JP2509607B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜発明の目的＞ （産業上の利用分野） 本発明は樹脂封止型半導体装置の改良に関わるもの
で、特にトランジスタアレイ、SCRアレイなどのパワー
モジュールやパワートランジスタならびにパワーSSORな
どの高出力半導体装置に適用する二重モールドを施した
樹脂封止型半導体の改良に好適する。
で、特にトランジスタアレイ、SCRアレイなどのパワー
モジュールやパワートランジスタならびにパワーSSORな
どの高出力半導体装置に適用する二重モールドを施した
樹脂封止型半導体の改良に好適する。
（従来の技術） 最近の半導体装置は、単一の半導体素子から成るもの
以外に、複数の半導体素子ならびに付属回路部品を一体
としたモジュールタイプが多用されており、その放熱性
を改善するにリードフレームにマウントした半導体素子
と共に、放熱フインもトランスファ成形する方法が採用
されている。
以外に、複数の半導体素子ならびに付属回路部品を一体
としたモジュールタイプが多用されており、その放熱性
を改善するにリードフレームにマウントした半導体素子
と共に、放熱フインもトランスファ成形する方法が採用
されている。
このようなモジュール製品では、複数の半導体素子を
マウントできる寸法の大きいリードフレームを用いるた
めに樹脂封止成形工程中に湾曲して、放熱フインとリー
ドフレームのベッド部間距離が異常に狭くなったり拡げ
られることがある。
マウントできる寸法の大きいリードフレームを用いるた
めに樹脂封止成形工程中に湾曲して、放熱フインとリー
ドフレームのベッド部間距離が異常に狭くなったり拡げ
られることがある。
このために、樹脂封止（トランスファモールド）工程
を複数回に分けて実施する方法が採用されているため
に、リードフレームのベッドと放熱フイン間の距離を所
望の値に維持できるので、放熱性の改善に役立つことが
多い。
を複数回に分けて実施する方法が採用されているため
に、リードフレームのベッドと放熱フイン間の距離を所
望の値に維持できるので、放熱性の改善に役立つことが
多い。
二重モールドを行った製品の断面を示す第11図により
説明すると、この構造を得るには第１の樹脂封止を終え
た成形品Ａを、リードフレームのベッド部20裏面と放熱
フイン21を僅かな距離を保って配置後、第１の樹脂封止
部22と同様なエポキシ樹脂によって封止成形を行って第
２の樹脂封止部23を設ける。この二重モールド方式の結
果、ベッド部20にダイボンディングした半導体素子24な
らびにリードフレームのリード端子25を架橋する金属細
線26等が埋設すると共に、放熱フイン21の一面は封止樹
脂に連続した状態となり、共に表面を形成する。
説明すると、この構造を得るには第１の樹脂封止を終え
た成形品Ａを、リードフレームのベッド部20裏面と放熱
フイン21を僅かな距離を保って配置後、第１の樹脂封止
部22と同様なエポキシ樹脂によって封止成形を行って第
２の樹脂封止部23を設ける。この二重モールド方式の結
果、ベッド部20にダイボンディングした半導体素子24な
らびにリードフレームのリード端子25を架橋する金属細
線26等が埋設すると共に、放熱フイン21の一面は封止樹
脂に連続した状態となり、共に表面を形成する。
（発明が解決しようとする問題点） 二重モールド方式を適用した樹脂封止型半導体装置
は、前述のように放熱フインと半導体素子をダイボンデ
ィングしたリードフレームのベッド部間を僅かな距離に
成形し、更にこの隙間に封止樹脂を充填するので熱放熱
性に優れた特徴を持っている。これに反して、前記隙間
には封止樹脂が入り難いので、エアボイドが発生し易
い。又両封止部の境界に機械的衝撃が与えられると、亀
裂やエアギャップが入り易い難点があり、これが基で放
熱特性が劣化する。
は、前述のように放熱フインと半導体素子をダイボンデ
ィングしたリードフレームのベッド部間を僅かな距離に
成形し、更にこの隙間に封止樹脂を充填するので熱放熱
性に優れた特徴を持っている。これに反して、前記隙間
には封止樹脂が入り難いので、エアボイドが発生し易
い。又両封止部の境界に機械的衝撃が与えられると、亀
裂やエアギャップが入り易い難点があり、これが基で放
熱特性が劣化する。
本発明は上記欠点を除去する新規な樹脂封止型半導体
装置を提供する。
装置を提供する。
（問題点を解決するための手段） 二重モールド方式を適用した樹脂封止型半導体装置に
おける板状の放熱フインと、リードフレームのベッド部
即ち導電性金属板間を充填する第２の樹脂封止部のエア
ギャップ等を解消するために、極めて狭い隙間につなが
る板状の放熱フインと第１の樹脂封止部間の距離と前記
導電性金属板にマウントした半導体素子と電気的な接続
を図るべく固着した金属細線にはリード端子を連結し、
これに対応する第１の樹脂封止部と板状の放熱フイン間
の距離を準次増大する手法を採用した。又、板状の放熱
フインとリードフレームのベッド部即ち導電性金属板間
の隙間に充填する第２の樹脂封止部に発生するエアギャ
ップ等を解消するために、半導体素子、リード端子及び
金属細線を埋設する第１の樹脂封止部の中、放熱フイン
と反対側に位置し前記導電性金属板に対応する表面をほ
ぼ十字形に露出し、その周りに形成する段部に第２の樹
