JPH04283589A - ビニルシラン類の製造方法 - Google Patents
ビニルシラン類の製造方法Info
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- JPH04283589A JPH04283589A JP3046837A JP4683791A JPH04283589A JP H04283589 A JPH04283589 A JP H04283589A JP 3046837 A JP3046837 A JP 3046837A JP 4683791 A JP4683791 A JP 4683791A JP H04283589 A JPH04283589 A JP H04283589A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ルテニウム触媒を利用
したビニルシラン類の製造方法、新規ルテニウムシリル
錯体及びその製造方法、及び該ルテニウムシリル錯体を
用いたビニルシラン類の製造方法に関する。
したビニルシラン類の製造方法、新規ルテニウムシリル
錯体及びその製造方法、及び該ルテニウムシリル錯体を
用いたビニルシラン類の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ビニルシラン類と一置換オレフィ
ンとの不均化触媒反応としては、ルテニウム触媒である
Ｒｕ３（ＣＯ）１２ を使用しＣＨ２＝ＣＨＳｉ（ＯＥ
ｔ）３と ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ２）ｎ ＣＨ３ との組
合せで（ＥｔＯ）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）ｎ ＣＨ
３ を製造する方法（Ｂ．Ｍａｒｃｉｎｉｅｃ， ｅｔ
ａｌ． Ｊ． Ｍｏｌ． Ｃａｔａｌ．， ４６，
（１９８８） ３２９）、ＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ３ と
ＣＨ２＝ＣＨＣ６Ｈ５との組合せでＭｅ３ＳｉＣＨ＝Ｃ
ＨＣ６Ｈ５を製造する方法（Ｙ．Ｓｅｋｉ， ｅｔ ａ
ｌ． Ｊ． Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ． Ｃｈｅｍ．， ３
６９ ，（１９８８）１１７）が知られている。しかし
これらの反応においてはそれぞれホモ不均化生成物であ
る（ＥｔＯ）３ＳｉＣＨ＝ＣＨＳｉ（ＯＥｔ）３ や
Ｍｅ３ＳｉＣＨ＝ＣＨＳｉＭｅ３等が副生するという問
題があった。
ンとの不均化触媒反応としては、ルテニウム触媒である
Ｒｕ３（ＣＯ）１２ を使用しＣＨ２＝ＣＨＳｉ（ＯＥ
ｔ）３と ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ２）ｎ ＣＨ３ との組
合せで（ＥｔＯ）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）ｎ ＣＨ
３ を製造する方法（Ｂ．Ｍａｒｃｉｎｉｅｃ， ｅｔ
ａｌ． Ｊ． Ｍｏｌ． Ｃａｔａｌ．， ４６，
（１９８８） ３２９）、ＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ３ と
ＣＨ２＝ＣＨＣ６Ｈ５との組合せでＭｅ３ＳｉＣＨ＝Ｃ
ＨＣ６Ｈ５を製造する方法（Ｙ．Ｓｅｋｉ， ｅｔ ａ
ｌ． Ｊ． Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ． Ｃｈｅｍ．， ３
６９ ，（１９８８）１１７）が知られている。しかし
これらの反応においてはそれぞれホモ不均化生成物であ
る（ＥｔＯ）３ＳｉＣＨ＝ＣＨＳｉ（ＯＥｔ）３ や
Ｍｅ３ＳｉＣＨ＝ＣＨＳｉＭｅ３等が副生するという問
題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するため
の手段】本発明者はビニルシラン類の不均化反応につい
て鋭意研究を進めた結果、ルテニウム触媒であるＲｕ（
Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３を触媒として使用する
と、ホモ不均化生成物がほとんど生成することなくオレ
フィンの不均化反応が進行することを見出し、本発明を
完成するに至った。
の手段】本発明者はビニルシラン類の不均化反応につい
て鋭意研究を進めた結果、ルテニウム触媒であるＲｕ（
Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３を触媒として使用する
と、ホモ不均化生成物がほとんど生成することなくオレ
フィンの不均化反応が進行することを見出し、本発明を
完成するに至った。
【０００４】すなわち本発明は、一般式 ＣＨ２＝ＣＨ
ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中
、Ｒ１は低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示し、
Ｒ２及びＲ３は独立に低級アルキル基を示す）と、一般
式 ＣＨ２＝ＣＨＲ４で示される一置換オレフィン化合
物（式中、Ｒ４は低級アルキル基、低級アルコキシ基、
低級アルコキシカルボニル基、アリール基、またはＳｉ
Ｒ５Ｒ６Ｒ７（式中、Ｒ５は低級アルキル基、低級アル
コキシ基を示し、Ｒ６及びＲ７は独立に低級アルキル基
である）を示す）とを、Ｒｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰ
ｈ３）３若しくはＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（Ｓ
ｉＲ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１は低級アルキル基又は
低級アルコキシ基を示し、Ｒ２及びＲ３は独立に低級ア
ルキル基を示す）又はそれらの混合物の存在下に反応さ
せることを特徴とする、一般式Ｒ４ＣＨ＝ＣＨＳｉＲ１
Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は前記定義と同じである）の製造
方法また、本発明は以下の式：ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰ
ｈ３）２（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１、Ｒ２、
及びＲ３は前記定義と同じである）で示される新規ルテ
ニウムシリル錯体、一般式 ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２
Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２
、及びＲ３は前記定義と同じである）と、Ｒｕ（Ｃｌ）
（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３を反応させることを特徴とす
る該ルテニウムシリル錯体の製造方法、及び該錯体と一
般式 ＣＨ２＝ＣＨＲ４で示される一置換オレフィン化
合物（式中、Ｒ４は前記定義と同じである）とを反応さ
せることを特徴とする、一般式Ｒ４ＣＨ＝ＣＨＳｉＲ１
Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は前記定義と同じである）の製造
方法を提供するのもである。
ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中
