JPH04218906A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、多層光磁気記録層を備え
た光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、優れた耐酸
化性、熱安定性を有し、保磁力、残留磁化、飽和磁化な
どの磁化特性に優れ、しかも短波長の再生光を照射して
も大きなカー回転角を示し、垂直磁気記録が可能な多層
光磁気記録層を備えた光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】鉄、コバルトなどの遷移金属と、
テルビウム（Ｔｂ）、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土
類元素との合金からなる非晶質合金薄膜は、膜面と垂直
な方向に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜
面に、この全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を
形成できることが知られている。この反転磁区の有無を
「１」、「０」に対応させることによって、上記のよう
な非晶質合金薄膜にデジタル信号を記録させることが可
能となる。

【０００３】このような光磁気記録媒体に使用される記
録材料としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ等の希土類元素とＦ
ｅ、Ｃｏ等の遷移金属元素とを組み合わせた非晶質合金
が従来の代表例である。しかし、これらの非晶質合金薄
膜を構成している希土類元素やＦｅは非常に酸化されや
すく、空気中の酸素とも容易に結合して酸化物を形成す
る性質がある。このような酸化が進行して腐食や孔食に
至ると信号の脱落を誘起し、また特に希土類元素が酸化
されると、保磁力と残留磁気カー回転角の減少にともな
ってＣ／Ｎ比が低下する。このような問題は、光磁気記
録媒体の磁気記録層の材料に希土類元素が使用されてい
る限り避けられないものである。

【０００４】このような遷移金属と希土類元素とを含む
非晶質合金薄膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメ
カニズムは、たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、Ｎｏ
．２、第９３〜９６頁で検討されており、以下のような
３つのタイプがあることが報告されている。 イ）孔食 孔食とは非晶質合金薄膜にピンホ―ルが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高湿雰囲気下で進行
し、たとえばＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などで著しく
進行する。 ロ）表面酸化 非晶質合金薄膜に表面酸化層が形成され、カ―回転角θ
ｋ　が経時的に変化し、ついにはカ―回転角θｋ　が減
少してしまう。 ハ）希土類金属の選択酸化 非晶質合金薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力Ｈｃ　が経時的に大きく変化してしまう。

【０００５】上述のような酸化や孔食は、上記非晶質合
金薄膜にＴｉ、Ｃｒ、Ａｌ等の不動態被膜を形成し得る
元素や、Ｐｔ、Ｐｄ等の不活性元素を添加することによ
り防止することができ、比較的膜厚の厚い場合において
その効果は確認されている。しかしながら、上述のよう
な添加元素の使用はしばしば磁気カー回転角の低下につ
ながり、しかも５００Å以下の膜厚では所望の効果が得
られないので、酸化防止保護膜等を併用する必要があっ
た。ところがこの酸化防止保護膜は高価であるとともに
形成するのに手間がかかり、またこの保護膜を形成して
も必ずしも非晶質合金薄膜の酸化劣化を充分には防止で
きないという問題点があった。

【０００６】このような酸化劣化にともなう問題点を解
決するために、たとえばＣｏ層とＰｔ層とを交互に積層
したＣｏ／Ｐｔ超格子金属薄膜あるいはＣｏ層とＰｄ層
とを交互に積層したＣｏ／Ｐｄ超格子金属薄膜が優れた
耐蝕性を示し、かつ全厚の薄い場合に優れた磁気光学特
性を有することが開示されている（ＥＰ公開３０４８７
３）。

【０００７】ところで、光磁気記録媒体においては磁性
変化を生じさせるためには記録層が局部的にキュリー温
度以上に加熱されることが必要である。したがって、記
録層のキュリー点が低いほど、情報転送速度が向上する
ことになる。キュリー点を下げる手段としては、記録層
に第３の元素を添加することが従来より考えられている
。しかしながら、このような手段は元素の種類によって
は記録層の熱安定性を低下させるため、金属イオンの拡
散あるいは記録層の結晶化が起こり、ノイズ発生の原因
となったり、保磁力や角型比が劣化するという結果を招
くことがあった。

【０００８】上述のような問題点を解決するために、た
とえば特開平１−９８１４４号公報には、金属Ｃｏに他
の元素（Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓ
ｉ、ＦｅおよびＣｕから選ばれる少なくとも一種）を所
定の範囲で添加してなるＣｏ系合金層とＰｄ層とを交互
に積層した超格子金属薄膜あるいは変調構造金属薄膜を
光磁気記録層とする光磁気記録媒体が開示されている。 また特開平１−１６２２５７号公報には、金属Ｃｏに他
の元素（Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ
、Ｓｂ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＴａから選ばれる少な
くとも一種）を所定の範囲で添加してなるＣｏ系合金層
とＰｔ層とを交互に積層した金属薄膜を光磁気記録層と
する光磁気記録媒体が開示されている。

【０００９】しかしながら、上記のような公報に記載さ
れた光磁気記録層においても、磁化特性、Ｃ／Ｎ特性な
どの点で必ずしも満足のいくものではなく、このような
点でさらなる改良要求があった。

【００１０】

【発明の目的】本発明は、優れた耐酸化性、熱安定性を
有し、保磁力、残留磁化、飽和磁化などの磁化特性に優
れ、しかも短波長の再生光を照射しても大きなカー回転
角を示し、垂直磁気記録が可能な多層光磁気記録層を備
えた光磁気記録媒体を提供することを目的としている。

【００１１】

【発明の概要】本発明に係る第１の光磁気記録媒体は、
その光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜と第
２薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層体で
あり、第１薄膜がＰｔからなり、第２薄膜がＣｏＭ１（
ただし、Ｍ１はＰｄ、Ｐｔ、ＣｒまたはＨｆを表す。）
からなることを特徴としている。

【００１２】本発明に係る第２の光磁気記録媒体は、そ
の光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜と第２
薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層体であ
り、第１薄膜がＰｔからなり、第２薄膜がＣｏＭ２Ｍ３
（ただし、Ｍ２はＰｔおよびＰｄから選ばれる少なくと
も１種の元素を表し、Ｍ３は下記（ａ）〜（ｈ）よりな
る群から選ばれる少なくとも１種の元素を表す。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなる
ことを特徴としている。

【００１３】本発明に係る第３の光磁気記録媒体は、そ
の光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜と第２
薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層体であ
り、第１薄膜がＰｔＭ４（ただし、Ｍ４はＰｄおよびＡ
ｕから選ばれる少なくとも１種の元素を表す。）からな
り、第２薄膜がＣｏＭ５（ただし、Ｍ５は下記（ａ）〜
（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を
表す。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなる
ことを特徴としている。

【００１４】本発明に係る第４の光磁気記録媒体は、そ
の光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜と第２
薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層体であ
り、第１薄膜がＰｄからなり、第２薄膜がＣｏＭ６（た
だし、Ｍ６はＧｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、ＴａおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素
を表す。）からなることを特徴としている。

【００１５】本発明に係る第５の光磁気記録媒体は、そ
の光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜と第２
薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層体であ
り、第１薄膜がＣｏＰｔＭ７（ただし、Ｍ７は下記（ａ
）〜（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元
素を表す。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素）からなり、第２薄膜がＣｏ
ＰｔＭ８（ただし、Ｍ８は下記（ａ）〜（ｈ）よりなる
群から選ばれる少なくとも１種の元素を表し、かつ前記
Ｍ７とは異なる。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなる
ことを特徴としている。

【００１６】本発明に係る第６の光磁気記録媒体は、そ
の光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜と第２
薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層体であ
り、第１薄膜がＰｔＭ９（ただし、Ｍ９は下記（ａ）〜
（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を
表す。 （ａ）：　　３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなり
、第２薄膜がＣｏからなることを特徴としている。

【００１７】本発明に係る光磁気記録媒体は、その光磁
気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜と第２薄膜と
が交互に積層された周期構造を有する積層体であるので
、優れた耐酸化性を有し、保磁力、残留磁化などの磁化
特性に優れ、しかも短波長の再生光を照射しても大きな
カー回転角を示し、垂直磁気記録が可能な多層光磁気記
録層を備えた光磁気記録媒体が得られる。

【００１８】

【発明の具体的説明】以下本発明に係る光磁気記録媒体
について具体的に説明する。本発明に係る光磁気記録媒
体の光磁気記録層は、組成が異なる２種の薄膜の積層体
として構成されている。

【００１９】本発明に係る光磁気記録媒体の多層光磁気
記録層を構成する２種の薄膜のうち、一方の薄膜（以下
、第１薄膜とよぶ）はＰｔまたはＰｄからなる薄膜であ
るか、もしくはＰｔを含む合金薄膜である。また、該多
層光磁気記録層を構成する２種の薄膜のうち、他方の薄
膜（以下、第２薄膜とよぶ）はＣｏからなる薄膜である
か、またはＣｏを含む合金薄膜である。この第１薄膜お
よび第２薄膜を積層してなる多層光磁気記録層は、膜面
に垂直な磁化容易軸を有する合金薄膜であって、かつ隣
接する第１薄膜および第２薄膜はその組成が互いに異な
っている。以下、このような光磁気記録媒体を６つの態
様に分けてさらに具体的に説明する。