脂封止部を充填して第１の樹脂封止部を締付けて、エア
ギャップを解消する。
おける板状の放熱フインと、リードフレームのベッド部
即ち導電性金属板間を充填する第２の樹脂封止部のエア
ギャップ等を解消するために、極めて狭い隙間につなが
る板状の放熱フインと第１の樹脂封止部間の距離と前記
導電性金属板にマウントした半導体素子と電気的な接続
を図るべく固着した金属細線にはリード端子を連結し、
これに対応する第１の樹脂封止部と板状の放熱フイン間
の距離を準次増大する手法を採用した。又、板状の放熱
フインとリードフレームのベッド部即ち導電性金属板間
の隙間に充填する第２の樹脂封止部に発生するエアギャ
ップ等を解消するために、半導体素子、リード端子及び
金属細線を埋設する第１の樹脂封止部の中、放熱フイン
と反対側に位置し前記導電性金属板に対応する表面をほ
ぼ十字形に露出し、その周りに形成する段部に第２の樹
脂封止部を充填して第１の樹脂封止部を締付けて、エア
ギャップを解消する。
（作用） 極めて狭い隙間に充填する溶融樹脂の通路を順次縮小
するように配慮しているので、入り易く従ってエアボイ
ドの発生を防止して、樹脂封止型半導体装置に必要な絶
縁性と熱放散性を確保する。
するように配慮しているので、入り易く従ってエアボイ
ドの発生を防止して、樹脂封止型半導体装置に必要な絶
縁性と熱放散性を確保する。
十字形を構成する辺の一方は、封止樹脂成形工程にお
ける溶融樹脂のダムとして機能し、更に金型に配置した
被封止対象内では段部の設置により隙間に充填すべき溶
融樹脂に流れができて脱気が確実となり、結果的にエア
ボイドの排除ひいては樹脂封止型半導体装置の信頼性を
向上する。
ける溶融樹脂のダムとして機能し、更に金型に配置した
被封止対象内では段部の設置により隙間に充填すべき溶
融樹脂に流れができて脱気が確実となり、結果的にエア
ボイドの排除ひいては樹脂封止型半導体装置の信頼性を
向上する。
（実施例） 本発明に関わる実施例を第１図〜第10図を参照して説
明する。本実施例は、６個の半導体素子で構成する回路
（第５図参照）を持つ樹脂封止型半導体装置であり、各
半導体素子をマウントするリードフレームの複雑な構造
を図２図の上面図に示す。
明する。本実施例は、６個の半導体素子で構成する回路
（第５図参照）を持つ樹脂封止型半導体装置であり、各
半導体素子をマウントするリードフレームの複雑な構造
を図２図の上面図に示す。
ベッド部即ち導電性金属板１…にマウントされる各半
導体素子２…によるパターンは、複雑であると共に高密
度であることが良く分る。一方リードフレームは第２図
などに示すように導電性金属板１と内部リード端子３な
らびに後述するように金属細線５をボンディングする外
部リード端子４の３部分の高さを変えるように折曲げ
て、導電性金属板１…を最低の位置にする。即ち、導電
性金属板１…をいわゆるDepressタイプの構造とする。
導体素子２…によるパターンは、複雑であると共に高密
度であることが良く分る。一方リードフレームは第２図
などに示すように導電性金属板１と内部リード端子３な
らびに後述するように金属細線５をボンディングする外
部リード端子４の３部分の高さを変えるように折曲げ
て、導電性金属板１…を最低の位置にする。即ち、導電
性金属板１…をいわゆるDepressタイプの構造とする。
第１図に明らかなように、半導体素子２…に設けるパ
ッド２′と外部リード端子４間には通常のボンディング
法によって金属細線５を架橋して電気的に接続し、これ
をエンキャップ剤６によって被覆後公知のエポキシ樹脂
によるトランスファモールド工程を施して第１の樹脂封
止部７を設ける。この結果半導体素子２、内外部リード
端子３、４は、金属細線５とエンキャップ剤６が埋設さ
れるものの、導電性金属板１の裏面は、第１の樹脂封止
部７表面に露出する。
ッド２′と外部リード端子４間には通常のボンディング
法によって金属細線５を架橋して電気的に接続し、これ
をエンキャップ剤６によって被覆後公知のエポキシ樹脂
によるトランスファモールド工程を施して第１の樹脂封
止部７を設ける。この結果半導体素子２、内外部リード
端子３、４は、金属細線５とエンキャップ剤６が埋設さ
れるものの、導電性金属板１の裏面は、第１の樹脂封止
部７表面に露出する。
更に露出した導電性金属板１に対して僅かの距離を保
って、板状の放熱フイン８を樹脂モールド用金型内に設
けて、第２の樹脂封止部９を設置する。この場合、｛板
状の放熱フイン８と導電性金属板１の距離C1＜内部リー
ド３に対応する第１の樹脂封止部７と板状の放熱フイン
８間の距離C2＜外部リード４に対応する第１の樹脂封止
部７と板状の放熱フイン８間の距離C3｝として溶融樹脂
が流易いよう配慮している。
って、板状の放熱フイン８を樹脂モールド用金型内に設
けて、第２の樹脂封止部９を設置する。この場合、｛板
状の放熱フイン８と導電性金属板１の距離C1＜内部リー
ド３に対応する第１の樹脂封止部７と板状の放熱フイン
８間の距離C2＜外部リード４に対応する第１の樹脂封止
部７と板状の放熱フイン８間の距離C3｝として溶融樹脂
が流易いよう配慮している。
C2の距離を維持するには、板状の放熱フイン８の所定
の位置即ち内部リード端子３に対向する位置にプレス加
工で凹部10を設置するか、第９図に明らかなように第１
