JPH04233542A - アブレーション・マスク - Google Patents
アブレーション・マスクInfo
- Publication number
- JPH04233542A JPH04233542A JP3103709A JP10370991A JPH04233542A JP H04233542 A JPH04233542 A JP H04233542A JP 3103709 A JP3103709 A JP 3103709A JP 10370991 A JP10370991 A JP 10370991A JP H04233542 A JPH04233542 A JP H04233542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- dielectric
- layer
- transparent material
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003452 thorium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002256 photodeposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011298 ablation treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- ZQHZWENOXRQYJD-UHFFFAOYSA-N aluminum cerium(3+) hexanitrate Chemical group [Ce+3].[N+](=O)([O-])[O-].[Al+3].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-] ZQHZWENOXRQYJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、特に破損に耐え、電
子素子の製造に適した、新規なアブレーション・マスク
に関するものである。この発明のアブレーション・マス
クは、検査が比較的容易で、損傷を受けた場合も修理が
容易である。この発明はまた、乾式エッチング法におけ
るアブレーション・マスクの使用にも関するものである
。
子素子の製造に適した、新規なアブレーション・マスク
に関するものである。この発明のアブレーション・マス
クは、検査が比較的容易で、損傷を受けた場合も修理が
容易である。この発明はまた、乾式エッチング法におけ
るアブレーション・マスクの使用にも関するものである
。
【0002】
【従来の技術およびその課題】電子素子の製造において
、最も重要かつ決定的な工程の1つは、回路パターンや
、異なる層を互いに接続するバイア等、所期のパターン
を形成するためのリソグラフィ工程である。
、最も重要かつ決定的な工程の1つは、回路パターンや
、異なる層を互いに接続するバイア等、所期のパターン
を形成するためのリソグラフィ工程である。
【0003】従来は、所期のパターンを画定するのに湿
式エッチング法を使用していた。たとえば、レジスト材
料を、紫外線、電子線、X線等の化学作用を有する放射
線で露光する。次に、ポジティブ・レジストの場合は露
光した領域、ネガティブ・レジストの場合は露光しない
領域を、適当な溶剤に溶解して除去、すなわち現像する
。現像後、レジスト層中に所期のパターンが残る。次に
、エッチング等の追加処理を行って、レジスト・パター
ンを電子素子の機能層の1つに転写する。次に、レジス
ト層を除去する。
式エッチング法を使用していた。たとえば、レジスト材
料を、紫外線、電子線、X線等の化学作用を有する放射
線で露光する。次に、ポジティブ・レジストの場合は露
光した領域、ネガティブ・レジストの場合は露光しない
領域を、適当な溶剤に溶解して除去、すなわち現像する
。現像後、レジスト層中に所期のパターンが残る。次に
、エッチング等の追加処理を行って、レジスト・パター
ンを電子素子の機能層の1つに転写する。次に、レジス
ト層を除去する。
【0004】しかし、現像工程またはパターン転写工程
あるいはその両方をなくそうと試みて、乾式エッチング
を使用することが示唆されている。このような技術の1
つは、米国特許第4414059号明細書に開示された
、高電力照射源を使用するアブレーション分解である。 この方法では、特定の波長の多数の光子を短時間にパタ
ーン形成可能な材料に当てる。これにより、パターン形
成可能な材料の重合体のチェインが切れて断片となって
融除され、揮発性の副産物として逸散する。このような
方法は一般に約190〜450nmの波長を使用する。 アブレーション分解は、電子素子の機能層にパターンを
直接エッチングし、フォトレジスト工程を不要にするた
めにも使用する。
あるいはその両方をなくそうと試みて、乾式エッチング
を使用することが示唆されている。このような技術の1
つは、米国特許第4414059号明細書に開示された
、高電力照射源を使用するアブレーション分解である。 この方法では、特定の波長の多数の光子を短時間にパタ
ーン形成可能な材料に当てる。これにより、パターン形
成可能な材料の重合体のチェインが切れて断片となって
