JPH04280094A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
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- JPH04280094A JPH04280094A JP3041809A JP4180991A JPH04280094A JP H04280094 A JPH04280094 A JP H04280094A JP 3041809 A JP3041809 A JP 3041809A JP 4180991 A JP4180991 A JP 4180991A JP H04280094 A JPH04280094 A JP H04280094A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 22
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018565 CuAl Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜カラー表示装置等
に適用して好適な薄膜発光素子に係わる。
に適用して好適な薄膜発光素子に係わる。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜発光素子としてエレクトロル
ミネッセンス(EL)素子の開発が進んでいる。このE
L素子は蛍光体薄膜の両面に電極を設け、これら電極間
に電圧を印加して蛍光体の発光を得るものである。
ミネッセンス(EL)素子の開発が進んでいる。このE
L素子は蛍光体薄膜の両面に電極を設け、これら電極間
に電圧を印加して蛍光体の発光を得るものである。
【0003】このいわゆる電場発光の原理は、電極間に
印加された電圧により蛍光体薄膜にその厚さ方向に強い
電場例えば106 V/cm2程度の電場を発生させ、
この電場により蛍光体の表面準位や不純物準位の電子が
導電帯へのトンネル効果で放出され、さらに電場による
加速を受けてホットエレクトロンを発生させ、このホッ
トエレクトロンが蛍光体の発光中心に衝突することによ
ってその発生中心がエネルギーを受け取って励起状態と
なり、これが基底状態に戻るとき光子を放出すると考え
られている。
印加された電圧により蛍光体薄膜にその厚さ方向に強い
電場例えば106 V/cm2程度の電場を発生させ、
この電場により蛍光体の表面準位や不純物準位の電子が
導電帯へのトンネル効果で放出され、さらに電場による
加速を受けてホットエレクトロンを発生させ、このホッ
トエレクトロンが蛍光体の発光中心に衝突することによ
ってその発生中心がエネルギーを受け取って励起状態と
なり、これが基底状態に戻るとき光子を放出すると考え
られている。
【0004】このような電場発光において、蛍光体の母
体結晶としてZnSを採用した場合、その発光中心とし
てMnや希土類の局在型の発光中心では、効率よい発光
が得られている。
体結晶としてZnSを採用した場合、その発光中心とし
てMnや希土類の局在型の発光中心では、効率よい発光
が得られている。
【0005】ところが、Cu・Al、Ag・Alのよう
な電子線励起で高い発光効率を示すドナー・アクセプタ
対型の発光中心では明るい発光が得られていない。
な電子線励起で高い発光効率を示すドナー・アクセプタ
対型の発光中心では明るい発光が得られていない。
【0006】したがって、従来この種の電場発光型薄膜
発光素子において各種の色の発光、特に青色発光素子が
得難く、このため薄膜カラー映像表示に適用する隘路と
なっている。
発光素子において各種の色の発光、特に青色発光素子が
得難く、このため薄膜カラー映像表示に適用する隘路と
なっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明においては発光
中心がドナー・アクセプタ対型の蛍光体に対しても電場
型駆動態様を採って高い発光効率を得ることができるよ
うにした薄膜発光素子を提供する。
中心がドナー・アクセプタ対型の蛍光体に対しても電場
型駆動態様を採って高い発光効率を得ることができるよ
うにした薄膜発光素子を提供する。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、図1にその一
例の略線的断面図を示すように、透明電極よりなる第1
の電極1と蛍光体層2とホットエレクトロンを透過する
薄膜の第2の電極3とを順次積層し、第2の電極3上に
、この第2の電極3を透過し蛍光体層2の蛍光体を発光
励起するエネルギーのホットエレクトロンを得るトンネ
ル接合を介して第3の電極4が設けられてなるホットエ
レクトロンの生成手段5を設ける。
例の略線的断面図を示すように、透明電極よりなる第1
の電極1と蛍光体層2とホットエレクトロンを透過する
薄膜の第2の電極3とを順次積層し、第2の電極3上に
、この第2の電極3を透過し蛍光体層2の蛍光体を発光
励起するエネルギーのホットエレクトロンを得るトンネ
ル接合を介して第3の電極4が設けられてなるホットエ
レクトロンの生成手段5を設ける。
【0009】
【作用】上述の構成において、第3の電極4及び第2の
電極3間に第3の電極4側を正極とする直流電圧V1
を接続し、第2の電極3及び第1の電極1間に第2の電
