）と同一部分については同一符号を用い、その説明は
省略する。
６に基づいて説明する。なお、前述した実施例（図４参
照）と同一部分については同一符号を用い、その説明は
省略する。
【００４９】本実施例では、半導体レーザ３５とカップ
リングレンズ３６とにより構成される出射光学系３７か
ら出射され光集積検出素子２６のプリズム３２に向かう
光の進行方向が、光集積検出素子２６の基板面に対して
平行な状態となるようにその出射光学系３７を配設した
ものである。これにより、プリズム３２から入射した平
行光は、プリズム３２の底面で反射された後、そのプリ
ズム３２の他面で反射され、さらに、そのプリズム３２
の別の底面から出射することによって、光集積検出素子
２６の基板面に対してほぼ垂直な方向に進んでいき、光
ディスク面に導かれる。なお、この場合のプリズム３２
の斜面の角度は３１°である。
リングレンズ３６とにより構成される出射光学系３７か
ら出射され光集積検出素子２６のプリズム３２に向かう
光の進行方向が、光集積検出素子２６の基板面に対して
平行な状態となるようにその出射光学系３７を配設した
ものである。これにより、プリズム３２から入射した平
行光は、プリズム３２の底面で反射された後、そのプリ
ズム３２の他面で反射され、さらに、そのプリズム３２
の別の底面から出射することによって、光集積検出素子
２６の基板面に対してほぼ垂直な方向に進んでいき、光
ディスク面に導かれる。なお、この場合のプリズム３２
の斜面の角度は３１°である。
【００５０】上述したように、出射光学系３７を光集積
検出素子２６の基板面に並列に配設することによって、
光ピックアップの構成をより一段と小型化することが可
能となる。
検出素子２６の基板面に並列に配設することによって、
光ピックアップの構成をより一段と小型化することが可
能となる。
【００５１】次に、請求項７〜１０記載の発明の第一の
実施例を図７及び図８に基づいて説明する。基板４１上
には光導波路層４２が形成されている。この光導波路層
４２上には、この光導波路層４２よりも低い屈折率をも
つ第一ギャップ層４３が積層されている。この第一ギャ
ップ層４３上には、前記光導波路層４２よりも低い屈折
率をもつ第二ギャップ層４４が積層されている。この第
二ギャップ層４４は、端面がテーパー部４４ａとされ所
定幅Ｗの開口部４５を有している。この第二ギャップ層
４４の前記開口部４５には前記光導波路層４２よりも高
い屈折率をもつ接着層４６が満たされており、これによ
り接着層４６は第一ギャップ層４３と接着されることに
なる。この接着層４６の上部には前記光導波路層４２よ
りも高い屈折率をもつ誘電体からなるプリズムとしての
誘電体プリズム４７が接着固定されている。
実施例を図７及び図８に基づいて説明する。基板４１上
には光導波路層４２が形成されている。この光導波路層
４２上には、この光導波路層４２よりも低い屈折率をも
つ第一ギャップ層４３が積層されている。この第一ギャ
ップ層４３上には、前記光導波路層４２よりも低い屈折
率をもつ第二ギャップ層４４が積層されている。この第
二ギャップ層４４は、端面がテーパー部４４ａとされ所
定幅Ｗの開口部４５を有している。この第二ギャップ層
４４の前記開口部４５には前記光導波路層４２よりも高
い屈折率をもつ接着層４６が満たされており、これによ
り接着層４６は第一ギャップ層４３と接着されることに
なる。この接着層４６の上部には前記光導波路層４２よ
りも高い屈折率をもつ誘電体からなるプリズムとしての
誘電体プリズム４７が接着固定されている。
【００５２】このような構成において、入射ビーム４８
は誘電体プリズム４７に入射し、そのプリズム底面から
接着層４６を介して、開口部４５及びテーパー部４４ａ
に股がって入射する。そして、その股がって入射したビ
ームは、第一ギャップ層４３を介して光導波路層４２に
導波結合される。この場合、プリズム底面での入射ビー
ム４８の長さＬに対して、その入射ビームが光導波路層
４２へ最も効率良く結合できる第一ギャップ層４３の最
適膜厚ｄ１ というものが存在する。また、第二ギャッ
プ層４４の膜厚ｄ２ は、光導波路層４２に結合した光
が再び誘電体プリズム４７側に放射していかないように
十分厚く設定する必要がある。
は誘電体プリズム４７に入射し、そのプリズム底面から
接着層４６を介して、開口部４５及びテーパー部４４ａ
に股がって入射する。そして、その股がって入射したビ
ームは、第一ギャップ層４３を介して光導波路層４２に
導波結合される。この場合、プリズム底面での入射ビー
ム４８の長さＬに対して、その入射ビームが光導波路層
４２へ最も効率良く結合できる第一ギャップ層４３の最
適膜厚ｄ１ というものが存在する。また、第二ギャッ
プ層４４の膜厚ｄ２ は、光導波路層４２に結合した光
が再び誘電体プリズム４７側に放射していかないように
十分厚く設定する必要がある。
【００５３】また、第二ギャップ層４４のテーパー部４
４ａを形成するには、図８に示すように、第二ギャップ
層４４をスパッタで成膜する際、シャドウマスク４９を
開口部４５となる領域に置く。そして、この状態で成膜
すると、シャドウマスク４９の端面部４９ａに対応した
箇所にテーパー部４４ａが形成される。このようにシャ
ドウマスク４９の端面部４９ａをテーパー状に形成して
おくと、第二ギャップ層４４のテーパー部４４ａは、一
段とゆるい傾斜のテーパー形状に形成することができる
。本実施例においては、１対１０００以上のテーパー比
をもつテーパー部４４ａを作製することができる。
４ａを形成するには、図８に示すように、第二ギャップ
層４４をスパッタで成膜する際、シャドウマスク４９を
開口部４５となる領域に置く。そして、この状態で成膜
すると、シャドウマスク４９の端面部４９ａに対応した
箇所にテーパー部４４ａが形成される。このようにシャ
ドウマスク４９の端面部４９ａをテーパー状に形成して
おくと、第二ギャップ層４４のテーパー部４４ａは、一
段とゆるい傾斜のテーパー形状に形成することができる
。本実施例においては、１対１０００以上のテーパー比
をもつテーパー部４４ａを作製することができる。
【００５４】次に、前記プリズム構成を作製する際の設
計条件の具体例について述べる。
計条件の具体例について述べる。
【００５５】入射ビーム：レーザ光、０．６３２８μｍ
（プリズム底面でのビーム長さＬ＝２ｍｍ）基板：ガラ
ス基板（ｎ＝１．４６） 光導波路層：ＳｉＯＮ（ｎ＝１．５５、ｄ＝１．５μｍ
） プラズマＣＶＤにより成膜 第一ギャップ層：ＳｉＯ２ （ｎ＝１．４６、ｄ＝０．
３９μｍ） スパッタにより成膜 第二ギャップ層：ＳｉＯ２ （ｎ＝１．４６、ｄ＝１．
０μｍ） スパッタにより成膜 誘電体プリズム：高屈折率光学ガラス（ｎ＝１．７０）
接着層：光学的に透明な高屈折率接着剤、ここではＵＶ
硬化型の接着剤、ｎ＝１．６３ ただし、ｎ：屈折率 ｄ：膜厚 このようにして設計されたプリズム結合器に０．６３２
８μｍのレーザ光を入射させたところ、８０％以上の高
い光結合効率を得ることができた。
（プリズム底面でのビーム長さＬ＝２ｍｍ）基板：ガラ
ス基板（ｎ＝１．４６） 光導波路層：ＳｉＯＮ（ｎ＝１．５５、ｄ＝１．５μｍ
） プラズマＣＶＤにより成膜 第一ギャップ層：ＳｉＯ２ （ｎ＝１．４６、ｄ＝０．
３９μｍ） スパッタにより成膜 第二ギャップ層：ＳｉＯ２ （ｎ＝１．４６、ｄ＝１．
０μｍ） スパッタにより成膜 誘電体プリズム：高屈折率光学ガラス（ｎ＝１．７０）
接着層：光学的に透明な高屈折率接着剤、ここではＵＶ
硬化型の接着剤、ｎ＝１．６３ ただし、ｎ：屈折率 ｄ：膜厚 このようにして設計されたプリズム結合器に０．６３２
８μｍのレーザ光を入射させたところ、８０％以上の高
い光結合効率を得ることができた。
【００５６】次に、請求項７〜１０記載の発明の第二の
実施例を図９に基づいて説明する。なお、前述した第一
の実施例（図７参照）と同一部分についての説明は省略
し、その同一部分については同一符号を用いる。ここで
は、基板としてのＳｉ基板４１上にはＳｉＯ２ バッフ
ァ層５０を熱酸化により形成し、この上部に光導波路層
４２、第一ギャップ層４３、第二ギャップ層４４を順次
積層していく。その後、入射ビーム４８を光導波路層４
２に結合させるための開口部４５を第二ギャップ層４４
に形成するため、図示しないホトレジストをスピンコー
トした後、開口部４５に対応した図示しないホトマスク
を用いて露光を行い、さらに、現像を行うことにより、
開口部４５に対応した位置のホトレジストを除去する。 そして、フッ酸を用いてその開口部４５に対応した第二
ギャップ層４４の領域のエッチングを行った後、ホトレ
ジストを除去すれば、そのエッチングした領域を開口部
４５として利用することができる。この場合、エッチン
グ剤として用いるフッ酸の作用により開口部４５の端面
形状は、テーパー状となる。その後、接着層４６を用い
てその開口部４５を満たしその上部に誘電体プリズム４
７を接着する。これにより誘電体プリズム４７は、第一
ギャップ層４３及び第二ギャップ層４４の領域に固定す
ることができる。ただし、第一ギャップ層４３、第二ギ
ャップ層４４は、光導波路層４２よりも低い屈折率を有
し、誘電体プリズム４７、接着層４６は、光導波路層４
２よりも高い屈折率を有する。
実施例を図９に基づいて説明する。なお、前述した第一
の実施例（図７参照）と同一部分についての説明は省略
し、その同一部分については同一符号を用いる。ここで
は、基板としてのＳｉ基板４１上にはＳｉＯ２ バッフ
ァ層５０を熱酸化により形成し、この上部に光導波路層
４２、第一ギャップ層４３、第二ギャップ層４４を順次
積層していく。その後、入射ビーム４８を光導波路層４
２に結合させるための開口部４５を第二ギャップ層４４
に形成するため、図示しないホトレジストをスピンコー
トした後、開口部４５に対応した図示しないホトマスク
を用いて露光を行い、さらに、現像を行うことにより、
開口部４５に対応した位置のホトレジストを除去する。 そして、フッ酸を用いてその開口部４５に対応した第二
ギャップ層４４の領域のエッチングを行った後、ホトレ
ジストを除去すれば、そのエッチングした領域を開口部
４５として利用することができる。この場合、エッチン
グ剤として用いるフッ酸の作用により開口部４５の端面
形状は、テーパー状となる。その後、接着層４６を用い
てその開口部４５を満たしその上部に誘電体プリズム４
７を接着する。これにより誘電体プリズム４７は、第一
ギャップ層４３及び第二ギャップ層４４の領域に固定す
ることができる。ただし、第一ギャップ層４３、第二ギ
ャップ層４４は、光導波路層４２よりも低い屈折率を有
し、誘電体プリズム４７、接着層４６は、光導波路層４
２よりも高い屈折率を有する。
【００５７】次に、前記プリズム構成を作製する際の設
計条件の具体例について述べる。
計条件の具体例について述べる。
【００５８】基板：Ｓｉ基板
バッファ層：熱酸化ＳｉＯ２ 、ｎ＝１．４６、ｄ＝１
．０μｍ 光導波路層：ＳｉＯＮ（ｎ＝１．５５、ｄ＝１．５μｍ
） プラズマＣＶＤにより成膜 第一ギャップ層：ＳｉＯ２ （ｎ＝１．４６、ｄ＝０．
３９μｍ） スパッタにより成膜 第二ギャップ層：ＳｉＯＮ（ｎ＝１．４７、ｄ＝１．０
μｍ） プラズマＣＶＤにより成膜 誘電体プリズム：高屈折率光学ガラス、ｎ＝１．７０接
着層：高屈折率接着剤、ｎ＝１．６３ＵＶ硬化型接着剤 この場合、第二ギャップ層のフッ酸に対するエッチング
レートは、第一ギャップ層のフッ酸に対するエッチング
レートよりも７倍程度早くなっており、エッチング時間
を制御することにより開口部において第二ギャップ層の
みを除去することが可能となる。また、このようなエッ
チングを行うことにより、第二ギャップ層の端面に、１
対１００程度のテーパー部を形成することができた。
．０μｍ 光導波路層：ＳｉＯＮ（ｎ＝１．５５、ｄ＝１．５μｍ
） プラズマＣＶＤにより成膜 第一ギャップ層：ＳｉＯ２ （ｎ＝１．４６、ｄ＝０．
３９μｍ） スパッタにより成膜 第二ギャップ層：ＳｉＯＮ（ｎ＝１．４７、ｄ＝１．０
μｍ） プラズマＣＶＤにより成膜 誘電体プリズム：高屈折率光学ガラス、ｎ＝１．７０接
着層：高屈折率接着剤、ｎ＝１．６３ＵＶ硬化型接着剤 この場合、第二ギャップ層のフッ酸に対するエッチング
レートは、第一ギャップ層のフッ酸に対するエッチング
レートよりも７倍程度早くなっており、エッチング時間
を制御することにより開口部において第二ギャップ層の
みを除去することが可能となる。また、このようなエッ
チングを行うことにより、第二ギャップ層の端面に、１
対１００程度のテーパー部を形成することができた。
【００５９】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、レーザ光源から