融除され、揮発性の副産物として逸散する。このような
方法は一般に約190〜450nmの波長を使用する。 アブレーション分解は、電子素子の機能層にパターンを
直接エッチングし、フォトレジスト工程を不要にするた
めにも使用する。
【0005】この目的に使用するマスクは、約500m
j/cm2−パルスのピーク・レーザ線束に耐え、損傷
しないものでなければならない。現在使用されているこ
のようなマスクの1つは、米国特許出願第924480
号および第341273号明細書に記載されている。こ
のようなマスクは、約10〜30層を含む多層反射薄膜
に所期のパターンをエッチングすることによって作成す
る。このような皮膜は、必要なレーザ照射に十分耐える
。しかし、これらは比較的エッチングが困難で、収率が
比較的低い。したがって、その技術が比較的実施しやす
く、収率が比較的高い、アブレーション・マスクを作成
することが望ましい。
j/cm2−パルスのピーク・レーザ線束に耐え、損傷
しないものでなければならない。現在使用されているこ
のようなマスクの1つは、米国特許出願第924480
号および第341273号明細書に記載されている。こ
のようなマスクは、約10〜30層を含む多層反射薄膜
に所期のパターンをエッチングすることによって作成す
る。このような皮膜は、必要なレーザ照射に十分耐える
。しかし、これらは比較的エッチングが困難で、収率が
比較的低い。したがって、その技術が比較的実施しやす
く、収率が比較的高い、アブレーション・マスクを作成
することが望ましい。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、製造が比較
的容易で、損傷が比較的少ない、アブレーション・マス
クに関するものである。さらに、この発明のマスクは、
欠陥の検査が容易で、必要な場合に修理が比較的容易で
ある。さらに、この発明のアブレーション・マスクは、
アブレーション状態に対して必要な耐性を示し、乾式エ
ッチング処理に有効である。
的容易で、損傷が比較的少ない、アブレーション・マス
クに関するものである。さらに、この発明のマスクは、
欠陥の検査が容易で、必要な場合に修理が比較的容易で
ある。さらに、この発明のアブレーション・マスクは、
アブレーション状態に対して必要な耐性を示し、乾式エ
ッチング処理に有効である。
【0007】具体的には、この発明は、透明基板を含む
アブレーション・マスクに関するものである。基板の主
表面の上に、第1の透明な誘電材料のコーティングを配
置した後、第1の透明な誘電材料のコーティングの上に
、パターン層を配置する。パターン層の上に、第2の透
明な誘電材料のコーティングを配置する。
アブレーション・マスクに関するものである。基板の主
表面の上に、第1の透明な誘電材料のコーティングを配
置した後、第1の透明な誘電材料のコーティングの上に
、パターン層を配置する。パターン層の上に、第2の透
明な誘電材料のコーティングを配置する。
【0008】パターン層が不透明な材料から得られる場
合、および材料が残って不透明な部分と材料が除去され
て透明になった部分がある場合は、これらの不透明部分
と第1の誘電性透明材料のコーティングが、入射レーザ
光線の大部分を反射し、それが不透明部分の下の材料を
露光するのを防止する。レーザ光線の大部分は、第1の
誘電性透明材料によって反射され、これにより、不透明
層によって吸収される光が、損傷の限界より下のレベル
にまで減少する。一方、パターン層から材料が除去され
た領域では、第1および第2の誘電性透明材料のコーテ
ィングが、光の大部分をマスク構造中を透過させ、次に
それらの光がアブレーション分解または他の処理に使用
される。
合、および材料が残って不透明な部分と材料が除去され
て透明になった部分がある場合は、これらの不透明部分
と第1の誘電性透明材料のコーティングが、入射レーザ
光線の大部分を反射し、それが不透明部分の下の材料を
露光するのを防止する。レーザ光線の大部分は、第1の
誘電性透明材料によって反射され、これにより、不透明
層によって吸収される光が、損傷の限界より下のレベル
にまで減少する。一方、パターン層から材料が除去され
た領域では、第1および第2の誘電性透明材料のコーテ
ィングが、光の大部分をマスク構造中を透過させ、次に
それらの光がアブレーション分解または他の処理に使用
される。
【0009】また、パターン層が透明な材料で形成され
ている場合は、2種類の実施例が可能である。好ましい
実施例では、厚み全体が残ったパターン層の部分と、第
1および第2のパターンのない透明なコーティングが、
光をマスク中を透過させ、パターン付きコーティングの
厚みが減少した領域と2つのコーティングが、光を反射
させる。第2の実施例では、パターン層の最初の厚みと
エッチングの深さが、第1の実施例における反射領域と
透過領域が逆になるような形で選択される。
ている場合は、2種類の実施例が可能である。好ましい
実施例では、厚み全体が残ったパターン層の部分と、第
1および第2のパターンのない透明なコーティングが、
光をマスク中を透過させ、パターン付きコーティングの
厚みが減少した領域と2つのコーティングが、光を反射
させる。第2の実施例では、パターン層の最初の厚みと
エッチングの深さが、第1の実施例における反射領域と
透過領域が逆になるような形で選択される。
【0010】さらに、この発明は、基板の上にパターン
形成可能な材料を設け、その材料を上記のマスクを介し
て、化学作用を有する光線に選択的に露出させるエッチ
ング処理等、高い結束を要するレーザ処理に関するもの
である。ポジティブ作用を有するレジスト材料の場合は
、化学作用のある光線で露光された領域が除去され、ネ
ガティブ作用を有するレジスト材料の場合は、化学作用
のある光線で露光されない領域が除去される。アブレー
ション・マスクはまた、フォトデポジション、薄膜転写
、薄膜リリース等、高いフルエンスを要する他のレーザ
処理にも使用される。
形成可能な材料を設け、その材料を上記のマスクを介し
て、化学作用を有する光線に選択的に露出させるエッチ
ング処理等、高い結束を要するレーザ処理に関するもの
である。ポジティブ作用を有するレジスト材料の場合は
、化学作用のある光線で露光された領域が除去され、ネ
ガティブ作用を有するレジスト材料の場合は、化学作用
のある光線で露光されない領域が除去される。アブレー
ション・マスクはまた、フォトデポジション、薄膜転写
、薄膜リリース等、高いフルエンスを要する他のレーザ
処理にも使用される。
【0011】たとえば、化学作用を有する光線を、光ア
ブレーション・エッチング、または他の放射線で誘導さ
れるパターンの機能層への直接転写にも使用でき、これ
によりフォトレジスト工程が不要となる。
ブレーション・エッチング、または他の放射線で誘導さ
れるパターンの機能層への直接転写にも使用でき、これ
によりフォトレジスト工程が不要となる。
【0012】
【実施例】この発明は、パターン付きマスクに関し、特
にアブレーション処理に使用できるマスクに関するもの
である。この発明の理解を容易にするために、図、特に
図1ないし図4を参照する。図1で、番号1は、透明基
板を示す。適当な基板には、溶融シリカ、ガラス、サフ
ァイア、ほたる石等がある。通常、基板の厚みは、約0
.25〜6.3mm、一般的には約2.2〜3.2mm
である。
にアブレーション処理に使用できるマスクに関するもの
である。この発明の理解を容易にするために、図、特に
図1ないし図4を参照する。図1で、番号1は、透明基
板を示す。適当な基板には、溶融シリカ、ガラス、サフ
ァイア、ほたる石等がある。通常、基板の厚みは、約0
.25〜6.3mm、一般的には約2.2〜3.2mm
である。
【0013】基板の主表面上に、第1の誘電性透明材料
のコーティング2を配置する。このコーティングは、通
常約6〜40層の誘電性透明材料からなり、各層の厚み
は、約1/8〜3/4λであり、約1/4λが好ましい
。
のコーティング2を配置する。このコーティングは、通
常約6〜40層の誘電性透明材料からなり、各層の厚み
は、約1/8〜3/4λであり、約1/4λが好ましい
。
【0014】この目的のための適当な誘電性材料の例に
は、二酸化シリコン、二酸化ハフニウム、酸化スカンジ
ウム、酸化アルミニウム、五酸化タンタル、酸化トリウ
ム、およびフッ化マグネシウムがある。誘電性材料は、
スパッタリングや蒸着技術等の適当な従来の手段により
、透明基板の上にコーティングすることができるが、イ
オンを用いる付着が好ましい。使用する代表的な方法は
、P.マーチン(P. Martin)およびR.ネッ
ターフィールド(Netterfield)、“Ion
−Assisted Dielectric and
Optical Coatings”、J.J.クオモ
(Cuomo)他編、“Handbook ofIon
−Beam Processing Technolo
gy”、セクション19.4に記載されている。
は、二酸化シリコン、二酸化ハフニウム、酸化スカンジ
ウム、酸化アルミニウム、五酸化タンタル、酸化トリウ
ム、およびフッ化マグネシウムがある。誘電性材料は、
スパッタリングや蒸着技術等の適当な従来の手段により
、透明基板の上にコーティングすることができるが、イ
オンを用いる付着が好ましい。使用する代表的な方法は
、P.マーチン(P. Martin)およびR.ネッ
ターフィールド(Netterfield)、“Ion
−Assisted Dielectric and
Optical Coatings”、J.J.クオモ
(Cuomo)他編、“Handbook ofIon
−Beam Processing Technolo
gy”、セクション19.4に記載されている。
【0015】第1の誘電性透明材料のコーティングの上
に、パターン層3を設ける。パターン層は、従来のフォ
トレジストおよびエッチング技術を用いて、パターンを
形成した不透明な皮膜でよい。この不透明なパターン層
3は、厚みが通常約500オングストロームないし約1
ミクロンであり、約8000オングストロームないし約
1ミクロンが好ましい。好ましい不透明材料には、クロ
ムおよびアルミニウムがあり、クロムが最も好ましい。 クロムにパターンを形成するのに使用する代表的なエッ
チャントは、硝酸に硝酸セリウムアルミニウムを溶解し
たものである。クロムは、スパッタリングや蒸着等の従
来の方法で付着させることができる。使用する代表的方
法は、スパッタリングである。クロム付着技術は、D.