の樹脂封止部７の厚さを小さくしても良い。なおトラン
スファモールド工程におけるゲート位置はC3方向に設け
て前記のように溶融樹脂の流れを改善して最も狭いC1に
おける通過を良好にする。
の位置即ち内部リード端子３に対向する位置にプレス加
工で凹部10を設置するか、第９図に明らかなように第１
の樹脂封止部７の厚さを小さくしても良い。なおトラン
スファモールド工程におけるゲート位置はC3方向に設け
て前記のように溶融樹脂の流れを改善して最も狭いC1に
おける通過を良好にする。
更に溶融樹脂の流れに配慮した例が第３図、第６図〜
第９図であり、結果的には第２の樹脂封止部９が第１の
樹脂封止部７を締付けて、板状の放熱フイン８と導電性
金属板１間のエアギャップを防止する。
第９図であり、結果的には第２の樹脂封止部９が第１の
樹脂封止部７を締付けて、板状の放熱フイン８と導電性
金属板１間のエアギャップを防止する。
第４図は、第２の樹脂封止部９の形成ならびにCut工
程を終えた樹脂封止型半導体装置の上面図であり、第１
の樹脂封止部７と第２の樹脂封止部９が連続状態にな
り、共に表面を構成している。しかし、第１の樹脂封止
部７の外側には7a〜7dから成る段部を設置している。
程を終えた樹脂封止型半導体装置の上面図であり、第１
の樹脂封止部７と第２の樹脂封止部９が連続状態にな
り、共に表面を構成している。しかし、第１の樹脂封止
部７の外側には7a〜7dから成る段部を設置している。
第３図イは、第１の樹脂封止部７形成後不要部分を除
去した成形品の平面図であり、これをＡ−Ａ線で切断し
た図が第３図ロである。
去した成形品の平面図であり、これをＡ−Ａ線で切断し
た図が第３図ロである。
この段部7a〜7dは第２の樹脂封止部９との密着を良く
するために、半導体素子の外側言い換えると導電性金属
板１…の中間位置に形成される。その成形には、段部7a
〜7dに相当する上型キャビティの成形型を使用し、かつ
導電性金属板１…の表面を下型キャビティの表面に密着
配置してトランスファモールド工程を実施して得られ
る。
するために、半導体素子の外側言い換えると導電性金属
板１…の中間位置に形成される。その成形には、段部7a
〜7dに相当する上型キャビティの成形型を使用し、かつ
導電性金属板１…の表面を下型キャビティの表面に密着
配置してトランスファモールド工程を実施して得られ
る。
第６図〜第８図は第４図に示したＢ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ
−Ｄの各線に沿って切断した製品の断面図であり、第１
の樹脂封止部７の段部7a〜7dに対応してエポキシ樹脂で
構成する第２の樹脂封止部9a（図では9aのみ記載）が充
填され、第７図に示す段部テーパ7eは第２の樹脂封止部
９に対してUnder Cutの逆テーパであり、好ましくは５
゜、より好ましくは10゜以上に設置する。
−Ｄの各線に沿って切断した製品の断面図であり、第１
の樹脂封止部７の段部7a〜7dに対応してエポキシ樹脂で
構成する第２の樹脂封止部9a（図では9aのみ記載）が充
填され、第７図に示す段部テーパ7eは第２の樹脂封止部
９に対してUnder Cutの逆テーパであり、好ましくは５
゜、より好ましくは10゜以上に設置する。
この段部は半導体素子２の外側をほぼ囲んで設けられ
ているので、C1の距離を持つ導電性金属板１と板状の放
熱フイン８間に充填する第２の樹脂封止部９の密着性が
改善されて、第１の樹脂封止部７を締付ける効果を発揮
する。
ているので、C1の距離を持つ導電性金属板１と板状の放
熱フイン８間に充填する第２の樹脂封止部９の密着性が
改善されて、第１の樹脂封止部７を締付ける効果を発揮
する。
又第２の樹脂封止部９に露出する第１の樹脂封止部７
は各導電性金属板１にほぼ対向しており、しかも各導電
性金属板１…間換言すると、内外部リード端子が存在す
る位置に対向する部分を多少延長して上面から見るほぼ
十字形に形成され、これを連続すると第４図の上面図が
得られる。
は各導電性金属板１にほぼ対向しており、しかも各導電
性金属板１…間換言すると、内外部リード端子が存在す
る位置に対向する部分を多少延長して上面から見るほぼ
十字形に形成され、これを連続すると第４図の上面図が
得られる。
尚第４図に示すように第１の樹脂封止部７が露出する
面積は第１の樹脂封止部７の投影面積の約50％が好まし
く、密着力を強めるために少くするとC1距離を所望の寸
法に収めることができずボイドが抜けず絶縁不良をもた
らす。これは第２の樹脂封止部９成形時にC1距離を持っ
た隙間が後から充填されてここでの樹脂圧が小さくなる
上に、ボイドを差込み易いためである。
面積は第１の樹脂封止部７の投影面積の約50％が好まし
く、密着力を強めるために少くするとC1距離を所望の寸
法に収めることができずボイドが抜けず絶縁不良をもた
らす。これは第２の樹脂封止部９成形時にC1距離を持っ
た隙間が後から充填されてここでの樹脂圧が小さくなる
上に、ボイドを差込み易いためである。
第９図は以上の工程を終えた樹脂封止型半導体装置の
他の部分を示す断面図である。
他の部分を示す断面図である。
＜発明の効果＞ 二重モールド方式を採用した樹脂封止型半導体装置で
は、板状放熱フイン８と第１の樹脂封止部７間に第２の
