JPH04271076A - 光ディスクの傷欠陥検査方法 - Google Patents
光ディスクの傷欠陥検査方法Info
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- JPH04271076A JPH04271076A JP3077291A JP3077291A JPH04271076A JP H04271076 A JPH04271076 A JP H04271076A JP 3077291 A JP3077291 A JP 3077291A JP 3077291 A JP3077291 A JP 3077291A JP H04271076 A JPH04271076 A JP H04271076A
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- disk
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Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的手法を用いた光
ディスクの傷欠陥検査方法に関するものである。
ディスクの傷欠陥検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクの傷欠陥検査としては、図４
に示すように光ディスク３の半径方向に光学的リニアセ
ンサ５を配置してディスク面に対してセンサ側よりスリ
ット光を当てて反射光を受光して、その受光量を光学的
リニアセンサで検出することにより、リニアセンサの検
出光量に閾値を設けてその閾値から外れた値を明欠陥、
暗欠陥として検知する系において、ディスクを一回転さ
せてディスクの全周の傷欠陥を検査する方法が従来から
行われている。
に示すように光ディスク３の半径方向に光学的リニアセ
ンサ５を配置してディスク面に対してセンサ側よりスリ
ット光を当てて反射光を受光して、その受光量を光学的
リニアセンサで検出することにより、リニアセンサの検
出光量に閾値を設けてその閾値から外れた値を明欠陥、
暗欠陥として検知する系において、ディスクを一回転さ
せてディスクの全周の傷欠陥を検査する方法が従来から
行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では光学的リニアセンサを構成する個々の光学素子の
特性が異なり、特に図５に光学素子一個の静特性を示す
が、この図におけるバイアス量が光学素子各々について
異なると、このような検出光量と閾値を比較して欠陥を
判定する検査においては誤差の要因となる。そこで、校
正用ディスク１２を用いた光学素子個々のバイアス補正
が通常行われているが、バイアス量は温度変化や経時変
化等により変化するので傷欠陥検査する毎にバイアス補
正を行う必要があり、また校正板の準備、トレーサビリ
ティー等を考えると非経済的であった。
法では光学的リニアセンサを構成する個々の光学素子の
特性が異なり、特に図５に光学素子一個の静特性を示す
が、この図におけるバイアス量が光学素子各々について
異なると、このような検出光量と閾値を比較して欠陥を
判定する検査においては誤差の要因となる。そこで、校
正用ディスク１２を用いた光学素子個々のバイアス補正
が通常行われているが、バイアス量は温度変化や経時変
化等により変化するので傷欠陥検査する毎にバイアス補
正を行う必要があり、また校正板の準備、トレーサビリ
ティー等を考えると非経済的であった。
【０００４】本発明が解決しようとする課題は、従来の
光ディスクの半径方向に光学的リニアセンサを配置しデ
ィスクを回転させてディスクの全周の傷欠陥を検査する
方法において、校正用ディスクを用いた光学素子個々の
バイアス補正を行う手間を省いて、光学素子個々のバイ
アス量のばらつきを校正して、簡便にかつ高精度に測定
することができる光ディスクの傷欠陥検査方法を提供す
ることにある。
光ディスクの半径方向に光学的リニアセンサを配置しデ
ィスクを回転させてディスクの全周の傷欠陥を検査する
方法において、校正用ディスクを用いた光学素子個々の
バイアス補正を行う手間を省いて、光学素子個々のバイ
アス量のばらつきを校正して、簡便にかつ高精度に測定
することができる光ディスクの傷欠陥検査方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、光学素子個々のバイアス補正を行う代わり