、Ｒ１は低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示し、
Ｒ２及びＲ３は独立に低級アルキル基を示す）と、一般
式 ＣＨ２＝ＣＨＲ４で示される一置換オレフィン化合
物（式中、Ｒ４は低級アルキル基、低級アルコキシ基、
低級アルコキシカルボニル基、アリール基、またはＳｉ
Ｒ５Ｒ６Ｒ７（式中、Ｒ５は低級アルキル基、低級アル
コキシ基を示し、Ｒ６及びＲ７は独立に低級アルキル基
である）を示す）とを、Ｒｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰ
ｈ３）３若しくはＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（Ｓ
ｉＲ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１は低級アルキル基又は
低級アルコキシ基を示し、Ｒ２及びＲ３は独立に低級ア
ルキル基を示す）又はそれらの混合物の存在下に反応さ
せることを特徴とする、一般式Ｒ４ＣＨ＝ＣＨＳｉＲ１
Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は前記定義と同じである）の製造
方法また、本発明は以下の式：ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰ
ｈ３）２（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１、Ｒ２、
及びＲ３は前記定義と同じである）で示される新規ルテ
ニウムシリル錯体、一般式 ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２
Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２
、及びＲ３は前記定義と同じである）と、Ｒｕ（Ｃｌ）
（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３を反応させることを特徴とす
る該ルテニウムシリル錯体の製造方法、及び該錯体と一
般式 ＣＨ２＝ＣＨＲ４で示される一置換オレフィン化
合物（式中、Ｒ４は前記定義と同じである）とを反応さ
せることを特徴とする、一般式Ｒ４ＣＨ＝ＣＨＳｉＲ１
Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は前記定義と同じである）の製造
方法を提供するのもである。
【０００５】本発明の方法において反応原料として使用
されるビニルシラン化合物は一般式ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ
１Ｒ２Ｒ３で示され、式中、Ｒ１は低級アルキル基、低
級アルコキシ基を示し、Ｒ２及びＲ３は独立に低級アル
キル基を示す。本明細書において低級アルキル基は炭素
数が１〜６のアルキル基を示し、例えばメチル基、エチ
ル基、ピロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、または ｔｅｒｔ−ブチル基等をあげ
ることができ、低級アルコキシ基は炭素数１〜６のアル
コキシ基を示し、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ
−ブトキシ基、またはｔｅｒｔ−ブトキシ基を挙げるこ
とができる。これらのビニルシラン化合物はいずれも公
知化合物であり、市販品または文献記載の方法により製
造したものを使用することができる。
されるビニルシラン化合物は一般式ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ
１Ｒ２Ｒ３で示され、式中、Ｒ１は低級アルキル基、低
級アルコキシ基を示し、Ｒ２及びＲ３は独立に低級アル
キル基を示す。本明細書において低級アルキル基は炭素
数が１〜６のアルキル基を示し、例えばメチル基、エチ
ル基、ピロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、または ｔｅｒｔ−ブチル基等をあげ
ることができ、低級アルコキシ基は炭素数１〜６のアル
コキシ基を示し、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ
−ブトキシ基、またはｔｅｒｔ−ブトキシ基を挙げるこ
とができる。これらのビニルシラン化合物はいずれも公
知化合物であり、市販品または文献記載の方法により製
造したものを使用することができる。
【０００６】本発明の方法において反応原料として使用
される一置換オレフィン化合物は一般式 ＣＨ２＝ＣＨ
Ｒ４で示され、式中、Ｒ４は低級アルキル基、低級アル
コキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アリール基、
またはＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７（式中、Ｒ５は低級アルキル基
、低級アルコキシ基を示し、Ｒ６及びＲ７は独立に低級
アルキル基を示す）を示す。本明細書において低級アル
コキシカルボニル基は、炭素数が１〜６のアルコキシ基
により置換されたカルボニル基を示し、例えばメトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカル
ボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシ
カルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、または
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を挙げることができ
、アリール基としてはフェニル基、置換フェニル基、ピ
リジル基等を挙げることができる。これら一置換オレフ
ィン化合物はいずれも公知化合物であり、市販品または
文献記載の方法により製造したものを使用することがで
きる。
される一置換オレフィン化合物は一般式 ＣＨ２＝ＣＨ
Ｒ４で示され、式中、Ｒ４は低級アルキル基、低級アル
コキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アリール基、
またはＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７（式中、Ｒ５は低級アルキル基
、低級アルコキシ基を示し、Ｒ６及びＲ７は独立に低級
アルキル基を示す）を示す。本明細書において低級アル
コキシカルボニル基は、炭素数が１〜６のアルコキシ基
により置換されたカルボニル基を示し、例えばメトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカル
ボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシ
カルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、または
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を挙げることができ
、アリール基としてはフェニル基、置換フェニル基、ピ
リジル基等を挙げることができる。これら一置換オレフ
ィン化合物はいずれも公知化合物であり、市販品または
文献記載の方法により製造したものを使用することがで
きる。
【０００７】本発明の方法において使用されるルテニウ