樹脂封止部９が充填され易くてエアボイドが派生し難
い。従って、半導体装置の耐絶縁性が安定して高耐圧素
子が得られる効果があり、しかもリード端子の自由度み
従来より増大する。
は、板状放熱フイン８と第１の樹脂封止部７間に第２の
樹脂封止部９が充填され易くてエアボイドが派生し難
い。従って、半導体装置の耐絶縁性が安定して高耐圧素
子が得られる効果があり、しかもリード端子の自由度み
従来より増大する。
又厚さ2mmの板状放熱フイン８を使用して外形寸法が7
7（幅）×27（高）×７（厚）mmの第４図に示す樹脂封
止型半導体装置を試料としてC1を0.34mmとすると、ピー
ク値としてAC7Kvを１分でクイラでき、0.3mmではAC4.9K
vを１分でクリアした。
7（幅）×27（高）×７（厚）mmの第４図に示す樹脂封
止型半導体装置を試料としてC1を0.34mmとすると、ピー
ク値としてAC7Kvを１分でクイラでき、0.3mmではAC4.9K
vを１分でクリアした。
又、厚さが2mmの板状の放熱フイン８を利用し、外形
寸法が77（幅）×27（高）×７（厚）mmの樹脂封止型半
導体装置を第２図に示すリードフレームを利用して前記
の方法で製造し、各半導体素子２…それぞれにおける熱
抵抗Rthの分布を測定し、機械的衝撃として75cmの鉄板
上に５回落下させる試験、ならびにアルミ製放熱板に8K
g・cm、12Kg・cm、30Kg・cmで締付トルク試験を実施し
てから熱抵抗分布を求めた。
寸法が77（幅）×27（高）×７（厚）mmの樹脂封止型半
導体装置を第２図に示すリードフレームを利用して前記
の方法で製造し、各半導体素子２…それぞれにおける熱
抵抗Rthの分布を測定し、機械的衝撃として75cmの鉄板
上に５回落下させる試験、ならびにアルミ製放熱板に8K
g・cm、12Kg・cm、30Kg・cmで締付トルク試験を実施し
てから熱抵抗分布を求めた。
その結果は第10図に示す通りであるが、試験後の熱抵
抗値は初期値と殆ど変らず、機械的衝撃及び締付けに対
して極めて安定した値を示している。又同じ試料により
絶縁耐圧と、C1距離を持つ隙間の関係を調査したとこ
ろ、絶縁耐圧はAC4.9Kv×１分印加（ACピーク値）をク
リアし、隙間寸法を断面観察により確認したところ、狙
い値に対して0.3±0.04と極めて安定した値を示した。
尚縦軸にRth（ｊ−ｃ）値単位℃/Wを、横軸に半導体素
子の位置を採り、初期値と試験値を区別して示した。
抗値は初期値と殆ど変らず、機械的衝撃及び締付けに対
して極めて安定した値を示している。又同じ試料により
絶縁耐圧と、C1距離を持つ隙間の関係を調査したとこ
ろ、絶縁耐圧はAC4.9Kv×１分印加（ACピーク値）をク
リアし、隙間寸法を断面観察により確認したところ、狙
い値に対して0.3±0.04と極めて安定した値を示した。
尚縦軸にRth（ｊ−ｃ）値単位℃/Wを、横軸に半導体素
子の位置を採り、初期値と試験値を区別して示した。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の要部を示
す断面図、第２図はリードフレームの平面図、第３図イ
は第１の樹脂封止工程後の状態を示す上面図、第３図ロ
は第３図イをＡ−Ａ線に沿って切断した断面図、第４図
は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の上面図、第５図
は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の回路図、第６図
〜第８図は第４図をＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線に沿
って切断した断面図、第９図は本発明に係る樹脂封止型
半導体装置の他の要部を示す断面図、第10図は本発明に
係る樹脂封止型半導体装置の特性を明らかにする図、第
11図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
す断面図、第２図はリードフレームの平面図、第３図イ
は第１の樹脂封止工程後の状態を示す上面図、第３図ロ
は第３図イをＡ−Ａ線に沿って切断した断面図、第４図
は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の上面図、第５図
は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の回路図、第６図
〜第８図は第４図をＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線に沿
って切断した断面図、第９図は本発明に係る樹脂封止型
半導体装置の他の要部を示す断面図、第10図は本発明に
係る樹脂封止型半導体装置の特性を明らかにする図、第
11図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】導電性金属板表面にマウントする半導体素
子と，この周囲に配置する遊端を持つリード端子と，こ
のリード端子と前記半導体素子間を架橋する金属細線
と，この金属細線及び前記半導体素子を埋設し前記導電
性金属板の裏面を露出して封止成形する第１の樹脂封止
部と，前記導電性金属板の裏面と僅かの距離を維持して
対向配置する板状の放熱フインと，この僅かな距離を埋
め前記板状の放熱フインの裏面を露出し前記第１の樹脂
封止部を含めて封止成形する第２の樹脂封止部をもつ樹
脂封止型半導体装置において，前記板状の放熱フインと
導電性金属板裏面間の距離を最小とし，前記放熱フイン
と第１の樹脂封止部間の距離、前記金属細線を接続する
前記リード端子に対応する第１の樹脂封止部と前記放熱
フイン間の距離を順次増大することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置 - 【請求項２】導電性金属板表面にマウントする半導体素
子と，この周囲に配置する遊端を持つリード端子と，こ
のリード端子と前記半導体素子間を架橋する金属細線
と，この金属細線及び前記半導体素子を埋設し前記導電
性金属板の裏面を露出して封止成形する第１の樹脂封止
部と，前記導電性金属板の裏面と僅かの距離を維持して
対向配置する板状の放熱フインと，この僅かな距離を埋
め前記板状の放熱フインの裏面を露出し前記第１の樹脂
封止部を含めて封止成形する第２の樹脂封止部をもつ樹
脂封止型半導体装置において，前記板状の放熱フインと
導電性金属板裏面間の距離を最小とし、前記放熱フイン
と第１の樹脂封止部間の距離，前記金属細線を接続する
前記リード端子に対応する第１の樹脂封止部と前記放熱
フイン間の距離を順次増大すると共に，前記放熱フイン
と反対側に位置し前記第１の樹脂封止部表面部分をほぼ
十字形に露出し，その周りに形成する段部にも前記第２
の樹脂封止部部分を充填することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6571587A JP2509607B2 (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6571587A JP2509607B2 (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63233555A JPS63233555A (ja) | 1988-09-29 |
| JP2509607B2 true JP2509607B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=13294993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6571587A Expired - Lifetime JP2509607B2 (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2509607B2 (ja) |
Families Citing this family (62)
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|---|---|---|---|---|
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| US6143981A (en) * | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
| US6281568B1 (en) | 1998-10-21 | 2001-08-28 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad |
| JP2000164788A (ja) | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Anam Semiconductor Inc | 半導体パッケ―ジ用リ―ドフレ―ムとこれを用いた半導体パッケ―ジ及びその製造方法 |
| KR200309906Y1 (ko) | 1999-06-30 | 2003-04-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 |
| JP3560869B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2004-09-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100355796B1 (ko) | 1999-10-15 | 2002-10-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지용 리드프레임 및 이를 봉지하기 위한 금형 구조 |
| KR100403142B1 (ko) | 1999-10-15 | 2003-10-30 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| KR100526844B1 (ko) | 1999-10-15 | 2005-11-08 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 및 그 제조방법 |
| KR100355795B1 (ko) | 1999-10-15 | 2002-10-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 및 그 제조 방법 |
| KR100364978B1 (ko) | 1999-10-15 | 2002-12-16 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지의 와이어 본딩용 클램프 및 히트블록 |
| US6525406B1 (en) | 1999-10-15 | 2003-02-25 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having increased moisture path and increased solder joint strength |
| KR100355794B1 (ko) | 1999-10-15 | 2002-10-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지 |
| KR20010037252A (ko) | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 제조용 금형 |
| KR20010037254A (ko) | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
| KR20010037247A (ko) | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
| KR20010056618A (ko) | 1999-12-16 | 2001-07-04 | 프랑크 제이. 마르쿠치 | 반도체패키지 |
| US6580159B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-06-17 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit device packages and substrates for making the packages |
| US6847103B1 (en) | 1999-11-09 | 2005-01-25 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe |
| US6476478B1 (en) | 1999-11-12 | 2002-11-05 | Amkor Technology, Inc. | Cavity semiconductor package with exposed leads and die pad |
| US6639308B1 (en) | 1999-12-16 | 2003-10-28 | Amkor Technology, Inc. | Near chip size semiconductor package |
| KR100421774B1 (ko) | 1999-12-16 | 2004-03-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 및 그 제조 방법 |
| KR100426494B1 (ko) | 1999-12-20 | 2004-04-13 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 이것의 제조방법 |
| KR20010058583A (ko) | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 마이클 디. 오브라이언 | 리드 엔드 그리드 어레이 반도체패키지 |
| KR100583494B1 (ko) | 2000-03-25 | 2006-05-24 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| US7042068B2 (en) | 2000-04-27 | 2006-05-09 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe and semiconductor package made using the leadframe |
| US6566164B1 (en) | 2000-12-07 | 2003-05-20 | Amkor Technology, Inc. | Exposed copper strap in a semiconductor package |
| KR20020058209A (ko) | 2000-12-29 | 2002-07-12 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
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-
1987
- 1987-03-23 JP JP6571587A patent/JP2509607B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS63233555A (ja) | 1988-09-29 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |