JPH04246843A - 静電チャックの制御装置 - Google Patents

静電チャックの制御装置

Info

Publication number
JPH04246843A
JPH04246843A JP3032272A JP3227291A JPH04246843A JP H04246843 A JPH04246843 A JP H04246843A JP 3032272 A JP3032272 A JP 3032272A JP 3227291 A JP3227291 A JP 3227291A JP H04246843 A JPH04246843 A JP H04246843A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrostatic chuck
voltage
control device
present
chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3032272A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Nagasaki
浩一 長崎
Masaki Ushio
雅樹 牛尾
Hitoshi Atari
仁 阿多利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP3032272A priority Critical patent/JPH04246843A/ja
Publication of JPH04246843A publication Critical patent/JPH04246843A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造装置など
において、シリコンなどのウェハを固定、搬送するため
に用いられる静電チャックの制御装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体製造装置において、シ
リコンウェハを固定、搬送するために、静電チャックが
用いられていた。特に、電子ビーム描画装置、ドライエ
ッチング装置、CVD装置、PVD装置など、真空中で
シリコンウェハを固定、搬送する場合は、真空チャック
が使えないため、静電チャックが有効であった。
【0003】このような静電チャックの構造は、図5に
示すように、絶縁体1に内部電極2を備え、該内部電極
2に通電するための導入端子3を具備していた。そして
、表面絶縁層1aの上面にシリコンウェハなどの被吸着
物(不図示)を置き、内部電極2と被吸着物間に直流電
圧を印加すると、内部電極2と被吸着物間における絶縁
体1に分極現象が起こり、この静電気力によってシリコ
ンウェハなどの被吸着物を吸着保持するようになってい
た。
【0004】また、このような静電チャックには、単極
型と双極型の二種類があった。単極型の場合は、図6に
示すように、内部電極2と被吸着物4の間に直流電圧5
を印加するため、効率は良いが被吸着物4にアースを取
る必要があり、用途が限定されてしまう。一方、双極型
の場合は、図7に示すように、内部電極2を二つ以上に
分割し、それぞれの間に直流電圧5を印加するため、や
や吸着効率は劣るが、被吸着物に電圧を印加する必要が
ないため、取扱が簡便であるという特徴をもっていた。
【0005】また、上記絶縁体1としては、たとえば特
開昭59−129779 号公報に示されるように樹脂
を用いたものが一般的であったが、近年、アルミナなど
のセラミックスを用いることが考えられていた(特開昭
60−261377 号、特開昭62−264638 
号公報等参照)。さらに、静電チャックの吸着力は、誘
電分極現象による分極電荷の量によって決まることから
、より吸着力を高めるために、チタン酸カルシウム(T
iCaO 3 )またはチタン酸バリウム(BaTiO
 3 )などの誘電率の大きいセラミックスを用いて静
電チャックを構成することを、本出願人は既に提案した
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、静電
チャックの吸着力は分極電荷の量によって定まるが、こ
の分極電荷量は、印加電圧との間でヒステリシス(履歴
現象)ループを描くことが知られている。即ち、図8に
示すように、印加電圧の変化に伴って、分極電荷量はO
からCまで変化するが、この後印加電圧を減少させても
分極電荷量はもとの経路B−Oを通らずに、B−Dのよ
うに変化する。つまり、印加電圧を0にしても分極電荷
量は0にならず残ってしまうのである。これが残留吸着
力となって現れ、印加電圧を切っても被吸着物が離脱し
にくいという問題点があった。さらに、上記のようにヒ
ステリシスループを描くことから、一定の電圧を印加し
ても分極電荷量すなわち吸着力が一定とならず、吸着力
の再現性にも劣っていた。
【0007】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、絶縁
体の内部に備えた電極に直流電圧を印加する静電チャッ
クに対し、離脱時に、交流電圧を短時間印加する手段を
備えて、静電チャックの制御装置を構成したものである
【0008】
【作用】本発明によれば、離脱時に交流電圧を短時間印
加することによって、絶縁体の残留電荷をなくし、被吸
着物を確実に離脱させることができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図によって説明する
。図1、図2は、本発明の静電チャックの制御装置をシ
ーケンス制御図で表したものである。図1は静電チャッ
クの吸着、離脱時に自動制御を行うリレー電源制御側で
あり、図2は実際に静電チャックの印加電圧を制御する
静電チャック電源制御側である。
【0010】また、本発明の制御装置で用いる静電チャ
ックは、図5に示すように、樹脂、セラミックスなどか
らなる絶縁体1に内部電極2を埋設し、この内部電極2
に通電するための導入端子3を備えている。
【0011】ここで、本発明の制御装置の作動を説明す
る。まず、図1の吸着スイッチを押すと、リレーR1に
より吸着スイッチ側がロックされ、同時に図2の静電チ
ャック電源用接点R1も接続され、静電チャックには直
流電圧が印加されることになる。そのため、静電チャッ
ク表面では電荷が励起され、シリコンウェハ等の吸着物
を吸着できる。
【0012】この後、被吸着物を離脱させる場合は、図
1における離脱スイッチを押すと、リレーR2により離
脱スイッチ側がロックされ、同時に吸着スイッチ側の接
点R2が切れて、リレーR1への通電が遮断されるため
、図2における接点R1が切れて、静電チャックへの直
流電圧印加は解除される。同時に、図1においてタイマ
ーTLR1に通電されるため、図2における接点TLR
1が接続されて、静電チャックには交流電圧が印加され
る。
【0013】そして、0.5 秒後に、上記タイマーT
LR1が作動して、図1、図2に示す接点TLR1が切
