JPH0424937A - 欠陥検査装置およびそれを備えたプローバ - Google Patents
欠陥検査装置およびそれを備えたプローバInfo
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- JPH0424937A JPH0424937A JP12575190A JP12575190A JPH0424937A JP H0424937 A JPH0424937 A JP H0424937A JP 12575190 A JP12575190 A JP 12575190A JP 12575190 A JP12575190 A JP 12575190A JP H0424937 A JPH0424937 A JP H0424937A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、欠陥検査技術およびそれを備えたプローバに
関し、特に、半導体集積回路装置の製造工程における外
観検査などに適用して有効な技術に関する。
関し、特に、半導体集積回路装置の製造工程における外
観検査などに適用して有効な技術に関する。
たとえば、メモリ素子などの半導体集積回路装置におい
ては、α線によるソフトエラーを低減させるなどの観点
から、当該α線からの素子の保護に有効で、しかも耐熱
性や絶縁性などにも優れたポリイミド樹脂などを層間絶
縁族や、最終的な保護絶縁膜として使用することが行わ
れている。
ては、α線によるソフトエラーを低減させるなどの観点
から、当該α線からの素子の保護に有効で、しかも耐熱
性や絶縁性などにも優れたポリイミド樹脂などを層間絶
縁族や、最終的な保護絶縁膜として使用することが行わ
れている。
すなわち、最終的な保護絶縁膜として用いる場合には、
所望の素子構造や配線構造の形成を終えた半導体基板の
表面に、回転塗布などの方法によって所望の厚さに液状
のポリイミド樹脂を塗着して熱硬化させて保護絶縁膜と
した後、後続のボンディング工程に備えて、素子の外部
接続端子の上部を覆っている保護絶縁膜を、フォトリン
グラフィによって除去するものである。
所望の素子構造や配線構造の形成を終えた半導体基板の
表面に、回転塗布などの方法によって所望の厚さに液状
のポリイミド樹脂を塗着して熱硬化させて保護絶縁膜と
した後、後続のボンディング工程に備えて、素子の外部
接続端子の上部を覆っている保護絶縁膜を、フォトリン
グラフィによって除去するものである。
ところで、上述のフォトリングラフィにおいて、たとえ
ばネガ型のホトレジストを用いる場合には、露光時にホ
トレジストの上に異物などが存在すると当該異物の直下
に位置するホトレジストが現像時に除去され、本来はホ
トレジストによってマスクされるべき下地の保護絶縁膜
が外部に露出した状態となり、エツチング時に浸食され
る結果、当該保護絶縁膜によって隠蔽されるべき下層の
素子構造が外部に露出した状態となる、いわゆる開口欠
陥が発生する。
ばネガ型のホトレジストを用いる場合には、露光時にホ
トレジストの上に異物などが存在すると当該異物の直下
に位置するホトレジストが現像時に除去され、本来はホ
トレジストによってマスクされるべき下地の保護絶縁膜
が外部に露出した状態となり、エツチング時に浸食され
る結果、当該保護絶縁膜によって隠蔽されるべき下層の
素子構造が外部に露出した状態となる、いわゆる開口欠
陥が発生する。
このような、開口欠陥は、外部からの水分の侵入による
素子配線構造の腐食の一因となり、実使用時に不時の障
害を発生させ、動作の信頼性を低下させるので、好まし
くないものである。
素子配線構造の腐食の一因となり、実使用時に不時の障
害を発生させ、動作の信頼性を低下させるので、好まし
くないものである。
このため、従来では、たとえば、金属顕m鏡などによる
目視観察によって上述のような開口欠陥を探索し、当該
欠陥を有するペレ7)には、インク、刻印などを付して
、以降の工程において当該ペレットを排除するような検
査を行っているが、量産工程の場合には、数万〜数百万
個にも及ぶ大量のペレットの全数に対して上述のような
目視検査を行うことは実際上不可能であり、抜き取り検
査を行わざるを得ないものである。
目視観察によって上述のような開口欠陥を探索し、当該