に光学的リニアセンサを半径方向に移動させて異なる光
学素子で同一カ所を少なくとも二度測定することにより
リニアセンサ中の光学素子個々のバイアス量のばらつき
を自動的に校正することを特徴とする光ディスクの傷欠
陥検査方法を提供する。
するために、光学素子個々のバイアス補正を行う代わり
に光学的リニアセンサを半径方向に移動させて異なる光
学素子で同一カ所を少なくとも二度測定することにより
リニアセンサ中の光学素子個々のバイアス量のばらつき
を自動的に校正することを特徴とする光ディスクの傷欠
陥検査方法を提供する。
【０００６】
【作用】光学素子個々のバイアス量を取り除くことによ
り、光ディスクの傷欠陥を簡便に、かつ高精度に測定す
ることが可能となる。
り、光ディスクの傷欠陥を簡便に、かつ高精度に測定す
ることが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明について具体的
説明を行なう。なお、検査に使用したディスクは、ポリ
カーボネイト樹脂を射出成形することによって片側に内
径φ６０ｍｍ、外径φ１２０ｍｍの範囲で案内溝が形成
された厚さが１．２ｍｍ、内径がφ１５ｍｍ、直径がφ
１３０ｍｍであるような円盤状の基板の案内溝形成面側
にスパッタ法により記録膜を内径φ４２ｍｍ、外径φ１
２４ｍｍの範囲で成膜した物を使用した。
説明を行なう。なお、検査に使用したディスクは、ポリ
カーボネイト樹脂を射出成形することによって片側に内
径φ６０ｍｍ、外径φ１２０ｍｍの範囲で案内溝が形成
された厚さが１．２ｍｍ、内径がφ１５ｍｍ、直径がφ
１３０ｍｍであるような円盤状の基板の案内溝形成面側
にスパッタ法により記録膜を内径φ４２ｍｍ、外径φ１
２４ｍｍの範囲で成膜した物を使用した。
【０００８】まず、図１に示したようにディスクの記録
形成面を下側にして回転テーブル４上にディスクをチャ
ッキングして、ディスク上面よりディスク面の半径方向
に長さ６５ｍｍ、幅２ｍｍのスリット状のハロゲン光１
を照射して、その反射光をディスク上面に配したＣＣＤ
リニアセンサ５で受光する。ＣＣＤリニアセンサを構成
する光学素子は、図２に示したように１０μｍピッチで
５０００個ディスク半径方向に配置し、受光有効長さは
５０ｍｍである。 図２に示したように、この位置にＣＣＤリニアセンサを
固定した測定を１回目の測定とすると、ＣＣＤリニアセ
ンサの検出光量は、次式で表わすことができる。
形成面を下側にして回転テーブル４上にディスクをチャ
ッキングして、ディスク上面よりディスク面の半径方向
に長さ６５ｍｍ、幅２ｍｍのスリット状のハロゲン光１
を照射して、その反射光をディスク上面に配したＣＣＤ
リニアセンサ５で受光する。ＣＣＤリニアセンサを構成
する光学素子は、図２に示したように１０μｍピッチで
５０００個ディスク半径方向に配置し、受光有効長さは
５０ｍｍである。 図２に示したように、この位置にＣＣＤリニアセンサを
固定した測定を１回目の測定とすると、ＣＣＤリニアセ
ンサの検出光量は、次式で表わすことができる。
【０００９】
（ただし、Ｅ１，ｉ：ｉ番目の光学素子における１回目
測定の検出光量、Ａｉ：ｉ番目の光学素子における検出
光量の真値、Ｂｉ：ｉ番目の光学素子におけるバイアス
量、光学素子の測定点はディスク内周側より外周に向か
ってｉ＝０〜４９９９）
測定の検出光量、Ａｉ：ｉ番目の光学素子における検出
光量の真値、Ｂｉ：ｉ番目の光学素子におけるバイアス
量、光学素子の測定点はディスク内周側より外周に向か
ってｉ＝０〜４９９９）
【００１０】光学照射系、検出系の位置を固定した状態
で回転テーブルを一回転させて、ディスクの全周測定を
行ない、ディスク全面における検出光量Ｅ１はマルチプ
レクサ６、ＡＤ変換器７を介してＲＡＭ８に記憶されて
１回目の測定を終えた。しかしながら、この時点では光
学素子個々のバイアス量が異なるためＣＣＤリニアセン
サの真値は得られない。
で回転テーブルを一回転させて、ディスクの全周測定を
行ない、ディスク全面における検出光量Ｅ１はマルチプ
レクサ６、ＡＤ変換器７を介してＲＡＭ８に記憶されて
１回目の測定を終えた。しかしながら、この時点では光
学素子個々のバイアス量が異なるためＣＣＤリニアセン
サの真値は得られない。
【００１１】そこで、リニアパルスモーター１０を用い
て図３に示したようにＣＣＤリニアセンサを光学素子の
１素子ピッチ分、つまり１０μｍだけ半径方向に沿って
外周側へ移動させてＣＣＤリニアセンサの固定をして、
１回目同様に２回目の測定を行った。ＣＣＤセンサの検
出光量は、次式で表わすことができる。
て図３に示したようにＣＣＤリニアセンサを光学素子の
１素子ピッチ分、つまり１０μｍだけ半径方向に沿って
外周側へ移動させてＣＣＤリニアセンサの固定をして、
１回目同様に２回目の測定を行った。ＣＣＤセンサの検
出光量は、次式で表わすことができる。
【００１２】
（ただし、Ｅ２，ｉ：ｉ番目の光学素子における２回目
測定の検出光量）
測定の検出光量）
【００１３】１回目の測定同様、光学照射系、検出系の
位置を固定した状態で回転テーブルを一回転させて、デ
ィスクの全周測定を行ない、ディスク全面における検出
光量Ｅ２はマルチプレクサ、ＡＤ変換器を介してＲＡＭ
に記憶されて２回目の測定を終えた。
位置を固定した状態で回転テーブルを一回転させて、デ
ィスクの全周測定を行ない、ディスク全面における検出
光量Ｅ２はマルチプレクサ、ＡＤ変換器を介してＲＡＭ
に記憶されて２回目の測定を終えた。
【００１４】次に（１）式、（２）式から、ＣＰＵ９で
演算処理を行うことによって、真の検出光量Ａｉが次式
のように求まる。
演算処理を行うことによって、真の検出光量Ａｉが次式
のように求まる。
【００１５】ここでバイアス量Ｂ０が依然として残るも
のの、全ての検出光量に等しく加わっているので相対値
として考えると、閾値と比較して合否を判定する検査に
おいては、ほとんど問題ない。また、予めＢ０だけを測
定しておくと全ての真の検出光量Ａｉを容易に求めるこ
とができる。
のの、全ての検出光量に等しく加わっているので相対値
として考えると、閾値と比較して合否を判定する検査に
おいては、ほとんど問題ない。また、予めＢ０だけを測
定しておくと全ての真の検出光量Ａｉを容易に求めるこ
とができる。
【００１６】その後、ここで求めた検出光量Ａｉに対し
て閾値レベルを１０５％と８５％に設定して、その閾値
レベルを上回った場合を明欠陥箇所、下回った場合を暗
欠陥箇所と検知してディスク全面における傷欠陥検査を
行ったところ、光学素子間で検出光量Ａｉの２〜１０％
を占めるバイアス量をキャンセルすることができ、高精
度な傷欠陥検査を実現することができた。ここではＣＣ
Ｄリニアセンサを光学素子間ピッチ分だけ移動して測定
したが、移動量は光学素子間ピッチの整数倍でも可能で
ある。
て閾値レベルを１０５％と８５％に設定して、その閾値
レベルを上回った場合を明欠陥箇所、下回った場合を暗
欠陥箇所と検知してディスク全面における傷欠陥検査を
行ったところ、光学素子間で検出光量Ａｉの２〜１０％
を占めるバイアス量をキャンセルすることができ、高精
度な傷欠陥検査を実現することができた。ここではＣＣ
Ｄリニアセンサを光学素子間ピッチ分だけ移動して測定
したが、移動量は光学素子間ピッチの整数倍でも可能で
ある。
【００１７】さらに、ここでは反射光を用いた光ディス
クの傷欠陥検査法について述べたが、透過光を用いた記
録膜成膜前のディスクの傷欠陥検査についても同様に本
発明を適用することができる。
クの傷欠陥検査法について述べたが、透過光を用いた記
録膜成膜前のディスクの傷欠陥検査についても同様に本
発明を適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、従来の光ディスクの
傷欠陥検査方法においては、検査する毎に校正用ディス
クを用いて光学素子個々のバイアス補正をする必要があ
ったが、本発明の傷欠陥検査方法によれば、光学的リニ
アセンサを移動させて少なくとも二度測定することによ
って、光学素子個々のバイアス補正をすることなく簡便
に、かつ高精度に光ディスクの傷欠陥検査を行うことが
できる。
傷欠陥検査方法においては、検査する毎に校正用ディス
クを用いて光学素子個々のバイアス補正をする必要があ
ったが、本発明の傷欠陥検査方法によれば、光学的リニ
アセンサを移動させて少なくとも二度測定することによ
って、光学素子個々のバイアス補正をすることなく簡便
に、かつ高精度に光ディスクの傷欠陥検査を行うことが
できる。
【図１】本発明の実施例に示した光ディスクの傷欠陥検
査方法の構成図である。
査方法の構成図である。
【図２】本発明の実施例に示した１回目測定のＣＣＤリ
ニアセンサと光ディスクとの位置関係を示した上面図で
ある。
ニアセンサと光ディスクとの位置関係を示した上面図で
ある。
【図３】本発明の実施例に示した２回目測定のＣＣＤリ
ニアセンサと光ディスクとの位置関係を示した上面図で
ある。
ニアセンサと光ディスクとの位置関係を示した上面図で
ある。
【図４】従来の光ディスクの傷欠陥検査方法の構成図で
ある。
ある。
【図５】光学素子における受光量と検出光量の関係の代
表例を示した図表である。
表例を示した図表である。
１ ハロゲンランプ
２ 全反射ミラー
３ 光ディスク
４ 回転テーブル
５ ＣＣＤリニアセンサ
６ マルチプレクサ
７ ＡＤ変換器
８ ＲＡＭ
９ ＣＰＵ
１０ リニアパルスモーター
１１ 光学素子
１２ 校正用ディスク
Claims (2)
- 【請求項１】 光ディスクの半径方向に光学的リニア
センサを配置し、ディスク面にスリット光を当ててディ
スクを回転させながら受光量を光学的リニアセンサで検
出して予め設定した閾値と比較してディスクの全周の傷
欠陥を検査する方法において、光学的リニアセンサを半
径方向に移動させて少なくとも二度測定することにより
光学的リニアセンサを構成する光学素子個々の感度ばら
つきを自動的に校正することを特徴とする光ディスクの
傷欠陥検査方法。 - 【請求項２】 光学的リニアセンサの移動量を光学素
子間ピッチの整数倍にして、異なる光学素子で同一カ所
を少なくとも二度測定することにより光学素子個々のバ
イアス量を取り除き、光学素子個々の感度ばらつきを自
動的に校正することを特徴とする請求項１記載の光ディ
スクの傷欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077291A JPH04271076A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 光ディスクの傷欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077291A JPH04271076A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 光ディスクの傷欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271076A true JPH04271076A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=12312975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3077291A Pending JPH04271076A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 光ディスクの傷欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271076A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG120132A1 (en) * | 2003-11-21 | 2006-03-28 | Seagate Technology Llc | Scratch fill using scratch tracking table |
| US8077580B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-12-13 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording and reproducing apparatus |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP3077291A patent/JPH04271076A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG120132A1 (en) * | 2003-11-21 | 2006-03-28 | Seagate Technology Llc | Scratch fill using scratch tracking table |
| US8077580B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-12-13 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording and reproducing apparatus |
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