JPH04278518A - 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法と半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04278518A JPH04278518A JP4039191A JP4039191A JPH04278518A JP H04278518 A JPH04278518 A JP H04278518A JP 4039191 A JP4039191 A JP 4039191A JP 4039191 A JP4039191 A JP 4039191A JP H04278518 A JPH04278518 A JP H04278518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- semiconductor
- cleaning
- back surface
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，ウエハー等の半導体基
板裏面のクリーニングを行うための半導体製造装置に関
する。
板裏面のクリーニングを行うための半導体製造装置に関
する。
【０００２】近年の半導体技術の高集積化， 超微細化
に伴い， フォトリソグラフィ技術の精度向上が要求さ
れている。このため， 露光装置においても高解像力の
レンズが提供されているが， それに伴いレンズの焦点
深度が浅くなり， 焦点ずれの一因となる半導体基板に
付着した微細なゴミの除去対策が必要となる。
に伴い， フォトリソグラフィ技術の精度向上が要求さ
れている。このため， 露光装置においても高解像力の
レンズが提供されているが， それに伴いレンズの焦点
深度が浅くなり， 焦点ずれの一因となる半導体基板に
付着した微細なゴミの除去対策が必要となる。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て，１５は半導体基板， １６はチャック，１７は吸引
孔， １８は外枠， １９は支持突起， ２０はレンズ
， ２１は照射光， ２２はゴミである。
て，１５は半導体基板， １６はチャック，１７は吸引
孔， １８は外枠， １９は支持突起， ２０はレンズ
， ２１は照射光， ２２はゴミである。
【０００４】従来のフォトリソグラフィの装置において
は，特に半導体基板と製造装置の基板を保持する機構の
接触部のクリーニングを徹底することによりゴミの除去
対策を行っていた。
は，特に半導体基板と製造装置の基板を保持する機構の
接触部のクリーニングを徹底することによりゴミの除去
対策を行っていた。
【０００５】ところが，半導体基板自体が汚れていると
きに，製造装置のクリーニングのみをしっかり行っても
，ゴミを完全に除去したことにはならない。また，その
とき，半導体基板を少量処理しただけで，図３（ａ）に
示すように，フォトリソグラフィ工程における半導体製
造装置，特にレジスト膜を塗布するスピナーにおいて，
半導体基板１５を真空吸着により保持するスピナーのチ
ャック１６が汚れてしまい，清浄な半導体基板１５の裏
面中央部を汚してしまい微細なゴミがしばしば付着する
。
きに，製造装置のクリーニングのみをしっかり行っても
，ゴミを完全に除去したことにはならない。また，その
とき，半導体基板を少量処理しただけで，図３（ａ）に
示すように，フォトリソグラフィ工程における半導体製
造装置，特にレジスト膜を塗布するスピナーにおいて，
半導体基板１５を真空吸着により保持するスピナーのチ
ャック１６が汚れてしまい，清浄な半導体基板１５の裏
面中央部を汚してしまい微細なゴミがしばしば付着する
。
【０００６】これは， 図３（ｂ）にチャック１６の上
面で示すように，チャック１６の外枠１８で囲まれた空
間を吸着孔１７を通して真空にし， 半導体基板１５を
チャック１６に保持する構造であるが， 真空度により
半導体基板１５が撓んだり， 破損するのを防ぐために
， チャック１６の内面に支持突起１９を沢山設けて，
半導体基板１５の撓みを防いでいる。この支持突起１
９の表面や周囲に微細なゴミが溜まりやすく， 半導体
基板１５を処理するごとに，半導体基板１５の裏面中央
部に付着する。
面で示すように，チャック１６の外枠１８で囲まれた空
間を吸着孔１７を通して真空にし， 半導体基板１５を
チャック１６に保持する構造であるが， 真空度により
半導体基板１５が撓んだり， 破損するのを防ぐために
， チャック１６の内面に支持突起１９を沢山設けて，
半導体基板１５の撓みを防いでいる。この支持突起１
９の表面や周囲に微細なゴミが溜まりやすく， 半導体