出射された光をコリメートレンズにより平行化し、その
平行光を対物レンズにより集光して光情報記録媒体の表
面に照射することにより情報の記録等を行う光情報記録
再生装置において、レーザ光源から出射された光が光情
報記録媒体に向かう間の光路上に、基板と、基板上に形
成された光導波路層と、この光導波路層と接続された光
検出器と、光導波路層上に形成されその光導波路層より
も低い屈折率をもつ第一ギャップ層と、この第一ギャッ
プ層上に形成され開口部を有し光導波路層よりも低い屈
折率をもつ第二ギャップ層と、この第二ギャップ層の開
口部を満たし第一ギャップ層と接着し光導波路層よりも
高い屈折率をもつ接着層と、この接着層の上部で接着固
定され光導波路層よりも高い屈折率をもつ誘電体からな
るプリズムとよりなる光集積検出素子を配設したので、
レーザ光源から出射された光が光情報記録媒体に向かう
間の出射光路では光集積検出素子のプリズムによるデカ
ップリングを利用し、光情報記録媒体からの反射光路で
はそのプリズム底面に位置して第二ギャップ層を配設し
デカップリングを防止することができ、これによりカッ
プリングレンズを透過した光は略１００％の光が光情報
記録媒体へ到達することになり、しかも、その光情報記
録媒体からの反射光のうち略１００％の光がプリズムに
到達しその多くの光を光検出器に導くことができるため
、従来に比べ一段と高い光利用効率を得ることができる
ものである。
出射された光をコリメートレンズにより平行化し、その
平行光を対物レンズにより集光して光情報記録媒体の表
面に照射することにより情報の記録等を行う光情報記録
再生装置において、レーザ光源から出射された光が光情
報記録媒体に向かう間の光路上に、基板と、基板上に形
成された光導波路層と、この光導波路層と接続された光
検出器と、光導波路層上に形成されその光導波路層より
も低い屈折率をもつ第一ギャップ層と、この第一ギャッ
プ層上に形成され開口部を有し光導波路層よりも低い屈
折率をもつ第二ギャップ層と、この第二ギャップ層の開
口部を満たし第一ギャップ層と接着し光導波路層よりも
高い屈折率をもつ接着層と、この接着層の上部で接着固
定され光導波路層よりも高い屈折率をもつ誘電体からな
るプリズムとよりなる光集積検出素子を配設したので、
レーザ光源から出射された光が光情報記録媒体に向かう
間の出射光路では光集積検出素子のプリズムによるデカ
ップリングを利用し、光情報記録媒体からの反射光路で
はそのプリズム底面に位置して第二ギャップ層を配設し
デカップリングを防止することができ、これによりカッ
プリングレンズを透過した光は略１００％の光が光情報
記録媒体へ到達することになり、しかも、その光情報記
録媒体からの反射光のうち略１００％の光がプリズムに
到達しその多くの光を光検出器に導くことができるため
、従来に比べ一段と高い光利用効率を得ることができる
ものである。
【００６０】請求項２記載の発明は、第二ギャップ層の
開口部に位置する端面部をテーパー状に形成したので、
入射光の散乱を防止することが可能となり、これにより
光検出器で検出できる光量を一段と増加させることがで
きるものである。
開口部に位置する端面部をテーパー状に形成したので、
入射光の散乱を防止することが可能となり、これにより
光検出器で検出できる光量を一段と増加させることがで
きるものである。
【００６１】請求項３記載の発明は、第二ギャップ層の
テーパー状をなす端面部は、シャドウマスクを配置した
状態で第二ギャップ層を成膜することにより形成したの
で、これにより１対１０００以上のテーパー比をもつ第
二ギャップ層を形成することが可能となり、入射位置の
調整が一段と容易になるものである。
テーパー状をなす端面部は、シャドウマスクを配置した
状態で第二ギャップ層を成膜することにより形成したの
で、これにより１対１０００以上のテーパー比をもつ第
二ギャップ層を形成することが可能となり、入射位置の
調整が一段と容易になるものである。
【００６２】請求項４記載の発明は、接着剤は光硬化型
接着剤又は紫外線硬化型接着剤により作成したので、接
着剤を第二ギャップ層の開口部に満たした後プリズムを
圧着した状態で光又は紫外線を照射することにより、接
着剤が硬化しプリズムを容易に固定することができ、こ
れによりプリズム作製時の歩留まりを向上させることが
できるものである。
接着剤又は紫外線硬化型接着剤により作成したので、接
着剤を第二ギャップ層の開口部に満たした後プリズムを
圧着した状態で光又は紫外線を照射することにより、接
着剤が硬化しプリズムを容易に固定することができ、こ
れによりプリズム作製時の歩留まりを向上させることが
できるものである。
【００６３】請求項５記載の発明は、レーザ光源を設け
、このレーザ光源より出射された光を平行化するカップ
リングレンズを設け、このカップリングレンズにより平
行化された光路上に基板表面上に形成された光導波路層
とこの光導波路層と接続された光検出器と光導波路層の
表面にこれよりも低い屈折率で形成されたギャップ調整
層とこのギャップ調整層の表面に光導波路層よりも高い
屈折率で形成された接着層とこの接着層の一部に設けら
れた金属層と接着層の表面に光導波路層よりも高い屈折
率で形成されたプリズムとよりなる光集積検出素子を設
け、レーザ光源より出射されカップリングレンズにより
平行化された光が光集積検出素子のプリズムに入射し光
導波路層により導波され再びプリズムから出射された光
路上に対物レンズを配設し、この対物レンズにより集光
された光路上に光情報記録媒体を設け、この光情報記録
媒体からの反射光が光集積検出素子のプリズムから入射
し光導波路層により導波され光検出器に導かれるように
設定したので、レーザ光源から出射された光が光情報記
録媒体に向かう間の出射光路では光集積検出素子のプリ
ズムによるデカップリングを利用し、光情報記録媒体か
らの反射光路ではそのプリズム底面に位置する金属層に
よりデカップリングを防止するようにしたので、これに
よりカップリングレンズを透過した光はほぼ１００％の
光が光情報記録媒体へ到達することになり、また、その
光情報記録媒体からの反射光のうちほぼ１００％の光が
プリズムに到達しその多くの光が光集積検出素子に形成
された光検出器に入射することができるため、従来に比
べ一段と高い光利用効率を得ることが可能となるもので
ある。
、このレーザ光源より出射された光を平行化するカップ