欠陥を有するペレ7)には、インク、刻印などを付して
、以降の工程において当該ペレットを排除するような検
査を行っているが、量産工程の場合には、数万〜数百万
個にも及ぶ大量のペレットの全数に対して上述のような
目視検査を行うことは実際上不可能であり、抜き取り検
査を行わざるを得ないものである。
このため、保護絶縁膜に開口欠陥を有するペレットが看
過され、実際の製品として出荷される場合があり、当該
開口欠陥に起因する製品不良を根絶できないという問題
があった。
過され、実際の製品として出荷される場合があり、当該
開口欠陥に起因する製品不良を根絶できないという問題
があった。
なお、同様の技術としては、たとえば、特公昭63−2
1854号公報に開示される技術があるが、当該技術で
は、薄膜上に付着した異物のように、散乱光を生じやす
い凸形の欠陥の検出の自動化にはそれなりの効果が得ら
れるが、微細な開口欠陥の場合に検出感度が低くなるこ
とが懸念される。
1854号公報に開示される技術があるが、当該技術で
は、薄膜上に付着した異物のように、散乱光を生じやす
い凸形の欠陥の検出の自動化にはそれなりの効果が得ら
れるが、微細な開口欠陥の場合に検出感度が低くなるこ
とが懸念される。
そこで、本発明の目的は、被検査物に存在する開口欠陥
の検出を自動的に精度良く行うことが可能な欠陥検査装
置を提供することにある。
の検出を自動的に精度良く行うことが可能な欠陥検査装
置を提供することにある。
本発明の他の目的は、検査工程の作業効率を向上させる
ことが可能なブローμを提供することにある。
ことが可能なブローμを提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の言己述および添付図面から明らかになるであろ
う。
明細書の言己述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明になる欠陥検査装置は、下地部に所望
の物質からなる少なくとも一層の薄膜を被着してなる被
検査物の、薄膜における開口欠陥の有無を検査する検査
装置であって、下地部と薄膜とにおける吸収率の異なる
検査光を被検査物に所望の角度で照射する光源部と、被
検査物から反射される検査光を検出する光検出部と、こ
の光検出部において検出された検査光の強弱に基づいて
、薄膜における開口欠陥の有無を判定する判定手段とを
備えたものである。
の物質からなる少なくとも一層の薄膜を被着してなる被
検査物の、薄膜における開口欠陥の有無を検査する検査
装置であって、下地部と薄膜とにおける吸収率の異なる
検査光を被検査物に所望の角度で照射する光源部と、被
検査物から反射される検査光を検出する光検出部と、こ
の光検出部において検出された検査光の強弱に基づいて
、薄膜における開口欠陥の有無を判定する判定手段とを
備えたものである。
また、本発明になるブローμは、半導体基板または当該
半導体基板を分割してなるペレットに形成されている半
導体集積回路装置の保護絶縁膜から露出した外部接続端
子領域に接続される複数のプローブと、このプローブを
介して半導体集積回路装置に対する動作電力の供給およ
び試験信号の印加・検出を行うテスタとからなり、半導
体集積回路装置の動作状態における諸機能を検査するブ
ローμであって、請求項1または2記載の欠陥検査装置
を備え、保護絶縁膜における開口欠陥の有無を検出する
ようにしたものである。
半導体基板を分割してなるペレットに形成されている半
導体集積回路装置の保護絶縁膜から露出した外部接続端
子領域に接続される複数のプローブと、このプローブを
介して半導体集積回路装置に対する動作電力の供給およ
び試験信号の印加・検出を行うテスタとからなり、半導
体集積回路装置の動作状態における諸機能を検査するブ
ローμであって、請求項1または2記載の欠陥検査装置
を備え、保護絶縁膜における開口欠陥の有無を検出する
ようにしたものである。
上記した本発明の欠陥検査装置によれば、下地部と、こ
の下地部の上に被着された薄膜とにおける吸収率の異な
る検査光を用いるので、当該薄膜に存在する開口欠陥を
通じて露出した下地部から反射される検査光と、無欠陥
領域から反射される検査光との光量の差が大きくなり、
開口欠陥の存無をi?i5感度で自動的に検出すること
ができる。