エリオット(Elliot)、“Integrated
Circuit Mask Technology”
、p.88−91に記載されている。
に、パターン層3を設ける。パターン層は、従来のフォ
トレジストおよびエッチング技術を用いて、パターンを
形成した不透明な皮膜でよい。この不透明なパターン層
3は、厚みが通常約500オングストロームないし約1
ミクロンであり、約8000オングストロームないし約
1ミクロンが好ましい。好ましい不透明材料には、クロ
ムおよびアルミニウムがあり、クロムが最も好ましい。 クロムにパターンを形成するのに使用する代表的なエッ
チャントは、硝酸に硝酸セリウムアルミニウムを溶解し
たものである。クロムは、スパッタリングや蒸着等の従
来の方法で付着させることができる。使用する代表的方
法は、スパッタリングである。クロム付着技術は、D.
エリオット(Elliot)、“Integrated
Circuit Mask Technology”
、p.88−91に記載されている。
【0016】この発明の好ましい態様である不透明なパ
ターン形成材料の代わりに、パターン層を透明皮膜、ま
たは皮膜の透明度が外部手段によって制御できるアドレ
ス可能な皮膜とすることもできる。パターン層が透明皮
膜の場合は、この皮膜の厚みは通常、マスクを使用する
工程で使用する光の波長より短く、約1/4λ、1/2
λ、3/4λのいずれかが好ましい。パターン層のエッ
チングされた領域は、完全に除去されず、厚みが減少す
るだけである。光学的透明薄膜層で使用するλ単位で表
した厚みは、層の物理的厚みに屈折率を掛けたものであ
る。適当な透明材料には、二酸化シリコン、二酸化ハフ
ニウム、酸化スカンジウム、酸化アルミニウム、五酸化
タンタル、酸化トリウム、およびフッ化マグネシウムが
ある。アドレス可能な皮膜とは、電圧を印加すると不透
明になり、あるいは層のパターン付き部分の屈折率が変
化する、透明導線を含む材料である。このような導線を
形成する適当な材料は、酸化インジウム/スズである。 アドレス可能な皮膜は、L.タウナス(Taunas)
、“Flat Panel Display and
CRTs”のセクション11.6に記載されているよう
にエレクトロクロミックである。
ターン形成材料の代わりに、パターン層を透明皮膜、ま
たは皮膜の透明度が外部手段によって制御できるアドレ
ス可能な皮膜とすることもできる。パターン層が透明皮
膜の場合は、この皮膜の厚みは通常、マスクを使用する
工程で使用する光の波長より短く、約1/4λ、1/2
λ、3/4λのいずれかが好ましい。パターン層のエッ
チングされた領域は、完全に除去されず、厚みが減少す
るだけである。光学的透明薄膜層で使用するλ単位で表
した厚みは、層の物理的厚みに屈折率を掛けたものであ
る。適当な透明材料には、二酸化シリコン、二酸化ハフ
ニウム、酸化スカンジウム、酸化アルミニウム、五酸化
タンタル、酸化トリウム、およびフッ化マグネシウムが
ある。アドレス可能な皮膜とは、電圧を印加すると不透
明になり、あるいは層のパターン付き部分の屈折率が変
化する、透明導線を含む材料である。このような導線を
形成する適当な材料は、酸化インジウム/スズである。 アドレス可能な皮膜は、L.タウナス(Taunas)
、“Flat Panel Display and
CRTs”のセクション11.6に記載されているよう
にエレクトロクロミックである。
【0017】パターン層の上に、第2の誘電性透明材料
のコーティング4(図3参照)を設ける。第2の誘電体
コーティングは、通常約9〜40層の誘電性材料を含ん
でおり、各層の厚みは通常マスクが使用される光の波長
より短く、典型的には約1/8〜3/4λで、最も一般
的には約1/4λである。適当な材料は上記の第1の誘
電性透明材料と同じである。第2の誘電体コーティング
は、スパッタリングや蒸着等の従来の方法で構造の上に
付着させることができるが、イオンを使用した付着が好
ましい。
のコーティング4(図3参照)を設ける。第2の誘電体
コーティングは、通常約9〜40層の誘電性材料を含ん
でおり、各層の厚みは通常マスクが使用される光の波長
より短く、典型的には約1/8〜3/4λで、最も一般
的には約1/4λである。適当な材料は上記の第1の誘
電性透明材料と同じである。第2の誘電体コーティング
は、スパッタリングや蒸着等の従来の方法で構造の上に
付着させることができるが、イオンを使用した付着が好
ましい。
【0018】第1の誘電体層とパターン層の不透明部分
が、図4に示すように、入射レーザ光線の大部分を反射
し、不透明部分に吸収される光はほとんど残らない。一
方、第1および第2の誘電体層は、光の大部分をマスク
構造中を通過させ、それらの光が後の所期の処理に使用
される。この効果は、多層コーティングが、光の強さで
はなく振幅と重なるために生じる。
が、図4に示すように、入射レーザ光線の大部分を反射
し、不透明部分に吸収される光はほとんど残らない。一
方、第1および第2の誘電体層は、光の大部分をマスク
構造中を通過させ、それらの光が後の所期の処理に使用
される。この効果は、多層コーティングが、光の強さで
はなく振幅と重なるために生じる。
【0019】パターン層が透明材料の場合は、第1およ
び第2の誘電性透明材料が透明部分で分離されているた
めに、同位相の入射光が反射され、透過はほとんど起こ
らない。一方、透明材料がない場所では、第1および第
2の誘電体材料が互いに接触して連続しており、反射は
位相外れとなって、入射光がほぼ完全に透過する。
び第2の誘電性透明材料が透明部分で分離されているた
めに、同位相の入射光が反射され、透過はほとんど起こ
らない。一方、透明材料がない場所では、第1および第
2の誘電体材料が互いに接触して連続しており、反射は
位相外れとなって、入射光がほぼ完全に透過する。
【0020】代替方法として、透明部分による分離を、
第1および第2のパターンのない誘電体コーティングか
らの反射が正確に位相外れになって、共鳴的に透過が増
大するように選択することができる。一方、パターン層
の厚みが、通常最初の厚みの約半分に減少した領域では
、第1および第2の材料は、透過共鳴外れとなり、反射
率がきわめて高くなる。
第1および第2のパターンのない誘電体コーティングか
らの反射が正確に位相外れになって、共鳴的に透過が増
大するように選択することができる。一方、パターン層
の厚みが、通常最初の厚みの約半分に減少した領域では
、第1および第2の材料は、透過共鳴外れとなり、反射
率がきわめて高くなる。
【0021】表1は、308nmの波長で設計し、すべ
ての誘電体層の厚みが約1/4λである、この発明によ
る構造を示す。層1ないし層8は、第1の誘電性透明材