リングレンズを設け、このカップリングレンズにより平
行化された光路上に基板表面上に形成された光導波路層
とこの光導波路層と接続された光検出器と光導波路層の
表面にこれよりも低い屈折率で形成されたギャップ調整
層とこのギャップ調整層の表面に光導波路層よりも高い
屈折率で形成された接着層とこの接着層の一部に設けら
れた金属層と接着層の表面に光導波路層よりも高い屈折
率で形成されたプリズムとよりなる光集積検出素子を設
け、レーザ光源より出射されカップリングレンズにより
平行化された光が光集積検出素子のプリズムに入射し光
導波路層により導波され再びプリズムから出射された光
路上に対物レンズを配設し、この対物レンズにより集光
された光路上に光情報記録媒体を設け、この光情報記録
媒体からの反射光が光集積検出素子のプリズムから入射
し光導波路層により導波され光検出器に導かれるように
設定したので、レーザ光源から出射された光が光情報記
録媒体に向かう間の出射光路では光集積検出素子のプリ
ズムによるデカップリングを利用し、光情報記録媒体か
らの反射光路ではそのプリズム底面に位置する金属層に
よりデカップリングを防止するようにしたので、これに
よりカップリングレンズを透過した光はほぼ１００％の
光が光情報記録媒体へ到達することになり、また、その
光情報記録媒体からの反射光のうちほぼ１００％の光が
プリズムに到達しその多くの光が光集積検出素子に形成
された光検出器に入射することができるため、従来に比
べ一段と高い光利用効率を得ることが可能となるもので
ある。
【００６４】請求項６記載の発明は、レーザ光源とカッ
プリングレンズとによりなる出射光学系から出射され光
集積検出素子のプリズムに向かう光の進行方向が光集積
検出素子の基板面に対して平行な状態となるように出射
光学系を配設し、その出射光学系により出射されプリズ
ムから入射した光が光導波路層により導波され再びプリ
ズムの一斜面で反射された後光情報記録媒体に向かうよ
うに設定したので、光集積検出素子の基板面に対して平
行な状態となるように出射光学系を配設することによっ
て、光ピックアップ光学系を光集積検出素子の周囲に近
接して配設することができるためより一層小型化した装
置を得ることが可能となるものである。
プリングレンズとによりなる出射光学系から出射され光
集積検出素子のプリズムに向かう光の進行方向が光集積
検出素子の基板面に対して平行な状態となるように出射
光学系を配設し、その出射光学系により出射されプリズ
ムから入射した光が光導波路層により導波され再びプリ
ズムの一斜面で反射された後光情報記録媒体に向かうよ
うに設定したので、光集積検出素子の基板面に対して平
行な状態となるように出射光学系を配設することによっ
て、光ピックアップ光学系を光集積検出素子の周囲に近
接して配設することができるためより一層小型化した装
置を得ることが可能となるものである。
【００６５】請求項７記載の発明は、基板上に光導波路
層を形成し、この光導波路層上にその光導波路層よりも
低い屈折率をもつ第一ギャップ層を形成し、この第一ギ
ャップ層上に端面がテーパー部とされ所定幅の開口部を
有し光導波路層よりも低い屈折率をもつ第二ギャップ層
を形成し、この第二ギャップ層の開口部を満たし光導波
路層よりも高い屈折率をもつ接着層を第一ギャップ層に
接着し、この接着層の上部に光導波路層よりも高い屈折
率をもつ誘電体からなるプリズムを接着固定したので、
光導波路への光結合効率は主に第一ギャップ層の厚みに
より最適化されることになり、これにより従来のように
テーパー部の傾きに影響されることなく結合できると共
に、開口部を大きなものとすることによりコンマ数ｍｍ
以上の大きいビームも効率良く結合することができるも
のである。
層を形成し、この光導波路層上にその光導波路層よりも
低い屈折率をもつ第一ギャップ層を形成し、この第一ギ
ャップ層上に端面がテーパー部とされ所定幅の開口部を
有し光導波路層よりも低い屈折率をもつ第二ギャップ層
を形成し、この第二ギャップ層の開口部を満たし光導波
路層よりも高い屈折率をもつ接着層を第一ギャップ層に
接着し、この接着層の上部に光導波路層よりも高い屈折
率をもつ誘電体からなるプリズムを接着固定したので、
光導波路への光結合効率は主に第一ギャップ層の厚みに
より最適化されることになり、これにより従来のように
テーパー部の傾きに影響されることなく結合できると共
に、開口部を大きなものとすることによりコンマ数ｍｍ
以上の大きいビームも効率良く結合することができるも
のである。
【００６６】請求項８記載の発明は、入射ビームは、第
二ギャップ層のテーパー部及び開口部に渡って入射する
ように設定したので、入射ビームの一部が第二ギャップ
層のテーパー部にかかっていさえすれば良いため、従来
よりも入射位置の調整が容易となるものである。
二ギャップ層のテーパー部及び開口部に渡って入射する
ように設定したので、入射ビームの一部が第二ギャップ
層のテーパー部にかかっていさえすれば良いため、従来
よりも入射位置の調整が容易となるものである。
【００６７】請求項９記載の発明は、第二ギャップ層の
テーパー部は、シャドウマスクを配置した状態で第二ギ
ャップ層を成膜することにより形成したので、１対１０
００以上のテーパー比をもつ第二ギャップ層を形成する
ことができ、これにより入射位置の調整が容易となるも
のである。
テーパー部は、シャドウマスクを配置した状態で第二ギ
ャップ層を成膜することにより形成したので、１対１０
００以上のテーパー比をもつ第二ギャップ層を形成する
ことができ、これにより入射位置の調整が容易となるも
のである。
【００６８】請求項１０記載の発明は、接着剤は、光硬
化型接着剤又は紫外線硬化型接着剤により作成したので
、接着剤を第二ギャップ層の開口部に満たした後プリズ
ムを圧着した状態で光又は紫外線を照射することにより
接着剤が硬化しプリズムを容易に固定することができ、
これによりプリズム作製時の歩留まりを向上させること
ができるものである。
化型接着剤又は紫外線硬化型接着剤により作成したので
、接着剤を第二ギャップ層の開口部に満たした後プリズ
ムを圧着した状態で光又は紫外線を照射することにより
接着剤が硬化しプリズムを容易に固定することができ、
これによりプリズム作製時の歩留まりを向上させること
ができるものである。
【図１】請求項１，４記載の発明の一実施例を示す側面
図である。
図である。
