JPS6321887A - 半導体レ−ザ光源装置 - Google Patents
半導体レ−ザ光源装置Info
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- JPS6321887A JPS6321887A JP16630286A JP16630286A JPS6321887A JP S6321887 A JPS6321887 A JP S6321887A JP 16630286 A JP16630286 A JP 16630286A JP 16630286 A JP16630286 A JP 16630286A JP S6321887 A JPS6321887 A JP S6321887A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02453—Heating, e.g. the laser is heated for stabilisation against temperature fluctuations of the environment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明は半導体レーザ光源装置に関し、特に詳細には半
導体レーザの温度を精密かつ安価に制御することのでき
る半導体レーザ光源装置に関するものである。
導体レーザの温度を精密かつ安価に制御することのでき
る半導体レーザ光源装置に関するものである。
(従来の技術)
周知のように半導体レーザは、光ビームを光偏向器によ
り偏向して走査を行なう各種走査記録装置や走査読取装
置等の光ビーム走査装置等に13いて、光ビームを発生
させる手段等として広く用いられている。
り偏向して走査を行なう各種走査記録装置や走査読取装
置等の光ビーム走査装置等に13いて、光ビームを発生
させる手段等として広く用いられている。
上記半導体レーザは、通常温度依存性が高く、温度が変
化するとその波長が変化するという性質を有している。
化するとその波長が変化するという性質を有している。
このため半導体レーザが上記走査記録装置等において用
いられ、波長依存性のある感材を走査する場合には、半
導体レーザの温度変化によりレーザビームの波長が変化
し、感材の感度が変化してしまうことを防止するため、
半導体レーザに対して高精度の温度制御を行なうことが
必要とされる。そこで従来は、半導体レーザを取り付け
るレーザマウントにベルチェ素子、ニクロム線などの温
度調節手段を取り付け、これらの温度調節手段の駆動を
制御して半導体レーザの温度を略一定に保つようになっ
ている。
いられ、波長依存性のある感材を走査する場合には、半
導体レーザの温度変化によりレーザビームの波長が変化
し、感材の感度が変化してしまうことを防止するため、
半導体レーザに対して高精度の温度制御を行なうことが
必要とされる。そこで従来は、半導体レーザを取り付け
るレーザマウントにベルチェ素子、ニクロム線などの温
度調節手段を取り付け、これらの温度調節手段の駆動を
制御して半導体レーザの温度を略一定に保つようになっ
ている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記温度調節手段としてニク′ロム線等
を用いた場合にはこれらを直接マウントに取り付けるこ
とはできないのでその取り付けが面倒なものになるとと
もに温度調節の精度も十分に高くすることができないと
いう問題がある。またニクロム線はその寿命が比較的短
く、かつ高価であるという不都合もある。
を用いた場合にはこれらを直接マウントに取り付けるこ
とはできないのでその取り付けが面倒なものになるとと
もに温度調節の精度も十分に高くすることができないと
いう問題がある。またニクロム線はその寿命が比較的短
く、かつ高価であるという不都合もある。
そこで本発明はニクロム線等に比ベマウントに簡単に取
り付けることが可能であり、高精度な温度制御を行なう
ことができ、しかも安価で寿命も長い温度調整手段を備
えた半導体レーザ光源装置を提供することを目的とする
ものである。
り付けることが可能であり、高精度な温度制御を行なう
ことができ、しかも安価で寿命も長い温度調整手段を備
えた半導体レーザ光源装置を提供することを目的とする
ものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明の半導体レーザ光源装置は、半導体レーザ、該半
導体レーザを加熱するパワートランジスタ、前記半導体
レーザの温度を検出する温度検出素子、および該温度検
出素子の出力に基づいて、前記半導体レーザの温度が略
一定となるように前記パワートランジスタの駆動を制御
する温調制御手段からなることを特徴とするものである
。
導体レーザを加熱するパワートランジスタ、前記半導体
レーザの温度を検出する温度検出素子、および該温度検
出素子の出力に基づいて、前記半導体レーザの温度が略
一定となるように前記パワートランジスタの駆動を制御
する温調制御手段からなることを特徴とするものである
。
上記パワートランジスタおよび温度検出素子は半導体レ