基板１５を処理するごとに，半導体基板１５の裏面中央
部に付着する。
【０００７】このため， 図３（ｃ）に示すように，後
の露光工程で， 半導体基板１５上のレジスト膜をレン
ズ２０を通した照射光２１により露光する場合に， 最
近の高解像度のレンズ２０では焦点深度が浅いため，
半導体基板１５の裏面に微細なサブミクロン径のゴミ２
２が挟まった場合でも， 照射パターンが焦点ずれによ
りぼけて， 寸法に誤差が生じてしまう。
の露光工程で， 半導体基板１５上のレジスト膜をレン
ズ２０を通した照射光２１により露光する場合に， 最
近の高解像度のレンズ２０では焦点深度が浅いため，
半導体基板１５の裏面に微細なサブミクロン径のゴミ２
２が挟まった場合でも， 照射パターンが焦点ずれによ
りぼけて， 寸法に誤差が生じてしまう。
【０００８】このゴミ２２の付着を防止するために，半
導体基板１５を少量処理しただけで，一々， スピナー
等の半導体製造装置をクリーニングするのは工程の手間
がかかり過ぎることとなる。
導体基板１５を少量処理しただけで，一々， スピナー
等の半導体製造装置をクリーニングするのは工程の手間
がかかり過ぎることとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って， 上記のよう
に，半導体製造装置のクリーニングを徹底して行っても
，半導体基板のゴミを完全に除去することができず，半
導体基板の裏面に付着した微細なゴミにより，露光時の
焦点ずれを起こし易いといった問題を生じていた。
に，半導体製造装置のクリーニングを徹底して行っても
，半導体基板のゴミを完全に除去することができず，半
導体基板の裏面に付着した微細なゴミにより，露光時の
焦点ずれを起こし易いといった問題を生じていた。
【００１０】本発明では，このような問題に鑑みてなさ
れたものであって，露光前の半導体基板の裏面をクリー
ニングすることにより，半導体基板の裏面のゴミを除去
し，露光時のレンズの焦点ずれを防ぐことを目的とした
ものである。
れたものであって，露光前の半導体基板の裏面をクリー
ニングすることにより，半導体基板の裏面のゴミを除去
し，露光時のレンズの焦点ずれを防ぐことを目的とした
ものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１は半導体基板，２は裏面中央
部，３はチャック，４はレジスト膜，５は洗浄液，６は
ブラシスクラバ，７はカップ，８はレンズ，９は照射光
である。
図である。図において，１は半導体基板，２は裏面中央
部，３はチャック，４はレジスト膜，５は洗浄液，６は
ブラシスクラバ，７はカップ，８はレンズ，９は照射光
である。
【００１２】上記の問題点は半導体基板裏面の，スピナ
ーのチャックが接触する中央部を，洗浄液を用いたブラ
シスクラバでクリーニングすることにより解決される。 即ち，本発明の目的は，図１（ａ）に示すように，半導
体基板１の裏面中央部２をスピナーのチャック３に真空
吸着して保持し， 該半導体基板１の表面にレジスト膜
４を塗布する工程と，ついで， 図１（ｂ）に示すよう
に，該半導体基板１の該裏面中央部２を洗浄液５を用い
たブラシスクラバ６でクリーニングする工程と，しかる
後，図１（ｃ）に示すように，該半導体基板１表面のレ
ジスト膜４を露光する工程とを含むことにより，また，
前記半導体基板１の前記裏面中央部２を前記ブラシスク
ラバ６でクリーニング後， 前記レジスト膜４をポスト
ベーキング処理すると同時に， 前記半導体基板１裏面
の前記洗浄液５を除去する工程を含むことにより，そし
て，図１（ｂ）に示すように，半導体基板１の裏面中央
部２をクリーニングする洗浄液５を用いたブラシスクラ
バ６を備えたことを特徴とする半導体製造装置を用いる
ことにより，更に，図１（ｂ）に示すように，前記ブラ
シスクラバ６からの洗浄液５の飛散を防止するためのカ
ップ７を， 前記ブラシスクラバ６の周囲に設けたこと
により達成される。
ーのチャックが接触する中央部を，洗浄液を用いたブラ
シスクラバでクリーニングすることにより解決される。 即ち，本発明の目的は，図１（ａ）に示すように，半導
体基板１の裏面中央部２をスピナーのチャック３に真空
吸着して保持し， 該半導体基板１の表面にレジスト膜
４を塗布する工程と，ついで， 図１（ｂ）に示すよう
に，該半導体基板１の該裏面中央部２を洗浄液５を用い
たブラシスクラバ６でクリーニングする工程と，しかる
後，図１（ｃ）に示すように，該半導体基板１表面のレ
ジスト膜４を露光する工程とを含むことにより，また，
前記半導体基板１の前記裏面中央部２を前記ブラシスク
ラバ６でクリーニング後， 前記レジスト膜４をポスト
ベーキング処理すると同時に， 前記半導体基板１裏面