の下地部の上に被着された薄膜とにおける吸収率の異な
る検査光を用いるので、当該薄膜に存在する開口欠陥を
通じて露出した下地部から反射される検査光と、無欠陥
領域から反射される検査光との光量の差が大きくなり、
開口欠陥の存無をi?i5感度で自動的に検出すること
ができる。
また、上記した本発明になるブローμによれば、プロー
ブを用いた半導体集積回路装置の機能検査と、当該半導
体集積回路構造を構成する保護絶縁膜における開口欠陥
の検出とを同一の検査工程で行うことが可能となり、両
者を個別の装置および工程で実施する場合などに比較し
て、検査工程の作業効率を大幅に向上させることができ
る。
ブを用いた半導体集積回路装置の機能検査と、当該半導
体集積回路構造を構成する保護絶縁膜における開口欠陥
の検出とを同一の検査工程で行うことが可能となり、両
者を個別の装置および工程で実施する場合などに比較し
て、検査工程の作業効率を大幅に向上させることができ
る。
〔実施例1〕
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例である欠
陥検査装置の一例について詳細に説明する。
陥検査装置の一例について詳細に説明する。
第1図は、本発明の一実施例である欠陥検査装置の構成
の一例を模式的に示すブロック図である。
の一例を模式的に示すブロック図である。
水平面内における移動および上下動が自在な試料台1の
上には、たとえば、半導体基板や、当該半導体基板を半
導体基板の単位毎に分断して構成されるペレットなどか
らなる被検査物2が、たとえば、真空吸着などの方法で
載置されている。
上には、たとえば、半導体基板や、当該半導体基板を半
導体基板の単位毎に分断して構成されるペレットなどか
らなる被検査物2が、たとえば、真空吸着などの方法で
載置されている。
すなわち、この被検査物2は、たとえば、所望の半導体
集積回路構造が形成された基板部2aに、当該半導体集
積回路構造を相互に接続したり、外部との電気的な接続
を行うための図示しないポンディングパッドとの接続を
行う配線構造などからなる下地部2bが形成されている
。
集積回路構造が形成された基板部2aに、当該半導体集
積回路構造を相互に接続したり、外部との電気的な接続
を行うための図示しないポンディングパッドとの接続を
行う配線構造などからなる下地部2bが形成されている
。
さらに、この下地部2bの上には、当該下地部2bより
も下側の回路構造を外部環境から保護する保護絶縁膜2
Cが被着形成されている。
も下側の回路構造を外部環境から保護する保護絶縁膜2
Cが被着形成されている。
この場合、前記下地部2bは、たとえばAfなどからな
り、また保護絶縁膜2Cは、たとえばポリイミド樹脂な
どで構成されている。
り、また保護絶縁膜2Cは、たとえばポリイミド樹脂な
どで構成されている。
そして、それ以前のフォ) IJソゲラフイエ程により
、最上部に位置する保護絶縁膜2Cには、図示シないポ
ンディングパッドの直上部に対応する領域を所定のパタ
ーンにエツチング除去することによって透孔2dが穿設
されており、当該透孔2dllじて、ポンディングパッ
ドのみが外部に露出した状態となっている。
、最上部に位置する保護絶縁膜2Cには、図示シないポ
ンディングパッドの直上部に対応する領域を所定のパタ
ーンにエツチング除去することによって透孔2dが穿設
されており、当該透孔2dllじて、ポンディングパッ
ドのみが外部に露出した状態となっている。
また、保護絶縁膜2Cの一部には、前記透孔2dを穿設
する際に発生した開口欠陥2eが不定位置にある確率で
存在しており、当該開口欠陥2eの位置では、保護絶縁
膜2Cの直下に位置する下地部2bが外部に露出した状
態となっている。
する際に発生した開口欠陥2eが不定位置にある確率で
存在しており、当該開口欠陥2eの位置では、保護絶縁
膜2Cの直下に位置する下地部2bが外部に露出した状
態となっている。
一方、このような被検査物2が載置される試料台1の上
方には、当該被検査物2の平面に対して光軸が所望の傾
斜角θをなすように配置され、検査光3を放射する光源
部4と、被検査物2から反射される検査光3を検出する
ように配置された光電管などからなる光検出部5とが設
けられている。
方には、当該被検査物2の平面に対して光軸が所望の傾
