JP2000123345A

JP2000123345A - 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2000123345A
Application number: JP10298665A
Authority: JP
Inventors: Kenji Sato; 賢治佐藤; Yuki Yoshida; 祐樹吉田; Tomoaki Okuyama; 智明奥山
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-10-20
Filing date: 1998-10-20
Publication date: 2000-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】２０Ｇｂ／in²を超える超高記録密度が可能
であるとともに、長期間にわたって記録情報を安定に保
持し、低温環境下でも良好なオーバーライト特性を有
し、信頼性の高い情報記録を行うことが可能な磁気記録
媒体を提供すること。【解決手段】非磁性の基板上に磁性記録層を設けてな
る磁気記録媒体において、前記磁性記録層が強磁性の材
料から形成されており、かつ前記磁性記録層に隣接して
反強磁性の材料からなる反強磁性の下地層がさらに設け
られているように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、さらに詳しく述べると、高い保磁力Ｈｃにより高密
度記録を可能とするとともに、２０Ｇｂ／in²を超える
超高記録密度において記録情報の熱的不安定性を抑制す
ることで、長期間にわたって記録情報の消失を防止し、
信頼性の高い情報記録を行うことが可能な、面内記録方
式に基づく磁気記録媒体に関する。本発明はまた、この
ような磁気記録媒体を使用した、情報の記録及び再生を
行うための磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理技術の発達に伴い、コンピュー
タの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置に対し
て高記録密度化の要求が高まっている。また、この高記
録密度化の要求に応えるため、ハードディスクの面記録
密度は、１９９２年以降の磁気抵抗効果型ヘッド、すな
わち、ＭＲヘッド（磁気ディスク装置の再生ヘッド部に
おいて、従来の巻線型のインダクティブ薄膜磁気ヘッド
に代えて、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気
抵抗素子を使用したもの）の実用化に伴い、年率６０％
程度の著しい伸びを示している。また、このＭＲヘッド
の進歩形であるところの、異方性磁気抵抗効果を利用し
たＡＭＲヘッド、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘ
ッド、そしてその実用タイプであるスピンバルブ型ＧＭ
Ｒヘッドなどが実用化されている。また、２００１年に
は１０〜２０Ｇｂ／in²もの超高記録密度の実用化が達
成されるとの見通しもある。

【０００３】従来の技術では、上記のような面記録密度
の増大に対処するため、トラック密度と線記録密度の増
大を図ることが行われている。特に、線記録密度の向上
を図るためには磁気記録媒体の薄膜化が必要であり、す
でに実用化された、１Ｇｂ／in²程度の記録密度を有す
るＭＲヘッド用の媒体を例にとると、その磁性記録層の
膜厚は２５nm程度に薄くなっており、これから求められ
るｔＢｒ値、すなわち、磁性記録層の膜厚ｔと残留磁化
密度Ｂｒの積は、１００Ｇμm 程度である。このこと
は、数年前の、０．１Ｇｂ／in²程度の記録密度を有す
るインダクティブヘッド用の媒体の場合、その磁性記録
層の膜厚が７０nm程度と厚く、ｔＢｒ値も５００Ｇμm
程度と大きいこととは対照的である。したがって、今後
数年のうちに実用化されるであろう２０Ｇｂ／in²記録
を実現するためには、磁性記録層の膜厚を１５nm程度に
薄くし、また、ｔＢｒ値も５０Ｇμm 程度まで低くする
必要があると考えられている（例えば、田上及び奥村、
第５回垂直磁気記録シンポジウム会議資料集、ＰＭＲＳ
９６、１９９６年、５９〜６３頁を参照されたい）。こ
こで、２０Ｇｂ／in²記録を実現するような媒体では磁
性記録層の膜厚が非常に薄くなるので、粒子の磁化が熱
エネルギーによって揺動され、記録情報が不安定にある
ことが危惧される。

【０００４】また、ハードディスク用の磁気記録媒体に
おいて、その磁性記録層は、通常、非磁性の基板、例え
ばガラス基板やアルミニウム基板の上に、非磁性の下地
層（クロムなどの立方晶からなる）を介して、ＣｏＣｒ
系の合金層から構成されている。また、合金層は、一般
的に、直径３０nm以下の微細な柱状粒子からなってお
り、それらの粒子のひとつひとつが磁化の最小単位とな
っている。現在、磁性粒子の微細化と、磁性記録層の薄
膜化によって、磁性粒子の体積はこれまで以上に減少傾
向にある。ここで発生する問題は、磁性粒子を小さくす
ると、磁気的なエネルギーに対して熱エネルギーの割合
が大きくなり、保磁力が低下するという問題である（例
えば、Ａ．Ｅ．Ｂｅｒｋｏｗｉｔｚ及びＥ．Ｋｎｅｌｌ
ｅｒ，“ＭａｇｎｅｔｉｓｍａｎｄＭｅｔａｌｌｕ
ｒｇｙ，Ｖｏｌ．１，１９６９年，Ａｃａｄｅｍｉｃ
Ｐｒｅｓｓ，１３６９頁を参照されたい）。

【０００５】磁気記録媒体において、保磁力は、情報を
安定に保持するために必要である。実際、熱エネルギー
の影響で保磁力が低下した媒体では、記録された磁化状
態が時間の経過とともに消失するという問題が発生して
いる（例えば、Ｐｕ−ＬｉｎｇＬｕ及びＳｔａｎｌｅ
ｙＨ．Ｃｈａｒａｐ，ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉ
ｏｎｓｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｔｒａｎｓ−Ｍａ
ｇ．），Ｖｏｌ．３０（１９９４年），４２３０−４２
３２頁を参照されたい）。おおよそ１０Ｇｂ／in²を超
える記録密度では、上述の熱揺らぎの影響で、面内方式
では磁気記録が著しく難しくなることが予測される。実
際に報告された例を参照すると、Ｙ．Ｈｏｓｏｅらは、
ＩＥＥＥＴｒａｎｓ−Ｍａｇ．，Ｖｏｌ．３３，Ｎ
ｏ．５（１９９７年），３０２８−３０３３頁におい
て、ｔＢｒ値が５０Ｇμm 程度の媒体において、１００
時間程度の観察時間の間に、記録された情報が２％も減
少したことを報告している。

【０００６】上記したような問題に加えて、近年のＭＲ
ヘッド、ＡＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド、スピンバルブ型
ＧＭＲヘッドなど（以下、総称して「ＭＲヘッド等」と
記す）用に特に設計された低ノイズ化された磁気記録媒
体では、個々の磁性粒子の磁気的な結合力が弱くなるた
めに、保磁力の温度変化が大きくなる傾向にある。この
場合、特にハードディスクを低温環境下で扱う場合に、
室温で扱う場合に比較して保磁力が増大し、オーバーラ
イト特性の確保が難しくなるという問題がある。

【０００７】以上を総合するに、従来の技術では、２０
Ｇｂ／in²を超える高記録密度では記録情報が熱によっ
て不安定になり、長期にわたって信頼性の高い情報記録
を行うことが難しくなる。加えて、ＭＲヘッド等用の低
ノイズ媒体では、保磁力の温度変化が大きく、低温動作
環境でのオーバーライト特性が確保しにくいという問題
がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前項において説明した
ように、高密度記録を面内記録方式で実現するために
は、媒体の薄膜化と磁性粒子間の磁気的な相互作用の抑
制による低ノイズ化が必須である。反面、このような媒
体では、記録情報の熱的不安定性や低温環境下でのオー
バーライト不良が生じ、高密度記録を困難にしている。

【０００９】本発明の目的は、したがって、２０Ｇｂ／
in²を超える超高記録密度が可能であるとともに、長期
間にわたって記録情報を安定に保持し、低温環境下でも
良好なオーバーライト特性を有し、信頼性の高い情報記
録を行うことが可能な磁気記録媒体を提供することにあ
る。本発明のもう１つの目的は、上記したような本発明
による磁気記録媒体を使用した磁気ディスク装置を提供
することにある。

【００１０】本発明の上記した目的及びその他の目的
は、以下の詳細な説明から容易に理解することができる
であろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、その１つの面
において、非磁性の基板上に磁性記録層を設けてなる磁
気記録媒体であって、前記磁性記録層が強磁性の材料か
ら形成されており、かつ前記磁性記録層に隣接して反強
磁性の材料からなる反強磁性の下地層がさらに設けられ
ていることを特徴とする磁気記録媒体にある。