ーザが固定されるレーザマウントに取り付けられてもよ
いし、半導体レーザの近傍に、レーザマウントとは別体
に設けられてろよい。
ーザが固定されるレーザマウントに取り付けられてもよ
いし、半導体レーザの近傍に、レーザマウントとは別体
に設けられてろよい。
(作 用)
上記のように従来のニクロム線等の代りに温度調節手段
としてパワートランジスタを用いれば、パワートランジ
スタはレーザマウントに直接取り付けることもできるの
で、その配設が容易になるとともに、温度制御の精度も
上げることができる。
としてパワートランジスタを用いれば、パワートランジ
スタはレーザマウントに直接取り付けることもできるの
で、その配設が容易になるとともに、温度制御の精度も
上げることができる。
またパワートランジスタはニクロム線に比べ安価であり
、また寿命が長いので、装置全体のコストを低下させる
こともできる。
、また寿命が長いので、装置全体のコストを低下させる
こともできる。
(実 施 例)
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例による半導体レーザ光源装置
の概要を示す断面図である。
の概要を示す断面図である。
レーザビームを発する半導体レーザ1は、熱伝導性にす
ぐれた材質からなるブロック状のレーザマウント2の一
端面2aに固着されており、この半導体レーザ1と対向
する位置には半導体レーザがら発せられたレーザビーム
を平行光にするためのコリメータレンズ3がレンズマウ
ント4に保持されて配されている。このレンズマウント
4は、前記レーザマウント2と一体的に固定されたレン
ズマウント保持部5に保持されることにより、コリメー
タレンズ3を所定の位置に位置決めしている。
ぐれた材質からなるブロック状のレーザマウント2の一
端面2aに固着されており、この半導体レーザ1と対向
する位置には半導体レーザがら発せられたレーザビーム
を平行光にするためのコリメータレンズ3がレンズマウ
ント4に保持されて配されている。このレンズマウント
4は、前記レーザマウント2と一体的に固定されたレン
ズマウント保持部5に保持されることにより、コリメー
タレンズ3を所定の位置に位置決めしている。
前記レーザマウント2の他端面2bには温度検出素子で
あるサーミスタ6が設けられており、レーザマウント2
を介して半導体レーザの温度を検出するようになってい
る。またレーザマウント2の他端面2bにはパワートラ
ンジスタ7が設けられている。このパワートランジスタ
7は作動時に熱を発するものであり、半導体レーザ1の
温度が所定値以下に低下すると、半導体レーザ1はパワ
ートランジスタ7によりレーザマウント2を介して加熱
される。またこのパワートランジスタ7は前記サーミス
タ6の出力に基づいて作動する温調制御手段10により
その作動を0N−OFF制御される。
あるサーミスタ6が設けられており、レーザマウント2
を介して半導体レーザの温度を検出するようになってい
る。またレーザマウント2の他端面2bにはパワートラ
ンジスタ7が設けられている。このパワートランジスタ
7は作動時に熱を発するものであり、半導体レーザ1の
温度が所定値以下に低下すると、半導体レーザ1はパワ
ートランジスタ7によりレーザマウント2を介して加熱
される。またこのパワートランジスタ7は前記サーミス
タ6の出力に基づいて作動する温調制御手段10により
その作動を0N−OFF制御される。
次に第2図のブロック図を参照して前記サーミスタおよ
びパワートランジスタの作動のしくみについて説明する
。
びパワートランジスタの作動のしくみについて説明する
。
半導体レーザ駆動回路8の作動により半導体レーザ1に
電流が印加されると半導体レーザ1はレーザビームの発
振を開始する。サーミスタ6はこの半導体レーザ1の取
り付けられたレーザマウント2を介して半導体レーザ1
の作動中の温度を連続して検出し、検出された値は温調
制御手段10中の温度検出回路11に送られる。温度検
出回路11からは検出値に基づいて検出信号が発せられ
、この検出信号は温度基準信号発生回路12から発せら
れる、予め所定の値に設定された基準信号とともに、比
較器13へ送られる。比較器13において、前記検高信
号と基準信号の比較が行なわれ、検出信号の示す半導体
レーザ1の温度が、基準信号の示す、半導体レーザの望
ましい温度よりも低くなると、パワートランジスタ駆動
回路14を作動させる信号が比較器から発せられる。従
ってこのパワートランジスタ駆動回路14により、前記
パワートランジスタ7が駆動せしめられ、レーザマウン
ト2を介して半導体レーザ1の110熱が行なわれる。
電流が印加されると半導体レーザ1はレーザビームの発
振を開始する。サーミスタ6はこの半導体レーザ1の取
り付けられたレーザマウント2を介して半導体レーザ1
の作動中の温度を連続して検出し、検出された値は温調
制御手段10中の温度検出回路11に送られる。温度検
出回路11からは検出値に基づいて検出信号が発せられ
、この検出信号は温度基準信号発生回路12から発せら
れる、予め所定の値に設定された基準信号とともに、比
較器13へ送られる。比較器13において、前記検高信