斜角θをなすように配置され、検査光3を放射する光源
部4と、被検査物2から反射される検査光3を検出する
ように配置された光電管などからなる光検出部5とが設
けられている。
光源部4は、光源4aと、当該光源4aから発生する光
から、所望の波長の検査光3を選択して透過させるフィ
ルタ4bと、当該フィルタ4bを透過することによって
選択された検査光3を収束するレンズ群などからなる光
源光学系4cとを備えている。
から、所望の波長の検査光3を選択して透過させるフィ
ルタ4bと、当該フィルタ4bを透過することによって
選択された検査光3を収束するレンズ群などからなる光
源光学系4cとを備えている。
この場合、前記フィルタ4bは、検査光3の波長が、た
とえば被検査物2における保護絶縁膜2Cを構成するポ
リイミド樹脂などには吸収され、その下地のAfなどか
らなる下地部2bに対しては吸収されにくい(反射され
やすい)値になるように設定されている。
とえば被検査物2における保護絶縁膜2Cを構成するポ
リイミド樹脂などには吸収され、その下地のAfなどか
らなる下地部2bに対しては吸収されにくい(反射され
やすい)値になるように設定されている。
また、光源部4の全体は、回動軸4dを中心に適宜回動
させることにより、被検査物2に対する光軸の傾斜角θ
を所望の値に設定可能になってい6つ 一方、前記光検出部5には、当該光検出部5において検
出される検査光3の検出信号を増幅する増幅器6と、た
とえば当該検出信号からのノイズの除去や、保護絶縁膜
2cの膜厚の大小などに応じた正規化処理などを行うデ
ータ処理部7と、このデータ処理部7から得られた検査
光3の検出レベルの大小を所望の閾値などと比較するこ
とによって、被検査物2における開口欠陥2eの有無を
判定する判定部8と、この判定結果などを、CR1画面
やプリンタなどに出力するデータ出力部9などが接続さ
れている。
させることにより、被検査物2に対する光軸の傾斜角θ
を所望の値に設定可能になってい6つ 一方、前記光検出部5には、当該光検出部5において検
出される検査光3の検出信号を増幅する増幅器6と、た
とえば当該検出信号からのノイズの除去や、保護絶縁膜
2cの膜厚の大小などに応じた正規化処理などを行うデ
ータ処理部7と、このデータ処理部7から得られた検査
光3の検出レベルの大小を所望の閾値などと比較するこ
とによって、被検査物2における開口欠陥2eの有無を
判定する判定部8と、この判定結果などを、CR1画面
やプリンタなどに出力するデータ出力部9などが接続さ
れている。
以下、上述のような本実施例の欠陥検査装置の作用の一
例を説明する。
例を説明する。
まず、試料台1を、光源部4および光検出部5に対して
相対的に移動させることにより、光源部4から放射され
る検査光3によって、被検査物2の全域を走査する。
相対的に移動させることにより、光源部4から放射され
る検査光3によって、被検査物2の全域を走査する。
この時、光検出部5は、被検査物2から反射される検査
光3を捕捉し、捕捉光量に応じた電気的な検出信号に変
換して増幅器6に送出し、増幅器6において増幅された
検出信号は、データ処理部7において所定のノイズ除去
や正規化などが施され判定部8に至って所定の閾値と比
較される。
光3を捕捉し、捕捉光量に応じた電気的な検出信号に変
換して増幅器6に送出し、増幅器6において増幅された
検出信号は、データ処理部7において所定のノイズ除去
や正規化などが施され判定部8に至って所定の閾値と比
較される。
そして、当該閾値よりも検出信号のレベルが高い時に、
被検査物2の保護絶縁膜20に開口欠陥2eが存在する
と判定され、当該開口欠陥2eを含む被検査物2の単位
領域(たとえば個々の半導体集積回路装置)に対してイ
ンク付けや刻印を行い、後の工程で欠陥が存在すること
が胡瞭に識別されるようにする。
被検査物2の保護絶縁膜20に開口欠陥2eが存在する
と判定され、当該開口欠陥2eを含む被検査物2の単位
領域(たとえば個々の半導体集積回路装置)に対してイ
ンク付けや刻印を行い、後の工程で欠陥が存在すること
が胡瞭に識別されるようにする。
また、その時の試料台1の移動位置情報などに基づいて
、当該開口欠陥2eの被検査物2における位置情報が8
己録され、データ出力部9などに出力する。