料のコーティング、層9は、パターンを形成した不透明
層、層2’ないし層11’は、第2の誘電性透明材料の
コーティングを表す。
ての誘電体層の厚みが約1/4λである、この発明によ
る構造を示す。層1ないし層8は、第1の誘電性透明材
料のコーティング、層9は、パターンを形成した不透明
層、層2’ないし層11’は、第2の誘電性透明材料の
コーティングを表す。
【表1】
【0022】・クロムへの透過率: 5.5%標準ク
ロム・マスク: 65% ・角フィールド(T=50%のとき): 9度
ロム・マスク: 65% ・角フィールド(T=50%のとき): 9度
【00
23】これらのコーティングがどう動作するかを理解す
るには、ファブリ・ペローの反射・透過エタロンと類推
して考えるとよい。不透過マスク領域では、第1の誘電
性透明材料のコーティングの最後の誘電体皮膜は、エタ
ロンのスペーサと見なすことができ、2枚のエンド・ミ
ラーが、不透明部分と、第1の誘電性透明材料のコーテ
ィングの最初の層とで形成される。第1の層と不透明部
分との間隔を特定の値にすることによって、反射は最大
となり、透過は最少となる。さらに、材料の透過部分も
、第1の誘電性透明材料のコーティングの最後の誘電体
層と、第2の誘電性透明材料のコーティングの最初の層
とが結合スペーサ層を形成したエタロンと考えることが
できる。この厚みを使って、透過を共鳴的に増大するこ
とができる。
23】これらのコーティングがどう動作するかを理解す
るには、ファブリ・ペローの反射・透過エタロンと類推
して考えるとよい。不透過マスク領域では、第1の誘電
性透明材料のコーティングの最後の誘電体皮膜は、エタ
ロンのスペーサと見なすことができ、2枚のエンド・ミ
ラーが、不透明部分と、第1の誘電性透明材料のコーテ
ィングの最初の層とで形成される。第1の層と不透明部
分との間隔を特定の値にすることによって、反射は最大
となり、透過は最少となる。さらに、材料の透過部分も
、第1の誘電性透明材料のコーティングの最後の誘電体
層と、第2の誘電性透明材料のコーティングの最初の層
とが結合スペーサ層を形成したエタロンと考えることが
できる。この厚みを使って、透過を共鳴的に増大するこ
とができる。
【0024】したがって、表1のマスク構造で、第2の
誘電性透明材料のコーティング中の、最初の1/4λの
二酸化シリコンのコーティングまたはゾーンが、第1の
誘電性透明材料のコーティングの最後の二酸化シリコン
層とともに、第2のエタロンの、位相厚み180度のス
ペーサを形成する。第2の誘電性透明材料中の次のいく
つかのコーティングが、第2のエンド・ミラーを形成し
、その次にシステムを空気と整合させるための3層の反
射防止コーティングが続く。
誘電性透明材料のコーティング中の、最初の1/4λの
二酸化シリコンのコーティングまたはゾーンが、第1の
誘電性透明材料のコーティングの最後の二酸化シリコン
層とともに、第2のエタロンの、位相厚み180度のス
ペーサを形成する。第2の誘電性透明材料中の次のいく
つかのコーティングが、第2のエンド・ミラーを形成し
、その次にシステムを空気と整合させるための3層の反
射防止コーティングが続く。
【0025】表1に示すマスク構造は、不透明なクロム
領域への透過率を、通常のクロム・マスクの約65%に
対して、約5.5%に減少させる。したがって、クロム
の放射線負荷は、1桁減少する。
領域への透過率を、通常のクロム・マスクの約65%に
対して、約5.5%に減少させる。したがって、クロム
の放射線負荷は、1桁減少する。
【0026】縁部での過渡吸収は、不透明金属皮膜が、
不透明材料が除去された隣接領域中の、第1および第2
の誘電性透明材料の間に存在する、隣接する定常波の波
節と波腹のどちらに近接しているかどうかに応じて減少
または増加する。表1に示す設計は、金属皮膜を、隣接
する開放領域中の定常波の波腹に沿って配置したもので
ある。
不透明材料が除去された隣接領域中の、第1および第2
の誘電性透明材料の間に存在する、隣接する定常波の波
節と波腹のどちらに近接しているかどうかに応じて減少
または増加する。表1に示す設計は、金属皮膜を、隣接
する開放領域中の定常波の波腹に沿って配置したもので
ある。
【0027】表2に示す設計では、金属皮膜が定常波の
波節に隣接する。
波節に隣接する。
【表2】
【0028】・クロムへの透過率: 10%標準クロ
ム・マスク: 65% ・角フィールド(T=50%のとき): 8度
ム・マスク: 65% ・角フィールド(T=50%のとき): 8度
【00
29】この発明のマスク構造は、現在の誘電体マスクと
異なり、マスクの検査中に、すべての可視検査波長でき
わめて高いコントラストが得られ、これにより検査の実
施が大幅に容易になり、効果的となる利点がある。さら
に、これらのマスクのコントラストは、クロムやアルミ
ニウム等の不透明金属層によるもので、マスクは、標準
の方法により容易に修理できる。さらに、第2の誘電性
透明材料のコーティングを付着させると、パターン層が
耐摩耗性の誘電体オーバーコートによって保護される。
29】この発明のマスク構造は、現在の誘電体マスクと
異なり、マスクの検査中に、すべての可視検査波長でき
わめて高いコントラストが得られ、これにより検査の実
施が大幅に容易になり、効果的となる利点がある。さら
に、これらのマスクのコントラストは、クロムやアルミ
ニウム等の不透明金属層によるもので、マスクは、標準
の方法により容易に修理できる。さらに、第2の誘電性
透明材料のコーティングを付着させると、パターン層が
耐摩耗性の誘電体オーバーコートによって保護される。
【0030】図5は、透過率を波長に対してプロットし
たもので、マスクの開放領域が、可視スペクトル全体を
通じて高い透過率を示している。さらに、図6は、表1
の設計の最初のコーティングが、可視スペクトル全体を
通じて透過率が高く、そのため、クロムのパターン形成
後に検査や修理が可能なことを示している。図5の透過
率のピークは、第1および第2の誘電性透明材料のコー
ティングを組み合わせた高度の共鳴構造によるものであ
る。
たもので、マスクの開放領域が、可視スペクトル全体を
通じて高い透過率を示している。さらに、図6は、表1
の設計の最初のコーティングが、可視スペクトル全体を
通じて透過率が高く、そのため、クロムのパターン形成
後に検査や修理が可能なことを示している。図5の透過
率のピークは、第1および第2の誘電性透明材料のコー
ティングを組み合わせた高度の共鳴構造によるものであ
る。
【0031】図7は、表1の層に従って作成したデバイ
スの透過バンドを示す。
スの透過バンドを示す。
【0032】図8は、表3の構成に従って作成したマス
クの透過バンドを示す。表3は、フィールド角を増大し
た透明材料のコーティングによる設計で、層9はパター
ンを形成した不透明層、層2’ないし層9’は第2の誘
電性透明材料のコーティングを表す。
クの透過バンドを示す。表3は、フィールド角を増大し
た透明材料のコーティングによる設計で、層9はパター
ンを形成した不透明層、層2’ないし層9’は第2の誘
電性透明材料のコーティングを表す。
【表3】
・クロムへの透過率: 6%
標準クロム・マスク: 65%
・角フィールド(T=50%のとき): 12度
【0
033】
033】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、破損に耐え、電子素子の製造に適した、新規のアブレ
ーション・マスクが提供される。
、破損に耐え、電子素子の製造に適した、新規のアブレ
ーション・マスクが提供される。
【図1】この発明のマスクの製造の一工程を示す概略図
である。
である。
【図2】この発明のマスクの製造の一工程を示す概略図
である。
である。
【図3】この発明のマスクの製造の一工程を示す概略図
である。
である。
【図4】この発明のマスクの製造の一工程を示す概略図
である。
である。
【図5】第1および第2の誘電性透明コーティングの組
合せによって達成される透過特性を示す図である。
合せによって達成される透過特性を示す図である。
【図6】第1の誘電性透明コーティングのみの透過特性
を示す図である。
を示す図である。
【図7】この発明の1実施例の透過特性を示す図である
。
。
【図8】この発明の別の実施例の透過特性を示す図であ
る。
る。
1 透明基板
2 第1の誘電性透明材料のコーティング3 パタ
ーン層
ーン層
Claims (16)
- 【請求項1】透明基板と、上記基板の主表面上の第1の
誘電性透明材料のコーティングと、上記第1の誘電性透
明材料のコーティングの上に設けたパターン層と、上記
のパターン層上の第2の誘電性透明材料コーティングと
を備えたパターン付きマスク。 - 【請求項2】上記基板が、溶融シリカまたはガラスであ
ることを特徴とする、請求項1のマスク。 - 【請求項3】上記第1の誘電性透明材料のコーティング
が、約6〜40層で構成され、各層が約1/8〜3/4
λであることを特徴とする、請求項1のマスク。 - 【請求項4】第1の誘電体と第2の誘電体の各層の厚さ
が、約1/4λであることを特徴とする、請求項1のマ
スク。 - 【請求項5】上記の誘電体材料が、二酸化シリコン、二
酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化アルミニウム
、五酸化タンタル、酸化トリウム、およびフッ化マグネ
シウムからなるグループから選択されることを特徴とす
る、請求項1のマスク。 - 【請求項6】上記のパターン層の厚さが、約500オン
グストロームないし約1ミクロンであることを特徴とす
る、請求項1のマスク。 - 【請求項7】上記のパターン層が、クロムまたはアルミ
ニウムであることを特徴とする、請求項1のマスク。 - 【請求項8】上記のパターン層が、クロムであることを
特徴とする、請求項1のマスク。 - 【請求項9】上記の第2の誘電体透明材料のコーティン
グが、約9〜40層の誘電体材料から構成されることを
特徴とする、請求項1のマスク。 - 【請求項10】上記の第1および第2の誘電体透明材料
のコーティングが、二酸化シリコンを含むことを特徴と
する、請求項1のマスク。 - 【請求項11】上記のパターン層が、不透明材料からな
ることを特徴とする、請求項1のマスク。 - 【請求項12】上記のパターン層が、透明材料からなる
ことを特徴とする、請求項1のマスク。 - 【請求項13】上記のパターン層が、アドレス可能層で
あることを特徴とする、請求項1のマスク。 - 【請求項14】基板の上にパターン形成可能な材料を設
けるステップと、上記の材料を、請求項1のマスクを介
して化学作用を有する光に選択的に露出するステップと
を含む、エッチング方法。 - 【請求項15】上記の光が、高電力パルス照射源である
ことを特徴とする、請求項14の方法。 - 【請求項16】上記のマスクと上記の基板の間に設けた
レンズにより、上記のマスクを介してパターンを投射す
ることを含む、請求項14の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US54324390A | 1990-06-25 | 1990-06-25 | |
US543243 | 1990-06-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04233542A true JPH04233542A (ja) | 1992-08-21 |
JP2599513B2 JP2599513B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=24167184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10370991A Expired - Lifetime JP2599513B2 (ja) | 1990-06-25 | 1991-03-14 | アブレーション・マスク |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5298351A (ja) |
EP (1) | EP0463319A1 (ja) |
JP (1) | JP2599513B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2694131B1 (fr) * | 1992-07-21 | 1996-09-27 | Balzers Hochvakuum | Procede et installation pour la fabrication d'un composant, notamment d'un composant optique, et composant optique ainsi obtenu. |
CH686461A5 (de) * | 1992-07-21 | 1996-03-29 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes, optisches Bauelement und Anlage zur Durchfuehrung des Verfahrens. |
US5354633A (en) * | 1993-09-22 | 1994-10-11 | Presstek, Inc. | Laser imageable photomask constructions |