ム触媒Ｒｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３は公知の
錯体であり、Ｉｎｏｒｇ． Ｓｙｎ．，１５， ４８（
１９７４）に記載された方法により製造される。また、
本発明において使用される式ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ
３）２（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１、Ｒ２、及
びＲ３は前記の通りである）で示されるルテニウムシリ
ル錯体は新規錯体であり、一般式 ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ
１Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１
、Ｒ２、及びＲ３は前記の通りである）と、Ｒｕ（Ｃｌ
）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３を反応させることにより製
造される。反応条件の１例としては、Ｒｕ（Ｃｌ）（Ｃ
Ｏ）Ｈ（ＰＰｈ３）３に対して、過剰量の ＣＨ２＝Ｃ
ＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物を、
例えばテトラヒドロフラン等の溶媒中で封管により６０
〜７０℃で１５〜１８時間反応させ、必要に応じてカラ
ムクロマトグラフィー等で生成する方法を挙げることが
できる。該錯体のＩＲスペクトルはＣＯ吸収がＫＢｒ法
では２本観測されるが（Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が全てメ
チル基の化合物で１９００、１９２０ｃｍ−１；Ｒ１が
エトキシ基でＲ２及びＲ３がメチル基の化合物で１９０
５、１９２３ｃｍ−１）、塩化メチレン溶液では一本で
ある（例えばＲ１、Ｒ２、及びＲ３が全てメチル基の化
合物で１９１６ｃｍ−１；Ｒ１がエトキシ基でＲ２及び
Ｒ３がメチル基の化合物で１９２２ｃｍ−１）ことから
、固体状態では２種類の結晶状態が存在することが判明
している。本発明の方法においては、これらの錯体を反
応触媒として単独で、若しくは混合物として使用するこ
とができる。触媒としてＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰ
ｈ３）３を使用した場合には、上記条件下において反応
系中に式ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（ＳｉＲ１Ｒ
２Ｒ３） （式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は前記の通り
である）で示されるルテニウム錯体が一部生成するが、
この様な混合触媒状態も本発明の方法に含まれる。
ム触媒Ｒｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３は公知の
錯体であり、Ｉｎｏｒｇ． Ｓｙｎ．，１５， ４８（
１９７４）に記載された方法により製造される。また、
本発明において使用される式ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ
３）２（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１、Ｒ２、及
びＲ３は前記の通りである）で示されるルテニウムシリ
ル錯体は新規錯体であり、一般式 ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ
１Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１
、Ｒ２、及びＲ３は前記の通りである）と、Ｒｕ（Ｃｌ
）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３を反応させることにより製
造される。反応条件の１例としては、Ｒｕ（Ｃｌ）（Ｃ
Ｏ）Ｈ（ＰＰｈ３）３に対して、過剰量の ＣＨ２＝Ｃ
ＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３で示されるビニルシラン化合物を、
例えばテトラヒドロフラン等の溶媒中で封管により６０
〜７０℃で１５〜１８時間反応させ、必要に応じてカラ
ムクロマトグラフィー等で生成する方法を挙げることが
できる。該錯体のＩＲスペクトルはＣＯ吸収がＫＢｒ法
では２本観測されるが（Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が全てメ
チル基の化合物で１９００、１９２０ｃｍ−１；Ｒ１が
エトキシ基でＲ２及びＲ３がメチル基の化合物で１９０
５、１９２３ｃｍ−１）、塩化メチレン溶液では一本で
ある（例えばＲ１、Ｒ２、及びＲ３が全てメチル基の化
合物で１９１６ｃｍ−１；Ｒ１がエトキシ基でＲ２及び
Ｒ３がメチル基の化合物で１９２２ｃｍ−１）ことから
、固体状態では２種類の結晶状態が存在することが判明
している。本発明の方法においては、これらの錯体を反
応触媒として単独で、若しくは混合物として使用するこ
とができる。触媒としてＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰ
ｈ３）３を使用した場合には、上記条件下において反応
系中に式ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（ＳｉＲ１Ｒ
２Ｒ３） （式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は前記の通り
である）で示されるルテニウム錯体が一部生成するが、
この様な混合触媒状態も本発明の方法に含まれる。
【０００８】ビニルシラン化合物及び一置換オレフィン
化合物を本発明の方法により反応させるにあたり、上記
のルテニウム触媒を原料ビニルシラン化合物に対して０
．００５〜０．０５モルとなる様に使用し、溶媒として
例えばテトラヒドロフラン、塩化メチレン、トルエン、
ベンゼン等を原料ビニルシラン化合物に対して１〜１０
０倍容の割合で使用すればよい。反応は好ましくは封管
中で行われ、例えば窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲
気中で反応温度を７０℃以上、好ましくは１２０℃以上
として５〜４０時間反応を行えばよい。また、該一置換
オレフィン化合物に対するビニルシラン化合物の使用量
は０．５〜１０当量、好ましくは２当量以上とすること
によりホモ不均化物の生成を抑制することができる。
化合物を本発明の方法により反応させるにあたり、上記
のルテニウム触媒を原料ビニルシラン化合物に対して０
．００５〜０．０５モルとなる様に使用し、溶媒として
例えばテトラヒドロフラン、塩化メチレン、トルエン、
ベンゼン等を原料ビニルシラン化合物に対して１〜１０
０倍容の割合で使用すればよい。反応は好ましくは封管
中で行われ、例えば窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲
気中で反応温度を７０℃以上、好ましくは１２０℃以上
として５〜４０時間反応を行えばよい。また、該一置換
オレフィン化合物に対するビニルシラン化合物の使用量
は０．５〜１０当量、好ましくは２当量以上とすること
によりホモ不均化物の生成を抑制することができる。
【０００９】この様な反応条件で不均化反応をおこなう