【図２】請求項１，４記載の発明の一実施例を示す平面
図である。
図である。
【図３】請求項２，３，４記載の発明の一実施例を示す
側面図である。
側面図である。
【図４】請求項５記載の発明の一実施例を示す側面図で
ある。
ある。
【図５】請求項５記載の発明の光集積検出素子の様子を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】請求項６記載の発明の一実施例を示す側面図で
ある。
ある。
【図７】請求項７〜１０記載の発明の第一の実施例を示
す側面図である。
す側面図である。
【図８】請求項７〜１０記載の発明の第一の実施例のテ
ーパー部を拡大して示す側面図である。
ーパー部を拡大して示す側面図である。
【図９】請求項７〜１０記載の発明の第二の実施例を示
す側面図である。
す側面図である。
【図１０】第一の従来例を示す斜視図である。
【図１１】第二の従来例を示す側面図である。
１６ レーザ光源
１７ コリメートレンズ
１８ 対物レンズ
１９ 光情報記録媒体
２０ 光集積検出素子
２１ 基板
２３ 光導波路層
２４ａ〜２４ｄ 光検出器
２５ 第一ギャップ層
２６ 第二ギャップ層
２７ 開口部
２８ 接着層
２９ プリズム
２６ 光集積検出素子
２７ 基板
２９ 光導波路層
３０ ギャップ調整層
３１ 接着層
３２ プリズム
３３ 金属層
３４ａ〜３４ｄ…光検出器
３５ レーザ光源
３６ カップリングレンズ
３７ 出射光学系
３８ 対物レンズ
３９ 光情報記録媒体
４１ 基板
４２ 光導波路層
４３ 第一ギャップ層
４４ 第二ギャップ層
４４ａ テーパー部
４５ 開口部
４６ 接着層
４７ プリズム
４８ 入射ビーム
Claims (10)
- 【請求項１】 レーザ光源から出射された光をコリメ
ートレンズにより平行化し、その平行光を対物レンズに
より集光して光情報記録媒体の表面に照射することによ
り情報の記録等を行う光情報記録再生装置において、前
記レーザ光源から出射された光が前記光情報記録媒体に
向かう間の光路上に、基板と、この基板上に形成された
光導波路層と、この光導波路層と接続された光検出器と
、前記光導波路層上に形成されその光導波路層よりも低
い屈折率をもつ第一ギャップ層と、この第一ギャップ層
上に形成され開口部を有し前記光導波路層よりも低い屈
折率をもつ第二ギャップ層と、この第二ギャップ層の開
口部を満たし前記第一ギャップ層と接着し前記光導波路
層よりも高い屈折率をもつ接着層と、この接着層の上部
で接着固定され前記光導波路層よりも高い屈折率をもつ
誘電体からなるプリズムとよりなる光集積検出素子を配
設したことを特徴とする光情報記録再生装置。 - 【請求項２】 第二ギャップ層の開口部に位置する端
面部をテーパー状に形成したことを特徴とする請求項１
記載の光情報記録再生装置。 - 【請求項３】 第二ギャップ層のテーパー状をなす端
面部は、シャドウマスクを配置した状態で第二ギャップ
層を成膜することにより形成したことを特徴とする請求
項２記載の光情報記録再生装置。 - 【請求項４】 接着剤は、光硬化型接着剤又は紫外線
硬化型接着剤により作成したことを特徴とする請求項１
，２又は３記載の光情報記録再生装置。 - 【請求項５】 レーザ光源を設け、このレーザ光源よ
り出射された光を平行化するカップリングレンズを設け
、このカップリングレンズにより平行化された光路上に
基板表面上に形成された光導波路層とこの光導波路層と
接続された光検出器と前記光導波路層の表面にこれより
も低い屈折率で形成されたギャップ調整層とこのギャッ
プ調整層の表面に前記光導波路層よりも高い屈折率で形
成された接着層とこの接着層の一部に設けられた金属層
と前記接着層の表面に前記光導波路層よりも高い屈折率
で形成されたプリズムとよりなる光集積検出素子を設け
、前記レーザ光源より出射され前記カップリングレンズ
により平行化された光が前記光集積検出素子の前記プリ
ズムに入射し前記光導波路層により導波され再び前記プ
リズムから出射された光路上に対物レンズを配設し、こ
の対物レンズにより集光された光路上に光情報記録媒体
を設け、この光情報記録媒体からの反射光が前記光集積
検出素子の前記プリズムから入射し前記光導波路層によ
り導波され前記光検出器に導かれるように設定したこと
を特徴とする光情報記録再生装置。 - 【請求項６】 レーザ光源とカップリングレンズとに
よりなる出射光学系から出射され光集積検出素子のプリ
ズムに向かう光の進行方向が前記光集積検出素子の基板
面に対して平行な状態となるように前記出射光学系を配
設し、その出射光学系により出射され前記プリズムから
入射した光が光導波路層により導波され再び前記プリズ
ムの一斜面で反射された後光情報記録媒体に向かうよう
に設定したことを特徴とする請求項５記載の光情報記録
再生装置。 - 【請求項７】 基板と、この基板上に形成された光導
波路層と、この光導波路層上に形成されその光導波路層
よりも低い屈折率をもつ第一ギャップ層と、この第一ギ
ャップ層上に形成され端面がテーパー部とされ所定幅の
開口部を有し前記光導波路層よりも低い屈折率をもつ第
二ギャップ層と、この第二ギャップ層の前記開口部を満
たし前記第一ギャップ層と接着し前記光導波路層よりも
高い屈折率をもつ接着層と、この接着層の上部で接着固
定され前記光導波路層よりも高い屈折率をもつ誘電体か
らなるプリズムとよりなることを特徴とするプリズム結
合器。 - 【請求項８】 入射ビームは、第二ギャップ層のテー
パー部及び開口部に渡って入射するように設定したこと
を特徴とする請求項７記載のプリズム結合器。 - 【請求項９】 第二ギャップ層のテーパー部は、シャ
ドウマスクを配置した状態で第二ギャップ層を成膜する
ことにより形成したことを特徴とする請求項７記載のプ
リズム結合器。 - 【請求項１０】 接着剤は、光硬化型接着剤又は紫外
線硬化型接着剤により作成したことを特徴とする請求項
７記載のプリズム結合器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071964A JPH04289531A (ja) | 1990-05-21 | 1991-04-05 | 光情報記録再生装置及びプリズム結合器 |