れ、リレー駆動用の電源が遮断されるため、すべての接
点が初期状態に戻り、静電チャックへの印加電圧も0と
なる。このとき、静電チャックの残留電荷がなくなって
いるため、被吸着物は容易に離脱することになる。
【0014】このように、本発明によれば、離脱時に0
.5 秒間の交流電圧を印加することで、残留電荷をな
くし、容易に被吸着物を離脱させることができるだけで
なく、吸着力を安定させることができる。なお、交流電
圧を印加する時間は、図1におけるタイマーTLR1の
設定時間を変えることで、自由に変化させることができ
るが、本発明者等が種々実験の結果、0.3 秒以上と
しておけば良好に作動した。交流電圧印加時間が0.3
 秒より短いと、残留電荷の除去が充分でなく、また、
急激に接点が切り替わるため、チャタリングを生じて回
路が正常に作動しなかった。さらに、交流電圧の電圧は
、吸着のための直流電圧と同等以下でよく、その周波数
は10Hz以上必要であった。
【0015】また、上記実施例では、静電チャックに印
加する直流電源と、交流電源を別に用意したものを示し
たが、これに限らず、例えば図3、図4に示すように、
一つの交流電源のみを用いることもできる。この場合は
、図4に静電チャック電源制御回路を示すように、一つ
の交流電源をトランスとダイオードブリッジにより、直
流成分と交流成分に分解するようになっている。そして
、図3に示す前記と同様のリレー駆動用電源制御回路を
用いて、静電チャックの吸着時には直流成分を印加し、
離脱時には交流成分を短時間印加するようになっている
。このようにすれば、電源ユニットを共有できるうえ、
商用電源をそのまま使えるので便利である。
【0016】さらに、これらの実施例において、大きな
電圧を切り換える接点には、接点保護回路を組み込むこ
ともできる。また、離脱時の交流電圧は、減衰させなが
ら印加してもよい。このように、図1〜図4には基本的
な回路を示したが、本願発明の範囲を逸脱しない範囲で
、自由に回路を設定すればよい。
【0017】なお、本発明の制御装置は、単極型、双極
型いずれの静電チャックにも適用でき、絶縁体の材質と
して、樹脂、アルミナセラミックス、あるいは強誘電体
セラミックスなど、さまざまな材質を用いたものに適用
することができる。特に、チタン酸バリウム、チタン酸
カルシウムなど、比誘電率50以上の強誘電体セラミッ
クスを用いた静電チャックが、最も効果的であった。
【0018】実験例 ここで、実際に静電チャック制御装置の効果を調べるた
めに、各種の実験を試みた。静電チャックとして、図5
に示すように、チタン酸カルシウム(CaTiO 3 
)系セラミックスからなる絶縁体1の内部に、銀(Ag
)からなる内部電極2を備え、直径4インチの円盤状で
、表面絶縁層1aの厚みは 0.4mmとし、内部電極
2は静電チャックの周囲より2mm入り込んだ位置まで
形成した、単極型のものを用意した。
【0019】まず、比較実験として、この静電チャック
にシリコンウェハを吸着しておいて、離脱時に、内部電
極2とシリコンウェハ間を短絡させてみたが、シリコン
ウェハは吸着されたままであり、ほとんど効果はなかっ
た。次の比較実験として、シリコンウェハの離脱時に、
吸着時とは異なる極性の直流電圧(逆電圧)印加を試み
た。しかし、逆方向への直流電圧を印加し続けると、逆
方向の誘電分極現象が生じて再び吸着してしまうため、
吸着物の離脱が困難であった。
【0020】そこで、本発明の制御装置を用いて、離脱
時に0.5 秒の交流電圧印加を試みたところ、それま
での分極電荷は拡散し、交流電圧を解除した直後には容
易に被吸着物が剥離可能となった。しかも、残留分極は
、ほとんど発生していなかった。
【0021】また、このように、本発明の制御装置によ
れば、離脱時のみに短時間の交流電圧を印加すればよい
が、種々実験の結果、吸着前にも交流電圧、あるいは吸
着時とは異なる極性の直流電圧(逆電圧)を短時間印加
すれば、吸着力をより安定させることができた。
【0022】なお、上記実験例では、チタン酸カルシウ
ム系セラミックスからなる静電チャックを用いたが、チ
タン酸バリウム系セラミックスを用いたものや、アルミ
ナなどのセラミックス、あるいは樹脂などを用いたもの
であっても同様の結果であった。また、上記実験例では
、単極型の静電チャックを用いたが、双極型でも同様の
結果であった。即ち、本発明の静電チャック制御装置は
、さまざまな静電チャックに適用することができる。
【0023】
【発明の効果】叙上のように本発明によれば、絶縁体の
内部に備えた電極に直流電圧を印加する静電チャックに
対し、離脱時に交流電圧を短時間印加する手段を備えて
、静電チャックの制御装置を構成したことによって、容
易に吸着物を離脱することができるとともに、吸着力が
安定するため、静電チャックの利用性を高め、特に半導
体製造装置等に好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例に係る静電チャック制御装置のリ
レー電源制御側のシーケンス制御図である。
【図2】本発明実施例に係る静電チャック制御装置の静
電チャック電源制御側のシーケンス制御図である。
【図3】本発明の他の実施例に係る静電チャック制御装
置のリレー電源制御側のシーケンス制御図である。
【図4】本発明の他の実施例に係る静電チャック制御装
置の静電チャック電源制御側のシーケンス制御図である
【図5】一般的な静電チャックの構造を示す、一部破断
斜視図である。
【図6】単極型の静電チャックを示す概略図である。
【図7】双極型の静電チャックを示す概略図である。
【図8】従来の静電チャックにおける、印加電圧と分極
電荷量の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1:絶縁体 1a:表面絶縁層 2:内部電極 3:導通端子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁体中に備えた電極に直流電圧を印加し
    て物体を吸着する静電チャックに対し、離脱時に、交流
    電圧を短時間印加する手段を備えたことを特徴とする静
    電チャックの制御装置。
JP3032272A 1991-01-31 1991-01-31 静電チャックの制御装置 Pending JPH04246843A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3032272A JPH04246843A (ja) 1991-01-31 1991-01-31 静電チャックの制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3032272A JPH04246843A (ja) 1991-01-31 1991-01-31 静電チャックの制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04246843A true JPH04246843A (ja) 1992-09-02

Family

ID=12354355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3032272A Pending JPH04246843A (ja) 1991-01-31 1991-01-31 静電チャックの制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04246843A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250579A (ja) * 1995-03-14 1996-09-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置
JPH11106916A (ja) * 1997-10-01 1999-04-20 Anelva Corp プラズマ処理装置
JP2001007191A (ja) * 1999-04-19 2001-01-12 Applied Materials Inc ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック
JP2002083863A (ja) * 2000-08-07 2002-03-22 Samsung Electronics Co Ltd 半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置
JP2014236047A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250579A (ja) * 1995-03-14 1996-09-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置
JPH11106916A (ja) * 1997-10-01 1999-04-20 Anelva Corp プラズマ処理装置
JP2001007191A (ja) * 1999-04-19 2001-01-12 Applied Materials Inc ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック
JP4610042B2 (ja) * 1999-04-19 2011-01-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャックへのワークピースのチャック・デチャック方法、及び、静電チャックからワークピースをデチャックするための装置
JP2002083863A (ja) * 2000-08-07 2002-03-22 Samsung Electronics Co Ltd 半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置
JP2014236047A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2867526B2 (ja) 半導体製造装置
US5790365A (en) Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck
US5179498A (en) Electrostatic chuck device
JP2665242B2 (ja) 静電チャック
US6760213B2 (en) Electrostatic chuck and method of treating substrate using electrostatic chuck
JPS63257481A (ja) 静電保持装置
JPH08167643A (ja) 試料保持装置及びその塵埃除去方法
JPH04230051A (ja) 静電チャックの制御装置
JPH04246843A (ja) 静電チャックの制御装置
JPH077072A (ja) 静電チャック装置における基板の脱着方法および脱着機構
JPH04253356A (ja) プッシャーピン付き静電チャック
JPH08191099A (ja) 静電チャック及びその製造方法
JP3974475B2 (ja) 静電チャック装置及びその装置を用いた基板の処理方法
JP2001210706A (ja) 一連の共振放電事象を利用して静電チャックから半導体ウエハを迅速にデチャッキングする方法
JPH01181544A (ja) 静電チャック
JPH05291384A (ja) 静電吸着方法
JPH11106916A (ja) プラズマ処理装置
KR20030020072A (ko) 유니폴라 정전척
JPH01227454A (ja) 静電チャック
JPH09102536A (ja) 静電吸着装置
JPH1131737A (ja) 静電吸着ステージの印加電圧制御方法
KR100698863B1 (ko) 플라즈마 처리장치의 피처리물 정전기 고정장치 및 방법
JPH0216749A (ja) 電子ビーム露光装置用ウェハーホルダ
KR970053315A (ko) 정전척의 구조및 디척킹 방법
JP3121893B2 (ja) 静電チャック