号と基準信号の比較が行なわれ、検出信号の示す半導体
レーザ1の温度が、基準信号の示す、半導体レーザの望
ましい温度よりも低くなると、パワートランジスタ駆動
回路14を作動させる信号が比較器から発せられる。従
ってこのパワートランジスタ駆動回路14により、前記
パワートランジスタ7が駆動せしめられ、レーザマウン
ト2を介して半導体レーザ1の110熱が行なわれる。
このようにパワートランジスタ7により半導体レーザ1
の加熱が行なわれ、半導体レーザ1の温度が所定の温度
にまで上昇すると、前記比較器13は信号の発生を止め
、パワートランジスタ7はその作動を停止せしめられる
。なお、第3図はサーミスタ6、パワートランジスタ7
および温調制御手段10の回路図の一例である。図示の
回路において、サーミスタの抵抗R1,R2、R3によ
り構成されているブリッジ回路は、半導体レーザ1が所
定温度の時平衡となるように構成され、半導体レーザ1
が所定温度より低くなりサーミスタの抵抗値が変化して
平衡がくずれると比較器13から信号が出力されてパワ
ートランジスタ7のベースに入力され、パワートランジ
スタ2に電流が流れて半導体レーザ1を加熱する。なお
、トランジスタ15はパワートランジスタの過電流保護
のために設けられている。
の加熱が行なわれ、半導体レーザ1の温度が所定の温度
にまで上昇すると、前記比較器13は信号の発生を止め
、パワートランジスタ7はその作動を停止せしめられる
。なお、第3図はサーミスタ6、パワートランジスタ7
および温調制御手段10の回路図の一例である。図示の
回路において、サーミスタの抵抗R1,R2、R3によ
り構成されているブリッジ回路は、半導体レーザ1が所
定温度の時平衡となるように構成され、半導体レーザ1
が所定温度より低くなりサーミスタの抵抗値が変化して
平衡がくずれると比較器13から信号が出力されてパワ
ートランジスタ7のベースに入力され、パワートランジ
スタ2に電流が流れて半導体レーザ1を加熱する。なお
、トランジスタ15はパワートランジスタの過電流保護
のために設けられている。
このようにパワートランジスタ7を半導体レーザ1を適
宜加熱する温度v4を手段として用いれば、このパワー
トランジスタ7は本実施例のようにレーザマウントに直
接固定することもできるので、その取り付けが容易とな
る。またパワートランジスタはニクロム線等に比べ高精
度な温度1111i illが可能であり、例えばパワ
ートランジスタの駆動電力が7〜14Wであり、基準温
度が48℃である場合の半導体レーザの温調精度は±1
℃であり、その場合のレーザビームの波長の変化りは±
0.5nmと極めて小さいものであった。またパワート
ランジスタは安価であり寿命も長いという利点も有する
ため極めて好都合である。
宜加熱する温度v4を手段として用いれば、このパワー
トランジスタ7は本実施例のようにレーザマウントに直
接固定することもできるので、その取り付けが容易とな
る。またパワートランジスタはニクロム線等に比べ高精
度な温度1111i illが可能であり、例えばパワ
ートランジスタの駆動電力が7〜14Wであり、基準温
度が48℃である場合の半導体レーザの温調精度は±1
℃であり、その場合のレーザビームの波長の変化りは±
0.5nmと極めて小さいものであった。またパワート
ランジスタは安価であり寿命も長いという利点も有する
ため極めて好都合である。
なお、パワートランジスタの数は複数であってもよく、
例えばパワートランジスタを2つ設け、半導体レーザの
作動開始時には半導体レーザの立上特性を上げるため、
急速に加熱することが望ましいので、所定の立上時間の
み2つのパワートランジスタを共に作動させ、その後一
方のバワート zランジスタのみにより、上述したよう
な温度制御を行なってもよい。この場合には立上時間に
のみ用いられる一方のパワートランジスタはタイマーに
よりその作動時間を制御されてもよい。
例えばパワートランジスタを2つ設け、半導体レーザの
作動開始時には半導体レーザの立上特性を上げるため、
急速に加熱することが望ましいので、所定の立上時間の
み2つのパワートランジスタを共に作動させ、その後一
方のバワート zランジスタのみにより、上述したよう
な温度制御を行なってもよい。この場合には立上時間に
のみ用いられる一方のパワートランジスタはタイマーに
よりその作動時間を制御されてもよい。
また、パワートランジスタおよびサーミスタは必ずしも
レーザマウントに取り付けられる必要はなく、半導体レ
ーザの近傍の、その加熱および温度検出が可能な位置で
あれば任意の位置に配されてよい。
レーザマウントに取り付けられる必要はなく、半導体レ
ーザの近傍の、その加熱および温度検出が可能な位置で
あれば任意の位置に配されてよい。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明の半導体レーザ光源装置に
よれば、パワートランジスタの作動時の発熱に着目し、
パワートランジスタを温度調節手段として用いたことに
より、従来のニクロム線等に比べて温度調節手段の取り
付けが容易になり、また温調精度も高いものとなる。ま
たパワートランジスタは安価であり寿命も長いという利
点を有するものであり、このようなパワートランジスタ
を備えた装置の実用上の価値は極めて大きい。
よれば、パワートランジスタの作動時の発熱に着目し、
パワートランジスタを温度調節手段として用いたことに
より、従来のニクロム線等に比べて温度調節手段の取り
付けが容易になり、また温調精度も高いものとなる。ま
たパワートランジスタは安価であり寿命も長いという利
点を有するものであり、このようなパワートランジスタ
を備えた装置の実用上の価値は極めて大きい。
第1図は本発明の一実施例による半導体レーザ光源装置
の概要を示す断面図、 第2図はサーミスタ、パワートランジスタ、および温調
制御手段の作動のしくみを示すブロック図、 第3図はその回路図である。 1・・・半導体レーザ 2・・・レーザマウント6・
・・サーミスタ 7・・・パワートランジスタ10
・・・温調制御手段
の概要を示す断面図、 第2図はサーミスタ、パワートランジスタ、および温調
制御手段の作動のしくみを示すブロック図、 第3図はその回路図である。 1・・・半導体レーザ 2・・・レーザマウント6・
・・サーミスタ 7・・・パワートランジスタ10
・・・温調制御手段
Claims (1)
- 半導体レーザ、該半導体レーザを加熱するパワートラン
ジスタ、前記半導体レーザの温度を検出する温度検出素
子、および該温度検出素子の出力に基づいて、前記半導
体レーザの温度が略一定となるように前記パワートラン
ジスタの駆動を制御する温調制御手段からなる半導体レ
ーザ光源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16630286A JPS6321887A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16630286A JPS6321887A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6321887A true JPS6321887A (ja) | 1988-01-29 |
Family
ID=15828827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16630286A Pending JPS6321887A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6321887A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04233542A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | アブレーション・マスク |
EP1647848A4 (en) * | 2002-04-02 | 2006-04-19 | Sumiden Opcom Ltd | TEMPERATURE REGULATOR AND OPTICAL WAVE LENGTH MULTIPLEXER / DEMOLIPER WAVEGUIDE ARRAY TYPE |
US8406090B2 (en) | 2008-03-04 | 2013-03-26 | HGST Netherlands B.V. | Laser power sensor for thermally assisted magnetic recording |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP16630286A patent/JPS6321887A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04233542A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | アブレーション・マスク |
EP1647848A4 (en) * | 2002-04-02 | 2006-04-19 | Sumiden Opcom Ltd | TEMPERATURE REGULATOR AND OPTICAL WAVE LENGTH MULTIPLEXER / DEMOLIPER WAVEGUIDE ARRAY TYPE |
EP1647848A1 (en) * | 2002-04-02 | 2006-04-19 | Sumiden Opcom, Ltd. | Temperature controller and array waveguide lattice type optical wavelength multiplexer/demultiplexer |
US8406090B2 (en) | 2008-03-04 | 2013-03-26 | HGST Netherlands B.V. | Laser power sensor for thermally assisted magnetic recording |
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