、当該開口欠陥2eの被検査物2における位置情報が8
己録され、データ出力部9などに出力する。
すなわち、検査光3の波長は、前述のように光源部4に
おけるフィルタ4bの作用によって、被検査物2の保護
絶縁膜2Cには吸収されやすく、その下に位置する下地
部2bからは反射されやすい値に設定されているため、
保護絶縁膜2cの健全な領域では、検査光3のほとんど
が当該保護絶縁膜2cに吸収され、光検出部5に入射す
る検査光3の光量は極めて小さくなる。
おけるフィルタ4bの作用によって、被検査物2の保護
絶縁膜2Cには吸収されやすく、その下に位置する下地
部2bからは反射されやすい値に設定されているため、
保護絶縁膜2cの健全な領域では、検査光3のほとんど
が当該保護絶縁膜2cに吸収され、光検出部5に入射す
る検査光3の光量は極めて小さくなる。
これに対して、たとえば、開口欠陥2eの存在部位のよ
うに、保護絶縁膜2cの下側の下地部2bが露出してい
る場合には、照射される検査光3のほとんどが反射され
るため、光検出部5に入射する検査光3の光量は極めて
大きくなる。
うに、保護絶縁膜2cの下側の下地部2bが露出してい
る場合には、照射される検査光3のほとんどが反射され
るため、光検出部5に入射する検査光3の光量は極めて
大きくなる。
このた緬、開口欠陥2eの有無によって、光検出部5に
得られる検査光3の光量の差が大きくなり、光検出部5
に得られる検査光3の光量の多少、すなわち検出信号の
レベルの大小を、所定の闇値と比較することにより、保
護絶縁膜2Cにおける開口欠陥2eに有無が高感度で検
出される。
得られる検査光3の光量の差が大きくなり、光検出部5
に得られる検査光3の光量の多少、すなわち検出信号の
レベルの大小を、所定の闇値と比較することにより、保
護絶縁膜2Cにおける開口欠陥2eに有無が高感度で検
出される。
また、ポンディングパッドの位置に相当する透孔2dの
部位においても下側の下地部2bなどが露出した状態と
なっているが、当該透孔2dは、被検査物2の上に予め
規則的に存在するので、たとえば、被検査物2の品種な
どに応じた当該透孔2dの座標位置を、予めデータ処理
部7などに人力しておき、試料台1の現在位置に基づい
て、当該透孔2dの位置における検出信号を除外するこ
とによって、透孔2dを開口欠陥2eと誤認することは
ない。
部位においても下側の下地部2bなどが露出した状態と
なっているが、当該透孔2dは、被検査物2の上に予め
規則的に存在するので、たとえば、被検査物2の品種な
どに応じた当該透孔2dの座標位置を、予めデータ処理
部7などに人力しておき、試料台1の現在位置に基づい
て、当該透孔2dの位置における検出信号を除外するこ
とによって、透孔2dを開口欠陥2eと誤認することは
ない。
また、被検査物2の光学的な特性などに応じて、光源部
4の光軸の被検査物2の表面に対する傾斜角θを適宜調
整することにより、常に、最良の条件下で検査作業を遂
行することができる。
4の光軸の被検査物2の表面に対する傾斜角θを適宜調
整することにより、常に、最良の条件下で検査作業を遂
行することができる。
このように、本実施例の欠陥検査装置によれば、被検査
物2の保護絶縁膜2cなどに存在する開口欠陥2eを高
感度にしかも自動的に検出することが可能となる。
物2の保護絶縁膜2cなどに存在する開口欠陥2eを高
感度にしかも自動的に検出することが可能となる。
この結果、被検査物2の全数検査を精度良くかつ容易に
行うことが可能きなり、欠陥製品が看過される確率が確
実に減少し、保護絶縁膜2cに開口欠陥2eを有する被
検査物2が、当該開口欠陥2eから水分の侵入による腐
食などによって、出荷後に不時に動作不良を発生するな
どの障害が確実に減少する。
行うことが可能きなり、欠陥製品が看過される確率が確
実に減少し、保護絶縁膜2cに開口欠陥2eを有する被
検査物2が、当該開口欠陥2eから水分の侵入による腐
食などによって、出荷後に不時に動作不良を発生するな
どの障害が確実に減少する。
なお、上記の説明では、検査光30波長を選択する方法
の一例として、フィルタ4bを用いる場合について説明
したが、これに限らず、波長の異なる検査光3を個別に
発生する複数の光源4aを用意し、その各々の点灯を個
別に制御して使い分けるような構成としてもよいことは
言うまでもない。
の一例として、フィルタ4bを用いる場合について説明
したが、これに限らず、波長の異なる検査光3を個別に
発生する複数の光源4aを用意し、その各々の点灯を個
別に制御して使い分けるような構成としてもよいことは
言うまでもない。
〔実施例2〕
第2図は本発明の他の実施例であるブローμの構成の一
例を模式的に示すブロック図である。
例を模式的に示すブロック図である。
すなわち、本実施例2のブローμは、複数のプローブ1
0と、このプローブ10に接続されるテスタ11とを備
えている。
0と、このプローブ10に接続されるテスタ11とを備
えている。
そして、試料台1に載置された、半導体基板や当該半導
体基板を分断して構成されるペレットに形成された半導
体集積回路装置20における保護絶縁膜2cに穿設され
ている複数の透孔2dを通じて露出した図示しない複数
のポンディングパッドの各々に、複数のプローブ10の
先端部を個別に接触させて電気的な導通を確保し、テス
タ11から半導体集積回路袋W20への動作電力の供給
や、試験信号の印加および検出による機能検査を行い、
当該半導体集積回路装置20の諸機能が正常か否かや、
性能の格付けなどを判定するものである。
体基板を分断して構成されるペレットに形成された半導
体集積回路装置20における保護絶縁膜2cに穿設され
ている複数の透孔2dを通じて露出した図示しない複数
のポンディングパッドの各々に、複数のプローブ10の
先端部を個別に接触させて電気的な導通を確保し、テス
タ11から半導体集積回路袋W20への動作電力の供給
や、試験信号の印加および検出による機能検査を行い、
当該半導体集積回路装置20の諸機能が正常か否かや、
性能の格付けなどを判定するものである。
このブローμには、前記実施例1に例示したような欠陥
検査装置が組み込まれており、たとえば、前述のような
プローブ10を用いた機能検査の前後の適当な時に、同
じ試料台lに載置されたままの、単導体集積回路装置2
0に対して、当該半導体集積回路装置20の保護絶縁膜
2cにおける開口欠陥2eの有無の検査が可能になって
いる。
検査装置が組み込まれており、たとえば、前述のような
プローブ10を用いた機能検査の前後の適当な時に、同
じ試料台lに載置されたままの、単導体集積回路装置2
0に対して、当該半導体集積回路装置20の保護絶縁膜
2cにおける開口欠陥2eの有無の検査が可能になって
いる。
これにより、半導体集積回路装置2oの搬送や、位置決
めなどの煩雑な動作を、開口欠陥2eの検査とプローブ
検査とを個別に実施する場合に比較して、大幅に簡略化
することが可能となり、半導体集積回路装置20の検査
工程の全体の生産性が大幅に向上する。
めなどの煩雑な動作を、開口欠陥2eの検査とプローブ
検査とを個別に実施する場合に比較して、大幅に簡略化
することが可能となり、半導体集積回路装置20の検査
工程の全体の生産性が大幅に向上する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、欠陥検査装置およびブローμの各部の構成は
、前述の各実施例に例示したものに限定されない。
、前述の各実施例に例示したものに限定されない。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単1ご説明すれば、以下のとおり
である。
って得られる効果を簡単1ご説明すれば、以下のとおり
である。
すなわち、本発明になる欠陥検査装置によれば、下地部
に所望の物質からなる少なくとも一層の薄膜を被着して
なる被検査物の、前記薄膜における開口欠陥の有無を検
査する検査装置であって、前記下地部と前記薄膜とにお
ける吸収率の異なる検査光を前記被検査物に所望の角度
で照射する光源部と、前記被検査物から反射される前記
検査光を検出する光検出部と、この光検出部において検
出された前記検査光の強弱に基づいて、前記薄膜におけ
る前記開口欠陥の有無を判定する判定手段とを備えた構
造であるため、薄膜に存在する開口欠陥を通じて露出し
た下地部から反射される検査光と、無欠陥領域から反射
される検査光との光量の差が大きくなり、開口欠陥の有
無を高感度で自動的に検出することができる。
に所望の物質からなる少なくとも一層の薄膜を被着して
なる被検査物の、前記薄膜における開口欠陥の有無を検
査する検査装置であって、前記下地部と前記薄膜とにお
ける吸収率の異なる検査光を前記被検査物に所望の角度
で照射する光源部と、前記被検査物から反射される前記
検査光を検出する光検出部と、この光検出部において検
出された前記検査光の強弱に基づいて、前記薄膜におけ
る前記開口欠陥の有無を判定する判定手段とを備えた構
造であるため、薄膜に存在する開口欠陥を通じて露出し
た下地部から反射される検査光と、無欠陥領域から反射
される検査光との光量の差が大きくなり、開口欠陥の有
無を高感度で自動的に検出することができる。
また、本発明になるブローμによれば、半導体基板また
は当該半導体基板を分割してなるペレットに形成されて
いる半導体集積回路装置の保護絶縁膜から露出した外部
接続端子領域に接続される複数のプローブと、このプロ
ーブを介して前記半導体集積回路装置に対する動作電力
の供給および試験信号の印加・検出を行うテスタとから
なり、前記半導体集積回路装置の動作状態における諸機
能を検査するブローμであって、請求項1または2記載
の欠陥検査装置を備え、前記保護絶縁膜における開口欠
陥の有無を検出するようにしたので、プローブを用いた
半導体集積回路装置の機能検査と、当該半導体集積回路
装置を構成する保護絶縁膜における開口欠陥の検出とを
同一の装置で行うことが可能となり、両者を個別の装置
および工程で実施する場合などに比較して、検査工程の
作業効率を大幅に向上させることができる。
は当該半導体基板を分割してなるペレットに形成されて
いる半導体集積回路装置の保護絶縁膜から露出した外部
接続端子領域に接続される複数のプローブと、このプロ
ーブを介して前記半導体集積回路装置に対する動作電力
の供給および試験信号の印加・検出を行うテスタとから
なり、前記半導体集積回路装置の動作状態における諸機
能を検査するブローμであって、請求項1または2記載
の欠陥検査装置を備え、前記保護絶縁膜における開口欠
陥の有無を検出するようにしたので、プローブを用いた
半導体集積回路装置の機能検査と、当該半導体集積回路
装置を構成する保護絶縁膜における開口欠陥の検出とを
同一の装置で行うことが可能となり、両者を個別の装置
および工程で実施する場合などに比較して、検査工程の
作業効率を大幅に向上させることができる。
第1図は、本発明の一実施例である欠陥検査族。
置の構成の一例を模式的に示すブロック図、第2図は本
発明の一実施例であるブローμの構成の一例を模式的に
示すブロック図である。 1・・・試料台、2・・・被検査物、2a・・・基板部
、2b・・・下地部、2c・・・保護絶縁膜、2d・・
・透孔、2e・・・開口欠陥、3・・・検査光、4・・
・光源部、4a・・・光源、4b・・・フィルタ、4C
・・・光源光学系、4d・・・回動軸、5・・・光検出
部、6・・・増幅器、7・・・データ処理部、8・・・
判定部、9・・・データ出力部、10・・・プローブ、
11・・・テスタ、20・・・半導体集積回路装置、θ
・・・光源部の光軸の被検査物の平面に対する傾斜角。 代理人 弁理士 筒 井 大 和
発明の一実施例であるブローμの構成の一例を模式的に
示すブロック図である。 1・・・試料台、2・・・被検査物、2a・・・基板部
、2b・・・下地部、2c・・・保護絶縁膜、2d・・
・透孔、2e・・・開口欠陥、3・・・検査光、4・・
・光源部、4a・・・光源、4b・・・フィルタ、4C
・・・光源光学系、4d・・・回動軸、5・・・光検出
部、6・・・増幅器、7・・・データ処理部、8・・・
判定部、9・・・データ出力部、10・・・プローブ、
11・・・テスタ、20・・・半導体集積回路装置、θ
・・・光源部の光軸の被検査物の平面に対する傾斜角。 代理人 弁理士 筒 井 大 和
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下地部に所望の物質からなる少なくとも一層の薄膜
を被着してなる被検査物の、前記薄膜における開口欠陥
の有無を検査する検査装置であって、前記下地部と前記
薄膜とにおける吸収率の異なる検査光を前記被検査物に
所望の角度で照射する光源部と、前記被検査物から反射
される前記検査光を検出する光検出部と、この光検出部
において検出された前記検査光の強弱に基づいて、前記