ことにより一般式Ｒ４ＣＨ＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３で示
されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、
及びＲ４は前記定義と同じである）を効率よく製造する
ことができる。これらの化合物のうちＲ１、Ｒ２、及び
Ｒ３がメチル基であり、Ｒ４がメトキシカルボニル基で
ある化合物；Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３がメチル基であり、
Ｒ４がｎ−ブトキシカルボニル基である化合物；Ｒ１及
びＲ２がメチル基であり、Ｒ３がエトキシ基であり、Ｒ
４がフェニル基である化合物；Ｒ１及びＲ２がメチル基
であり、Ｒ３がエトキシ基であり、Ｒ４がメトキシカル
ボニル基である化合物；及びＲ１及びＲ２がメチル基で
あり、Ｒ３がエトキシ基であり、Ｒ４がｎ−ブトキシカ
ルボニル基である化合物等は新規化合物であり、いずれ
も医薬品、有機合成原料等として有用な化合物である。
ことにより一般式Ｒ４ＣＨ＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３で示
されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、
及びＲ４は前記定義と同じである）を効率よく製造する
ことができる。これらの化合物のうちＲ１、Ｒ２、及び
Ｒ３がメチル基であり、Ｒ４がメトキシカルボニル基で
ある化合物；Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３がメチル基であり、
Ｒ４がｎ−ブトキシカルボニル基である化合物；Ｒ１及
びＲ２がメチル基であり、Ｒ３がエトキシ基であり、Ｒ
４がフェニル基である化合物；Ｒ１及びＲ２がメチル基
であり、Ｒ３がエトキシ基であり、Ｒ４がメトキシカル
ボニル基である化合物；及びＲ１及びＲ２がメチル基で
あり、Ｒ３がエトキシ基であり、Ｒ４がｎ−ブトキシカ
ルボニル基である化合物等は新規化合物であり、いずれ
も医薬品、有機合成原料等として有用な化合物である。
【００１０】式ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（Ｓｉ
Ｒ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は前記
の通りである）で示される錯体と、エチレン、または一
般式 ＣＨ２＝ＣＨＲ４で示される一置換オレフィン化
合物（式中、Ｒ４は低級アルキル基、低級アルコキシ基
、低級アルコキシカルボニル基、アリール基、またはＳ
ｉＲ５Ｒ６Ｒ７（式中、Ｒ５は低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基を示し、Ｒ６及びＲ７は独立に低級アルキル
基である）を示す）を反応させることにより、Ｒ４ＣＨ
＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及
びＲ４は前記の通りである）で示されるビニルシランが
製造される。反応は通常は封管中で、例えばトルエン、
ベンゼン、テトラヒドロフラン、塩化エチレン等の溶媒
を用いて４０〜１６０℃、好ましくは７０℃〜１２０℃
で行われる。オレフィンがエチレン、プロピレン等のガ
ス状の場合にはオートクレーブ中で１気圧以上の加圧下
で反応を行えばよい。
Ｒ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は前記
の通りである）で示される錯体と、エチレン、または一
般式 ＣＨ２＝ＣＨＲ４で示される一置換オレフィン化
合物（式中、Ｒ４は低級アルキル基、低級アルコキシ基
、低級アルコキシカルボニル基、アリール基、またはＳ
ｉＲ５Ｒ６Ｒ７（式中、Ｒ５は低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基を示し、Ｒ６及びＲ７は独立に低級アルキル
基である）を示す）を反応させることにより、Ｒ４ＣＨ
＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及
びＲ４は前記の通りである）で示されるビニルシランが
製造される。反応は通常は封管中で、例えばトルエン、
ベンゼン、テトラヒドロフラン、塩化エチレン等の溶媒
を用いて４０〜１６０℃、好ましくは７０℃〜１２０℃
で行われる。オレフィンがエチレン、プロピレン等のガ
ス状の場合にはオートクレーブ中で１気圧以上の加圧下
で反応を行えばよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明の方法により、ビニルシラン化合
物が効率的に製造される。特に本発明の方法によれば、
ホモ不均化物の副生なしにオレフィンを不均化すること
ができるので極めて有用である。また、本発明により提
供されたルテニウムシリル錯体は、一置換オレフィン化
合物を効率よくシリル化することができるので有用であ
る。
物が効率的に製造される。特に本発明の方法によれば、
ホモ不均化物の副生なしにオレフィンを不均化すること
ができるので極めて有用である。また、本発明により提
供されたルテニウムシリル錯体は、一置換オレフィン化
合物を効率よくシリル化することができるので有用であ
る。
【００１２】
【実施例】以下に本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されること
はない。以下の実施例において全ての反応及び生成物の
処理は不活性ガス（窒素またはアルゴン）の雰囲気下で
行った。溶媒は市販の特級試薬をアルゴンガスでバブル
することにより脱酸素したものを使用した。テトラヒド
ロフランはナトリウムとベンゾフェノンを用いて乾燥さ
せた後に蒸留して使用した。カラムクロマトグラフィー
にはシリカゲル（和光純薬製）を脱気して使用した。生
成物の同定は、ＩＲ（島津製、ＩＲ−２７Ｇ）、ＮＭＲ
（日本電子製、ＧＳＸ−５００、ＧＳＸ−４００、ＧＳ
Ｘ−１００）、ＣＨ元素分析（理化学研究所微量分析室
）、ＧＬＣ（ＨＰ−５８９０Ａ、キャピラリーカラムＪ
＆Ｗ ＤＢ１ ３０ｍ）により行った。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されること
はない。以下の実施例において全ての反応及び生成物の
処理は不活性ガス（窒素またはアルゴン）の雰囲気下で
行った。溶媒は市販の特級試薬をアルゴンガスでバブル
することにより脱酸素したものを使用した。テトラヒド
ロフランはナトリウムとベンゾフェノンを用いて乾燥さ
せた後に蒸留して使用した。カラムクロマトグラフィー
にはシリカゲル（和光純薬製）を脱気して使用した。生
成物の同定は、ＩＲ（島津製、ＩＲ−２７Ｇ）、ＮＭＲ
（日本電子製、ＧＳＸ−５００、ＧＳＸ−４００、ＧＳ
Ｘ−１００）、ＣＨ元素分析（理化学研究所微量分析室
）、ＧＬＣ（ＨＰ−５８９０Ａ、キャピラリーカラムＪ
＆Ｗ ＤＢ１ ３０ｍ）により行った。
【００１３】実施例１
２０ｍｇのＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３（０
．０２１ｍｍｏｌ）、０．２ｍｌのＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ
１Ｒ２Ｒ３（Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が全てメチル基の化
合物１．３０ｍｍｏｌ、又はＲ１がエトキシ基でＲ２及
びＲ３がメチル基の化合物１．２１ｍｍｏｌ）、０．４
