JPH04223392A - 厚膜パターン形成方法 - Google Patents
厚膜パターン形成方法Info
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- JPH04223392A JPH04223392A JP41368190A JP41368190A JPH04223392A JP H04223392 A JPH04223392 A JP H04223392A JP 41368190 A JP41368190 A JP 41368190A JP 41368190 A JP41368190 A JP 41368190A JP H04223392 A JPH04223392 A JP H04223392A
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Links
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Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、蛍光表
示装置、プラズマディスプレイパネル、混成集積回路等
の製造工程における厚膜パターン形成方法に関するもの
である。
示装置、プラズマディスプレイパネル、混成集積回路等
の製造工程における厚膜パターン形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラスやセラミック等の基板上に
セラミック材料で厚膜パターンを形成する方法として、
導体又は絶縁体用のセラミック材料をバインダー中に分
散させてペースト状としたものを用い、このペーストを
スクリーン印刷によりパターン状に印刷を行った後に乾
燥、焼成する工程を繰り返す方法が一般的に行われてい
る。ところが、この方法により５０〜１００μｍの厚膜
を得るためには５〜１０回の重ね刷りを必要とし、その
たびごとに乾燥工程が入るために、生産性が悪く歩留り
が低下するという問題点がある。さらに、ペーストの粘
度、チクソトロピー等により、パターンの線幅精度が損
なわれるという問題点もある。そこで、高精度の厚膜パ
ターンを得る方法として、最近ではペーストをフォトレ
ジストからなる雌型パターンの開口部にすり込む方法が
知られている。すなわち、この方法は、基板の上に被着
したフォトレジストに所定のパターンからなる雌型を形
成し、この雌型によって形成される開口部にペーストを
すり込んだ後、焼成してフォトレジストを消失させると
ともにペースト中のセラミック材料を基板上に結着させ
ることにより所望の厚膜パターンを得ようとするもので
ある。
セラミック材料で厚膜パターンを形成する方法として、
導体又は絶縁体用のセラミック材料をバインダー中に分
散させてペースト状としたものを用い、このペーストを
スクリーン印刷によりパターン状に印刷を行った後に乾
燥、焼成する工程を繰り返す方法が一般的に行われてい
る。ところが、この方法により５０〜１００μｍの厚膜
を得るためには５〜１０回の重ね刷りを必要とし、その
たびごとに乾燥工程が入るために、生産性が悪く歩留り
が低下するという問題点がある。さらに、ペーストの粘
度、チクソトロピー等により、パターンの線幅精度が損
なわれるという問題点もある。そこで、高精度の厚膜パ
ターンを得る方法として、最近ではペーストをフォトレ
ジストからなる雌型パターンの開口部にすり込む方法が
知られている。すなわち、この方法は、基板の上に被着
したフォトレジストに所定のパターンからなる雌型を形
成し、この雌型によって形成される開口部にペーストを
すり込んだ後、焼成してフォトレジストを消失させると
ともにペースト中のセラミック材料を基板上に結着させ
ることにより所望の厚膜パターンを得ようとするもので
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術で述べたフォ
トレジストを用いた方法においては、基板上に被着した
フォトレジストに対しマスクを介して露光した後で現像
することにより基板上に所定パターンの雌型を形成する
が、この雌型の開口部に充填したペースト内のセラミッ
ク材料を焼成により確実に基板に結着させるためには、
ペーストが基板と接触するように雌型の開口部は基板ま
で開いていなければならない。しかしながら、所望の高
さの雌型を形成しようとしてフォトレジストの厚さを大
きくした場合には、現像後基板上の雌型開口部にフォト
レジストが残ってしまい、この基板上に残留したフォト
レジストによりセラミック材料が基板に対して確実に結
着しないという問題点があった。
トレジストを用いた方法においては、基板上に被着した
フォトレジストに対しマスクを介して露光した後で現像
することにより基板上に所定パターンの雌型を形成する
が、この雌型の開口部に充填したペースト内のセラミッ
ク材料を焼成により確実に基板に結着させるためには、
ペーストが基板と接触するように雌型の開口部は基板ま
で開いていなければならない。しかしながら、所望の高
さの雌型を形成しようとしてフォトレジストの厚さを大
きくした場合には、現像後基板上の雌型開口部にフォト
レジストが残ってしまい、この基板上に残留したフォト
レジストによりセラミック材料が基板に対して確実に結
着しないという問題点があった。
【０００４】本発明は、このような従来技術の問題点を
解消するために創案されたものであり、その目的とする
ところは、セラミック材料を確実に基板上に結着させる
ことのできる厚膜パターン形成方法を提供することにあ
る。
解消するために創案されたものであり、その目的とする
ところは、セラミック材料を確実に基板上に結着させる
ことのできる厚膜パターン形成方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上にセラミック材料による厚膜パタ
ーンを形成する方法において、まず基板上にフォトレジ
スト層を形成し、次いで該フォトレジスト層に対してパ
ターン露光及び現像を行った後、ドライエッチングを行
って現像不良部分を消失することにより前記基板上に所
要パターンの雌型を形成し、続いて該雌型により得られ
た開口部にセラミック材料を充填した後、前記雌型を消
失せしめることによりセラミック材料による目的パター
ンを得ることを特徴としている。
に、本発明は、基板上にセラミック材料による厚膜パタ
ーンを形成する方法において、まず基板上にフォトレジ
スト層を形成し、次いで該フォトレジスト層に対してパ
ターン露光及び現像を行った後、ドライエッチングを行
って現像不良部分を消失することにより前記基板上に所
要パターンの雌型を形成し、続いて該雌型により得られ
た開口部にセラミック材料を充填した後、前記雌型を消
失せしめることによりセラミック材料による目的パター
ンを得ることを特徴としている。
【０００６】
【実施例】以下、図１〜図７により本発明に係る厚膜パ
ターン形成方法の一実施例を説明する。
ターン形成方法の一実施例を説明する。
【０００７】まず、図１に示すように、ガラス基板１の
上に厚さ４０μｍのドライフィルム（サンノプコ社製ノ
プコキュアーＦ−５０４０）を加熱ラミネート法で４層
積層し、厚さ１６０μｍのフォトレジスト２の層を形成
した。次いで、図２に示すように、超高圧水銀灯を光源
とする平行光プリンターを用い線幅１００μｍ、ピッチ
３００μｍのラインパターンマスク３を介してパターン
露光を行った。露光条件は波長３６５ｎｍで測定した時
に、強度２００μｗ／ｃｍ２、照射量２３０ｍＪ／ｃｍ
２ である。続いて、１−１−１トリクロロエタンとジ
クロロメタンの混合液（混合比は４：１）により液温２
５℃でスプレー現像を行って図３に示すようなフォトレ
ジスト２からなるパターンを得た。
上に厚さ４０μｍのドライフィルム（サンノプコ社製ノ
プコキュアーＦ−５０４０）を加熱ラミネート法で４層
積層し、厚さ１６０μｍのフォトレジスト２の層を形成
した。次いで、図２に示すように、超高圧水銀灯を光源
とする平行光プリンターを用い線幅１００μｍ、ピッチ
３００μｍのラインパターンマスク３を介してパターン
露光を行った。露光条件は波長３６５ｎｍで測定した時
に、強度２００μｗ／ｃｍ２、照射量２３０ｍＪ／ｃｍ
２ である。続いて、１−１−１トリクロロエタンとジ
クロロメタンの混合液（混合比は４：１）により液温２
５℃でスプレー現像を行って図３に示すようなフォトレ
ジスト２からなるパターンを得た。
【０００８】この場合、フォトレジスト層２は１６０μ
ｍと厚さがあるために、現像段階でパターン凹部にフォ
トレジスト２の一部が残留した。そこで、図４に示すよ
うに、プラズマアッシングを行ってこの残留部分を除去
するようにした。プラズマアッシングの条件は、反応ガ
ス圧２０ｍｍＴｏｏｒ、真空度９×１０−５Ｔｏｏｒ、
基板回転１ｒｐｍ であり、反応ガスはＯ２ でその流
量は３０ＳＣＣＭである。また、アッシング時間は３０
分である。以上の工程により図５に示す線幅２００μｍ
、ピッチ３００μｍ、高さ１５０μｍの雌型４を得た。 なお、基板上に残留したフォトレジストの除去について
は、Ｏ２ とＣＦ４ 混合のイオンエッチング等その他
のドライエッチングも有効である。
ｍと厚さがあるために、現像段階でパターン凹部にフォ
トレジスト２の一部が残留した。そこで、図４に示すよ
うに、プラズマアッシングを行ってこの残留部分を除去
するようにした。プラズマアッシングの条件は、反応ガ
ス圧２０ｍｍＴｏｏｒ、真空度９×１０−５Ｔｏｏｒ、
基板回転１ｒｐｍ であり、反応ガスはＯ２ でその流
量は３０ＳＣＣＭである。また、アッシング時間は３０
分である。以上の工程により図５に示す線幅２００μｍ
、ピッチ３００μｍ、高さ１５０μｍの雌型４を得た。 なお、基板上に残留したフォトレジストの除去について
は、Ｏ２ とＣＦ４ 混合のイオンエッチング等その他
のドライエッチングも有効である。
【０００９】そして、次に行った図６に示すセラミック
材料５の充填工程では、セラミック材料５として低融点
ガラスフリット、耐熱顔料、充填剤を有機バインダー中
に分散させたペースト状のものを用い、平板ゴム６を雌
型４に接しながらパターンを斜めに横切るように移動さ
せてペースト状のセラミック材料５を雌型４の開口部に
充填するとともに、雌型５の開口部からはみ出した余分
なセラミック材料５を掻き取るようにした。このように
して得られたガラス基板１はセラミック材料５中の有機
バインダーに含まれる溶剤を除去するため８０〜１２０
℃で乾燥を行って次の焼成工程へ供した。なお、このペ
ースト状のセラミック材料５の充填工程は必要に応じて
複数回繰り返してもよい。
材料５の充填工程では、セラミック材料５として低融点
ガラスフリット、耐熱顔料、充填剤を有機バインダー中
に分散させたペースト状のものを用い、平板ゴム６を雌
型４に接しながらパターンを斜めに横切るように移動さ
せてペースト状のセラミック材料５を雌型４の開口部に
充填するとともに、雌型５の開口部からはみ出した余分
なセラミック材料５を掻き取るようにした。このように
して得られたガラス基板１はセラミック材料５中の有機
バインダーに含まれる溶剤を除去するため８０〜１２０
℃で乾燥を行って次の焼成工程へ供した。なお、このペ
ースト状のセラミック材料５の充填工程は必要に応じて
複数回繰り返してもよい。
【００１０】最後に、ピーク温度５８５℃、焼成時間１
０〜２０分の条件で焼成を行い、フォトレジストで形成
された雌型４を消失せしめるとともに、前記セラミック
材料５をガラス基板１に結着させることにより、図７に
示すような線幅１００〜１２０μｍ、ピッチ３００μｍ
、高さ１５０μｍのセラミック材料５からなる厚膜パタ
ーンを得た。
０〜２０分の条件で焼成を行い、フォトレジストで形成
された雌型４を消失せしめるとともに、前記セラミック
材料５をガラス基板１に結着させることにより、図７に
示すような線幅１００〜１２０μｍ、ピッチ３００μｍ
、高さ１５０μｍのセラミック材料５からなる厚膜パタ
ーンを得た。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、上述したように、基板上に形
成したフォトレジスト層に対してパターン露光及び現像
を行った後、ドライエッチングを行って現像不良部分を
消失することにより基板上に所要パターンの雌型を形成
するようにしたので、開口部の基板上にフォトレジスト
が残留しない雌型が形成されることから、雌型の開口部
に充填したセラミック材料を焼成により確実に基板上に
結着させることができる。
成したフォトレジスト層に対してパターン露光及び現像
を行った後、ドライエッチングを行って現像不良部分を
消失することにより基板上に所要パターンの雌型を形成
するようにしたので、開口部の基板上にフォトレジスト
が残留しない雌型が形成されることから、雌型の開口部
に充填したセラミック材料を焼成により確実に基板上に
結着させることができる。
【図１】基板上にフォトレジスト層を形成した状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】フォトレジスト層のパターン露光工程を示す断
面図である。
面図である。
【図３】フォトレジスト層を現像して得られたパターン
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】プラズマアッシングの工程を示す断面図である
。
。
【図５】雌型を示す断面図である。
【図６】セラミック材料を充填する工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】焼成工程を経て得られた厚膜パターンを示す断
面図である。
面図である。
１ ガラス基板
２ フォトレジスト層
３ ラインパターンマスク
４ 雌型
５ セラミック材料
６ 平板ゴム
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にセラミック材料による厚膜パ
ターンを形成する方法において、まず基板上にフォトレ
ジスト層を形成し、次いで該フォトレジスト層に対して
パターン露光及び現像を行った後、ドライエッチングを
行って現像不良部分を消失することにより前記基板上に
所要パターンの雌型を形成し、続いて該雌型により得ら
れた開口部にセラミック材料を充填した後、前記雌型を
消失せしめることによりセラミック材料による目的パタ
ーンを得ることを特徴とする厚膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41368190A JPH04223392A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 厚膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41368190A JPH04223392A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 厚膜パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223392A true JPH04223392A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18522267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41368190A Pending JPH04223392A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 厚膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04223392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1028759C2 (nl) * | 2005-04-13 | 2006-10-16 | Fluxxion B V | Emulsificatie met behulp van microzeef. |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP41368190A patent/JPH04223392A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1028759C2 (nl) * | 2005-04-13 | 2006-10-16 | Fluxxion B V | Emulsificatie met behulp van microzeef. |
| WO2006110035A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Fluxxion B.V. | Microsieve membrane for emulsification and lithographic method of making the same |
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