薄膜における前記開口欠陥の有無を判定する判定手段と
を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 2、前記被検査物が、半導体基板または当該半導体基板
を分断してなるペレットであり、前記薄膜がポリイミド
樹脂膜であることを特徴とする請求項1記載の欠陥検査
装置。 3、半導体基板または当該半導体基板を分割してなるペ
レットに形成されている半導体集積回路装置の保護絶縁
膜から露出した外部接続端子領域に接続される複数のプ
ローブと、このプローブを介して前記半導体集積回路装
置に対する動作電力の供給および試験信号の印加・検出
を行うテスタとからなり、前記半導体集積回路装置の動
作状態における諸機能を検査するプローバであって、請
求項1または2記載の欠陥検査装置を備え、前記保護絶
縁膜における開口欠陥の有無を検出するようにしたこと
を特徴とするプローバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12575190A JPH0424937A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 欠陥検査装置およびそれを備えたプローバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12575190A JPH0424937A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 欠陥検査装置およびそれを備えたプローバ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0424937A true JPH0424937A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14917909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12575190A Pending JPH0424937A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 欠陥検査装置およびそれを備えたプローバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0424937A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5642032A (en) * | 1994-08-30 | 1997-06-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Charging method for a battery assembly including a plurality of secondary batteries |
KR100418854B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2004-02-14 | 문재욱 | 조립식 온돌의 상판 및 그 제조 방법 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12575190A patent/JPH0424937A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5642032A (en) * | 1994-08-30 | 1997-06-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Charging method for a battery assembly including a plurality of secondary batteries |
KR100418854B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2004-02-14 | 문재욱 | 조립식 온돌의 상판 및 그 제조 방법 |
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