ｍｌの ＣＨ２＝ＣＨＲ４（Ｒ４＝ＳｉＭｅ３ の化合
物２．６０ｍｍｏｌ、Ｒ４＝ＳｉＭｅ２（ＯＥｔ）の化
合物２．４２ｍｍｏｌ、Ｒ４＝ＣＯＯＭｅ の化合物４
．４４ｍｍｏｌ、Ｒ４＝Ｃ６Ｈ５の化合物３．４９ｍｍ
ｏｌ、又はＲ４＝Ｏ−ｎ−Ｂｕの化合物３．０９ｍｍｏ
ｌ）、及び２ｍｌのテトラヒドロフランを封管し、１４
０℃で１４時間加熱した。その反応溶液に所定量の内部
標準（Ｃ ｎ Ｈ２ｎ＋２）を加えた後ＧＬＣで収率を
定量した。検量線の作成は以下の様に行った。蒸留単離
した生成物（５０ｍｇ）をサンプル管に取り、生成物の
半分のモル数の標準物質（Ｃ ｎ Ｈ２ｎ＋２）がテト
ラヒドロフランに含まれる様に調製した溶液を１、２、
３、４ｍｌと加えた。それをＧＬＣで分析することによ
り検量線を作成した。プロットが線上に乗らないときは
ことなる比で再度プロットした。上記の量の５〜１０倍
のスケールで反応を行った反応液を用いて生成物を蒸留
単離し、ＮＭＲ、ＩＲ、元素分析を行った。
．０２１ｍｍｏｌ）、０．２ｍｌのＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ
１Ｒ２Ｒ３（Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が全てメチル基の化
合物１．３０ｍｍｏｌ、又はＲ１がエトキシ基でＲ２及
びＲ３がメチル基の化合物１．２１ｍｍｏｌ）、０．４
ｍｌの ＣＨ２＝ＣＨＲ４（Ｒ４＝ＳｉＭｅ３ の化合
物２．６０ｍｍｏｌ、Ｒ４＝ＳｉＭｅ２（ＯＥｔ）の化
合物２．４２ｍｍｏｌ、Ｒ４＝ＣＯＯＭｅ の化合物４
．４４ｍｍｏｌ、Ｒ４＝Ｃ６Ｈ５の化合物３．４９ｍｍ
ｏｌ、又はＲ４＝Ｏ−ｎ−Ｂｕの化合物３．０９ｍｍｏ
ｌ）、及び２ｍｌのテトラヒドロフランを封管し、１４
０℃で１４時間加熱した。その反応溶液に所定量の内部
標準（Ｃ ｎ Ｈ２ｎ＋２）を加えた後ＧＬＣで収率を
定量した。検量線の作成は以下の様に行った。蒸留単離
した生成物（５０ｍｇ）をサンプル管に取り、生成物の
半分のモル数の標準物質（Ｃ ｎ Ｈ２ｎ＋２）がテト
ラヒドロフランに含まれる様に調製した溶液を１、２、
３、４ｍｌと加えた。それをＧＬＣで分析することによ
り検量線を作成した。プロットが線上に乗らないときは
ことなる比で再度プロットした。上記の量の５〜１０倍
のスケールで反応を行った反応液を用いて生成物を蒸留
単離し、ＮＭＲ、ＩＲ、元素分析を行った。
【００１４】以上の結果を以下の表１に示す。
表 １
ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ Ｃ
Ｈ２＝ＣＨＲ４ Ｒ４ＣＨ＝Ｃ
ＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ Ｒ１
Ｒ２ Ｒ３ Ｒ４
収率（％）１） ｔｒａｎｓ／ｃｉｓ ｔｕｒ
ｎ ｏｖｅｒ Ｍｅ Ｍｅ Ｍｅ２）
ＳｉＭｅ３ ３７．６
４４／５６ ３４ Ｍｅ
Ｍｅ Ｍｅ Ｍｅ
７４．３ ７６／２４
９２ Ｍｅ Ｍｅ Ｍｅ
Ｐｈ ６６．０
９９／ １ ４１ Ｍ
ｅ Ｍｅ Ｍｅ ＣＯＯＭｅ
５９．４ ９３／ ７
３７ Ｍｅ Ｍｅ
Ｍｅ Ｏ−ｎ−Ｂｕ ７４．
５ ７８／２２ ４
６ ＯＥｔ Ｍｅ Ｍｅ２） Ｓｉ
Ｍｅ２ＯＥｔ ４９．１ ６７
／３３ ４２ ＯＥｔ Ｍｅ
Ｍｅ Ｐｈ
７２．２ ９９／ １
４２ ＯＥｔ Ｍｅ Ｍｅ
ＣＯＯＭｅ ６９．７
８３／１７ ４０ ＯＥｔ
Ｍｅ Ｍｅ Ｏ−ｎ−Ｂｕ
８３．８ ８４／１６
４８ １） ＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ
２Ｒ１ 基準２） ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ ０
．６ｍｌ
表 １
ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ Ｃ
Ｈ２＝ＣＨＲ４ Ｒ４ＣＨ＝Ｃ
ＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ Ｒ１
Ｒ２ Ｒ３ Ｒ４
収率（％）１） ｔｒａｎｓ／ｃｉｓ ｔｕｒ
ｎ ｏｖｅｒ Ｍｅ Ｍｅ Ｍｅ２）
ＳｉＭｅ３ ３７．６
４４／５６ ３４ Ｍｅ
Ｍｅ Ｍｅ Ｍｅ
７４．３ ７６／２４
９２ Ｍｅ Ｍｅ Ｍｅ
Ｐｈ ６６．０
９９／ １ ４１ Ｍ
ｅ Ｍｅ Ｍｅ ＣＯＯＭｅ
５９．４ ９３／ ７
３７ Ｍｅ Ｍｅ
Ｍｅ Ｏ−ｎ−Ｂｕ ７４．
５ ７８／２２ ４
６ ＯＥｔ Ｍｅ Ｍｅ２） Ｓｉ
Ｍｅ２ＯＥｔ ４９．１ ６７
／３３ ４２ ＯＥｔ Ｍｅ
Ｍｅ Ｐｈ
７２．２ ９９／ １
４２ ＯＥｔ Ｍｅ Ｍｅ
ＣＯＯＭｅ ６９．７
８３／１７ ４０ ＯＥｔ
Ｍｅ Ｍｅ Ｏ−ｎ−Ｂｕ
８３．８ ８４／１６
４８ １） ＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ
２Ｒ１ 基準２） ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３ ０
．６ｍｌ
【００１５】実施例２ 本発明の方法におけ
る温度の影響 ２０ｍｇのＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３（０
．０２１ｍｍｏｌ）、０．２ｍｌのＣＨ２＝ＣＨＳｉＭ
ｅ３（１．３０ｍｍｏｌ）、０．４ｍｌの ＣＨ２＝Ｃ
ＨＣ６Ｈ５（３． ４９ｍｍｏｌ） 、及び４ｍｌのテ
トラヒドロフランを封管し、７０℃、１００度、１２０
℃、及び１４０℃で１４時間加熱した。その結果、各温
度における収率は２４．２％（７０℃）、４９．７％（
１００℃）、６９．４％（１２０℃）、及び６６．０％
（１４０℃）であった。
る温度の影響 ２０ｍｇのＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３（０
．０２１ｍｍｏｌ）、０．２ｍｌのＣＨ２＝ＣＨＳｉＭ
ｅ３（１．３０ｍｍｏｌ）、０．４ｍｌの ＣＨ２＝Ｃ
ＨＣ６Ｈ５（３． ４９ｍｍｏｌ） 、及び４ｍｌのテ
トラヒドロフランを封管し、７０℃、１００度、１２０
℃、及び１４０℃で１４時間加熱した。その結果、各温
度における収率は２４．２％（７０℃）、４９．７％（
１００℃）、６９．４％（１２０℃）、及び６６．０％
（１４０℃）であった。
【００１６】実施例３ 本発明の方法における溶媒量
の影響 １００ｍｇ のＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３
（０．１１ｍｍｏｌ） と２ｍｌのＣＨ２＝ＣＨＳｉＭ
ｅ３（１３．３ｍｍｏｌ） に反応温度７０℃でプロピ
レン（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ３）を４．５Ｋｇ／ｃｍ２の圧
力で加え、各容のトルエンの存在下にオートクレーブ中
で反応させた。結果を以下の表２に示す。
の影響 １００ｍｇ のＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３
（０．１１ｍｍｏｌ） と２ｍｌのＣＨ２＝ＣＨＳｉＭ
ｅ３（１３．３ｍｍｏｌ） に反応温度７０℃でプロピ
レン（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ３）を４．５Ｋｇ／ｃｍ２の圧
力で加え、各容のトルエンの存在下にオートクレーブ中
で反応させた。結果を以下の表２に示す。
【００１７】
表 ２
Ｒｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）
３ トルエン 反応時間 生成物分布（
ＧＬＣ分析％）
Ａ Ｂ Ｃ
１００ｍｇ ５ｍｌ
１３時間 ８２．１ ３．４
１４．５ １００ ２０
１５ ６４．１
６．４ ２９．１ １００
５ ２４
７４．２ ５．０ ２０．８
１００ １０
２１ ６８．９ ５．３
２５．８ Ａ： ＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ３
Ｂ： ｃｉｓ−ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨＳｉＭｅ
３ Ｃ： ｔｒａｎｓ−ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨＳ
ｉＭｅ３ 各実施例において得られたビニルシラン
化合物の物理化学的性質は以下に示す通りである。
表 ２
Ｒｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）
３ トルエン 反応時間 生成物分布（
ＧＬＣ分析％）
Ａ Ｂ Ｃ
１００ｍｇ ５ｍｌ
１３時間 ８２．１ ３．４
１４．５ １００ ２０
１５ ６４．１
６．４ ２９．１ １００
５ ２４
７４．２ ５．０ ２０．８
１００ １０
２１ ６８．９ ５．３
２５．８ Ａ： ＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ３
Ｂ： ｃｉｓ−ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨＳｉＭｅ
３ Ｃ： ｔｒａｎｓ−ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨＳ
ｉＭｅ３ 各実施例において得られたビニルシラン
化合物の物理化学的性質は以下に示す通りである。
【００１８】
【化１】
【００１９】
【化２】
【００２０】
【化３】
【００２１】
【化４】
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】実施例４−Ａ ルテニウムシリル錯体Ｒ
ｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（ＳｉＭｅ３）の製造２
００ｍｇのＲｕＣｌ（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３（０．２
１ｍｍｏｌ）、３８ｍｌのテトラヒドロフラン、及び０
．５ｍｌのＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ３ （３．２４ｍｍｏ
ｌ）を封管し７０℃で１８時間加熱した。溶媒を減圧留
去して最小量の塩化メチレンに溶解した後に、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにかけベンゼン／ヘキサン
（３／１）により黄色のバンドを溶出した。溶媒を減圧
留去後、塩化メチレン／ヘキサンにて再結晶することに
よりオレンジ色結晶を得た。収量 １０１ｍｇ（収率
６３％） 分解点 １５９〜１６１℃ ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ−１）：１９００、１９２０（ＣＯ
）、８４５（Ｓｉ−Ｃ） ＩＲ（ＣＨ２Ｃｌ２、ｃｍ−１） １９１６（ＣＯ）１
Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６） ＳｉＭｅ３ ０．６
２ ｐｐｍ３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） ＰＰｈ
３ ３５．１５
ｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（ＳｉＭｅ３）の製造２
００ｍｇのＲｕＣｌ（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３（０．２
１ｍｍｏｌ）、３８ｍｌのテトラヒドロフラン、及び０
．５ｍｌのＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ３ （３．２４ｍｍｏ
ｌ）を封管し７０℃で１８時間加熱した。溶媒を減圧留
去して最小量の塩化メチレンに溶解した後に、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにかけベンゼン／ヘキサン
（３／１）により黄色のバンドを溶出した。溶媒を減圧
留去後、塩化メチレン／ヘキサンにて再結晶することに
よりオレンジ色結晶を得た。収量 １０１ｍｇ（収率
６３％） 分解点 １５９〜１６１℃ ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ−１）：１９００、１９２０（ＣＯ
）、８４５（Ｓｉ−Ｃ） ＩＲ（ＣＨ２Ｃｌ２、ｃｍ−１） １９１６（ＣＯ）１
Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６） ＳｉＭｅ３ ０．６
２ ｐｐｍ３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） ＰＰｈ
３ ３５．１５
【００２５】実施例４−Ｂ ル
テニウムシリル錯体ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２
ＳｉＭｅ２（ＯＥｔ） の製造２００ｍｇのＲｕＣｌ
（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３（０．２１ｍｍｏｌ）、１０
ｍｌのテトラヒドロフラン、及び１ｍｌのＣＨ２＝ＣＨ
ＳｉＭｅ２（ＯＥｔ）（６．０５ｍｍｏｌ）を封管し６
０℃で１５時間加熱した。溶媒を減圧留去後、ベンゼン
／ヘキサンにて再結晶することにより黄色結晶を得た。 収量 ９９ｍｇ（収率６０％）分解点 １７６
〜１７８℃ ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ−１）：１９０５、１９２３（ＣＯ
）ＩＲ（ＣＨ２Ｃｌ２、ｃｍ−１） １９２２（ＣＯ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） ＳｉＭｅ３
０．２５ ｐｐｍＣＨ３（ＥｔＯ） ０．７６
（ｔ、Ｊ＝７Ｈｚ）ＣＨ２（ＥｔＯ） ３．２７
（ｑ、Ｊ＝７Ｈｚ）
テニウムシリル錯体ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２
ＳｉＭｅ２（ＯＥｔ） の製造２００ｍｇのＲｕＣｌ
（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３（０．２１ｍｍｏｌ）、１０
ｍｌのテトラヒドロフラン、及び１ｍｌのＣＨ２＝ＣＨ
ＳｉＭｅ２（ＯＥｔ）（６．０５ｍｍｏｌ）を封管し６
０℃で１５時間加熱した。溶媒を減圧留去後、ベンゼン
／ヘキサンにて再結晶することにより黄色結晶を得た。 収量 ９９ｍｇ（収率６０％）分解点 １７６
〜１７８℃ ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ−１）：１９０５、１９２３（ＣＯ
）ＩＲ（ＣＨ２Ｃｌ２、ｃｍ−１） １９２２（ＣＯ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） ＳｉＭｅ３
０．２５ ｐｐｍＣＨ３（ＥｔＯ） ０．７６
（ｔ、Ｊ＝７Ｈｚ）ＣＨ２（ＥｔＯ） ３．２７
（ｑ、Ｊ＝７Ｈｚ）
【００２６】実施例５ ルテニウ
ムシリル錯体を用いたビニルシラン化合物の製造 １００ｍｇ のＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（
ＳｉＭｅ３）（０．１１ｍｍｏｌ） 、２ｍｌのＣＨ２
＝ＣＨＳｉＭｅ３（１３．３ｍｍｏｌ） 、及び２０ｍ
ｌのトルエンを５０ｍｌ容のオートクレーブ中に仕込み
、そこにプロピレン（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ３）を４．５Ｋ
ｇ／ｃｍ２の圧力で加え３０分間ボンベとつないだまま
攪拌した。その後、オートクレーブをボンベから外して
１４０℃の油浴で１４時間加熱した。反応液を実施例１
と同様に分析した。検量線にはＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ３
の検量線を用いた。その結果、トランス／シス異性体
比が７６／２４であるＣＨ３ＣＨ＝ＣＨＳｉＭｅ３ が
収率７４％で得られた。
ムシリル錯体を用いたビニルシラン化合物の製造 １００ｍｇ のＲｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（
ＳｉＭｅ３）（０．１１ｍｍｏｌ） 、２ｍｌのＣＨ２
＝ＣＨＳｉＭｅ３（１３．３ｍｍｏｌ） 、及び２０ｍ
ｌのトルエンを５０ｍｌ容のオートクレーブ中に仕込み
、そこにプロピレン（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ３）を４．５Ｋ
ｇ／ｃｍ２の圧力で加え３０分間ボンベとつないだまま
攪拌した。その後、オートクレーブをボンベから外して
１４０℃の油浴で１４時間加熱した。反応液を実施例１
と同様に分析した。検量線にはＣＨ２＝ＣＨＳｉＭｅ３
の検量線を用いた。その結果、トランス／シス異性体
比が７６／２４であるＣＨ３ＣＨ＝ＣＨＳｉＭｅ３ が
収率７４％で得られた。
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式 ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ
３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１は低級ア
ルキル基又は低級アルコキシ基を示し、Ｒ２及びＲ３は
独立に低級アルキル基を示す）と、一般式 ＣＨ２＝Ｃ
ＨＲ４で示される一置換オレフィン化合物（式中、Ｒ４
は低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシ
カルボニル基、アリール基、またはＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７（
式中、Ｒ５は低級アルキル基、低級アルコキシ基を示し
、Ｒ６及びＲ７は独立に低級アルキル基である）を示す
）とを、Ｒｕ（Ｃｌ）（ＣＯ）Ｈ（ＰＰｈ３）３若しく
はＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
） （式中、Ｒ１は低級アルキル基又は低級アルコキシ
基を示し、Ｒ２及びＲ３は独立に低級アルキル基を示す
）又はそれらの混合物の存在下に反応させることを特徴
とする、一般式Ｒ４ＣＨ＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３で示さ
れるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及
びＲ４は前記定義と同じである）の製造方法。 - 【請求項２】 以下の式：ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ
３）２（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１は低級アル
キル基又は低級アルコキシ基を示し、Ｒ２及びＲ３は独
立に低級アルキル基を示す）で示される新規ルテニウム
シリル錯体。 - 【請求項３】 一般式 ＣＨ２＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ
３で示されるビニルシラン化合物（式中、Ｒ１は低級ア
ルキル基又は低級アルコキシ基を示し、Ｒ２及びＲ３は
独立に低級アルキル基を示す）と、Ｒｕ（Ｃｌ）（ＣＯ
）Ｈ（ＰＰｈ３）３を反応させることを特徴とする、Ｒ
ｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）
（式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は前記の通りである）の
製造方法。 - 【請求項４】 式ＲｕＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２（
ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３） （式中、Ｒ１は低級アルキル基又
は低級アルコキシ基を示し、Ｒ２及びＲ３は独立に低級
アルキル基を示す）で示されるルテニウムシリル錯体と
一般式 ＣＨ２＝ＣＨＲ４で示される一置換オレフィン
化合物（式中、Ｒ４は低級アルキル基、低級アルコキシ
基、低級アルコキシカルボニル基、アリール基、または
ＳｉＲ５Ｒ６Ｒ７（式中、Ｒ５は低級アルキル基、低級
アルコキシ基を示し、Ｒ６及びＲ７は独立に低級アルキ
ル基である）を示す）を反応させることを特徴とする、
Ｒ４ＣＨ＝ＣＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（式中、Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３、及びＲ４は前記の通りである）の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載のルテニウムシリル錯体
を含むシリル化剤。 - 【請求項６】 一置換オレフィンをシリル化するため
の請求項５記載のシリル化剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046837A JPH04283589A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | ビニルシラン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046837A JPH04283589A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | ビニルシラン類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283589A true JPH04283589A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=12758453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3046837A Pending JPH04283589A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | ビニルシラン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04283589A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014097573A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 新規エチニル基含有オルガノポリシロキサン化合物、分子鎖両末端エチニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の製造方法、アルコキシシリル－エチレン基末端オルガノシロキサンポリマーの製造方法、室温硬化性組成物及びその硬化物である成形物 |
| WO2014097574A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 新規アルコキシシリル－エチレン基末端ケイ素含有化合物、室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及び該組成物を硬化して得られる成形物 |
| WO2015093139A1 (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 信越化学工業株式会社 | 多成分系室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、該組成物の硬化物及び該硬化物からなる成型物 |
| WO2016157948A1 (ja) * | 2015-04-03 | 2016-10-06 | 信越化学工業株式会社 | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び該組成物の硬化物である成形物 |
| JP2017124976A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 信越化学工業株式会社 | １，２−ビスシリルエチレン化合物の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP3046837A patent/JPH04283589A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9475969B2 (en) | 2012-12-20 | 2016-10-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Organopolysiloxane compound having ethynyl groups, method for preparing linear organopolysiloxane compound having ethynyl groups at both terminals of molecular chain, method for preparing organopolysiloxane polymer having alkoxysilyl-ethylene group at terminal, room temperature curable composition and molded product which is cured product thereof |
| JPWO2014097573A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2017-01-12 | 信越化学工業株式会社 | アルコキシシリル−エチレン基末端オルガノシロキサンポリマーの製造方法、室温硬化性組成物及びその硬化物である成形物 |
| JP5997778B2 (ja) * | 2012-12-20 | 2016-09-28 | 信越化学工業株式会社 | 新規アルコキシシリル−エチレン基末端ケイ素含有化合物、室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及び該組成物を硬化して得られる成形物 |
| KR20150096677A (ko) * | 2012-12-20 | 2015-08-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규 에티닐기함유 오가노폴리실록산 화합물, 분자쇄 양말단 에티닐기함유 직쇄상 오가노폴리실록산 화합물의 제조방법, 알콕시실릴-에틸렌기말단오가노실록산폴리머의 제조방법, 실온경화성 조성물 및 그 경화물인 성형물 |
| CN104870524A (zh) * | 2012-12-20 | 2015-08-26 | 信越化学工业株式会社 | 新颖含乙炔基的有机聚硅氧烷化合物、分子链两末端含乙炔基的直链状有机聚硅氧烷化合物的制造方法、烷氧基硅烷基-亚乙基末端有机硅氧烷聚合物的制造方法、室温固化性组合物及作为其固化物的成型物 |
| CN104884461A (zh) * | 2012-12-20 | 2015-09-02 | 信越化学工业株式会社 | 新颖烷氧基硅烷基-亚乙基末端含硅化合物、室温固化性有机聚硅氧烷组合物及由该组合物固化而获得的成型物 |
| JP5960843B2 (ja) * | 2012-12-20 | 2016-08-02 | 信越化学工業株式会社 | アルコキシシリル−エチレン基末端オルガノシロキサンポリマーの製造方法、室温硬化性組成物及びその硬化物である成形物 |
| WO2014097573A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 新規エチニル基含有オルガノポリシロキサン化合物、分子鎖両末端エチニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン化合物の製造方法、アルコキシシリル－エチレン基末端オルガノシロキサンポリマーの製造方法、室温硬化性組成物及びその硬化物である成形物 |
| US9644124B2 (en) | 2012-12-20 | 2017-05-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing compound having alkoxysilyl-ethylene group at its terminal, room temperature-curable organopolysiloxane composition, and molded product obtained by curing the composition |
| WO2014097574A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 新規アルコキシシリル－エチレン基末端ケイ素含有化合物、室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及び該組成物を硬化して得られる成形物 |
| JPWO2014097574A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2017-01-12 | 信越化学工業株式会社 | 新規アルコキシシリル−エチレン基末端ケイ素含有化合物、室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及び該組成物を硬化して得られる成形物 |
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| CN105829449B (zh) * | 2013-12-17 | 2019-07-05 | 信越化学工业株式会社 | 多成分系室温固化性有机聚硅氧烷组合物和该组合物的固化物以及包括该固化物的成型物 |
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