極3側を正極とする直流電圧V2 を印加する。
電極3間に第3の電極4側を正極とする直流電圧V1
を接続し、第2の電極3及び第1の電極1間に第2の電
極3側を正極とする直流電圧V2 を印加する。
【0010】このようにして、ホットエレクトロン生成
手段5のトンネル接合から第2の電極3を透過して蛍光
体層2にホットエレクトロンを供給する。
手段5のトンネル接合から第2の電極3を透過して蛍光
体層2にホットエレクトロンを供給する。
【0011】この場合、電圧V1 及びV2 を選定す
ることによって蛍光体層2がドナー・アクセプタ対型発
光の蛍光体の場合でも、これにおける電子、ホール対生
成のしきい値より高いエネルギーのホットエレクトロン
を蛍光体層2に導入すれば、これによってドナー・アク
セプタ対の発光を行わしめることができる。
ることによって蛍光体層2がドナー・アクセプタ対型発
光の蛍光体の場合でも、これにおける電子、ホール対生
成のしきい値より高いエネルギーのホットエレクトロン
を蛍光体層2に導入すれば、これによってドナー・アク
セプタ対の発光を行わしめることができる。
【実施例】図1を参照して本発明による薄膜発光素子の
一実施例を詳細に説明する。この例においては、ガラス
基板等の透明基板6上にITO(インジウム・錫複合酸
化物)等により透明導電層等を蒸着して第1の電極1を
形成する。
一実施例を詳細に説明する。この例においては、ガラス
基板等の透明基板6上にITO(インジウム・錫複合酸
化物)等により透明導電層等を蒸着して第1の電極1を
形成する。
【0012】さらに、この電極1上に蒸着、MBE(分
子線エピタキシー)等によって蛍光体層2を塗布しさら
にこれの上に蒸着等によるAl、Au等によって第2の
電極3を数100Å以下でかつ電極としての機能を有す
る数10Å以上の厚さに被着形成する。
子線エピタキシー)等によって蛍光体層2を塗布しさら
にこれの上に蒸着等によるAl、Au等によって第2の
電極3を数100Å以下でかつ電極としての機能を有す
る数10Å以上の厚さに被着形成する。
【0013】さらに、これの上に例えば蒸着等によって
あるいは第2の電極3がAl等よりなる場合、その表面
を酸化して生成した厚さ数10Å程度のAl2 O3
よりなるトンネル接合を形成する薄膜絶縁層7を形成し
、さらにこれの上にAl、Au等よりなる第3の電極4
を蒸着、スパッタ等によって形成する。
あるいは第2の電極3がAl等よりなる場合、その表面
を酸化して生成した厚さ数10Å程度のAl2 O3
よりなるトンネル接合を形成する薄膜絶縁層7を形成し
、さらにこれの上にAl、Au等よりなる第3の電極4
を蒸着、スパッタ等によって形成する。
【0014】蛍光体層2としては、例えばZnSを母体
結晶とした、また発光中心がMnや希土類の局在型発光
中心である蛍光体を用いることもできるが、特に本発明
においてはCu・AlやAg・Alのようなドナー・ア
クセプタ対型の発光中心による蛍光体層すなわちZnS
:CuAl、ZnS:AgAl等の従来の電子線励起に
よってその発光を行う蛍光体として用いられた各種の蛍
光体すなわち各色の蛍光体を用いることができる。
結晶とした、また発光中心がMnや希土類の局在型発光
中心である蛍光体を用いることもできるが、特に本発明
においてはCu・AlやAg・Alのようなドナー・ア
クセプタ対型の発光中心による蛍光体層すなわちZnS
:CuAl、ZnS:AgAl等の従来の電子線励起に
よってその発光を行う蛍光体として用いられた各種の蛍
光体すなわち各色の蛍光体を用いることができる。
【0015】第1の電極1、第2の電極3は、それぞれ
これの上に形成される各層を限定的に形成するか、エッ
チングによって除去することによってそれぞれその一部
を表面に露呈し、端子導出を行って第3の電極4及び第
2の電極3間に数10Vの電圧V1 を、また第2の電
極3及び第1の電極1間に数Vの電圧V2 を印加する
。
これの上に形成される各層を限定的に形成するか、エッ
チングによって除去することによってそれぞれその一部
を表面に露呈し、端子導出を行って第3の電極4及び第
2の電極3間に数10Vの電圧V1 を、また第2の電
極3及び第1の電極1間に数Vの電圧V2 を印加する
。
【0016】このようにすると、薄膜絶縁層7を介して
第3の電極4と第2の電極3間にホットエレクトロン生
成手段5が構成される。
第3の電極4と第2の電極3間にホットエレクトロン生
成手段5が構成される。
【0017】このような構成によれば、第3の電極4及
び第2の電極3への電圧印加によって薄膜絶縁層7にお
けるトンネル効果により電流が流れこの電位差V1 に
対応したエネルギーのeV1 をもったホットエレクト
ロンが第2の電極3内に発生する。このホットエレクト
ロンは第2の電極3の厚さが充分薄くされていることに
よってエネルギーeV1 を保ったままで第2の電極3
と蛍光体層2の界面に到達する。
び第2の電極3への電圧印加によって薄膜絶縁層7にお
けるトンネル効果により電流が流れこの電位差V1 に
対応したエネルギーのeV1 をもったホットエレクト
ロンが第2の電極3内に発生する。このホットエレクト
ロンは第2の電極3の厚さが充分薄くされていることに
よってエネルギーeV1 を保ったままで第2の電極3
と蛍光体層2の界面に到達する。
【0018】ここでさらにこのホットエレクトロンは、
第2の電極3と第1の電極1との間のバイアス電圧V2
により電場によって蛍光体層2に注入される。このと
き電圧V1 及びV2 のホットエレクトロンに与える
エネルギー及び蛍光体層2に与える電場の大きさの選定
の調整によって蛍光体層2がドナー・アクセプタ対型蛍
光体である場合においてそのホットエレクトロンのエネ
ルギーが電子・ホール対生成のしきい値を超えるように
設定しておくことによってこのドナー・アクセプタ対型
の蛍光体においてもその発光を効率よく行うことができ
、透明基板6側からその発光Lを観察することができる
。
第2の電極3と第1の電極1との間のバイアス電圧V2
により電場によって蛍光体層2に注入される。このと
き電圧V1 及びV2 のホットエレクトロンに与える
エネルギー及び蛍光体層2に与える電場の大きさの選定
の調整によって蛍光体層2がドナー・アクセプタ対型蛍
光体である場合においてそのホットエレクトロンのエネ
ルギーが電子・ホール対生成のしきい値を超えるように
設定しておくことによってこのドナー・アクセプタ対型
の蛍光体においてもその発光を効率よく行うことができ
、透明基板6側からその発光Lを観察することができる
。
【発明の効果】上述したように本発明によれば、ドナー
・アクセプタ対型の蛍光体すなわち通常の陰極線管の蛍
光面におけるように電子線照射によって用いられている
各種蛍光体を薄膜発光素子として構成することができる
ので、各種のカラー表示、例えば赤R、緑G及び青Bの
画素として用いて薄膜表示装置を構成することができ、
また充分高い発光効率を得ることができるので明るい発
光表示装置を得ることができる。
・アクセプタ対型の蛍光体すなわち通常の陰極線管の蛍
光面におけるように電子線照射によって用いられている
各種蛍光体を薄膜発光素子として構成することができる
ので、各種のカラー表示、例えば赤R、緑G及び青Bの
画素として用いて薄膜表示装置を構成することができ、
また充分高い発光効率を得ることができるので明るい発
光表示装置を得ることができる。
【0019】また、その構造は基板上に各電極及び蛍光
体層を順次積層した構造を採るので通常一般の薄膜技術
を適用できることから量産性に優れた、またパターンの
微細化に優れた薄膜発光素子及びこれによる薄膜型発光
表示装置を構成することができる。
体層を順次積層した構造を採るので通常一般の薄膜技術
を適用できることから量産性に優れた、またパターンの
微細化に優れた薄膜発光素子及びこれによる薄膜型発光
表示装置を構成することができる。
【図1】本発明による薄膜発光素子の一例の略線的拡大
断面図である。
断面図である。
1 第1の電極
2 蛍光体層
3 第2の電極
4 第3の電極
5 ホットエレクトロン生成手段
Claims (1)
- 【請求項1】 透明電極よりなる第1の電極と、蛍光
体層と、ホットエレクトロンを透過する薄膜の第2の電
極とが順次積層され、上記第2の電極上に該第2の電極
を透過し、上記蛍光体を発光励起するエネルギーのホッ
トエレクトロンを得るトンネル接合を介して第3の電極
を有するホットエレクトロンの生成手段が設けられてな
ることを特徴とする薄膜発光素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3041809A JPH04280094A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 薄膜発光素子 |
KR1019920003513A KR920018993A (ko) | 1991-03-07 | 1992-03-04 | 박막발광소자 |
US07/848,124 US5291098A (en) | 1991-03-07 | 1992-03-09 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3041809A JPH04280094A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 薄膜発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04280094A true JPH04280094A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12618646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3041809A Pending JPH04280094A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 薄膜発光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5291098A (ja) |
JP (1) | JPH04280094A (ja) |
KR (1) | KR920018993A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281438A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Canon Inc | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