JPH104232A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | エタロンおよび単一縦モードレーザー |
JP3094933B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 光加工機及びそれを用いたオリフィスプレートの製造方法 |
US6313435B1 (en) | 1998-11-20 | 2001-11-06 | 3M Innovative Properties Company | Mask orbiting for laser ablated feature formation |
US6120976A (en) * | 1998-11-20 | 2000-09-19 | 3M Innovative Properties Company | Laser ablated feature formation method |
US6172329B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-01-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ablated laser feature shape reproduction control |
US6762124B2 (en) * | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
DE10150874A1 (de) * | 2001-10-04 | 2003-04-30 | Zeiss Carl | Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung sowie ein Lithographiegerät und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
JP2005059064A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Corp | 加工方法及び半導体装置の製造方法 |
KR100674991B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 토폴로지를 갖는 보상층을 구비한 바이너리 포토 마스크 및그 제조방법 |
KR100734318B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크의 cd 보정 방법 및 cd가 보정된 포토마스크 |
US7724416B2 (en) * | 2007-04-05 | 2010-05-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electrically programmable reticle and system |
US8498464B2 (en) * | 2007-09-27 | 2013-07-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6321887A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レ−ザ光源装置 |
JPH01214859A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Hitachi Ltd | マスク |
JPH01302723A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Toshiba Corp | X線露光用マスク及びその製造方法 |
JPH02158735A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 高光線透過性防塵体 |
JPH02158734A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 高光線透過性防塵体の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5415288A (en) * | 1977-07-04 | 1979-02-05 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Movable cell guide frame |
US4536882A (en) * | 1979-01-12 | 1985-08-20 | Rockwell International Corporation | Embedded absorber X-ray mask and method for making same |
US4340654A (en) * | 1980-06-19 | 1982-07-20 | Campi James G | Defect-free photomask |
DE3147985C2 (de) * | 1981-12-04 | 1986-03-13 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut | Verfahren zur Herstellung eines Aufzeichnungsträgers mit einer mehrfarbigen Feinstruktur |
US4456371A (en) * | 1982-06-30 | 1984-06-26 | International Business Machines Corporation | Optical projection printing threshold leveling arrangement |
US4414059A (en) * | 1982-12-09 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Far UV patterning of resist materials |
JPS60121442A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-06-28 | Canon Inc | 感光性記録メモリ−媒体および記録再生方法 |
US4764441A (en) * | 1985-11-22 | 1988-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask for production of substrate for optical memory element |
US4923772A (en) * | 1986-10-29 | 1990-05-08 | Kirch Steven J | High energy laser mask and method of making same |
US4822144A (en) * | 1986-12-24 | 1989-04-18 | U.S. Philips Corporation | Electro-optic color display including luminescent layer and interference filter |
JPS63187430A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
EP0279670B1 (en) * | 1987-02-18 | 1997-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | A reflection type mask |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP10370991A patent/JP2599513B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-27 EP EP91106877A patent/EP0463319A1/en not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-12-28 US US07/996,877 patent/US5298351A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6321887A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レ−ザ光源装置 |
JPH01214859A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Hitachi Ltd | マスク |
JPH01302723A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Toshiba Corp | X線露光用マスク及びその製造方法 |
JPH02158735A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 高光線透過性防塵体 |
JPH02158734A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 高光線透過性防塵体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2599513B2 (ja) | 1997-04-09 |
US5298351A (en) | 1994-03-29 |
EP0463319A1 (en) | 1992-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2599513B2 (ja) | アブレーション・マスク | |
JP3047541B2 (ja) | 反射型マスクおよび欠陥修正方法 | |
US6593041B2 (en) | Damascene extreme ultraviolet lithography (EUVL) photomask and method of making | |
CN1272673C (zh) | 使用反射掩膜的集成电路 | |
WO2013046627A1 (ja) | 反射型露光用マスクブランクおよび反射型露光用マスク | |
US6653053B2 (en) | Method of forming a pattern on a semiconductor wafer using an attenuated phase shifting reflective mask | |
US5356662A (en) | Method for repairing an optical element which includes a multilayer coating | |
KR101695293B1 (ko) | 레이저 패턴 마스크 및 이의 제조 방법 | |
JPH07295200A (ja) | 位相シフトリソグラフマスク構造体とその形成方法 | |
JP2001512578A (ja) | ガラス上のマトリクス成形不透明低反射被膜 | |
US5780161A (en) | Non-absorbing anti-reflective coated (ARC) reticle using thin dielectric films and method of forming the reticle | |
CN1304904C (zh) | 使用无定形碳层改善光栅制造的方法 | |
JP2010072591A (ja) | 偏光素子、及びその製造方法 | |
JP2001166453A (ja) | 非吸収性レチクル及びその製造方法 | |
JPH07333829A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
US10156783B2 (en) | Image mask film scheme and method | |
US6027815A (en) | Non-absorbing anti-reflective coated (ARC) reticle using thin dielectric films and method of forming reticle | |
KR20050105267A (ko) | 감쇠된 위상 시프트 마스크를 이용하여 웨이퍼상에서포토레지스트를 패터닝하는 방법 | |
JPH01118134A (ja) | 基板を伴うマスクとその製造方法 | |
US7972751B2 (en) | Reflection photolithography mask, and process for fabricating this mask | |
JP2501383B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク | |
JPH0745499A (ja) | 反射型マスク | |
JPH0729794A (ja) | 反射型マスク | |
JP3542334B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09225669A (ja) | レーザ加工用マスクおよびその製造方法 |