| US07/703,294 US5235589A (en) | 1990-05-21 | 1991-05-20 | Apparatus for recording and reproducing optical information and prism coupler |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13109190 | 1990-05-21 | ||
| JP2-131091 | 1990-05-21 | ||
| JP3-18513 | 1991-01-18 | ||
| JP1851391 | 1991-01-18 | ||
| JP2058891 | 1991-01-21 | ||
| JP3-20588 | 1991-01-21 | ||
| JP3071964A JPH04289531A (ja) | 1990-05-21 | 1991-04-05 | 光情報記録再生装置及びプリズム結合器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04289531A true JPH04289531A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=27456978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071964A Pending JPH04289531A (ja) | 1990-05-21 | 1991-04-05 | 光情報記録再生装置及びプリズム結合器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5235589A (ja) |
| JP (1) | JPH04289531A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576149A (en) * | 1993-11-10 | 1996-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a tapered waveguide |
| US5621715A (en) * | 1994-04-19 | 1997-04-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical integrated circuit |
| US5652816A (en) * | 1995-06-09 | 1997-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical coupler and method for producing the same |
| US5781676A (en) * | 1995-10-30 | 1998-07-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Waveguide integrated optical pickup device and optical waveguide element |
| US5946433A (en) * | 1996-11-27 | 1999-08-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a photocoupler and a photocoupler produced by the same |
| US6021239A (en) * | 1996-10-31 | 2000-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photocoupler and method for producing the same |
| KR100480786B1 (ko) * | 2002-09-02 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 커플러를 가지는 집적형 광 헤드 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418765A (en) * | 1991-04-19 | 1995-05-23 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for recording and reproducing optical information having an optical waveguide |
| JP3373560B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2003-02-04 | 株式会社リコー | 光磁気情報記録再生装置 |
| JP3438365B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 複合光学装置およびその製造方法 |
| US6078707A (en) * | 1995-09-22 | 2000-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Waveguide-photodetector, method for producing the same, waveguide usable in the waveguide-photodetector, and method for producing the same |
| US6810057B1 (en) * | 1999-11-25 | 2004-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and optical pickup device |
| DE10219670A1 (de) * | 2002-02-15 | 2003-08-28 | Schleifring Und Appbau Gmbh | Vorrichtung zur optischen Signalübertragung zwischen beweglichen Einheiten |
| US6921214B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-07-26 | Agilent Technologies, Inc. | Optical apparatus and method for coupling output light from a light source to an optical waveguide |
| US7020364B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-03-28 | Sioptical Inc. | Permanent light coupling arrangement and method for use with thin silicon optical waveguides |
| WO2004097902A2 (en) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Sioptical, Inc. | Arrangements for reducing wavelength sensitivity in prism-coupled soi-based optical systems |
| US10048499B2 (en) | 2005-11-08 | 2018-08-14 | Lumus Ltd. | Polarizing optical system |
| US9246230B2 (en) | 2011-02-11 | 2016-01-26 | AMI Research & Development, LLC | High performance low profile antennas |
| US8582935B2 (en) * | 2011-02-11 | 2013-11-12 | AMI Research & Development, LLC | Correction wedge for leaky solar array |
| US9806425B2 (en) | 2011-02-11 | 2017-10-31 | AMI Research & Development, LLC | High performance low profile antennas |
| US8789998B2 (en) | 2011-08-31 | 2014-07-29 | Corning Incorporated | Edge illumination of an ion-exchanged glass sheet |
| US9281424B2 (en) | 2012-01-24 | 2016-03-08 | AMI Research & Development, LLC | Wideband light energy waveguide and detector |
| US9557480B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-01-31 | R.A. Miller Industries, Inc. | Graphene coupled MIM rectifier especially for use in monolithic broadband infrared energy collector |
| IL235642B (en) | 2014-11-11 | 2021-08-31 | Lumus Ltd | A compact head-up display system is protected by an element with a super-thin structure |
| IL237337B (en) | 2015-02-19 | 2020-03-31 | Amitai Yaakov | A compact head-up display system with a uniform image |
| KR102482528B1 (ko) | 2016-10-09 | 2022-12-28 | 루머스 리미티드 | 직사각형 도파관을 사용하는 개구 배율기 |
| MX2018007164A (es) | 2016-11-08 | 2019-06-06 | Lumus Ltd | Dispositivo de guia de luz con borde de corte optico y metodos de produccion correspondientes. |
| EP3574360A4 (en) | 2017-01-28 | 2020-11-11 | Lumus Ltd. | IMAGING SYSTEM WITH EXTENDED REALITY |
| KR102481569B1 (ko) | 2017-02-22 | 2022-12-26 | 루머스 리미티드 | 광 가이드 광학 어셈블리 |
| US11243434B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-02-08 | Lumus Ltd. | LCOS illumination via LOE |
| IL259518B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-04-01 | Lumus Ltd | Optical system and method for improving light field uniformity |
| TWI837049B (zh) | 2018-05-23 | 2024-03-21 | 以色列商魯姆斯有限公司 | 包括具有部分反射內表面的光導光學元件的光學系統 |
| US11415812B2 (en) | 2018-06-26 | 2022-08-16 | Lumus Ltd. | Compact collimating optical device and system |
| CN113557708A (zh) | 2019-03-12 | 2021-10-26 | 鲁姆斯有限公司 | 图像投影仪 |
| AU2020300121B2 (en) | 2019-07-04 | 2024-06-13 | Lumus Ltd. | Image waveguide with symmetric beam multiplication |
| EP4022380A4 (en) | 2019-12-05 | 2022-10-26 | Lumus Ltd. | LIGHT GUIDE OPTICAL ELEMENT USING COMPLEMENTARY COATED PARTIAL REFLECTORS, AND LIGHT GUIDE OPTICAL ELEMENT HAVING REDUCED LIGHT DIFFUSION |
| KR20240059655A (ko) * | 2019-12-08 | 2024-05-07 | 루머스 리미티드 | 소형 이미지 프로젝터를 갖는 광학 시스템 |
| KR20240046489A (ko) | 2021-08-23 | 2024-04-09 | 루머스 리미티드 | 내장된 커플링-인 반사기를 갖는 복합 도광 광학 요소의 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3112939A1 (de) * | 1981-03-31 | 1982-10-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Prismenkoppler zur ein- und/oder auskopplung von strahlung in oder aus einem optischen wellenleiter |
| JPS5821213A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Canon Inc | 光結合装置 |
| GB2146788B (en) * | 1983-09-20 | 1986-09-24 | Stc Plc | Prism coupling to flat waveguides |
| US4565422A (en) * | 1983-11-30 | 1986-01-21 | Gte Laboratories Incorporated | Surface plasmon coupler |
| US4877301A (en) * | 1987-10-09 | 1989-10-31 | Ricoh Company, Ltd. | Covered optical waveguide having an inlet opening |
| US4932743A (en) * | 1988-04-18 | 1990-06-12 | Ricoh Company, Ltd. | Optical waveguide device |
| US5119452A (en) * | 1989-06-13 | 1992-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | High efficiency prism coupling device and method for producing the same |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP3071964A patent/JPH04289531A/ja active Pending
- 1991-05-20 US US07/703,294 patent/US5235589A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576149A (en) * | 1993-11-10 | 1996-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a tapered waveguide |
| US5621715A (en) * | 1994-04-19 | 1997-04-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical integrated circuit |
| US5652816A (en) * | 1995-06-09 | 1997-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical coupler and method for producing the same |
| US5781676A (en) * | 1995-10-30 | 1998-07-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Waveguide integrated optical pickup device and optical waveguide element |
| US6021239A (en) * | 1996-10-31 | 2000-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photocoupler and method for producing the same |
| US5946433A (en) * | 1996-11-27 | 1999-08-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a photocoupler and a photocoupler produced by the same |
| KR100480786B1 (ko) * | 2002-09-02 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 커플러를 가지는 집적형 광 헤드 |
| US7184386B2 (en) | 2002-09-02 | 2007-02-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated type optical head with sheet waveguide and light coupler |
| US7408847B2 (en) | 2002-09-02 | 2008-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated type optical head with sheet waveguide and light coupler |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5235589A (en) | 1993-08-10 |
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