【００１２】また、本発明は、そのもう１つの面におい
て、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録
ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備
えた磁気ディスク装置であって、前記磁気記録媒体が、
非磁性の基板上に磁性記録層を設けてなる磁気記録媒体
であって、前記磁性記録層が強磁性の材料から形成され
ており、かつ前記磁性記録層に隣接して反強磁性の材料
からなる反強磁性の下地層がさらに設けられているよう
な磁気記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気
抵抗効果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気デ
ィスク装置にある。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明による磁気記録媒体は、基
本的に、非磁性の基板上に磁性記録層を設けてなるとと
もに、その磁性記録層が強磁性の材料から形成されてお
り、かつその磁性記録層に隣接して、反強磁性の材料か
らなる反強磁性の下地層がさらに設けられてなるもので
ある。特に、強磁性の磁性記録層と反強磁性の下地層と
を相隣るように配置することによって、両者の間に交換
結合力を働かせ、強磁性の磁性記録層の磁化を熱に対し
て安定化するという作用効果を得ている。実際、本発明
の磁気記録媒体において、０〜６５℃の温度範囲におけ
る保磁力の温度変化は、１℃について５０００ppm 以下
である。本発明の磁気記録媒体は、上記した基本構成を
満足させ、かつ本発明の作用効果に悪影響を及ぼさない
限り、追加の層の使用を含めたいろいろな層構成を有す
ることができる。

【００１４】好ましい１態様に従うと、本発明の磁気記
録媒体は、非磁性の基板の上に反強磁性の下地層が設け
られており、かつその反強磁性の下地層の直上に強磁性
の磁性記録層が設けられているように構成される。ま
た、反強磁性の下地層が体心立方構造の結晶粒子からな
り、そして強磁性の磁性記録層が六方構造の結晶粒子か
らなりかつ１軸結晶磁気異方性を有していることが好ま
しい。

【００１５】さらに、別の好ましい態様に従うと、反強
磁性の下地層と非磁性の基板との間に、立方構造の結晶
粒子からなる非磁性の下地層がさらに介在せしめられた
ように構成される。なお、本願明細書では、このような
場合の２つの下地層を明確に区別するため、反強磁性の
下地層を「第１の下地層」と呼び、非磁性の下地層を
「第２の下地層」と呼ぶこともある。

【００１６】本発明の磁気記録媒体において、その基体
として用いられる非磁性の基板は、本発明の効果に悪影
響を及ぼさない限り、この技術分野において常用のいろ
いろな基板であることができる。本発明の実施において
適当な基板は、好ましくはディスク形状の基板であり、
以下に列挙するものに限定されるわけではないけれど
も、ＮｉＰメッキ付きのアルミニウム基板、シリコン基
板、ガラス基板（結晶化ガラス基板などを含む）、カー
ボン基板などを包含する。また、必要に応じて、ＳｉＯ
₂基板、Ａｌ₂Ｏ₃基板、ＭｇＯ基板などの耐熱性のあ
る非磁性の基板を使用してもよい。さらに、表面酸化に
より形成されたＳｉＯ₂表面酸化膜を有するＳｉ基板を
使用してもよい。

【００１７】ガラス基板は、この技術分野において常用
のガラス基板のなかから、適当なものを選択して使用す
ることができる。適当なガラス基板としては、以下に列
挙するものに限定されるわけではないけれども、例え
ば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、
無アルカリガラス、結晶化ガラスなどを挙げることがで
きる。これらのガラス基板は、必要に応じて、その表面
に無方向性の凹凸を有していてもよい。

【００１８】本発明の実施において、非磁性の基板は、
その表面を清浄に処理した後で有利に使用することがで
きる。例えばガラス基板表面の清浄化は、常用の技法に
従って行うことができ、例えば、超純水、アルカリ洗浄
剤、中性洗剤等を使用した脱脂工程やイオン交換水を使
用した洗浄工程などを組み合わせて使用することができ
る。また、このような清浄化工程に追加して、必要に応
じて、基板表面の活性化処理などを施してもよい。

【００１９】さらに、基板の表面にテクスチャ処理を施
して、円周方向に形成された浅い筋状の突起部及び溝部
（凹凸）を付与してもよい。基板表面の凹凸は、平均表
面粗さＲａで表した場合、１．５nm以下であるのが好ま
しい。基板表面のテクスチャ処理は、好ましくは、磁気
記録媒体の製造において一般的に用いられている技法に
従って機械的に行うことができる。適当な機械的テクス
チャ処理として、例えば、砥石研磨テープ、遊離砥粒な
どの研磨手段で基板の表面を研磨することを挙げること
ができる。基板の表面に機械的テクスチャ処理を施して
凹凸を形成することにより、Ｓ／Ｎ比を向上させ、なお
かつヘッド走行性を改善するという効果を得ることがで
きる。

【００２０】また、本発明の磁気記録媒体において用い
られる強磁性の磁性記録層は、この技術分野において一
般的に行われているように、コバルトを主成分とする合
金、例えばＣｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金などか
ら形成することができ、Ｃｏ−Ｃｒ系合金から構成する
のが特に好ましい。また、磁性記録層は、このような２
成分系合金から形成することに加えて、その他の元素、
例えば白金、タンタル、ニオブ、タングステン、カーボ
ンなどを任意に追加して調製した三元系合金、四元系合
金あるいは五元系合金から形成することが好ましく、む
しろこのような多元合金から形成したほうが特性的に有
利である。本発明者らの知見によると、磁性記録層は、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金からなっていて、１７ａｔ％以上の濃
度でＣｒを含有することが好ましい。

【００２１】磁性記録層は、通常、単層で用いられる。
しかし、もしもそのほうが特性面で有利であるならば、
２層もしくはそれ以上の多層構造で用いてもよい。多層
構造の場合、特性の改善等を目的として、磁性記録層の
中間に非磁性の膜が介在せしめられていてもよい。さら
に具体的に説明すると、本発明の磁気記録媒体において
用いられる磁性記録層は、好ましくは、円周方向を磁化
容易方向とし、かつコバルトを主成分として含有し、ク
ロム及び白金を含み、さらにタンタル又はタンタル及び
ニオブを組み合わせて有する四元系合金あるいは五元系
合金から形成することができる。ここで、主成分として
のコバルトに組み合わせて用いられるクロム及び白金の
量は、好ましくは、クロム１７〜２１ａｔ％、及び白金４〜１０ａｔ％、である。

【００２２】さらに具体的に説明すると、この磁性記録
層の、コバルト、クロム、白金及びタンタルの４元素か
ら構成される四元系合金は、好ましくは、次式により表
される組成範囲：Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_17-21−Ｐｔ_4-10−Ｔａ_x （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘは１〜
５ａｔ％である）にある。

【００２３】また、コバルト、クロム、白金、タンタル
及びニオブの５元素から構成される五元系合金は、好ま
しくは、次式により表される組成範囲：Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_17-21−Ｐｔ_4-10−Ｔａ_x−Ｎｂ_y （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘ＋ｙは
１〜５ａｔ％である）にある。このような五元系合金に
おいて、タンタル及びニオブの添加量は、好ましくは、
同等であるかもしくはほぼ同等である。

【００２４】本発明の磁気記録媒体において、かかる磁
性記録層は、いかなる組成を有するかにかかわりなく、
特にそれが四元系合金であるかあるいは五元系合金であ
るかにかかわりなく、２０〜１３０Ｇμm のｔＢｒ（磁
性記録層の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）を有してい
ることが好ましい。本発明の磁性記録層は、従来の磁性
記録層に比較して薄く構成したことにより、特にＭＲヘ
ッドをはじめとした各種の磁気抵抗効果型ヘッド用とし
て最適である。

【００２５】非磁性の基板上で、反強磁性の下地層に隣
接して設けられる磁性記録層は、上記したように、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａなどの四元系合金から、あるいはＣｏＣｒ
ＰｔＴａＮｂなどの五元系合金から構成されるものが好
ましい。かかる磁性記録層は、好ましくは、スパッタ法
により、特定の成膜条件下で有利に形成することができ
る。特に、保磁力を高めるため、ＤＣ負バイアスの印加
下にスパッタ法を実施するのが好ましい。スパッタ法と
しては、例えばＤＣマグネトロンスパッタ法などを使用
することができる。適当な成膜条件として、例えば、約
１００〜３５０℃の成膜温度、約１〜１０ｍＴｏｒｒの
Ａｒガス圧力、そして約８０〜４００ＶのＤＣ負バイア
スを挙げることができる。ここで、約３００℃を上回る
成膜温度は、本来非磁性であるべき基板において磁性を
発現する可能性があるので、アルミニウム基板ではその
使用を避けることが望ましい。また、必要に応じて、ス
パッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオン
ビームスパッタ法等を使用してもよい。磁性記録層の形
成の好ましい１例を示すと、スパッタ法で、ＤＣ負バイ
アスの印加下に、１５０〜３５０℃の成膜温度で、上記
の元素群から有利に形成することができる。