の前記洗浄液５を除去する工程を含むことにより，そし
て，図１（ｂ）に示すように，半導体基板１の裏面中央
部２をクリーニングする洗浄液５を用いたブラシスクラ
バ６を備えたことを特徴とする半導体製造装置を用いる
ことにより，更に，図１（ｂ）に示すように，前記ブラ
シスクラバ６からの洗浄液５の飛散を防止するためのカ
ップ７を， 前記ブラシスクラバ６の周囲に設けたこと
により達成される。
【００１３】
【作用】本発明では，スピナーのチャックに保持したた
めに半導体基板の裏面中央部に付いたごみを，洗浄液を
用いたブラシスクラバで擦って，洗い流すため，そこに
付着していたゴミがなくなり，露光時に半導体基板のレ
ンズに対する焦点ずれが防止される。
めに半導体基板の裏面中央部に付いたごみを，洗浄液を
用いたブラシスクラバで擦って，洗い流すため，そこに
付着していたゴミがなくなり，露光時に半導体基板のレ
ンズに対する焦点ずれが防止される。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の原理説明図兼一実施例の工程
順模式断面図，図２は本発明の一実施例のブラシスクラ
バの説明図である。
順模式断面図，図２は本発明の一実施例のブラシスクラ
バの説明図である。
【００１５】図において，１は半導体基板，２は裏面中
央部，３はチャック，４はレジスト膜，５は洗浄液，６
はブラシスクラバ，７はカップ，８はレンズ，９は照射
光，１０は搬送キャリア， １１は基板ホルダ， １２
はドラム， １３は洗浄液注入管， １４はスクラバ領
域である。
央部，３はチャック，４はレジスト膜，５は洗浄液，６
はブラシスクラバ，７はカップ，８はレンズ，９は照射
光，１０は搬送キャリア， １１は基板ホルダ， １２
はドラム， １３は洗浄液注入管， １４はスクラバ領
域である。
【００１６】本発明の一実施例について， 図１並びに
図２により説明する。図１（ａ）に示すように，表面に
ＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラザン）等の表面密着処
理剤を蒸気塗布した半導体基板１の裏面中央部２をスピ
ナーのチャック３に真空吸着して保持し， スピナーを
５，０００ｒｐｍで回転しながら， 半導体基板１の表
面にポジ型のレジスト膜４を １．２μｍの厚さに塗布
する。
図２により説明する。図１（ａ）に示すように，表面に
ＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラザン）等の表面密着処
理剤を蒸気塗布した半導体基板１の裏面中央部２をスピ
ナーのチャック３に真空吸着して保持し， スピナーを
５，０００ｒｐｍで回転しながら， 半導体基板１の表
面にポジ型のレジスト膜４を １．２μｍの厚さに塗布
する。
【００１７】ついで， 図１（ｂ）に示すように，半導
体基板１の裏面中央部２のチャック３と接触した部分を
洗浄液５を用いたブラシスクラバ６でクリーニングする
。 即ち，図２（ａ）に示すように，レジスト膜５を塗布し
た半導体基板１は３本の搬送キャリア１０で，ブラシス
クラバ装置内に水平に搬送される。
体基板１の裏面中央部２のチャック３と接触した部分を
洗浄液５を用いたブラシスクラバ６でクリーニングする
。 即ち，図２（ａ）に示すように，レジスト膜５を塗布し
た半導体基板１は３本の搬送キャリア１０で，ブラシス
クラバ装置内に水平に搬送される。
【００１８】次に，図２（ｂ）に示すように，両側サイ
ドから基板ホルダ１１が可動して， 半導体基板１を両
側から固定する。それと同時に搬送キャリア１０は下に
移動する。続いて，図２（ｃ）に示すように，円筒型の
ドラム１２の表面にナイロン製ブラシを多数埋め込んだ
ブラシスクラバ６が半導体基板１の裏面に接触するまで
上昇し，それとともに，洗浄液５が装置の周囲に飛散し
て，半導体基板１の表面を汚染しないように，ブラシス
クラバ６の周囲を囲むようにカップ７が上昇してセット
される。
ドから基板ホルダ１１が可動して， 半導体基板１を両
側から固定する。それと同時に搬送キャリア１０は下に
移動する。続いて，図２（ｃ）に示すように，円筒型の
ドラム１２の表面にナイロン製ブラシを多数埋め込んだ
ブラシスクラバ６が半導体基板１の裏面に接触するまで
上昇し，それとともに，洗浄液５が装置の周囲に飛散し
て，半導体基板１の表面を汚染しないように，ブラシス
クラバ６の周囲を囲むようにカップ７が上昇してセット
される。
【００１９】カップ７の側面には洗浄液注入管１３が嵌
め込まれている。実施例では洗浄液５に水を使用し，水
を洗浄液注入管より半導体基板１の裏面中央部に噴射さ
せ，同時にドラム１２を ５００ｒｐｍ で回転させる
とともに， 前後に移動して， 図２（ｄ）に平面図で
示すように，半導体基板１の裏面中央部２のスクラバ領
域１４をカバーしてブラシスクライブ洗浄を行い， 微
細なゴミを擦りとり，洗い流してしまう。
め込まれている。実施例では洗浄液５に水を使用し，水
を洗浄液注入管より半導体基板１の裏面中央部に噴射さ
せ，同時にドラム１２を ５００ｒｐｍ で回転させる
とともに， 前後に移動して， 図２（ｄ）に平面図で
示すように，半導体基板１の裏面中央部２のスクラバ領
域１４をカバーしてブラシスクライブ洗浄を行い， 微
細なゴミを擦りとり，洗い流してしまう。
【００２０】この後，ポストベーキングを兼ねて，ホッ
トプレート，或いは赤外線ランプを用いて，窒素（Ｎ２
）雰囲気中， １１０ ℃で９０秒のベーキングを行い
， 同時に洗浄液の水を完全に除去する。
トプレート，或いは赤外線ランプを用いて，窒素（Ｎ２
）雰囲気中， １１０ ℃で９０秒のベーキングを行い
， 同時に洗浄液の水を完全に除去する。
【００２１】しかる後，図１（ｃ）に示すように，半導
体基板１表面のレジスト膜４を照射光９により露光する
が，半導体基板１の裏面には微細なゴミも存在せず，従
って焦点ずれによる投影パターンのぼけが生じないので
，露光後の現像によりシャープな露光パターンが得られ
た。
体基板１表面のレジスト膜４を照射光９により露光する
が，半導体基板１の裏面には微細なゴミも存在せず，従
って焦点ずれによる投影パターンのぼけが生じないので
，露光後の現像によりシャープな露光パターンが得られ
た。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように， 本発明によれば
， 半導体基板裏面のゴミが除去できるという効果を奏
し，ゴミによる露光時の焦点ずれを防ぐことができ，係
る半導体製造装置の性能向上に寄与するところが大きい
。
， 半導体基板裏面のゴミが除去できるという効果を奏
し，ゴミによる露光時の焦点ずれを防ぐことができ，係
る半導体製造装置の性能向上に寄与するところが大きい
。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例のブラシスクラバの説明
図
図
【図３】 従来例の説明図
１ 半導体基板
２ 裏面中央部
３ チャック
４ レジスト膜
５ 洗浄液
６ ブラシスクラバ
７ カップ
８ レンズ
９ 照射光
１０ 搬送キャリア
１１ 基板ホルダ
１２ ドラム
１３ 洗浄液注入管
１４ スクラバ領域
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板（１） の裏面中心部（２
） をスピナーのチャック（３）に真空吸着して保持し
， 該半導体基板（１） の表面にレジスト膜（４）
を塗布する工程と，ついで， 該半導体基板（１） の
該裏面中心部（２） を洗浄液（５） を用いたブラシ
スクラバ（６） でクリーニングする工程と，しかる後
，該半導体基板（１） 表面のレジスト膜（４） を露
光する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 前記請求項１記載の半導体装置の製造
方法において，前記半導体基板（１） の前記裏面中心
部（２） を前記ブラシスクラバ（６）でクリーニング
後， 前記レジスト膜（４） をポストベーキング処理
すると同時に， 前記半導体基板（１） 裏面の前記洗
浄液（５）を除去する工程を含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板（１） の裏面中心部（２
） をクリーニングする洗浄液（５） を用いたブラシ
スクラバ（６） を備えたことを特徴とする半導体製造
装置。 - 【請求項４】 前記ブラシスクラバ（６） からの洗
浄液（５） の飛散を防止するカップ（７） を， 前
記ブラシスクラバ（６） の周囲に設けたことを特徴と
する請求項３ 記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039191A JPH04278518A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039191A JPH04278518A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278518A true JPH04278518A (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12579362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4039191A Withdrawn JPH04278518A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04278518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100354547B1 (ko) * | 1993-11-05 | 2002-09-30 | 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤 | 레지스트 처리방법 |
| JP2012191215A (ja) * | 2006-12-20 | 2012-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP4039191A patent/JPH04278518A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100354547B1 (ko) * | 1993-11-05 | 2002-09-30 | 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤 | 레지스트 처리방법 |
| JP2012191215A (ja) * | 2006-12-20 | 2012-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4583515B2 (ja) | チャック洗浄を用いて基板上の粒子を減少させる方法 | |
| KR102119331B1 (ko) | 현상 유닛, 기판 처리 장치, 현상 방법 및 기판 처리 방법 | |
| JP2001053050A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP2006332185A (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
| JPH10189511A (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
| JPH04278518A (ja) | 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 | |
| JPH06104167A (ja) | 露光装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20070074398A (ko) | 오염 물질 제거부를 포함하는 반도체 웨이퍼 | |
| JPH05107744A (ja) | フオトマスクの異物除去方法 | |
| JPH08138997A (ja) | フォトレジストの現像方法 | |
| JPH0669126A (ja) | ウエハ周辺部クリーニング装置 | |
| JPS61188934A (ja) | レジスト除去装置 | |
| JPS6226814A (ja) | 露光装置 | |
| KR100591156B1 (ko) | 스핀 코터 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
| US20220317573A1 (en) | Photoresist removal method and photoresist removal system | |
| JPS63134076A (ja) | 塗布方法及び塗布装置 | |
| TWI290739B (en) | Method of edge bevel rinse | |
| JP2007266378A (ja) | 露光装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH04196212A (ja) | 現像前洗浄装置 | |
| JP2000331919A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH09199462A (ja) | ウエハ洗浄方法及びそのための装置 | |
| JP2003091885A (ja) | フォトレジスト層除去装置 | |
| JPH0778744A (ja) | ウェーハ搬送・移載装置 | |
| KR100641518B1 (ko) | 반도체 패턴 공정에서의 현상 방법 | |
| JPH04155915A (ja) | 被処理基板の現像方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |