JPH04277660A - 集積回路パッケージ - Google Patents
集積回路パッケージInfo
- Publication number
- JPH04277660A JPH04277660A JP3971491A JP3971491A JPH04277660A JP H04277660 A JPH04277660 A JP H04277660A JP 3971491 A JP3971491 A JP 3971491A JP 3971491 A JP3971491 A JP 3971491A JP H04277660 A JPH04277660 A JP H04277660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- integrated circuit
- resin
- circuit package
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路パッケージに
関し、特にその放熱板の構造に関する。
関し、特にその放熱板の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の絶縁型ヒートシンク付集積回路パ
ッケージの構造は、図３（ａ），（ｂ）の斜視図および
そのＡ−Ａ′断面図のように示される。
ッケージの構造は、図３（ａ），（ｂ）の斜視図および
そのＡ−Ａ′断面図のように示される。
【０００３】この集積回路パッケージは、リード３が取
付けられた放熱板２の上に集積回路チップ４をのせ、モ
ールド樹脂１で覆ったものである。この放熱板２の裏面
には、モールド樹脂１が厚さ０．１〜０．３ミリメート
ルの薄い樹脂層５を有している。
付けられた放熱板２の上に集積回路チップ４をのせ、モ
ールド樹脂１で覆ったものである。この放熱板２の裏面
には、モールド樹脂１が厚さ０．１〜０．３ミリメート
ルの薄い樹脂層５を有している。
【０００４】この薄い樹脂層５は、集積回路の放熱板２
を外部と電気的に絶縁する目的で設けられているが、同
時に集積回路パッケージ４の動作時に発生する熱を放熱
板２，樹脂層５を介して外部に放出させる必要があり、
出来る限り薄く、すなわち熱抵抗を低く抑えることが必
要である。この放熱板２は一枚の平坦な銅を主材料とし
た板状に作られている。
を外部と電気的に絶縁する目的で設けられているが、同
時に集積回路パッケージ４の動作時に発生する熱を放熱
板２，樹脂層５を介して外部に放出させる必要があり、
出来る限り薄く、すなわち熱抵抗を低く抑えることが必
要である。この放熱板２は一枚の平坦な銅を主材料とし
た板状に作られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように絶縁型ヒ
ートシンク付パッケージでは、放熱板２の裏面部の樹脂
厚を０．１〜０．３ミリメートルと薄く形成する必要が
ある。このことは、集積回路パッケージの製造工程に於
いて、放熱板２及び放熱板上にマウントされた集積回路
チップ４などをモールド樹脂１で封入する封入工程にお
いて、樹脂の未充填という不良を多発させる原因となり
、従って製造歩留りを大幅に悪化させる要因となってい
る。この未充填不良は、封入工程において、放熱板裏面
の薄い樹脂層５を形成する部分への樹脂の進入が遅い為
に生じている。
ートシンク付パッケージでは、放熱板２の裏面部の樹脂
厚を０．１〜０．３ミリメートルと薄く形成する必要が
ある。このことは、集積回路パッケージの製造工程に於
いて、放熱板２及び放熱板上にマウントされた集積回路
チップ４などをモールド樹脂１で封入する封入工程にお
いて、樹脂の未充填という不良を多発させる原因となり
、従って製造歩留りを大幅に悪化させる要因となってい
る。この未充填不良は、封入工程において、放熱板裏面
の薄い樹脂層５を形成する部分への樹脂の進入が遅い為
に生じている。
【０００６】図４（ａ），（ｂ）はその封入工程の途中
の断面図を示している。この場合、封入金型６のゲート
８から樹脂がキャビティ９内に注入される様子を示して
いる。放熱板２の裏面部のキャビティ９は間隙７が狭く
モールド樹脂１ａの進入が他の部分より非常に遅い。従
って図４（ｂ）に示すように、ゲート８の側以外の部分
から放熱板２の裏面への樹脂の進入が起こり、エアを封
じ込めるため、空隙１１即ち未充填部を非常に生じやす
く、封入工程の歩留りを大幅に悪化させている。
の断面図を示している。この場合、封入金型６のゲート
８から樹脂がキャビティ９内に注入される様子を示して
いる。放熱板２の裏面部のキャビティ９は間隙７が狭く
モールド樹脂１ａの進入が他の部分より非常に遅い。従
って図４（ｂ）に示すように、ゲート８の側以外の部分
から放熱板２の裏面への樹脂の進入が起こり、エアを封
じ込めるため、空隙１１即ち未充填部を非常に生じやす
く、封入工程の歩留りを大幅に悪化させている。
【０００７】この空隙１１の発生を防止するため、封入
金型６のゲート部８の形状を工夫し、樹脂の注入方向を
制御する方法がとられているものもあり、若干の効果は
認められるが、本質的な解決には至っていない。
金型６のゲート部８の形状を工夫し、樹脂の注入方向を
制御する方法がとられているものもあり、若干の効果は
認められるが、本質的な解決には至っていない。
【０００８】本発明の目的は、このような問題を解決し
、モールド樹脂の未充填の不良を防止し、製造歩留りを
改善した集積回路パッケージを提供することにある。
、モールド樹脂の未充填の不良を防止し、製造歩留りを
改善した集積回路パッケージを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、集積回
路チップが載置されかつ１本のリードに接続された放熱
板を、封入金型に挿入して樹脂封止された絶縁型ヒート
シンク付集積回路パッケージにおいて、前記放熱板は、
その裏面に前記封入金型のゲート側の一部分から延長さ
れる少くとも１本の溝が設けられていることを特徴とす
る。
路チップが載置されかつ１本のリードに接続された放熱
板を、封入金型に挿入して樹脂封止された絶縁型ヒート
シンク付集積回路パッケージにおいて、前記放熱板は、
その裏面に前記封入金型のゲート側の一部分から延長さ
れる少くとも１本の溝が設けられていることを特徴とす
る。
【００１０】
【実施例】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例に用
いる放熱板の斜視図およびその注入工程を説明する断面
図である。ここでは、放熱板２の裏面を上に、表面（集
積回路チップ４の搭載面）を下にして示している。
いる放熱板の斜視図およびその注入工程を説明する断面
図である。ここでは、放熱板２の裏面を上に、表面（集
積回路チップ４の搭載面）を下にして示している。
【００１１】図１（ａ）のように、この放熱板２はその
裏側に幅０．１〜０．５ミリメートル程度、深さ０．１
〜０．５ミリメートル程度、長さは放熱板長さの５０〜
８０パーセント程度の溝１２〜１４を設けている。この
溝１２〜１４は、封入工程において樹脂が進入する方向
に３本設けられている。
裏側に幅０．１〜０．５ミリメートル程度、深さ０．１
〜０．５ミリメートル程度、長さは放熱板長さの５０〜
８０パーセント程度の溝１２〜１４を設けている。この
溝１２〜１４は、封入工程において樹脂が進入する方向
に３本設けられている。
【００１２】本実施例の封入工程においては、図１（ｂ
）のように、溝１３の部分は当然封入金型６と放熱板２
の間隙が広くなり、この部分での樹脂の進入が促進され
、溝に進入した樹脂は次第に溝以外の部分にも広がって
行き、結果として放熱板の裏全体の樹脂進入が促進され
ていることになる。
）のように、溝１３の部分は当然封入金型６と放熱板２
の間隙が広くなり、この部分での樹脂の進入が促進され
、溝に進入した樹脂は次第に溝以外の部分にも広がって
行き、結果として放熱板の裏全体の樹脂進入が促進され
ていることになる。
【００１３】従って放熱板１の裏の樹脂進入が遅いこと
により、他の部分から樹脂がまわり込み、エアの封じ込
めるという問題は解決できる。
により、他の部分から樹脂がまわり込み、エアの封じ込
めるという問題は解決できる。
【００１４】図２は、本発明の第２の実施例に用いる放
熱板の斜視図を示している。本実施例は、放熱板２の溝
１２〜１３の端部分の形状を広げて開口部１５を設けた
ものである。この開口部１５によって、封入工程での溝
１２〜１４の部分への樹脂の進入を更に促進することが
出来る。
熱板の斜視図を示している。本実施例は、放熱板２の溝
１２〜１３の端部分の形状を広げて開口部１５を設けた
ものである。この開口部１５によって、封入工程での溝
１２〜１４の部分への樹脂の進入を更に促進することが
出来る。
【００１５】この場合、溝１２〜１４を設けることによ
り、放熱板２の裏の樹脂厚の薄い部分５の面積が、従来
構造に比較し小さくなり、相対的に熱抵抗が大きくなる
心配があるが、溝１２〜１４の部分の面積を放熱板２の
全体の面積の数％以下にすれば、実用上は殆んど問題な
い。
り、放熱板２の裏の樹脂厚の薄い部分５の面積が、従来
構造に比較し小さくなり、相対的に熱抵抗が大きくなる
心配があるが、溝１２〜１４の部分の面積を放熱板２の
全体の面積の数％以下にすれば、実用上は殆んど問題な
い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、放熱板に
樹脂を注入しやすくした溝を設けることにより、絶縁型
ヒートシンク付集積回路パッケージの封入工程において
未充填不良を防止出来、装置歩留を改善できるという効
果がある。
樹脂を注入しやすくした溝を設けることにより、絶縁型
ヒートシンク付集積回路パッケージの封入工程において
未充填不良を防止出来、装置歩留を改善できるという効
果がある。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例に用いる放
熱板の斜視図およびその組立時の断面図。
熱板の斜視図およびその組立時の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例に用いる放熱板の斜視図
。
。
【図３】（ａ），（ｂ）は従来例の集積回路の斜視図お
よびその断面図。
よびその断面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は図３の封入工程を説明する断
面図。
面図。
１，１ａ モールド樹脂
２ 放熱板
３ リード
４ 集積回路チップ
５ 薄い樹脂層
６ 封入金型
７ キャビティ間隙
８ ゲート部
９ キャビティ部
１１ キャビティ内に生じた空隙１２〜１４
溝部 １５ 開口部
溝部 １５ 開口部
Claims (1)
- 【請求項１】 集積回路チップが載置されかつ１本の
リードに接続された放熱板を、封入金型に挿入して樹脂
封止された絶縁型ヒートシンク付集積回路パッケージに
おいて、前記放熱板は、その裏面に前記封入金型のゲー
ト側の一部分から延長される少くとも１本の溝が設けら
れていることを特徴とする集積回路パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3971491A JPH04277660A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 集積回路パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3971491A JPH04277660A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 集積回路パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04277660A true JPH04277660A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12560659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3971491A Pending JPH04277660A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 集積回路パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04277660A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5814878A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2008243970A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013161956A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP3971491A patent/JPH04277660A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5814878A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2008243970A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013161956A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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