【００２６】さらに、強磁性の磁性記録層に隣接して配
置されるべき反強磁性の下地層（第１の下地層）は、特
に、クロムを主成分として含有しかつマンガン、ルテニ
ウム及びレニウムからなる群から選ばれた少なくとも１
種の元素が添加された合金の結晶粒子からなることが好
ましい。また、このような反強磁性の下地層の合金にお
いて、クロムに対して添加されるマンガン、ルテニウム
及びレニウムの量は、所望とする結果などのファクタに
応じて広く変更することができるというものの、通常、
マンガンの濃度が５〜８０ａｔ％、ルテニウムの濃度が
２〜１０ａｔ％及びレニウムの濃度が４〜１２ａｔ％と
なるように添加するのが好ましい。

【００２７】また、反強磁性の下地層は、上記したよう
な組成に構成することに加えて、クロムを主成分として
含有しかつマンガン、ルテニウム及びレニウムからなる
群から選ばれた少なくとも１種の元素が添加された合金
で、さらに、それに添加されたモリブデン及びタングス
テンの少なくとも１種を含む結晶粒子からなるように構
成することも好ましい。さらに、反強磁性の下地層は、
上記したような２つの典型的な組成において、追加の元
素としてさらに、白金、ルテニウム、ロジウムなどを含
有していてもよい。

【００２８】本発明の磁気記録媒体において、反強磁性
の下地層はそのネール温度が１００℃以上であることが
好ましい。また、面内配向に関してみた場合、反強磁性
の下地層の（１００）結晶面の面内配向性が（１１１）
面及び（１１０）面のそれに比較して顕著であることが
好ましい。一方、非磁性の基板と反強磁性の下地層（第
１の下地層）との間で中間層として用いられるべき非磁
性の下地層（第２の下地層）は、好ましくは、クロムを
主成分とするものであり、その単独からなる薄膜であっ
てもよく、あるいはクロムを主成分とする合金からなる
薄膜であってもよい。非磁性の下地層をクロムと他の金
属との合金から構成することが好適である。適当な合金
としては、例えば、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭ
ｏなどがあり、特にＣｒＭｏ及びＣｒＷが好ましい。必
要に応じて、Ｃｒに対してＭｏ及びＷの両者を添加して
もよい。

【００２９】反強磁性の下地層及び非磁性の下地層は、
それぞれ、例えばＤＣマグネトロンスパッタ法などのス
パッタ法により、常用の成膜条件により形成することが
好ましい。また、アルミニウム基板などを使用する時に
は、特に、保磁力を高めるため、ＤＣ負バイアスの印加
下にスパッタ法を実施するのが好ましい。適当な成膜条
件として、例えば、約１００〜３００℃の成膜温度、約
１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約１００〜
３００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができる。ま
た、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、
例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用しても
よい。それぞれの下地層の膜厚は、Ｓ／Ｎ比の向上等の
所望とする効果に応じて広く変更することができるとい
うものの、通常、５〜６０nmの範囲であるのが好まし
い。下地層の膜厚が５nmを下回ると、磁気特性が十分に
発現しないおそれがあり、また、反対に６０nmを上回る
と、ノイズが増大する傾向がある。

【００３０】また、本発明の磁気記録媒体は、必要に応
じてかつ、好ましくは、その最上層として、上記した磁
性記録層の上方に、この技術分野において屡々採用され
ているように、保護膜を有することができる。適当な保
護膜としては、例えば、カーボンの単独もしくばその化
合物からなる層、例えばＣ層、ＷＣ層、ＳｉＣ層、Ｂ ₄
Ｃ層、水素含有Ｃ層など、あるいは特により高い硬度を
有するという点で最近注目されているダイヤモンドライ
クカーボン（ＤＬＣ）の層を挙げることができるでき
る。特に、本発明の実施に当たっては、カーボンあるい
はＤＬＣからなる保護膜を有利に使用することができ
る。このような保護膜は、常法に従って、例えば、スパ
ッタ法、蒸着法などによって形成することができる。か
かる保護膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲
で変更することができるというものの、好ましくは、約
５〜１５nmである。

【００３１】また、上記したような保護膜に代えて、例
えば、下記の公開特許公報に開示されるようなアモルフ
ァス水素化カーボン膜（ａ−Ｃ：Ｈ膜）あるいはそれに
類する保護膜を使用してもよい。例えば、特開平５−８
１６６０号公報には、スパッタ法により形成されたアモ
ルファス水素化カーボン膜からなる保護膜が開示されて
いる。また、特開平６−３４９０５４号公報には、ＣＳ
Ｓ耐久性の改良と薄膜化のため、スパッタ法による水素
含有カーボン保護膜を、水素含有率の低い下層のカーボ
ン膜と水素含有率の高い上層のカーボン膜との少なくと
も２層膜構造とすることが開示されている。さらに、最
近、スパッタａ−Ｃ：Ｈ膜に代わるべきものとして、プ
ラズマＣＶＤ法により形成したアモルファス水素化カー
ボン膜（ＰＣＶＤａ−Ｃ：Ｈ膜）も開示されている。例
えば、特開平７−７３４５４号公報には、プラズマＣＶ
Ｄ法において、反応性ガスとしてＣＨ₄ガス、ＣＦ₄な
どを使用することを特徴とするカーボン保護膜製造方法
が開示されている。

【００３２】本発明の磁気記録媒体は、上記したような
必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術分
野において常用の追加の層を有していたり、さもなけれ
ば、含まれる層に任意の化学処理等が施されていてもよ
い。例えば、上記した保護膜の上に、フルオロカーボン
樹脂系の潤滑層が形成されていたり、さもなければ、同
様な処理が施されていてもよい。

【００３３】さらに詳細に説明すると、本発明の磁気記
録媒体の好ましい１実施形態は、図１に断面で示す通り
である。図示の形態において、磁気記録媒体１０は、非
磁性の基板１と、その上に反強磁性の下地層（第１の下
地層）３を介して設けられた強磁性の磁性記録層４とか
らなる。反強磁性の下地層３は強磁性の磁性記録層４に
隣接して設けられており、特にこの実施形態では下地層
３の直上に磁性記録層４が配置されている。下地層３と
磁性記録層４をこのように配置することにより、両者の
界面に作用する交換結合力によって媒体１０の熱的な安
定性を確保することができる。

【００３４】本発明の磁気記録媒体１０は、磁気ディス
ク装置（図示せず）の一員として用いられるものであ
り、磁気ディスク装置の運転時、浮上しているヘッド
（特にＭＲヘッド等）７が媒体１０に接触してその損傷
を惹起するのを防止するため、磁性記録層４の表面に、
最上層としての保護膜５が設けられている。保護膜５
は、前記したように、カーボンやダイヤモンドライクカ
ーボンからなるのが好ましい。

【００３５】本発明の磁気記録媒体１０において、反強
磁性の下地層３と磁性記録層４とが上記したように隣接
して配置されていることが重要であり、もしもそのほう
が作用効果の面で有効であるならば、図示の態様とは反
対の側に、すなわち、磁性記録層４の基板１とは反対の
側に、その磁性記録層４に隣接して下地層３が配置され
ていてもよい。しかし、一般的には、情報の書き込みと
読み出しを行うヘッド７に付属のライト・リード素子６
と磁性記録層４とが近接しているほうが高分解能を得や
すいので、反強磁性の下地層３を磁性記録層４の下側に
配置するのが望ましい。

【００３６】本発明の磁気記録媒体において、反強磁性
の下地層と強磁性の磁性記録層とが隣接して配置されて
いることが重要であることは前記した。これは、特に、
次のような理由による。面内記録方式の磁気記録媒体に
おいて高記録密度特性を得るためには、その磁性記録層
を高い結晶磁気異方性を有する材料から形成し、保磁力
を高める必要がある。したがって、磁性記録層形成性材
料としては、特に、六方晶の、１軸結晶磁気異方性を有
している材料を用いることができる。さらには、反強磁
性の下地層を形成する材料として、体心立方構造の反強
磁性の材料、特に１軸結晶磁気異方性の磁化容易軸が面
内配向するような整合面をもった立方結晶構造を有する
反強磁性の材料を用いることで保磁力を高めることがで
きる。このことを具体的に説明したものが図２の模式図
である。

【００３７】図２の模式図において、反強磁性の下地層
３の結晶構造が体心立方構造であり、その直上の磁性記
録層の結晶構造が六方晶の単位セル４ａからなり、１軸
結晶磁気異方性を有している場合、下地層３の（１０
０）面が面内配向しているときには、その（１１０）面
は（１００）面に垂直に配向する。さらには、下地層３
の（１１０）面に磁性記録層４の六方晶の（００２）面
の周期がほぼ一致する場合、立方晶と六方晶の界面での
ヘテロエピタキシャル成長が進むため、六方晶の磁化容
易軸であるＣ軸の面内配向が行われ、面内の保磁力が増
大する。さらに加えて、立方晶の（１１０）面の間隔と
六方晶の（１００）面の間隔がほぼ一致する場合もヘテ
ロエピタキシャル成長が進むため、上記と同じようなＣ
軸の面内配向が促進され、保磁力のさらなる増大が引き
起こされる。参考のために記載すると、下記の第１表
は、スパッタ法により作製した立方晶の反強磁性材料
（ＣｒＭｎ₄₀）（重量％）の薄膜と、同じくスパッタ法
により作製した六方晶の強磁性材料（ＣｏＣｒ₁₉Ｐｔ₅
Ｔａ₂Ｎｂ₂）（重量％）の薄膜の格子面間隔をまとめ
たものである。

【００３８】第１表スパッタ材料格子面間隔（Å）立方晶（ＣｒＭｎ₄₀），（１１０面）２．０５２７六方晶（ＣｏＣｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂), (００２面）２．０９２１さらに、図３は、下記の実施例で得た、アルミニウム
（Ａｌ）基板上に成膜した反強磁性の下地層（Ｃｒ₆₀Ｍ
ｎ₄₀，ａｔ％）のＸ線回折プロファイルを示したグラフ
である。グラフ中、Ａｌで示される２つの強い回折線
は、それぞれ、Ａｌ基板に由来する回折線である。Ｃｒ
₆₀Ｍｎ₄₀からの回折線としては、（２００）面からの回
析線と（１１０）面からの弱い回折線が認められる。
（１００）面からの回折線は消滅則により認められない
が、図示の（２００）面の回折線が（１００）面からの
回折線であると見なしてよい。（１１０）面からの回折
強度と（２００）面からのそれを比較した場合、前者の
ほうが小レベルである。ここで、パウダー状の試料によ
る回折強度比はＪＣＰＤＳ（Joint Comitte on Powder
Diffraction Standard）のデータベースによると、同じ
結晶構造を有するＣｒの場合、（１１０）面からの回折
強度を１００とすると、（２００）面からの回折強度は
１６であり、非常に小さいものである。ところが、図３
に示した結果では、（２００）面からの回折強度が（１
１０）面からの回折強度を上回っていることがわかる。
この結果から、非磁性の基板上に形成したＣｒＭｎ薄膜
は、図２に示したように、その薄膜の（１００）面が面
内配向していると判断できる。さらに、上記第１表に記
載の、立方晶のＣｒＭｎの面間隔と、六方晶のＣｏＣｒ
ＰｔＴａＮｂの格子面間隔とを比較すると、立方晶の
（１１０）面の間隔と六方晶の（００２）面の間隔がほ
ぼ等しいことがわかる。また、六方晶の（１００）面の
間隔も立方晶の（１１０）面の間隔に近く、この場合の
ミスフィット率は８．１％である。

【００３９】下記の第２表は、ＣｒＭｎにＭｏを添加し
て作製した立方晶の反強磁性材料Ｃｒ₆₀Ｍｎ₂₀Ｍｏ
₂₀（ａｔ％）の（１１０）面と（１００）面の間隔と、
ＣｒＭｎにＷを添加して作製した立方晶の反強磁性材料
Ｃｒ₆₀Ｗ₂₀Ｍｎ₂₀（ａｔ％）の（１１０）面と（１０
０）面の間隔を示したものである。第２表反強磁性材料（１１０）面と（１００）面の間隔（Å）Ｃｒ₆₀Ｍｎ₂₀Ｍｏ₂₀ ２．０７６１Ｃｒ₆₀Ｗ₂₀Ｍｎ₂₀ ２．０８７７上記第２表に記載のデータから理解されるように、立方
晶のＣｒＭｎ下地層に対してＭｏやＷを添加すること
で、格子面間隔の拡張を図ることができる。したがっ
て、下地層として立方晶のＣｒＭｎ合金をそのまま使用
した場合、六方晶の（１００）面の間隔と立方晶の（１
１０）面の間隔のミスフィット率は前記したように８％
であったが、ＣｒＭｎ下地層に対してＭｏを添加したＣ
ｒ₆₀Ｍｎ₂₀Ｍｏ₂₀の場合にはそのミスフィット率が７．
０％に減少し、また、ＣｒＭｎ下地層に対してＷを添加
したＣｒ₆₀Ｗ₂₀Ｍｎ₂₀の場合にはそのミスフィット率が
６．５％に減少し、加えて、六方晶の（１００）面と立
方晶の（１１０）面の整合によりさらに、面内配向を改
善することができる。また、反強磁性のＣｒＭｎ合金に
ＭｏやＷを添加した系では六方晶の（００２）面間隔と
立方晶の（１１０）面間隔が極めて近くなり、ＣｒＭｎ
合金薄膜の下地層よりも六方晶のＣ軸の面内配向性が促
進され、保磁力を増大できる。

【００４０】すでに説明したように、媒体として高い保
磁力を得るためには、反強磁性の下地層（第１の下地
層）とその上の強磁性の磁性記録層との間で良好なヘテ
ロエピタキシャル成長が行われている必要がある。しか
し、反強磁性の下地層が代表的な反強磁性材料であるＣ
ｒＭｎ合金からなるような場合、それに含まれるＭｎが
酸化を被りやすいので、磁性記録層のヘテロエピタキシ
ャル成長のベース層として良好な結晶性が保てなくなる
おそれがある。このようなおそれをなくするため、本発
明の実施に当たっては、図４に示すように、非磁性の基
板１と反強磁性の下地層３との間に非磁性の下地層（第
２の下地層）２を挿入することが好ましい。図示の磁気
記録媒体１０は、反強磁性の下地層３に組み合わせで非
磁性の下地層２を使用した違いを除いて図１の磁気記録
媒体１０に同じであり、しかし、反強磁性の下地層３の
さらなる下地として、同様の立方晶なる結晶構造を有す
る別の層２をもってくることによって、反強磁性層の結
晶性を改善し、ひいては、反強磁性層と磁性記録層との
間のヘテロエピタキシャル成長の促進の結果として保磁
力の改善を図ることができる。ここで、非磁性の下地層
２としては立方晶のＣｒ薄膜が適しているが、しかし、
前記したように、反強磁性の下地層３が、例えばＣｒＭ
ｏＭｎ、ＣｒＷＭｎなど、格子定数の拡張のためにＭｏ
やＷを添加したものである場合には、格子定数を整合さ
せるため、非磁性の下地層に対してもほぼ同濃度でＭｏ
やＷを添加することが好ましい。非磁性の下地層の組成
をこのように調整することによって、非磁性の下地層２
と反強磁性の下地層３との間のヘテロエピタキシャル成
長も改善できるという効果がある。本発明の磁気記録媒
体で反強磁性の下地層を形成するに当たっては、Ｃｒに
対して、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｒｅのうち１種類以上を添加する
ことで、反強磁性材料のネール温度（反強磁性材料が反
強磁性から非磁性、すなわち、常磁性へ移行する磁気転
移温度）を向上させることができる。これを説明するた
めに、磁性体ハンドブック（１９７５年、朝倉書店刊）
に記載のデータから求めた、いろいろな反強磁性の下地
層のネール温度を示す図５を参照する。図５のグラフで
は、Ｃｒに対する添加元素としてＭｎ、Ｒｕ、Ｒｅの３
種類を選択して、それらの元素の濃度（ａｔ％）の変化
に伴うネール温度の変化がプロットされている。選ばれ
た反強磁性材料に関して、そのネール温度が高ければ高
いほど、反強磁性が安定であり、下地層形成材料として
好適である。ここで、Ｃｒは３００°Ｋ程度のネール温
度を有するけれども、この温度はほぼ室温に同じである
ので、磁化の安定化に寄与することができない。しかし
ながら、図５に示したように、Ｃｒに対してＲｕやＲｅ
を添加した場合には、その添加量が数ａｔ％の少量であ
っても、ネール温度を約２００°Ｋもしくはそれ以上も
向上させることができる。ＣｒＲｕ合金の場合、４００
°Ｋ以上のネール温度を維持するのにはＲｕの添加量を
２〜１０ａｔ％に選べばよい。ＣｒＲｅ合金の場合に
は、同じく４００°Ｋ以上のネール温度を維持するのに
はＲｅの添加量を４〜１２ａｔ％に選べばよい。一方、
ＣｒＭｎ合金の場合には、Ｍｎの添加量の増加とともに
ネール温度が上昇し、２０ａｔ％の添加量に達した時点
でネール温度は飽和し、８００°Ｋという高い値を示
す。したがって、４００°Ｋ以上のネール温度を確保し
たい場合には、その所望とするネール温度に応じて、Ｍ
ｎの添加量を５ａｔ％以上の任意の量を選べばよい。な
お、Ｍｎの添加量の上限は、通常、スパッタ法によって
安定に立方晶構造（ｂｃｃ）が形成されるところの、８
０ａｔ％の近傍である。

【００４１】さらに、本発明者らは、反強磁性の下地層
を構成するＣｒＭｎ合金に対して白金（Ｐｔ）を添加す
ることで、磁性記録層とＣｒＭｎＰｔ下地層の交換結合
力が増大し、熱安定性がさらに改善されるということを
見い出した。この交換結合力の増大の要因としては、Ｃ
ｒＭｎ格子中に固溶したＰｔ元素が内部磁界によって分
極したことが考察されるが、現在の段階では、詳細な機
構まで解明されるに至っていない。同様なメカニズム
は、ＣｒＭｎに対してＲｕあるいはＲｈを添加した場合
にも発生する。実際、ＣｒＭｎ下地層に対してＰｔある
いはＲｕ、Ｒｈを添加することで、顕著な熱緩和現象の
抑制効果を確認することができた。

【００４２】上記したように、ＣｒＭｎ下地層に対して
ＰｔあるいはＲｕ、Ｒｈを添加することで、熱緩和現象
を顕著に抑制できるという効果がある。しかしながら、
本発明者らの研究の過程で、非磁性の基板の上にＣｒＭ
ｎを主成分として含有しかつＰｔあるいはＲｕ、Ｒｈを
添加した下地層を直接的に形成したものでは、形成され
た下地層の（１００）面配向性がＣｒ単独からなる下地
層に比較して若干弱くなっているということが判明し
た。下地層の（１００）面配向性が弱い場合には、その
上にＣｏＣｒ系合金からなる磁性記録層を形成した場合
に、Ｃ軸の面内配向性が顕著でなく、記録に十分な保磁
力が確保できない。本発明者らは、この不都合を解消す
るために鋭意研究の結果、そのようなＣｒＭｎ系の下地
層と非磁性の基板との間に、Ｃｒ又はＣｒ系合金（例え
ばＣｒＭｏ）などの体心立方構造を有する追加の下地層
を設けることで、ＣｒＭｎ系の下地層の（１００）面配
向を顕著に促進させることができるということを見い出
した。このような２層構造の下地層を形成した後にＣｏ
Ｃｒ系合金からなる磁性記録層を形成した場合には、驚
くべきことに、磁性記録層の保磁力を格段に増大させる
ことができる。

【００４３】本発明は、以上に詳細に説明した磁気記録
媒体に加えて、本発明の磁気記録媒体を使用した磁気デ
ィスク装置にある。本発明の磁気ディスク装置におい
て、その構造は特に限定されないというものの、基本的
に、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録
ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備
えている装置を包含する。特に、再生ヘッド部は、以下
に説明するように、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化
する磁気抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘッド、す
なわち、ＭＲヘッド等を備えていることが好ましい。

【００４４】本発明の磁気ディスク装置において、好ま
しくは、磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子にセ
ンス電流を供給する導体層を有し、磁気記録媒体からの
情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部
と、薄膜で形成された一対の磁極を有し、磁気記録媒体
への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部とが積層さ
れてなる複合型の磁気ヘッドを使用することができる。
磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、この技術分野において
公知のいろいろな構造を有することができ、そして、好
ましくは、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド
又は巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド（スピン
バルブ型ＧＭＲヘッド等を含む）を包含する。再生ヘッ
ド部の導体層は、いろいろな構成を有することができる
けれども、好ましくは、１．導体層の膜厚に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部
分を比較的に薄く形成し、その他の部分を厚く形成した
もの、２．導体層の膜厚及び幅員に関して、磁気抵抗効果素子
の近傍部分のそれを比較的に薄くかつ細く形成し、その
他の部分を厚くかつ幅広に形成したもの、を包含する。
導体層の膜厚及び必要に応じて幅員を上記のように調整
することは、いろいろな手法に従って行うことができる
ものの、特に、導体層の多層化によって膜厚の増加を図
ることによりこれを達成することが推奨される。

【００４５】特に上記したような構成の磁気ディスク装
置を使用すると、従来の複合型の磁気ヘッドに比較し
て、記録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくするとともに導
体層の抵抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれ
ば、精確にかつ高感度で情報を読み出すことができる。
本発明の磁気ディスク装置は、好ましくは、その記録ヘ
ッド部及び再生ヘッド部を図６及び図７に示すような積
層構造とすることができる。図６は、本発明の磁気ディ
スク装置の原理図で、また、図７は、図６の線分Ｂ−Ｂ
にそった断面図である。

【００４６】図６及び図７において、参照番号１１は磁
気記録媒体への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド
部、１２は情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生
ヘッド部である。記録ヘッド部１１は、ＮｉＦｅ等から
なる下部磁極（上部シールド層）１３と、一定間隔をも
って下部磁極１３と対向したＮｉＦｅ等からなる上部磁
極１４と、これらの磁極１３及び１４を励磁し、記録ギ
ャップ部分にて、磁気記録媒体に情報の記録を行わせる
コイル１５等から構成される。

【００４７】再生ヘッド部１２は、好ましくはＡＭＲヘ
ッドやＧＭＲヘッド等でもって構成されるものであり、
その磁気抵抗効果素子部１２Ａ上には、磁気抵抗効果素
子部１２Ａにセンス電流を供給するための一対の導体層
１６が記録トラック幅に相応する間隔をもって設けられ
ている。ここで、導体層１６の膜厚は、磁気抵抗効果素
子部１２Ａの近傍部分１６Ａが薄く形成され、他の部分
１６Ｂは厚く形成されている。

【００４８】図６及び図７の構成では、導体層１６の膜
厚が、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａで薄
くなっているため、下部磁極（上部シールド層）１３等
の湾曲が小さくなっている。このため、磁気記録媒体に
対向する記録ギャップの形状もあまり湾曲せず、情報の
記録時における磁気ヘッドのトラック上の位置と読み出
し時における磁気ヘッドのトラック上の位置に多少ずれ
があっても、磁気ディスク装置は正確に情報を読み出す
ことができ、オフトラック量が小さいにもかかわらず読
み出しの誤差が生じるという事態を避けることができ
る。

【００４９】一方、導体層１６の膜厚が、磁気抵抗効果
素子部１２Ａの近傍以外の部分１６Ｂでは厚く形成され
ているため、導体層１６の抵抗を全体として小さくする
こともでき、その結果、磁気抵抗素子部１２Ａの抵抗変
化を高感度で検出することが可能になり、Ｓ／Ｎ比が向
上し、また、導体層１６での発熱も避けることができ、
発熱に起因したノイズの発生も防げる。

【００５０】上記したような磁気抵抗効果型の磁気ヘッ
ドは、その多数個を薄膜技術を用いてセラミック製ヘッ
ド基板上に形成した後、ヘッド基板をヘッド毎に切り出
し、所定の形状に加工することによって製造することが
できる。さらに、本発明による磁気ディスク装置の好ま
しい１実施形態は、図８及び図９に示す通りである。な
お、図８は磁気ディスク装置の平面図（カバーを除いた
状態）、図９は図８の線分Ａ−Ａにそった断面図であ
る。

【００５１】これらの図において、参照番号５０はベー
スプレート５１上に設けられたスピンドルモータ５２に
よって回転駆動される磁気記録媒体としての複数枚（図
示の例では３枚）の磁気ディスクである。参照番号５３
はベースプレート５１上に回転可能に設けられたアクチ
ュエータである。このアクチュエータ５３の一方の回転
端部には、磁気ディスク５０の記録面方向に延出する複
数のヘッドアーム５４が形成されている。このヘッドア
ーム５４の回転端部には、スプリングアーム５５が取り
付けられ、更に、このスプリングアーム５５のフレクシ
ャー部に前述のスライダ４０が図示しない絶縁膜を介し
て傾動可能に取り付けられている。一方、アクチュエー
タ５３の他方の回転端部には、コイル５７が設けられて
いる。

【００５２】ベースプレート５１上には、マグネット及
びヨークで構成された磁気回路５８が設けられ、この磁
気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置
されている。そして、磁気回路５８とコイル５７とでム
ービングコイル型のリニアモータ（ＶＣＭ：ボイスコイ
ルモータ）が構成されている。そして、これらベースプ
レート５１の上部はカバー５９で覆われている。

【００５３】次に、上記構成の磁気ディスク装置の作動
を説明する。磁気ディスク５０が停止している時には、
スライダ４０は磁気ディスク５０の退避ゾーンに接触し
停止している。次に、磁気ディスク５０がスピンドルモ
ータ５２によって、高速で回転駆動されると、この磁気
ディスク５０の回転による発生する空気流によって、ス
ライダ４０は微小間隔をもってディスク面から浮上す
る。この状態でコイル５７に電流を流すと、コイル５７
には推力が発生し、アクチュエータ５３が回転する。こ
れにより、ヘッド（スライダ４０）を磁気ディスク５０
の所望のトラック上に移動させ、データのリード／ライ
トを行なうことができる。

【００５４】この磁気ディスク装置では、磁気ヘッドの
導体層として、磁気抵抗効果素子部の近傍部分を薄く形
成し他の部分を厚く形成したものを用いているため、記
録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくすると共に導体層の抵
抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれば正確にか
つ高感度に情報を読み出すことができる。

【００５５】

【実施例】以下、本発明をその典型的な実施例を参照し
て説明する。なお、本発明はこれらの実施例によって限
定されるものではないことを理解されたい。例１磁気記録媒体（磁気ディスク）の作製下記の層構成を有する磁気ディスクを作製した。

【００５６】 ───────────────────────────────── カーボン（ＤＬＣ）保護膜８nm ───────────────────────────────── Ｃｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂磁性記録層１０〜３０nm ───────────────────────────────── ＣｒＭｎ１０下地層（第１の下地層）２５nm ───────────────────────────────── ＴＥＸ付きＮｉＰ／Ａｌ基板 ───────────────────────────────── よく洗浄された表面に機械的テクスチャ処理が施されて
いるＮｉＰメッキ付きのアルミニウムディスク基板（Ｔ
ＥＸ付きＮｉＰ／Ａｌ基板）の上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ装置により、反強磁性材料で体心立方構造を有
するＣｒＭｎ１０（ａｔ％）下地層（第１の下地層とし
て）をスパッタ成膜した。最初に、成膜工程に入る前の
操作として、スパッタ室内を３×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に
排気し、基板温度を２８０℃に高め、Ａｒガスを導入し
てスパッタ室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、−２００Ｖの
バイアスを印加しながら、Ｃｒ９０−Ｍｎ１０（ａｔ
％）ターゲットをスパッタした。膜厚２５nmのＣｒＭｎ
１０下地層が得られた。

【００５７】次いで、同じＤＣマグネトロンスパッタ装
置を使用して、同様なスパッタ条件下、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａＮｂ磁性記録層をスパッタ成膜した。ＣｏＣｒＰｔＴ
ａＮｂ膜の組成式はＣｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂で
あり、ＣｏＣｒターゲットにＰｔ、Ｔａ、Ｎｂチップを
配置した複合ターゲットを用いることによって目的とす
る組成を得た。なお、本例では、磁性記録層の特性のｔ
Ｂｒ依存性を評価するため、ｔＢｒが３０〜１００Ｇμ
ｍ（膜厚１０〜３０nmに相当）となるように成膜条件を
変更した。最後に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）の保護膜を同じＤＣマグネトロンスパッタ装置を使
用して膜厚８nmでスパッタ成膜した。上記のような層構
成の本発明の磁気ディスク（以下、「磁気ディスク１」
と呼ぶ）が得られた。

【００５８】上記と同様にして、ＣｒＭｎ１０下地層に
代えてＣｒＭｎ４０下地層を使用した相違点を除いて、
磁気ディスク１と同様な層構成の本発明の磁気ディスク
（以下、「磁気ディスク２」と呼ぶ）を作製した。さら
に続けて、比較に供するため、ＣｒＭｎ１０下地層に代
えて常磁性のＣｒＭｏ１０（ａｔ％）下地層を使用しか
つ磁性記録層の膜厚をそのｔＢｒが５０〜１７０Ｇμｍ
となるように成膜条件を変更した相違点を除いて、磁気
ディスク１と同様な層構成の比較用の磁気ディスク（以
下、「磁気ディスクＡ」と呼ぶ）を作製した。例２磁気ディスクの評価前記例１において作製した磁気ディスク１及び２ならび
に比較用磁気ディスクＡについて、下記の項目に関して
特性の評価を行った。なお、組成分析にはＥＤＸ、磁気
測定にはＶＳＭを用いた。また、残留磁化の経時変化に
はＳＱＵＩＤを用いた。（１）媒体の孤立波Ｓ／Ｎの、ＣｒＭｎ下地層の膜厚
（ｔＢｒ）依存性磁気ディスク１において、ＣｒＭｎ下地層のいろいろな
ｔＢｒにおける孤立波Ｓ／Ｎを測定したところ、添付の
図１０にプロットするような結果が得られた。ここで、
Ｓ／Ｎの測定は、リード幅１μｍでの孤立波出力と記録
密度１６０ｋＦＣＩにおける媒体ノイズの実効値に基づ
いて実施した。すなわち、Ｓ／Ｎ＝２０ log（Ｓrms ／Ｎrms ）である。

【００５９】比較のため、磁気ディスクＡについても同
様な手法に従い孤立波Ｓ／Ｎを測定したところ、同じく
図１０にプロットするような結果が得られた。図１０に
記載の結果から、本発明による磁気ディスクのようにＣ
ｒＭｎ下地層をＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性記録層に隣接
して配置した場合には、同じ磁性記録層を有していても
下地層が異なる磁気ディスクＡ（ＣｒＭｏ下地層）に比
較して、孤立波Ｓ／Ｎに関して顕著な効果を得ることが
でき、特に１２０Ｇμｍ以下の領域で高い孤立波Ｓ／Ｎ
が得られるということが分かる。（２）媒体の保磁力Ｈｃの、ＣｒＭｎ下地層の膜厚（ｔ
Ｂｒ）依存性磁気ディスク１及び２において、ＣｒＭｎ下地層のいろ
いろなｔＢｒにおける保磁力Ｈｃを測定したところ、添
付の図１１にプロットするような結果が得られた。ま
た、比較のため、磁気ディスクＡについても同様な手法
に従い保磁力Ｈｃを測定したところ、同じく図１１にプ
ロットするような結果が得られた。

【００６０】図１１に記載の結果から、本発明による磁
気ディスクのようにＣｒＭｎ１０下地層又はＣｒＭｎ４
０下地層をＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性記録層に隣接して
配置した場合には、同じ磁性記録層を有していても下地
層が異なる磁気ディスクＡ（ＣｒＭｏ下地層）に比較し
て、保磁力Ｈｃに関して顕著な効果を得ることができ、
特に磁性記録層が薄い領域で保磁力Ｈｃの低下が少ない
ことが分かる。すなわち、ｔＢｒ＝３０Ｇμｍの場合の
保磁力Ｈｃについて見ると、ＣｒＭｏ下地層を備えた磁
気ディスクＡでは高々９００Ｏｅ程度の低保磁力しか得
られないのに反して、ＣｒＭｎ１０下地層を備えた磁気
ディスク１では約１５００Ｏｅの高い保磁力を、ＣｒＭ
ｎ４０下地層を備えた磁気ディスク２では約１８００Ｏ
ｅの高い保磁力を、それぞれ得ることができ、換言する
と、低いｔＢｒ領域において、高分解能記録を行うのに
十分な保磁力を得ることができる。低いｔＢｒ領域で高
い保磁力が発生するということは、反強磁性の下地層と
その上の磁性記録層との間に交換結合力が働いているた
めであり、よって、媒体磁化の熱に対する耐性の向上、
熱安定化を図ることができる。（３）媒体の磁気緩和Ｔ１０の、ＣｒＭｎ下地層の膜厚
（ｔＢｒ）依存性磁気ディスク１において、ＣｒＭｎ下地層のいろいろな
ｔＢｒにおける磁気緩和Ｔ１０を測定したところ、添付
の図１２にプロットするような結果が得られた。ここ
で、「磁気緩和Ｔ１０」とは、磁気記録媒体において、
磁気飽和１秒後の残留磁化が１０％緩和するのに要する
年数を意味する。

【００６１】比較のため、磁気ディスクＡについても同
様な手法に従い磁気緩和Ｔ１０を測定したところ、同じ
く図１２にプロットするような結果が得られた。図１２
に記載の結果から、本発明による磁気ディスクのように
ＣｒＭｎ下地層をＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性記録層に隣
接して配置した場合には、同じ磁性記録層を有していて
も下地層が異なる磁気ディスクＡ（ＣｒＭｏ下地層）に
比較して、残留磁化の経時的な低下が膜厚全体を通じて
顕著に少なく、より安定であることが分かる。残留磁化
の安定化効果が大きいことは、一例としてｔＢｒ＝４０
Ｇμｍで比較することができる。磁気飽和１秒後の残留
磁化が１０％緩和するのに要する年数が、ＣｒＭｏ下地
層を備えた磁気ディスクＡではおよそ１０^-4年（５０
分）であったのが、本発明の磁気ディスク１のようにＣ
ｒＭｏ下地層をＣｒＭｎ１０下地層に変更することを通
じて、１００年まで延長することができ、熱安定性を大
幅に改善することができた。例３磁気ディスクの作製及び評価前記例１に記載の手法に従って、下記の層構成を有する
磁気ディスク３を作製した。なお、本例では、ＴＥＸ付
きＮｉＰ／Ａｌ基板とＣｒＭｎ１０下地層との中間に、
第２の下地層として作用させるため、立方構造を有する
Ｃｒ下地層を膜厚２５nmで成膜した。

【００６２】 ───────────────────────────────── カーボン（ＤＬＣ）保護膜８nm ───────────────────────────────── Ｃｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂磁性記録層１０〜３０nm ───────────────────────────────── ＣｒＭｎ１０下地層（第１の下地層）２５nm ───────────────────────────────── Ｃｒ下地層（第２の下地層）２５nm ───────────────────────────────── ＴＥＸ付きＮｉＰ／Ａｌ基板 ───────────────────────────────── この磁気ディスク３において、ｔＢｒ＝８０Ｇμｍにお
ける保磁力Ｈｃを測定したところ、保磁力が３００Ｏｅ
程度向上し、立方構造を有するＣｒ下地層の介在は媒体
Ｓ／Ｎの向上に大きく寄与し得るということが分かっ
た。例４磁気ディスクの作製及び評価前記例１に記載の手法に従って、ＣｒＭｎ１０下地層の
代わりに他の下地層を設けた違いを除いて磁気ディスク
１と同様な層構成を有する磁気ディスク４及び５を作製
した。磁気ディスク４で使用した下地層は膜厚２５nm
（ｔＢｒ＝８０Ｇμｍ）でスパッタ成膜したＣｒＲｅ４
（ａｔ％）下地層、そして磁気ディスク５で使用した下
地層は膜厚２５nm（ｔＢｒ＝８０Ｇμｍ）でスパッタ成
膜したＣｒＲｕ１０（ａｔ％）下地層である。それぞれ
の磁気ディスクと前記例１で作製した比較用の磁気ディ
スクＡのｔＢｒ＝８０Ｇμｍにおける保磁力Ｈｃ及び磁
気緩和Ｔ１０を前記例２に記載のようにして測定したと
ころ、次のような結果が得られた。

【００６３】磁気ディスクの種類下地層保磁力ＨｃＴ１０磁気ディスクＡＣｒＭｎ１０２３００Ｏｅ１０²⁰年磁気ディスク４ＣｒＲｅ４２１００Ｏｅ１０²³年磁気ディスク５ＣｒＲｕ１０２１５０Ｏｅ１０²²年上記の結果から理解されるように、下地層としてＣｒＭ
ｎ１０に代えてＣｒＲｅ４又はＣｒＲｕ１０を採用した
場合にも、磁気緩和Ｔ１０を有意に改善することができ
る。例５磁気ディスクの作製及び評価前記例１に記載の手法に従って、ＣｒＭｎ１０下地層の
代わりに他の下地層を設けた違いを除いて磁気ディスク
１と同様な層構成を有する磁気ディスク６及び７を作製
した。磁気ディスク６で使用した下地層は膜厚２５nm
（ｔＢｒ＝８０Ｇμｍ）でスパッタ成膜したＣｒＭｎ１
０Ｍｏ１０（ａｔ％）下地層、そして磁気ディスク７で
使用した下地層は膜厚２５nm（ｔＢｒ＝８０Ｇμｍ）で
スパッタ成膜したＣｒＭｎ４０Ｍｏ１０（ａｔ％）下地
層である。それぞれの磁気ディスクのｔＢｒ＝８０Ｇμ
ｍにおける保磁力Ｈｃを前記例２に記載のようにして測
定したところ、Ｍｏ添加のＣｒＭｎ下地層の作用によ
り、保磁力Ｈｃがおよそ１０％増大し、Ｓ／Ｎ及び磁気
緩和の抑制に効果があることが確認できた。

【００６４】これに関連して、ＣｒＭｎ下地層、ＣｒＭ
ｏ下地層、ＣｒＭｎ１０Ｍｏ１０下地層及びＣｒＭｎ４
０Ｍｏ１０下地層のそれぞれについて、格子定数の変化
を異なるＭｏ濃度及びＭｎ濃度に関して測定したとこ
ろ、図１３にプロットするような結果が得られた。得ら
れた結果から、ＣｒＭｎ１０Ｍｏ１０下地層を備える媒
体とＣｒＭｎ４０Ｍｏ１０下地層を備える媒体の場合、
（１１０）面の間隔が１．０８％拡張されたということ
が分かった。その結果、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ磁性記録
層の（００２）面との格子の不整合性が２％から１％に
軽減されたため、上記のような保磁力の改善がなされた
ものであることが明らかとなった。例６磁気ディスクの作製及び評価前記例１に記載の手法に従って、下記の層構成を有する
磁気ディスク８を作製した。なお、本例では、第１の下
地層として、ＣｒＭｎ１０（ａｔ％）に代えてＣｒＭｎ
４０（ａｔ％）を使用し、かつＴＥＸ付きＮｉＰ／Ａｌ
基板とＣｒＭｎ４０下地層との中間に、第２の下地層と
して作用させるため、立方構造を有するＣｒＭｏ１０
（ａｔ％）下地層を膜厚２５nmで成膜した。

【００６５】 ───────────────────────────────── カーボン（ＤＬＣ）保護膜８nm ───────────────────────────────── Ｃｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂磁性記録層２５nm ───────────────────────────────── ＣｒＭｎ４０下地層（第１の下地層）２５nm ───────────────────────────────── ＣｒＭｏ１０下地層（第２の下地層）２５nm ───────────────────────────────── ＴＥＸ付きＮｉＰ／Ａｌ基板 ───────────────────────────────── この磁気ディスク８において、ｔＢｒ＝８０Ｇμｍにお
ける保磁力Ｈｃを測定したところ、ＣｒＭｏ１０下地層
（第２の下地層）がない場合に比較して、保磁力が１５
％程度向上し、媒体Ｓ／Ｎの向上がもたらされたという
ことが判明した。例７磁気ディスクの作製及び評価前記例１に記載の手法に従って、下記の層構成を有する
磁気ディスク９を作製した。なお、本例では、第１の下
地層として、ＣｒＭｎ１０（ａｔ％）に代えてＣｒＭｎ
１０Ｐｔ１０（ａｔ％）を使用し、かつＴＥＸ付きＮｉ
Ｐ／Ａｌ基板とＣｒＭｎ４０下地層との中間に、第２の
下地層として作用させるため、立方構造を有するＣｒＭ
ｏ１０（ａｔ％）下地層を膜厚２５nmで成膜した。

【００６６】 ───────────────────────────────── カーボン（ＤＬＣ）保護膜８nm ───────────────────────────────── Ｃｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂磁性記録層２５nm ───────────────────────────────── ＣｒＭｎ１０Ｐｔ１０下地層（第１の下地層）２５nm ───────────────────────────────── ＣｒＭｏ１０下地層（第２の下地層）２５nm ───────────────────────────────── ＴＥＸ付きＮｉＰ／Ａｌ基板 ───────────────────────────────── 得られた磁気ディスク９と前記例１で作製した磁気ディ
スク２及び比較用の磁気ディスクＡについて、異なる逆
向き磁場における磁気緩和Ｔ１０の変化を前記例２に記
載のようにして測定したところ、図１４にプロットする
ような結果が得られた。図示の結果から、第１の下地層
としてＣｒＭｎ４０を用いた場合にも熱緩和の抑制効果
を発揮できるけれども、第１の下地層としてＣｒＭｎ１
０Ｐｔ１０を用いかつ第２の下地層としてＣｒＭｏ１０
を用いた場合には、より一層の熱緩和の抑制効果が得ら
れるということが分かる。特に、ＣｒＭｎＰｔ下地層を
用いた場合、反磁界を作用させた場合でも顕著な熱緩和
抑制効果が得られるということで注目に値する。

【００６７】下記の表は、それぞれの媒体について、保
磁力（Ｏｅ）及びｔＢｒ（Ｇμｍ）を示したものであ
る。磁気ディスクの種類第１の下地層保磁力ＨｃｔＢｒ磁気ディスクＡＣｒＭｎ１０２４８６Ｏｅ７７Ｇμｍ磁気ディスク２ＣｒＭｎ４０２１４４Ｏｅ７５Ｇμｍ磁気ディスク９ＣｒＭｎＰｔ２４１７Ｏｅ７７Ｇμｍ例８磁気ディスクの評価前記例１において作製した磁気ディスク２において、Ｔ
ＥＸ付きＮｉＰ／Ａｌ基板上に成膜した反強磁性のＣｒ
Ｍｎ４０下地層の結晶構造をＸ線回折により調べたとこ
ろ、図３にプロットするような結果が得られた。図示の
Ｘ線回折プロファイルから、高角側に（００２）面から
の回折ピークが認められ、反強磁性の下地層の（１０
０）結晶面の面内配向性が（１１１）面ならびに（１１
０）面の面内配向性に比べて顕著であることが確認でき
た。例９磁気ディスクの評価前記例１で作製した磁気ディスク２及び比較用の磁気デ
ィスクＡについて、−２５℃から１００℃までの異なる
温度における保磁力Ｈｃを測定し、その測定値から保磁
力の温度係数を求めたところ、次表に示すような結果が
得られた。

【００６８】磁気ディスクの種類保磁力ＨｃｔＢｒＨｃ温度係数磁気ディスクＡ２４８６Ｏｅ７７Ｇμｍ７０００ｒｐｍ磁気ディスク２２１４４Ｏｅ７５Ｇμｍ４５００ｒｐｍ上記の表に記載の結果から、反強磁性の下地層を採用す
ることにより、保磁力の温度係数を制御することがで
き、また、これにより、低温度動作領域でのオーバーラ
イト特性を改善できるということが分かる。例１０磁気ディスクの評価前記例１〜例７で作製した磁気ディスク１〜９のそれぞ
れについて、磁気ディスク装置に実装した場合の特性に
関して評価した。（１）ＣＳＳ耐久性それぞれの媒体の耐久性を評価するため、ＣＳＳ耐久性
を測定した。その結果、いずれの媒体も１５０００回以
上の優れた耐久性を有していることが確認された。な
お、優れた耐久性は、基板表面に施された機械的テクス
チャ処理（平均表面粗さＲａ＝０．８〜１．５nm）や最
上層において形成されたＤＬＣ保護膜（膜厚８nm）に由
来するところが大きいと理解される。（２）装置Ｓ／Ｎ特性及び面記録密度それぞれの媒体のｔＢｒ値は２０〜１３０Ｇμｍであ
る。磁気ディスク装置においてシールドギャップが０．
２５μｍのＭＲヘッドを使用する場合には、２２０ｋＢ
ＰＩなる線記録密度（実効リードコア幅：１．４μｍ）
において、装置Ｓ／Ｎ特性を最良にするためには媒体の
ｔＢｒ値が１１０Ｇμｍであることが必要であり、ま
た、この時の面記録密度は１．５Ｇｂ／in²であること
が確認された。

【００６９】また、磁気ディスク装置においてシールド
ギャップが０．１８μｍのスピンバルブ型ＧＭＲヘッド
を使用する場合には、２８０ｋＢＰＩなる線記録密度
（実効リードコア幅：１．０μｍ）において、装置Ｓ／
Ｎ特性を最良にするためには媒体のｔＢｒ値が７０Ｇμ
ｍであることが必要であり、また、この時の面記録密度
は３Ｇｂ／in²であることが確認された。（３）吸着性及び分解能それぞれの媒体では、ＮｉＰ／Ａｌ基板の表面に機械的
テクスチャ処理を施して、ほぼヘッド走行方向にそって
溝筋を入れ、これによって、周方向への磁気異方性を付
与している。

【００７０】ここで、ｔＢｒ値が１１０Ｇμｍである媒
体において、その配向比（周方向と径方向の保磁力の
比）は１．２であった。１．５Ｇｂ／in²記録用の媒体
において、２０nmのグランドハイトを確保するために、
基板表面の平均表面粗さＲａを１．４nmに調整したとこ
ろ、媒体の静止時に発生する吸着性（スティクション）
の改善と、周方向への磁気異方性付与による分解能の向
上を同時に達成することができた。

【００７１】また、ｔＢｒ値が７５Ｇμｍである媒体に
おいて、その配向比（周方向と径方向の保磁力の比）は
１．２であった。３Ｇｂ／in²記録用の媒体において、
２０nmのグランドハイトを確保するために、基板表面の
平均表面粗さＲａを１．０nmに調整したところ、媒体の
静止時に発生する吸着性（スティクション）の改善と、
周方向への磁気異方性付与による分解能の向上を同時に
達成することができた。

【００７２】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、媒体の薄膜化と磁性粒子間の磁気的な相互作用の抑
制による低ノイズ化とを通じて高密度記録を面内記録方
式で実現することができる。また、その際、従来の媒体
では回避することが不可能であった問題点、すなわち、
記録情報の熱的不安定性や低温環境下でのオーバーライ
ト不良を防止することができる。したがって、本発明に
よれば、２０Ｇｂ／in²を超える超高記録密度が可能で
あるとともに、長期間にわたって記録情報を安定に保持
し、低温環境下でも良好なオーバーライト特性を有し、
信頼性の高い情報記録を行うことが可能な磁気記録媒体
を提供するができる。さらに、本発明によれば、このよ
うな優れた磁気記録媒体を使用した従来装置に比較して
高密度記録が可能な磁気ディスク装置を提供することも
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁気記録媒体の好ましい１実施形
態を示す断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体における反強磁性の下地
層とその上の磁性記録層の結晶構造を示す模式図であ
る。

【図３】本発明の磁気記録媒体における反強磁性の下地
層のＸ線回折プロファイルを示したグラフである。

【図４】本発明による磁気記録媒体のもう１つの好まし
い実施形態を示す断面図である。

【図５】本発明の磁気記録媒体におけるいろいろな反強
磁性の下地層のネール温度を示したグラフである。

【図６】本発明による磁気ディスク装置の原理を示す断
面図である。

【図７】図６の磁気ディスク装置の線分Ｂ−Ｂにそった
断面図である。

【図８】本発明による磁気ディスク装置の好ましい１実
施形態を示す平面図である。

【図９】図８の磁気ディスク装置の線分Ａ−Ａにそった
断面図である。

【図１０】本発明の磁気記録媒体における孤立波媒体Ｓ
／ＮのｔＢｒ依存性を示したグラフである。

【図１１】本発明の磁気記録媒体における保磁力Ｈｃの
ｔＢｒ依存性を示したグラフである。

【図１２】本発明の磁気記録媒体における磁気緩和Ｔ１
０（磁気飽和１秒後の残留磁化が１０％緩和するのに要
する年数）のｔＢｒ依存性を示したグラフである。

【図１３】本発明の磁気記録媒体におけるいろいろな反
強磁性の下地層の格子定数を示したグラフである。

【図１４】本発明の磁気記録媒体における磁気緩和Ｔ１
０（磁気飽和１秒後の残留磁化が１０％緩和するのに要
する年数）の逆向き磁場依存性を示したグラフである。

【符号の説明】

１…非磁性の基板２…非磁性の下地層３…反強磁性の下地層４…磁性記録層５…保護膜６…ライト・リード素子７…ＭＲヘッド１０…磁気記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者奥山智明神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 AA02 BB02 BB07 CA01 CA04 CA05 DA03 EA03 FA00 5E049 AA04 AA09 AC00 AC05 BA06 BA12 DB02 DB12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性の基板上に磁性記録層を設けてな
る磁気記録媒体において、前記磁性記録層が強磁性の材料から形成されており、か
つ前記磁性記録層に隣接して反強磁性の材料からなる反
強磁性の下地層がさらに設けられていることを特徴とす
る磁気記録媒体。
【請求項２】前記非磁性の基板の上に前記反強磁性の
下地層が設けられており、かつ前記反強磁性の下地層の
直上に前記磁性記録層が設けられていることを特徴とす
る請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記反強磁性の下地層が体心立方構造の
結晶粒子からなり、そして前記磁性記録層が六方構造の
結晶粒子からなりかつ１軸結晶磁気異方性を有している
ことを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】前記反強磁性の下地層が、クロムを主成
分として含有しかつマンガン、ルテニウム及びレニウム
からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素が添加さ
れた合金の結晶粒子からなることを特徴とする請求項３
に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記反強磁性の下地層の合金において、
クロムに対して添加されるマンガン、ルテニウム及びレ
ニウムの量が、それぞれ、５〜８０ａｔ％、２〜１０ａ
ｔ％及び４〜１２ａｔ％であることを特徴とする請求項
４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】前記反強磁性の下地層が、クロムを主成
分として含有しかつマンガン、ルテニウム及びレニウム
からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素が添加さ
れた合金で、さらに、それに添加されたモリブデン及び
タングステンの少なくとも１種を含む結晶粒子からなる
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】前記反強磁性の下地層の合金において、
さらに白金が含まれることを特徴とする請求項４〜６の
いずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】前記反強磁性の下地層が１００℃以上の
ネール温度を有していることを特徴とする請求項１〜７
のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】前記非磁性の基板上と前記非磁性の基板
との間に、立方構造の結晶粒子からなる非磁性の下地層
がさらに介在せしめられていることを特徴とする請求項
３に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】前記非磁性の下地層が、クロムを主成
分として含有する合金で、それに添加されたモリブデン
及びタングステンの少なくとも１種を含む結晶粒子から
なることを特徴とする請求項９に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】前記磁性記録層が２０〜１３０Ｇμm
のｔＢｒ（磁性記録層の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの
積）を有していることを特徴とする請求項１〜１０のい
ずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】前記磁性記録層の上に、カーボン又は
ダイヤモンドライクカーボンを主体とする保護膜をさら
に有していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれ
か１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】磁気記録媒体において情報の記録を行
うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生
ヘッド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気
記録媒体が請求項１〜１２のいずれか１項に記載の磁気
記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効
果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク
装置。
【請求項１４】前記磁気抵抗効果型ヘッドが、ＭＲヘ
ッド、ＡＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド又はスピンバルブ型
ＧＭＲヘッドであることを特徴とする請求項１３に記載
の磁気ディスク装置。