Families Citing this family (12)
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---|---|---|---|---|
JPH08293269A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 陰極線管 |
KR100231297B1 (ko) * | 1996-07-26 | 1999-11-15 | 김승용 | 장식용 발광체 및 그 제조방법 |
US5834893A (en) * | 1996-12-23 | 1998-11-10 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency organic light emitting devices with light directing structures |
US6046543A (en) * | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same |
US5757139A (en) * | 1997-02-03 | 1998-05-26 | The Trustees Of Princeton University | Driving circuit for stacked organic light emitting devices |
US5917280A (en) * | 1997-02-03 | 1999-06-29 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic light emitting devices |
US6686691B1 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Tri-color, white light LED lamps |
TW564471B (en) | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
WO2011066214A1 (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | Carrier Corporation | Low suction pressure protection for refrigerant vapor compression system |
WO2014129519A1 (en) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
CN105793957B (zh) | 2013-12-12 | 2019-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 剥离方法及剥离装置 |
WO2016132460A1 (ja) * | 2015-02-17 | 2016-08-25 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3548214A (en) * | 1968-08-07 | 1970-12-15 | Robert L Brown Sr | Cascaded solid-state image amplifier panels |
US3844692A (en) * | 1973-05-16 | 1974-10-29 | Olin Corp | Protective shields for rotary internal combustion engine rotor tip seals |
JPS61284091A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜el表示素子 |
JPH0524154Y2 (ja) * | 1987-11-30 | 1993-06-18 |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3041809A patent/JPH04280094A/ja active Pending
-
1992
- 1992-03-04 KR KR1019920003513A patent/KR920018993A/ko not_active Application Discontinuation
- 1992-03-09 US US07/848,124 patent/US5291098A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281438A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Canon Inc | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5291098A (en) | 1994-03-01 |
KR920018993A (ko) | 1992-10-22 |
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