【００２０】本発明に係る第１の光磁気記録媒体におい
ては、第１薄膜がＰｔからなり、第２薄膜がＣｏＭ１合
金（ただし、Ｍ１はＰｄ、Ｐｔ、ＣｒまたはＨｆを表す
。）からなる。

【００２１】なお、第１薄膜にはＰｔ以外にも少量に他
の金属が含有されていてもよい。このような他の金属と
しては、具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の３ｄ遷移元素；Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ
等の４ｄ遷移元素；Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ
、Ａｕ、Ｈｇ等の５ｄ遷移元素；Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ
、Ｓｍ、Ｅｕ等の希土類元素；Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ等のＩＩＩＢ族元素；Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等のＩＶＢ族元素；Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等のＶＢ
族元素；Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等のＶＩＢ族元素が用い
られる。これらの元素のなかでも、好ましくはＣｒ、Ｈ
ｆ、Ｔｉ、ＺｒおよびＴａが用いられる。

【００２２】このような他の金属は第１薄膜中に２０原
子％以下、好ましくは１０原子％以下の割合で含有され
ていてもよい。本発明に係る第１の光磁気記録媒体の第
２薄膜を構成するＣｏＭ１合金としては、Ｃｏ−Ｐｄ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金またはＣｏ−Ｈｆ
合金があげられる。

【００２３】第２薄膜がＣｏ−Ｐｄ合金からなる場合、
その組成比は、式：ＣｏｘＰｄ１００−ｘ　において、
ｘ（原子％）が５０〜９９．９原子％、好ましくは７０
〜９８原子％であることが望ましい。

【００２４】第２薄膜がＣｏ−Ｐｔ合金からなる場合、
その組成比は、式：ＣｏｘＰｔ１００−ｘ　において、
ｘ（原子％）が５０〜９９．９原子％、好ましくは７０
〜９８原子％であることが望ましい。

【００２５】第２薄膜がＣｏ−Ｃｒ合金からなる場合、
その組成比は、式：ＣｏｘＣｒ１００−ｘ　において、
ｘ（原子％）が７０〜９９．９原子％、好ましくは８０
〜９８原子％であることが望ましい。

【００２６】第２薄膜がＣｏ−Ｈｆ合金からなる場合、
その組成比は、式：ＣｏｘＨｆ１００−ｘ　において、
ｘ（原子％）が７０〜９９．９原子％、好ましくは８０
〜９８原子％であることが望ましい。

【００２７】なお、第２薄膜にはＣｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
ｒ、Ｈｆ以外にも少量に他の金属が含有されていてもよ
い。このような他の金属としては、具体的には、Ｓｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の３ｄ遷移
元素；Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ
、Ｃｄ等の４ｄ遷移元素；Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ
、Ａｕ、Ｈｇ等の５ｄ遷移元素；Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ
、Ｓｍ、Ｅｕ等の希土類元素；Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ等のＩＩＩＢ族元素；Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等のＩＶＢ族元素；Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等のＶＢ
族元素；Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等のＶＩＢ族元素が用い
られる。

【００２８】このような他の金属は第２薄膜中に２０原
子％以下、好ましくは１０原子％以下の割合で含有され
ていてもよい。本発明に係る第２の光磁気記録媒体にお
いては、第１薄膜がＰｔからなり、第２薄膜がＣｏＭ２
Ｍ３（ただし、Ｍ２はＰｔおよびＰｄから選ばれる少な
くとも１種の元素を表し、Ｍ３は下記（ａ）〜（ｈ）よ
りなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を表す。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなる
。

【００２９】なお、本発明に係る第２の光磁気記録媒体
の第１薄膜は、上記第１の発明に係る光磁気記録媒体の
第１薄膜と同様である。本発明に係る第２の光磁気記録
媒体の第２薄膜を構成するＣｏＭ２Ｍ３合金としては、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｍ３合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｍ３合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｍ３があげられる。

【００３０】ここで、Ｍ３としては、下記（ａ）〜（ｈ
）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素が用い
られる。 （ａ）Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ
、Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

【００３１】これらのうち、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎなどが好ましく用いられる。 （ｂ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ
、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

【００３２】このうちＺｒまたはＮｂが好ましく用いら
れる。 （ｃ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ
、Ｈｇが用いられる。

【００３３】このうちＴａが好ましく用いられる。 （ｄ）希土類元素 具体的には、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが用い
られる。

【００３４】このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｐｒが好ましく用いられる。 （ｅ）ＩＩＩＢ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが用いられる
。

【００３５】このうちＢ、Ａｌ、Ｇａが好ましく用いら
れる。 （ｆ）ＩＶＢ族元素 具体的には、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられる
。

【００３６】このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ま
しく用いられる。 （ｇ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。

【００３７】このうちＳｂが好ましく用いられる。 （ｈ）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

【００３８】このうちＴｅが好ましく用いられる。第２
薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｍ３合金からなる場合、その組成比
は、式：ＣｏｘＰｔｙＭ３１００−ｘ−ｙにおいて、ｘ
（原子％）が５０〜９８原子％、好ましくは７０〜９５
原子％であり、ｙ（原子％）が１〜４５原子％、好まし
くは４〜２５原子％であることが望ましい。

【００３９】第２薄膜がＣｏ−Ｐｄ−Ｍ３合金からなる
場合、その組成比は、式：ＣｏｘＰｄｙＭ３１００−ｘ
−ｙにおいて、ｘ（原子％）が５０〜９８原子％、好ま
しくは７０〜９５原子％であり、ｙ（原子％）が１〜４
５原子％、好ましくは４〜２５原子％であることが望ま
しい。

【００４０】第２薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｍ３合金か
らなる場合、その組成比は、式：ＣｏｘＰｔｙＰｄｚＭ
３１００−ｘ−ｙ−ｚにおいて、ｘ（原子％）が５０〜
９８原子％、好ましくは７０〜９５原子％であり、ｙ（
原子％）が０．５〜２３原子％、好ましくは２〜１３原
子％であり、ｚ（原子％）が０．５〜２２原子％、好ま
しくは２〜１２原子％であることが望ましい。

【００４１】上記本発明に係る第２の光磁気記録媒体の
第２薄膜を構成する合金のさらに具体的な例としては、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｔｉ合金、
Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ
−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｄ
−Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｎｉ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｆｅ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｚｎ合金、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−
Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｐｄ−Ｆｅ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｎｂ合金、
Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ
−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｄ
−Ｆｅ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔａ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｇ
ｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−
Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｐｄ−Ｆｅ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｈｏ合金、
Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ
−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐｄ
−Ｆｅ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｎｄ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｓ
ｍ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｆｅ−Ｐｒ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｐｒ合金、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｐｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ合
金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−
Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｔｂ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｎｉ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ
−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｚｎ合金
、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔ
ｂ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｄ−Ｔｂ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｚｒ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−
Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｔｂ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｔａ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ
−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｄｙ合金
、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔ
ｂ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｄ−Ｔｂ−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｈｏ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−
Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｔｂ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｓｍ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ
−Ｐｒ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｐｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｐｒ合金等をあげることができる。

【００４２】本発明に係る第３の光磁気記録媒体におい
ては、第１薄膜がＰｔＭ４（ただし、Ｍ４はＰｄおよび
Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素を表す。）から
なり、第２薄膜がＣｏＭ５（ただし、Ｍ５は下記（ａ）
〜（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素
を表す。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなる
。

【００４３】本発明に係る第３の光磁気記録媒体の第１
薄膜を構成するＰｔＭ４合金としては、Ｐｔ−Ｐｄ合金
、Ｐｔ−Ａｕ合金またはＰｔ−Ｐｄ−Ａｕ合金があげら
れる。

【００４４】第１薄膜がＰｔ−Ｐｄ合金からなる場合、
その組成比は、式：ＰｔｘＰｄ１００−ｘ　において、
ｘ（原子％）が５０〜９９．９原子％、好ましくは７０
〜９８原子％であることが望ましい。

【００４５】第１薄膜がＰｔ−Ａｕ合金からなる場合、
その組成比は、式：ＰｔｘＡｕ１００−ｘ　において、
ｘ（原子％）が５０〜９９．８原子％、好ましくは７０
〜９８原子％であることが望ましい。

【００４６】第１薄膜がＰｔ−Ｐｄ−Ａｕ合金からなる
場合、その組成比は、式：ＰｔｘＰｄｙＡｕ１００−ｘ
−ｙ　において、ｘ（原子％）が５０〜９９．８原子％
、好ましくは７０〜９８原子％であり、ｙ（原子％）が
０．１〜４５原子％、好ましくは１〜２５原子％である
ことが望ましい。

【００４７】なお、本発明に係る第３の光磁気記録媒体
の第１薄膜には、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ以外にも少量の他の
金属が含有されていてもよい。具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ
、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の
３ｄ遷移元素；Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ａｇ、Ｃｄ等の４ｄ遷移元素；Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｇ等の５ｄ遷移元素；Ｇｄ、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ等の希土類元素；Ｂ、Ａｌ、Ｇａ
、Ｉｎ、Ｔｌ等のＩＩＩＢ族元素；Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ等のＩＶＢ族元素；Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ
等のＶＢ族元素；Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等のＶＩＢ族元
素が用いられる。

【００４８】このような他の金属は第１薄膜中に２０原
子％以下、好ましくは１０原子％以下の割合で含有され
ていてもよい。本発明に係る第３の光磁気記録媒体の第
２薄膜を構成するＣｏＭ５合金に用いられるＭ５として
は、下記（ａ）〜（ｈ）よりなる群から選ばれる少なく
とも１種の元素が用いられる。 （ａ）Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ
、Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

【００４９】これらのうち、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎなどが好ましく用いられる。 （ｂ）４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ
、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

【００５０】このうちＺｒまたはＮｂが好ましく用いら
れる。 （ｃ）５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ
、Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

【００５１】このうちＴａが好ましく用いられる。 （ｄ）希土類元素 具体的には、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが用い
られる。

【００５２】このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｐｒが好ましく用いられる。 （ｅ）ＩＩＩＢ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが用いられる
。

【００５３】このうちＢ、Ａｌ、Ｇａが好ましく用いら
れる。 （ｆ）ＩＶＢ族元素 具体的には、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられる
。

【００５４】このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ま
しく用いられる。 （ｇ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。

【００５５】このうちＳｂが好ましく用いられる。 （ｈ）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

【００５６】このうちＴｅが好ましく用いられる。本発
明に係る第３の光磁気記録媒体を構成する第２薄膜の組
成比は、式：ＣｏｘＭ５１００−ｘにおいて、ｘ（原子
％）が７０〜９９．９原子％、好ましくは８０〜９８原
子％であることが望ましい。

【００５７】上記本発明に係る第３の光磁気記録媒体の
第２薄膜を構成する合金のさらに具体的な例としては、
Ｃｏ−Ｓｃ合金、Ｃｏ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｖ合金、Ｃｏ
−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｍｎ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−
Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｙ
合金、Ｃｏ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｍｏ合
金、Ｃｏ−Ｔｃ合金、Ｃｏ−Ｒｕ合金、Ｃｏ−Ｒｈ合金
、Ｃｏ−Ｐｄ合金、Ｃｏ−Ａｇ合金、Ｃｏ−Ｃｄ合金、
Ｃｏ−Ｈｆ合金、Ｃｏ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｗ合金、Ｃｏ
−Ｒｅ合金、Ｃｏ−Ｏｓ合金、Ｃｏ−Ｉｒ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ａｕ合金、Ｃｏ−Ｈｇ合金、Ｃｏ−Ｇ
ｄ合金、Ｃｏ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｈｏ
合金、Ｃｏ−Ｅｒ合金、Ｃｏ−Ｙｂ合金、Ｃｏ−Ｌｕ合
金、Ｃｏ−Ｌａ合金、Ｃｏ−Ｃｅ合金、Ｃｏ−Ｐｒ合金
、Ｃｏ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐｍ合金、Ｃｏ−Ｓｍ合金、
Ｃｏ−Ｅｕ合金、Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ａｌ合金、Ｃｏ
−Ｇａ合金、Ｃｏ−Ｉｎ合金、Ｃｏ−Ｔｌ合金、Ｃｏ−
Ｃ合金、Ｃｏ−Ｓｉ合金、Ｃｏ−Ｇｅ合金、Ｃｏ−Ｓｎ
合金、Ｃｏ−Ｐｂ合金、Ｃｏ−Ｎ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、
Ｃｏ−Ａｓ合金、Ｃｏ−Ｓｂ合金、Ｃｏ−Ｂｉ合金、Ｃ
ｏ−Ｓ合金、Ｃｏ−Ｓｅ合金、Ｃｏ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−
Ｐｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−
Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｎｉ合金、
Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｄ
−Ｆｅ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｃｕ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｚ
ｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｆｅ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｚｒ合金、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−
Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｐｄ−Ｆｅ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｔａ合金、
Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ
−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｄ
−Ｆｅ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｇｄ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔ
ｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｆｅ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｄｙ合金、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−
Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｐｄ−Ｆｅ−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｎｄ合金、
Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ
−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐｄ
−Ｆｅ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｓｍ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｐｒ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｐ
ｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｐｒ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐ
ｄ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｄ−Ｔｂ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｔｉ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−
Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｔｂ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｃｕ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ
−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｚｒ合金
、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔ
ｂ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｄ−Ｔｂ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｎｂ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−
Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｔａ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｔｂ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｇｄ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ
−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｈｏ合金
、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔ
ｂ−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｄ−Ｔｂ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｎｄ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−
Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｔｂ−Ｐｒ合金、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｐｒ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｂ−Ｐｒ合金等をあげることがで
きる。

【００５８】本発明に係る第４の光磁気記録媒体におい
ては、第１薄膜がＰｄからなり、第２薄膜がＣｏＭ６合
金（ただし、Ｍ６はＧｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｃｒ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、ＴａおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種
の元素を表す。）からなる。　　なお、第１薄膜にはＰ
ｄ以外にも少量に他の金属が含有されていてもよい。こ
のような他の金属としては、具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の３
ｄ遷移元素；Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ
、Ａｇ、Ｃｄ等の４ｄ遷移元素；Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ
、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ等の５ｄ遷移元素；Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ
、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ等の希土類元素；Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ等のＩＩＩＢ族元素；Ｃ、Ｓｉ
、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等のＩＶＢ族元素；Ｎ、Ｐ、Ａｓ、
Ｓｂ、Ｂｉ等のＶＢ族元素；Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等の
ＶＩＢ族元素が用いられる。

【００５９】このような他の金属は第１薄膜中に２０原
子％以下、好ましくは１０原子％以下の割合で含有され
ていてもよい。本発明に係る第４の光磁気記録媒体の第
２薄膜を構成するＣｏＭ６合金においては、Ｍ６として
Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａおよ
びＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素が用いられ、
中でも好ましくは、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｃｒ、Ｚｒおよ
びＨｆ等が用いられる。

【００６０】本発明に係る第４の光磁気記録媒体を構成
する第２薄膜の組成比は、式：ＣｏｘＭ６１００−ｘに
おいて、ｘ（原子％）が７０〜９９．９原子％、好まし
くは８０〜９８原子％であることが望ましい。

【００６１】上記本発明に係る第４の光磁気記録媒体の
第２薄膜を構成する合金のさらに具体的な例としては、
Ｃｏ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｔｂ合金、Ｃ
ｏ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｚｒ合金、Ｃｏ
−Ｈｆ合金、Ｃｏ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ａｌ合金、Ｃｏ−
Ｇｄ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｔｂ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−
Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｚｒ合
金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｈｆ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｔａ合金、Ｃ
ｏ−Ｇｄ−Ａｌ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｔｂ合金、Ｃ
ｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｃｒ合
金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｈｆ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−
Ｄｙ−Ａｌ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｔｂ−Ｎｄ合金、
Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｔｂ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ
−Ｔｂ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｔｂ−Ｈｆ合金
、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｔｂ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｇｄ−Ｄ
ｙ−Ｔｂ−Ａｌ合金等があげられる。

【００６２】本発明に係る第５の光磁気記録媒体におい
ては、第１薄膜がＣｏＰｔＭ７合金からなり、第２薄膜
がＣｏＰｔＭ８からなる。ここで、Ｍ７およびＭ８は、
下記（ａ）〜（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも
１種の元素を表し、かつＭ７とＭ８とは互いに異なる。 （ａ）Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ
、Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

【００６３】これらのうち、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎなどが好ましく用いられる。 （ｂ）４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ
、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

【００６４】このうちＺｒまたはＮｂが好ましく用いら
れる。 （ｃ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ
、Ｈｇが用いられる。

【００６５】このうちＴａが好ましく用いられる。 （ｄ）希土類元素 具体的には、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが用い
られる。

【００６６】このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｐｒが好ましく用いられる。 （ｅ）ＩＩＩＢ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが用いられる
。

【００６７】このうちＢ、Ａｌ、Ｇａが好ましく用いら
れる。 （ｆ）ＩＶＢ族元素 具体的には、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられる
。

【００６８】このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ま
しく用いられる。 （ｇ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。

【００６９】このうちＳｂが好ましく用いられる。 （ｈ）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

【００７０】このうちＴｅが好ましく用いられる。本発
明に係る第５の光磁気記録媒体を構成する第１薄膜の組
成比は、式：ＣｏｘＰｔｙＭ７１００−ｘ−ｙにおいて
、ｘ（原子％）が５０〜９９．８原子％、好ましくは７
０〜９８原子％であり、ｙ（原子％）が０．１〜４５原
子％、好ましくは１〜２５原子％であることが望ましい
。

【００７１】本発明に係る第５の光磁気記録媒体を構成
する第２薄膜の組成比は、式：ＣｏｘＰｔｙＭ８１００
−ｘ−ｙにおいて、ｘ（原子％）が５０〜９９．８原子
％、好ましくは７０〜９８原子％であり、ｙ（原子％）
が０．１〜４５原子％、好ましくは１〜２５原子％であ
ることが望ましい。

【００７２】上記本発明に係る第５の光磁気記録媒体の
第１薄膜および第２薄膜を構成する合金のさらに具体的
な例としては、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｓｃ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔ
ｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｖ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｍｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｚｎ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｚｒ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｍｏ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｔｃ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｒｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｒｈ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ａｇ
合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｈｆ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｗ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｒｅ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｏｓ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｉ
ｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ａｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｈｇ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｇｄ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｂ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｄｙ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｈｏ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｅｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｙｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｌｕ
合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｌａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｅ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｄ合金、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｐｍ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｓｍ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｅｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ａｌ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｇａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｉｎ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｔｌ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｓｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｇｅ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｓｎ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ａｓ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｓｂ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｓ合金
、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｓｅ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔｅ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｐｏ合金等をあげることができる。

【００７３】本発明に係る第５の光磁気記録媒体の光磁
気記録層を構成する第１薄膜および第２薄膜は、上記の
ような合金からなり、かつ互いにその組成が異なってい
る。このような光磁気記録層のうち、特に好ましい第１
薄膜と第２薄膜との組み合わせとしては、第１薄膜がＣ
ｏ−Ｐｔ−Ｔｉ合金からなり、第２薄膜がＣｏ−Ｐｔ−
Ｔｂ合金からなる光磁気記録層；第１薄膜がＣｏ−Ｐｔ
−Ｃｒ合金からなり、第２薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｔｂ合金
からなる光磁気記録層；第１薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｚｒ合
金からなり、第２薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｔｂ合金からなる
光磁気記録層；第１薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｈｆ合金からな
り、第２薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｔｂ合金からなる光磁気記
録層；第１薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｇｄ合金からなり、第２
薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金からなる光磁気記録層；第
１薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｇｄ合金からなり、第２薄膜がＣ
ｏ−Ｐｔ−Ｔｉ合金からなる光磁気記録層；第１薄膜が
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｄｙ合金からなり、第２薄膜がＣｏ−Ｐｔ
−Ｔｉ合金からなる光磁気記録層；第１薄膜がＣｏ−Ｐ
ｔ−Ｎｄ合金からなり、第２薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｔｉ合
金からなる光磁気記録層等をあげることができる。

【００７４】本発明に係る第６の光磁気記録媒体におい
ては、第１薄膜が、ＰｔＭ９合金（ただし、Ｍ９は、下
記（ａ）〜（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも一
種の元素からなり、第２薄膜がＣｏからなる。 （ａ）３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

【００７５】これらのうち、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎなどが好ましく用いられる。 （ｂ）４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ
、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

【００７６】このうちＺｒまたはＮｂが好ましく用いら
れる。 （ｃ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ
、Ｈｇが用いられる。

【００７７】このうちＴａが好ましく用いられる。 （ｄ）希土類元素 具体的には、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが用い
られる。

【００７８】このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｐｒが好ましく用いられる。 （ｅ）ＩＩＩＢ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが用いられる
。

【００７９】このうちＢ、Ａｌ、Ｇａが好ましく用いら
れる。 （ｆ）ＩＶＢ族元素 具体的には、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられる
。

【００８０】このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ま
しく用いられる。 （ｇ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。

【００８１】このうちＳｂが好ましく用いられる。 （ｈ）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

【００８２】このうちＴｅが好ましく用いられる。本発
明に係る第６の光磁気記録媒体を構成する第１薄膜の組
成比は、式：ＰｔｘＭ９１００−ｘにおいて、ｘ（原子
％）が７０〜９９．９原子％、好ましくは８０〜９８原
子％であることが望ましい。

【００８３】上記本発明に係る第６の光磁気記録媒体の
第１薄膜を構成する合金のさらに具体的な例としては、
Ｐｔ−Ｓｃ合金、Ｐｔ−Ｔｉ合金、Ｐｔ−Ｖ合金、Ｐｔ
−Ｃｒ合金、Ｐｔ−Ｍｎ合金、Ｐｔ−Ｆｅ合金、Ｐｔ−
Ｃｏ合金、Ｐｔ−Ｎｉ合金、Ｐｔ−Ｃｕ合金、Ｐｔ−Ｚ
ｎ合金、Ｐｔ−Ｙ合金、Ｐｔ−Ｚｒ合金、Ｐｔ−Ｎｂ合
金、Ｐｔ−Ｍｏ合金、Ｐｔ−Ｔｃ合金、Ｐｔ−Ｒｕ合金
、Ｐｔ−Ｒｈ合金、Ｐｔ−Ｐｄ合金、Ｐｔ−Ａｇ合金、
Ｐｔ−Ｃｄ合金、Ｐｔ−Ｈｆ合金、Ｐｔ−Ｔａ合金、Ｐ
ｔ−Ｗ合金、Ｐｔ−Ｒｅ合金、Ｐｔ−Ｏｓ合金、Ｐｔ−
Ｉｒ合金、Ｐｔ−Ｐｔ合金、Ｐｔ−Ａｕ合金、Ｐｔ−Ｈ
ｇ合金、Ｐｔ−Ｇｄ合金、Ｐｔ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｄｙ
合金、Ｐｔ−Ｈｏ合金、Ｐｔ−Ｅｒ合金、Ｐｔ−Ｙｂ合
金、Ｐｔ−Ｌｕ合金、Ｐｔ−Ｌａ合金、Ｐｔ−Ｃｅ合金
、Ｐｔ−Ｐｒ合金、Ｐｔ−Ｎｄ合金、Ｐｔ−Ｐｍ合金、
Ｐｔ−Ｓｍ合金、Ｐｔ−Ｅｕ合金、Ｐｔ−Ｂ合金、Ｐｔ
−Ａｌ合金、Ｐｔ−Ｇａ合金、Ｐｔ−Ｉｎ合金、Ｐｔ−
Ｔｌ合金、Ｐｔ−Ｃ合金、Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ｐｔ−Ｇｅ
合金、Ｐｔ−Ｓｎ合金、Ｐｔ−Ｐｂ合金、Ｐｔ−Ｎ合金
、Ｐｔ−Ｐ合金、Ｐｔ−Ａｓ合金、Ｐｔ−Ｓｂ合金、Ｐ
ｔ−Ｂｉ合金、Ｐｔ−Ｓ合金、Ｐｔ−Ｓｅ合金、Ｐｔ−
Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｐｏ合金等をあげることができる。

【００８４】本発明に係る第１〜第６の光磁気記録媒体
の光磁気記録層は上記のような組成を有した第１薄膜お
よび第２薄膜が交互に積層されてなる薄膜積層体として
構成されている。

【００８５】なお、本発明に係る光磁気記録媒体の光磁
気記録層としては、上記第１〜第６の多層光磁気記録層
以外にも、たとえば第１薄膜がＡｕ系合金、Ｐｔ系合金
、Ｐｄ系合金、Ａｕ−Ｐｔ系合金、Ａｕ−Ｐｄ系合金、
Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ系合金、金属Ａｕ、金属Ｐｔ、金属Ｐ
ｄからなり、第２薄膜がＦｅ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金
等のＦｅ含有合金または金属Ｆｅからなる光磁気記録層
も用いることができる。

【００８６】Ｆｅ−Ｃｏ系合金についてはＦｅ／Ｃｏ＋
Ｆｅ（原子比）は０．３以上、特に０．５以上が好まし
い。上記第１薄膜にはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ以外にも少量に
他の金属が含有されていてもよい。このような他の金属
としては、具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の３ｄ遷移元素；Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ等の
４ｄ遷移元素；Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈ
ｇ等の５ｄ遷移元素；Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ等の希土類元素；Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ等のＩ
ＩＩＢ族元素；Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等のＩＶＢ
族元素；Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等のＶＢ族元素；Ｓ
、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等のＶＩＢ族元素が用いられる。

【００８７】このような他の金属は第１薄膜中に２０原
子％以下、好ましくは１０原子％以下の割合で含有され
ていてもよい。このような第１薄膜のさらに具体的な例
としては、金属Ａｕ、金属Ｐｔ、金属Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｔ
合金、Ａｕ−Ｐｄ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ合金、Ａｕ−
Ｓｃ合金、Ａｕ−Ｔｉ合金、Ａｕ−Ｖ合金、Ａｕ−Ｃｒ
合金、Ａｕ−Ｍｎ合金、Ａｕ−Ｆｅ合金、Ａｕ−Ｃｏ合
金、Ａｕ−Ｎｉ合金、Ａｕ−Ｃｕ合金、Ａｕ−Ｚｎ合金
、Ａｕ−Ｙ合金、Ａｕ−Ｚｒ合金、Ａｕ−Ｎｂ合金、Ａ
ｕ−Ｍｏ合金、Ａｕ−Ｔｃ合金、Ａｕ−Ｒｕ合金、Ａｕ
−Ｒｈ合金、Ａｕ−Ａｇ合金、Ａｕ−Ｃｄ合金、Ａｕ−
Ｈｆ合金、Ａｕ−Ｔａ合金、Ａｕ−Ｗ合金、Ａｕ−Ｒｅ
合金、Ａｕ−Ｏｓ合金、Ａｕ−Ｉｒ合金、Ａｕ−Ｈｇ合
金、Ａｕ−Ｇｄ合金、Ａｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｄｙ合金
、Ａｕ−Ｈｏ合金、Ａｕ−Ｅｒ合金、Ａｕ−Ｙｂ合金、
Ａｕ−Ｌｕ合金、Ａｕ−Ｌａ合金、Ａｕ−Ｃｅ合金、Ａ
ｕ−Ｐｒ合金、Ａｕ−Ｎｄ合金、Ａｕ−Ｐｍ合金、Ａｕ
−Ｓｍ合金、Ａｕ−Ｅｕ合金、Ａｕ−Ｂ合金、Ａｕ−Ａ
ｌ合金、Ａｕ−Ｇａ合金、Ａｕ−Ｉｎ合金、Ａｕ−Ｔｌ
合金、Ａｕ−Ｃ合金、Ａｕ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｇｅ合金
、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｐｂ合金、Ａｕ−Ｎ合金、Ａ
ｕ−Ｐ合金、Ａｕ−Ａｓ合金、Ａｕ−Ｓｂ合金、Ａｕ−
Ｂｉ合金、Ａｕ−Ｓ合金、Ａｕ−Ｓｅ合金、Ａｕ−Ｔｅ
合金、Ａｕ−Ｐｏ合金、Ｐｔ−Ｓｃ合金、Ｐｔ−Ｔｉ合
金、Ｐｔ−Ｖ合金、Ｐｔ−Ｃｒ合金、Ｐｔ−Ｍｎ合金、
Ｐｔ−Ｆｅ合金、Ｐｔ−Ｃｏ合金、Ｐｔ−Ｎｉ合金、Ｐ
ｔ−Ｃｕ合金、Ｐｔ−Ｚｎ合金、Ｐｔ−Ｙ合金、Ｐｔ−
Ｚｒ合金、Ｐｔ−Ｎｂ合金、Ｐｔ−Ｍｏ合金、Ｐｔ−Ｔ
ｃ合金、Ｐｔ−Ｒｕ合金、Ｐｔ−Ｒｈ合金、Ｐｔ−Ａｇ
合金、Ｐｔ−Ｃｄ合金、Ｐｔ−Ｈｆ合金、Ｐｔ−Ｔａ合
金、Ｐｔ−Ｗ合金、Ｐｔ−Ｒｅ合金、Ｐｔ−Ｏｓ合金、
Ｐｔ−Ｉｒ合金、Ｐｔ−Ｈｇ合金、Ｐｔ−Ｇｄ合金、Ｐ
ｔ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｄｙ合金、Ｐｔ−Ｈｏ合金、Ｐｔ
−Ｅｒ合金、Ｐｔ−Ｙｂ合金、Ｐｔ−Ｌｕ合金、Ｐｔ−
Ｌａ合金、Ｐｔ−Ｃｅ合金、Ｐｔ−Ｐｒ合金、Ｐｔ−Ｎ
ｄ合金、Ｐｔ−Ｐｍ合金、Ｐｔ−Ｓｍ合金、Ｐｔ−Ｅｕ
合金、Ｐｔ−Ｂ合金、Ｐｔ−Ａｌ合金、Ｐｔ−Ｇａ合金
、Ｐｔ−Ｉｎ合金、Ｐｔ−Ｔｌ合金、Ｐｔ−Ｃ合金、Ｐ
ｔ−Ｓｉ合金、Ｐｔ−Ｇｅ合金、Ｐｔ−Ｓｎ合金、Ｐｔ
−Ｐｂ合金、Ｐｔ−Ｎ合金、Ｐｔ−Ｐ合金、Ｐｔ−Ａｓ
合金、Ｐｔ−Ｓｂ合金、Ｐｔ−Ｂｉ合金、Ｐｔ−Ｓ合金
、Ｐｔ−Ｓｅ合金、Ｐｔ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｐｏ合金、
Ｐｄ−Ｓｃ合金、Ｐｄ−Ｔｉ合金、Ｐｄ−Ｖ合金、Ｐｄ
−Ｃｒ合金、Ｐｄ−Ｍｎ合金、Ｐｄ−Ｆｅ合金、Ｐｄ−
Ｃｏ合金、Ｐｄ−Ｎｉ合金、Ｐｄ−Ｃｕ合金、Ｐｄ−Ｚ
ｎ合金、Ｐｄ−Ｙ合金、Ｐｄ−Ｚｒ合金、Ｐｄ−Ｎｂ合
金、Ｐｄ−Ｍｏ合金、Ｐｄ−Ｔｃ合金、Ｐｄ−Ｒｕ合金
、Ｐｄ−Ｒｈ合金、Ｐｄ−Ａｇ合金、Ｐｄ−Ｃｄ合金、
Ｐｄ−Ｈｆ合金、Ｐｄ−Ｔａ合金、Ｐｄ−Ｗ合金、Ｐｄ
−Ｒｅ合金、Ｐｄ−Ｏｓ合金、Ｐｄ−Ｉｒ合金、Ｐｄ−
Ｈｇ合金、Ｐｄ−Ｇｄ合金、Ｐｄ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｄ
ｙ合金、Ｐｄ−Ｈｏ合金、Ｐｄ−Ｅｒ合金、Ｐｄ−Ｙｂ
合金、Ｐｄ−Ｌｕ合金、Ｐｄ−Ｌａ合金、Ｐｄ−Ｃｅ合
金、Ｐｄ−Ｐｒ合金、Ｐｄ−Ｎｄ合金、Ｐｄ−Ｐｍ合金
、Ｐｄ−Ｓｍ合金、Ｐｄ−Ｅｕ合金、Ｐｄ−Ｂ合金、Ｐ
ｄ−Ａｌ合金、Ｐｄ−Ｇａ合金、Ｐｄ−Ｉｎ合金、Ｐｄ
−Ｔｌ合金、Ｐｄ−Ｃ合金、Ｐｄ−Ｓｉ合金、Ｐｄ−Ｇ
ｅ合金、Ｐｄ−Ｓｎ合金、Ｐｄ−Ｐｂ合金、Ｐｄ−Ｎ合
金、Ｐｄ−Ｐ合金、Ｐｄ−Ａｓ合金、Ｐｄ−Ｓｂ合金、
Ｐｄ−Ｂｉ合金、Ｐｄ−Ｓ合金、Ｐｄ−Ｓｅ合金、Ｐｄ
−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｐｏ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｃ合金、
Ａｕ−Ｐｔ−Ｔｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｖ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｃｒ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｍｎ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｆ
ｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃｏ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｎｉ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃｕ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｚｎ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｙ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｚｒ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｎｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｍｏ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｔｃ合
金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｒｕ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｒｈ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ａｇ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃｄ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｈｆ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｔａ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｗ
合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｒｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｏｓ合金、
Ａｕ−Ｐｔ−Ｉｒ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｈｇ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｇｄ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｄｙ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｈｏ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｅｒ合
金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｙｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｌｕ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ｌａ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃｅ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｒ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｎｄ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐ
ｍ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｍ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｅｕ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ａｌ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｇａ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｉｎ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｔｌ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｉ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｎ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｐｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｎ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｐ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ａｓ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｂ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｂｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｓｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｔｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｐｏ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｃ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｔｉ合
金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｖ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｃｒ合金、Ａｕ
−Ｐｄ−Ｍｎ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｆｅ合金、Ａｕ−Ｐｄ
−Ｃｏ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｎｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｃｕ
合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｚｎ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｙ合金、Ａ
ｕ−Ｐｄ−Ｚｒ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｎｂ合金、Ａｕ−Ｐ
ｄ−Ｍｏ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｔｃ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｒ
ｕ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｒｈ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ａｇ合金
、Ａｕ−Ｐｄ−Ｃｄ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｈｆ合金、Ａｕ
−Ｐｄ−Ｔａ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｗ合金、Ａｕ−Ｐｄ−
Ｒｅ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｏｓ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｉｒ合
金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｈｇ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇｄ合金、Ａ
ｕ−Ｐｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｄｙ合金、Ａｕ−Ｐ
ｄ−Ｈｏ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｅｒ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｙ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｌｕ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｌａ合金
、Ａｕ−Ｐｄ−Ｃｅ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｒ合金、Ａｕ
−Ｐｄ−Ｎｄ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｍ合金、Ａｕ−Ｐｄ
−Ｓｍ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｅｕ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｂ合
金、Ａｕ−Ｐｄ−Ａｌ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇａ合金、Ａ
ｕ−Ｐｄ−Ｉｎ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｔｌ合金、Ａｕ−Ｐ
ｄ−Ｃ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇｅ
合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｂ合金、
Ａｕ−Ｐｄ−Ｎ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐ合金、Ａｕ−Ｐｄ
−Ａｓ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｂｉ
合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｅ合金、Ａ
ｕ−Ｐｄ−Ｔｅ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｏ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｄ−Ｓｃ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｉ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｖ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｃｒ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｍｎ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｆ
ｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｃｏ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐ
ｄ−Ｎｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｄ−Ｚｎ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｙ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｚｒ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｎｂ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｍｏ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔ
ｃ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｒｕ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐ
ｄ−Ｒｈ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ａｇ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｄ−Ｃｄ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｈｆ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔａ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｗ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｒｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｏ
ｓ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｉｒ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐ
ｄ−Ｈｇ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｇｄ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｄｙ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｈｏ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｅｒ合
金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｙｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−
Ｌｕ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｌａ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｐｄ−Ｃｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐｒ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｎｄ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐｍ合金、
Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｍ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｅｕ
合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−
Ａｌ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｇａ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｐｄ−Ｉｎ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｌ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｃ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｉ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｎ合
金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−
Ｎ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ
−Ａｓ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ
−Ｐｄ−Ｂｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｅ合金、
Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐｏ合金、Ａｕ−Ｓｃ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ｔｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｖ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｃ
ｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｍｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｆｅ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｃｏ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｎｉ−Ｔｂ合金
、Ａｕ−Ｃｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｚｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｙ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｚｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｎｂ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｍｏ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｔｃ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｒｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｒｈ−Ｔｂ合金、Ａ
ｕ−Ａｇ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｃｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｈ
ｆ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｔａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｗ−Ｔｂ
合金、Ａｕ−Ｒｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｏｓ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ｉｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｈｇ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｇｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｄｙ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｈｏ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｅｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｙｂ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｌｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｌａ−Ｔｂ合金、Ａ
ｕ−Ｃｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｎ
ｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｍ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｓｍ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｅｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｂ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ａｌ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｇａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｉｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｔｌ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｃ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｓｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｇｅ−Ｔｂ合金
、Ａｕ−Ｓｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ａｓ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｓｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｂｉ−Ｔｂ合金
、Ａｕ−Ｓ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｓｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｔｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｏ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｓｃ−
Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｔｉ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｖ−Ｔｂ合金
、Ｐｔ−Ｃｒ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｔｂ合金、Ｐｔ
−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｃｏ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｎｉ
−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｃｕ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｚｎ−Ｔｂ
合金、Ｐｔ−Ｙ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｚｒ−Ｔｂ合金、Ｐ
ｔ−Ｎｂ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｍｏ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｔ
ｃ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｒｕ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｒｈ−Ｔ
ｂ合金、Ｐｔ−Ａｇ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｃｄ−Ｔｂ合金
、Ｐｔ−Ｈｆ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｔａ−Ｔｂ合金、Ｐｔ
−Ｗ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｒｅ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｏｓ−
Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｉｒ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｈｇ−Ｔｂ合
金、Ｐｔ−Ｇｄ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｄｙ−Ｔｂ合金、Ｐ
ｔ−Ｈｏ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｅｒ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｙ
ｂ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｌｕ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｌａ−Ｔ
ｂ合金、Ｐｔ−Ｃｅ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｐｒ−Ｔｂ合金
、Ｐｔ−Ｎｄ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｐｍ−Ｔｂ合金、Ｐｔ
−Ｓｍ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｅｕ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｂ−
Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ａｌ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｇａ−Ｔｂ合
金、Ｐｔ−Ｉｎ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｔｌ−Ｔｂ合金、Ｐ
ｔ−Ｃ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｓｉ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｇｅ
−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｓｎ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｐｂ−Ｔｂ
合金、Ｐｔ−Ｎ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｐ−Ｔｂ合金、Ｐｔ
−Ａｓ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｓｂ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｂｉ
−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｓ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｓｅ−Ｔｂ合
金、Ｐｔ−Ｔｅ−Ｔｂ合金、Ｐｔ−Ｐｏ−Ｔｂ合金、Ｐ
ｄ−Ｓｃ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｔｉ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｖ
−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｃｒ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｍｎ−Ｔｂ
合金、Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｃｏ−Ｔｂ合金、
Ｐｄ−Ｎｉ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｃｕ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−
Ｚｎ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｙ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｚｒ−Ｔ
ｂ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｍｏ−Ｔｂ合金
、Ｐｄ−Ｔｃ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｒｕ−Ｔｂ合金、Ｐｄ
−Ｒｈ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ａｇ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｃｄ
−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｈｆ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｔａ−Ｔｂ
合金、Ｐｄ−Ｗ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｒｅ−Ｔｂ合金、Ｐ
ｄ−Ｏｓ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｉｒ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｈ
ｇ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｇｄ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｄｙ−Ｔ
ｂ合金、Ｐｄ−Ｈｏ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｅｒ−Ｔｂ合金
、Ｐｄ−Ｙｂ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｌｕ−Ｔｂ合金、Ｐｄ
−Ｌａ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｃｅ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｐｒ
−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｎｄ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｐｍ−Ｔｂ
合金、Ｐｄ−Ｓｍ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｅｕ−Ｔｂ合金、
Ｐｄ−Ｂ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ａｌ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｇ
ａ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｉｎ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｔｌ−Ｔ
ｂ合金、Ｐｄ−Ｃ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｓｉ−Ｔｂ合金、
Ｐｄ−Ｇｅ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｓｎ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−
Ｐｂ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｎ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｐ−Ｔｂ
合金、Ｐｄ−Ａｓ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｓｂ−Ｔｂ合金、
Ｐｄ−Ｂｉ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｓ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｓ
ｅ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｔｅ−Ｔｂ合金、Ｐｄ−Ｐｏ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｃ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｔ
ｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｖ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ
−Ｃｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｍｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃｏ−Ｔｂ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｎｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃｕ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｚｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｙ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｚｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ
−Ｎｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｍｏ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｔｃ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｒｕ−Ｔｂ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｒｈ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ａｇ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｈ
ｆ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｔａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｗ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｒｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｏｓ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｉｒ−Ｔｂ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｈｇ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｇｄ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｄｙ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｈ
ｏ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｅｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｙｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｌｕ−Ｔｂ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ｌａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃｅ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｎｄ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｍ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｓｍ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｅｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ａｌ−Ｔｂ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ｇａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｉｎ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｔｌ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｃ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｇ
ｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｐ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ａｓ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｂｉ−Ｔｂ
合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｅ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｔｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｐｏ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｃ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｄ−Ｔｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｖ−Ｔｂ合金、Ａ
ｕ−Ｐｄ−Ｃｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｍｎ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｃｏ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｎｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−
Ｃｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｚｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｄ−Ｙ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｚｒ−Ｔｂ合金、Ａ
ｕ−Ｐｄ−Ｎｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｍｏ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｔｃ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｒｕ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｒｈ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−
Ａｇ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｃｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｄ−Ｈｆ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｔａ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ｐｄ−Ｗ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｒｅ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｏｓ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｉｒ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｈｇ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−
Ｇｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｄｙ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｄ−Ｈｏ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｅｒ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ｐｄ−Ｙｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｌｕ−Ｔｂ
合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｌａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｃｅ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ
−Ｎｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｍ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｄ−Ｓｍ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｅｕ−Ｔｂ合金
、Ａｕ−Ｐｄ−Ｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ａｌ−Ｔｂ
合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｉｎ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｔｌ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ
−Ｃ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｄ−Ｇｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｎ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ａｓ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｂ
ｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｓ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ
−Ｓｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｔｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｄ−Ｐｏ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｃ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｄ−Ｖ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｃｒ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｍｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｄ−Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｃｏ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｎｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｚｎ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｙ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｚｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｎｂ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｍｏ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｃ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｒ
ｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｒｈ−Ｔｂ合金、Ａ
ｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ａｇ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−
Ｃｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｈｆ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ
−Ｗ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｒｅ−Ｔｂ合金、
Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｏｓ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ
−Ｉｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｈｇ−Ｔｂ合金
、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｇｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐ
ｄ−Ｄｙ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｈｏ−Ｔｂ合
金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｅｒ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−
Ｐｄ−Ｙｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｌｕ−Ｔｂ
合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｌａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ
−Ｐｄ−Ｃｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐｒ−Ｔ
ｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｎｄ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐ
ｔ−Ｐｄ−Ｐｍ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｍ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｅｕ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ａｌ−
Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｇａ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｉｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｌ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｃ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｇｅ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐｂ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｎ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐ−Ｔｂ合金、Ａｕ−
Ｐｔ−Ｐｄ−Ａｓ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｂ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｂｉ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓ−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｓｅ
−Ｔｂ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｔｅ−Ｔｂ合金、Ａｕ
−Ｐｔ−Ｐｄ−Ｐｏ−Ｔｂ合金等をあげることができる
。

【００８８】また上記第２薄膜にはＦｅ、Ｃｏ以外にも
少量に他の金属が含有されていてもよい。このような他
の金属としては、具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の３ｄ遷移元素；Ｙ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ等の
４ｄ遷移元素；Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ｈｇ等の５ｄ遷移元素；Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ等の希土類元素；Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ
、Ｔｌ等のＩＩＩＢ族元素；Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ等のＩＶＢ族元素；Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等のＶ
Ｂ族元素；Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等のＶＩＢ族元素が用
いられる。

【００８９】このような他の金属は第２薄膜中に２０原
子％以下、好ましくは１０原子％以下の割合で含有され
ていてもよい。このような第１薄膜のさらに具体的な例
としては、金属Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｓｃ合金
、Ｆｅ−Ｔｉ合金、Ｆｅ−Ｖ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆ
ｅ−Ｍｎ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｕ合金、Ｆｅ
−Ｚｎ合金、Ｆｅ−Ｙ合金、Ｆｅ−Ｚｒ合金、Ｆｅ−Ｎ
ｂ合金、Ｆｅ−Ｍｏ合金、Ｆｅ−Ｔｃ合金、Ｆｅ−Ｒｕ
合金、Ｆｅ−Ｒｈ合金、Ｆｅ−Ｐｄ合金、Ｆｅ−Ａｇ合
金、Ｆｅ−Ｃｄ合金、Ｆｅ−Ｈｆ合金、Ｆｅ−Ｔａ合金
、Ｆｅ−Ｗ合金、Ｆｅ−Ｒｅ合金、Ｆｅ−Ｏｓ合金、Ｆ
ｅ−Ｉｒ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ａｕ合金、Ｆｅ
−Ｈｇ合金、Ｆｅ−Ｇｄ合金、Ｆｅ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｄｙ合金、Ｆｅ−Ｈｏ合金、Ｆｅ−Ｅｒ合金、Ｆｅ−Ｙ
ｂ合金、Ｆｅ−Ｌｕ合金、Ｆｅ−Ｌａ合金、Ｆｅ−Ｃｅ
合金、Ｆｅ−Ｐｒ合金、Ｆｅ−Ｎｄ合金、Ｆｅ−Ｐｍ合
金、Ｆｅ−Ｓｍ合金、Ｆｅ−Ｅｕ合金、Ｆｅ−Ｂ合金、
Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｇａ合金、Ｆｅ−Ｉｎ合金、Ｆ
ｅ−Ｔｌ合金、Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−
Ｇｅ合金、Ｆｅ−Ｓｎ合金、Ｆｅ−Ｐｂ合金、Ｆｅ−Ｎ
合金、Ｆｅ−Ｐ合金、Ｆｅ−Ａｓ合金、Ｆｅ−Ｓｂ合金
、Ｆｅ−Ｂｉ合金、Ｆｅ−Ｓ合金、Ｆｅ−Ｓｅ合金、Ｆ
ｅ−Ｔｅ合金、Ｆｅ−Ｐｏ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｃ合金
、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｔｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍｎ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｕ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｎ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｙ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍｏ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｔｃ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｕ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ
合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｄ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｇ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｄ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｈｆ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｔａ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｗ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒ
ｅ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏｓ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ合金
、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｕ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｈｇ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇｄ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｄｙ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｈｏ
合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｅｒ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｙｂ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｌｕ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｌａ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｃｅ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｒ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｎｄ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｍ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｍ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｅｕ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇａ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｉｎ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｔｌ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇｅ合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｓｎ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｂ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｓ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂｉ合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｓ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｅ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｔｅ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｏ合金、Ｆｅ−Ｓｃ−Ｔｂ
合金、Ｆｅ−Ｔｉ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｖ−Ｔｂ合金、Ｆ
ｅ−Ｃｒ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｕ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｚｎ−Ｔ
ｂ合金、Ｆｅ−Ｙ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔｂ合金、
Ｆｅ−Ｎｂ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｍｏ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｔｃ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｒｈ−
Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｐｄ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ａｇ−Ｔｂ合
金、Ｆｅ−Ｃｄ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｔｂ合金、Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｗ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｒｅ
−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｏｓ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｉｒ−Ｔｂ
合金、Ｆｅ−Ｐｔ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ａｕ−Ｔｂ合金、
Ｆｅ−Ｈｇ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｇｄ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｄｙ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｈｏ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｅｒ−
Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｙｂ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｌｕ−Ｔｂ合
金、Ｆｅ−Ｌａ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｅ−Ｔｂ合金、Ｆ
ｅ−Ｐｒ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｎｄ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｐ
ｍ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｓｍ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｅｕ−Ｔ
ｂ合金、Ｆｅ−Ｂ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｔｂ合金、
Ｆｅ−Ｇａ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｉｎ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｔｌ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｔ
ｂ合金、Ｆｅ−Ｇｅ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｓｎ−Ｔｂ合金
、Ｆｅ−Ｐｂ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｎ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｐ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ａｓ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｂ合金、Ｆｅ−Ｂｉ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｓ−Ｔｂ合金、
Ｆｅ−Ｓｅ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｔｅ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｐｏ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｃ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｔｉ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ−Ｔｂ合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｔｂ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｕ−
Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｎ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｙ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｂ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍｏ−Ｔｂ合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｔｃ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｕ−Ｔｂ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｄ−
Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｇ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｃｄ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｈｆ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｔａ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｗ−Ｔｂ合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｒｅ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏｓ−Ｔｂ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｕ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｈｇ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇｄ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｄｙ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｈｏ−Ｔｂ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｅｒ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｙｂ−Ｔｂ
合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｌｕ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｌａ
−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｅ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｐｒ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｄ−Ｔｂ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｐｍ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｍ−Ｔｂ合金
、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｅｕ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｔｂ
合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇａ
−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｎ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｔｌ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｓｉ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｂ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｎ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｂ−Ｔｂ
合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐ−Ｔ
ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｓ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓ
ｂ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂｉ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｓ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｅ−Ｔｂ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｔｅ−Ｔｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｏ−Ｔｂ合金
等をあげることができる。

【００９０】このような本発明に係る光磁気記録層にお
いて、第１薄膜１層あたりの膜厚は５〜２５Å、好まし
くは１０〜２０Åであることが望ましい。また第２薄膜
１層あたりの膜厚は３〜１５Å、好ましくは３〜１０Å
であることが望ましい。そして、このような膜厚の第１
薄膜および第２薄膜が交互に積層されてなる磁気記録層
は、その全厚が５０〜１２００Å、好ましくは５０〜１
０００Å、さらに好ましくは１００〜７００Å、特に好
ましくは１００〜５００Åであることが望ましい。

【００９１】上記のような組成および膜厚を有する第１
薄膜および第２薄膜が交互に積層された周期構造を有す
る光磁気記録層は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、カ
―・ヒステリシスが良好な角形ル―プを示す垂直磁気記
録可能なことが確かめられた。

【００９２】なお本明細書において、カ―・ヒステリシ
スが良好な角形ル―プを示すとは、最大外部磁場におけ
るカ―回転角である飽和カ―回転角（θｋ１）と外部磁
場ゼロにおけるカ―回転角である残留カ―回転角（θｋ
２）との比θｋ２／θｋ１が０．８以上であることを意
味している。

【００９３】また本発明の場合、１５原子％以上のＰｔ
、Ｐｄおよび／またはＡｕを含有する系は、Ｐｔ、Ｐｄ
および／またはＡｕを含有しないものに比べて反射率Ｒ
が大きいという特長を有する。一般に、この場合、

【０
０９４】

【数１】

【００９５】（Ｒは反射率、θｋはカー回転角を示す。 ）の関係を有することからＣ／Ｎを向上させるにはＲま
たはθｋの少なくともいずれか一方の値を向上させれば
よい。

【００９６】したがって、本発明の光磁気記録層のＲが
大きいということは、光磁気記録におけるＣ／Ｎを向上
せしめる利点を有する。本発明においては、その他に種
々の元素を第１あるいは第２薄膜に添加して、キュリ―
温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｃやθｋの改善あるい
は低コスト化を計ってもよい。

【００９７】本発明において光磁気記録層を構成する各
薄膜の界面は、異種金属原子が互いに入り乱れずに平坦
に形成され、いわゆる超格子構造とされていることが理
想的であるが、界面にやや乱れを生じながらも全体とし
ては一定の周期を保って組成が変動する、いわゆる変調
構造（組成変調構造）を有するものであっても良い。

【００９８】次に、本発明に係る光磁気記録媒体の光磁
気記録層の製造方法について説明する。基板温度を室温
程度に保ち、本発明に係る光磁気記録媒体の光磁気記録
層を構成する第１薄膜及び第２薄膜を構成する各元素か
らなるチップを所定割合で配置した複合ターゲットまた
は所定割合の組成からなる合金ターゲットを所定の位置
に配置して、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法ある
いは真空同時蒸着法などの従来公知の成膜条件を採用し
て自公転している基板（基板は固定していてもよいが、
この場合は各ターゲット上のシャッタを交互に開閉する
）上に所定組成の薄膜を順次被着させることにより、本
発明に係る光磁気記録媒体の光磁気記録層を形成するこ
とができる。

【００９９】このような本発明に係る光磁気記録媒体は
、常温での記録層成膜が可能であり、膜面に垂直な磁化
容易軸を持たせるために成膜後にアニール処理などの熱
処理をする必要がない。

【０１００】なお必要に応じては、基板温度を５０〜６
００℃に加熱しながらまたは−５０℃まで冷却しながら
、基板上に光磁気記録層を成膜することもできる。また
スパッタリング時に、基板を負電位になるようにバイア
スすることもできる。このようにすると、電界で加速さ
れたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット物質
ばかりでなく成膜されつつある光磁気記録層をもたたく
ことになり、優れた特性を有する光磁気記録媒体が得ら
れることがある。

【０１０１】なお本発明においては、基板に最も近い層
として第１薄膜を設け、次いで第２薄膜と第１薄膜とを
交互に積層してもよく、逆に基板に最も近い層として第
２薄膜を設け、次いで第１薄膜と第２薄膜とを交互に積
層してもよい。

【０１０２】上記のように本発明の光磁気記録媒体の光
磁気記録層は、耐食性が良好であり、膜面に垂直な磁化
容易軸を有し、しかも、短波長の再生光でも良好なカー
回転角を示す第１薄膜と第２薄膜とが交互に積層されて
構成されている。この結果、本発明に係る光磁気記録媒
体によって、従来よりもカー・ヒステリシス・ループの
角形比が高く、耐食性が向上し、しかも短波長の再生光
であっても良好なカー回転角を示すといった特性を有す
る光磁気記録媒体を提供することが可能になる。

【０１０３】このような光磁気記録媒体の構造としては
、 （Ａ）基板／光磁気記録層 （Ｂ）基板／エンハンス膜（保護膜）／光磁気記録層（
Ｃ）基板／光磁気記録層／金属層 （Ｄ）基板／エンハンス膜（保護膜）／光磁気記録層／
金属層 （Ｅ）基板／エンハンス膜（保護膜）／光磁気記録層／
エンハンス膜（保護膜）／金属層 あるいはこれらの光磁気記録層側の最外層に耐傷性のみ
を付与するための保護コートや保護ラベルを形成したよ
うな構造のものが可能となる。

【０１０４】そして、ここでエンハンス膜（保護膜）と
してはその屈折率が基板の屈折率よりも大きいものであ
ればよく、有機あるいは無機のいずれの材料であっても
よい。エンハンス膜の具体例としては、ＴｉＯ２、Ｓｉ
Ｏ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ
５、ＣｅＯ２　、ＳｎＯ２　、ＴｅＯ２　等の酸化物、
Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ（０＜ｘ≦４／３）ＡｌＮ、ＢＮ
等の窒化物、ＺｎＳ、ＣｄＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ、Ｓ
ｉＣ、Ｓｉなどがある。また、コバルトフェライトに代
表されるフェライト類、Ｂｉ置換ガーネットに代表され
るガーネット類等のファラデー効果を有する透明材料を
エンハンス膜として使用してもよい。

【０１０５】基板もガラスやアルミニウム等の無機材料
の他に、ポリメチルメタアクリレート、ポリアクリレー
トのようなアクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリカー
ボネートとポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第
４６１４７７８号明細書に示されるようなエチレン−環
状オレフィン共重合体たとえばエチレンと１，４，５，
８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−
オクタヒドロナフタレン（テトラシクロドデセン）との
共重合体、エチレンと２−メチル−１，４，５，８−ジ
メタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン（メチルテトラシクロドデセン）との
共重合体、エチレンと２−エチル−１，４，５，８−ジ
メタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタ
ヒドロナフタレンとの共重合体など、ポリ４−メチル−
１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン
、ポリサルフォン、ポリエーテルイミドあるいは特開昭
６０−２６０２４号公報に示されるようなテトラシクロ
ドデセン類の単独開環重合体やノルボルネン類との開環
共重合体を水添したもの等の有機材料等を使用できる。 基板の厚さは、特に限定されないが、好ましくは０．５
ｍｍ〜５ｍｍ、特に好ましくは１ｍｍ〜２ｍｍである。

【０１０６】さらに、光磁気ディスクの構成は、前述の
（Ａ）〜（Ｅ）の構成にのみ限定されるものではなく、
必要に応じて下地層あるいは高透磁率軟磁性膜の積層な
どを行ってもよく、単板のほか貼合せて使用することも
可能である。

【０１０７】上述のような光磁気記録媒体の光磁気記録
層への書き込み方法は、光ビームのほか、針型磁気ヘッ
ド、熱ペン、電子ビームなど、磁化反転を生じさせるの
に必要なエネルギーを供給できるものであればいかなる
ものであっても良いことは言うまでもない。

【０１０８】なお本発明の光磁気記録媒体を構成する光
磁気記録層は、膜面に垂直な磁化容易軸を有しているの
で、光磁気記録媒体としての用途の他にも、垂直磁気記
録膜、磁気バブルメモリーといった磁気記録材料分野、
磁気光学効果を利用した光変調器といった各種の分野に
応用できる。

【０１０９】たとえば垂直磁気記録分野では、垂直フレ
キシブルディスクの記録膜、リジット磁気ディスク用の
記録膜への利用が期待できるし、また、外部磁場のコン
トロールによりカー回転角やファラデー回転角を制御し
、反射光や透過光の光量変化によって光電池を作動させ
る光変調器への利用も期待できる。

【０１１０】

【発明の効果】本発明に係る光磁気記録媒体は、その光
磁気記録層が、Ｐｔ層、Ｐｄ層または特定のＰｔ系合金
層からなる第１薄膜と、Ｃｏまたは特定のＣｏ系合金層
からなる第２薄膜とが交互に積層された周期構造を有す
る積層体であるので、全体として、保磁力、残留磁化、
飽和磁化などの磁化特性に優れ、しかも短波長の再生光
を照射しても大きなカー回転角を示し、垂直磁気記録が
可能な多層磁気記録層を備えた光磁気記録媒体が得られ
る。また本発明の光磁気記録膜は従来のものよりも耐蝕
性に優れ、かつ熱安定性にも優れる。またＣｏあるいは
Ｐｔに添加する元素の種類によってはキュリーが低下し
、また飽和磁化も下げるという利点を有する。

【０１１１】本願発明と同じ組成物を単一層として形成
した場合、飽和磁化が残留磁化よりも大きく、垂直磁化
膜にはならない。本願の様に多層にした時にはじめて達
成されるものである。

【０１１２】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。

【０１１３】

【実施例１】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｔお
よびＣｏ９５Ｃｒ５（原子％）合金を用い、同時スパッ
タリング法により、Ｐｔ層１０Å、Ｃｏ９５Ｃｒ５（原
子％）層５Åを交互に積層した。この時ガラス基板は一
定速度で回転しており、２つのターゲット上を交互に通
過するように設定してある。各層の膜厚は、基板回転数
と２つのカソードに投入するパワーを調整することによ
り制御した。得られたＣｏ９５Ｃｒ５（原子％）／Ｐｔ
多層膜の全厚は約１０００Åであった。得られた光磁気
記録媒体に波長４００ｎｍの光を基板側から入射し、カ
ー回転角（θｋ（４００）ｄｅｇ）を測定したところ０
．３ｄｅｇであった。その際の反射率は０．６５であっ
た。この光磁気記録媒体を温度８０℃、相対湿度８０％
の環境下に１００時間放置の後、再度カー回転角を測定
したところ０．３ｄｅｇであった。

【０１１４】

【実施例２】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｄお
よびＣｏ９５Ｃｒ５（原子％）合金を用い、同時スパッ
タリング法により、Ｐｄ層１０Å、Ｃｏ９５Ｃｒ５（原
子％）層５Åを交互に積層した。得られたＣｏ９５Ｃｒ
５（原子％）／Ｐｄ多層膜の全厚は約１０００Åであっ
た。得られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同様に
測定した。

【０１１５】結果を表１に示す。

【０１１６】

【実施例３】ガラス基板上に、ターゲットとしてＣｏと
Ｐｔ９０Ｎｄ１０（原子％）合金を用い、同時スパッタ
リング法により、Ｃｏ層５Å、Ｐｔ９０Ｎｄ１０（原子
％）層１０Åを交互に積層した。得られたＣｏ／Ｐｔ９
０Ｎｄ１０（原子％）多層膜の全厚は約１０００Åであ
った。得られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同様
に測定した。

【０１１７】結果を表１に示す。

【０１１８】

【実施例４】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｔお
よびＣｏ７０Ｐｔ３０（原子％）合金を用い、同時スパ
ッタリング法により、Ｐｔ層８Å、Ｃｏ７０Ｐｔ３０（
原子％）層５Åを交互に積層した。得られたＣｏ７０Ｐ
ｔ３０（原子％）／Ｐｔ多層膜の全厚は約１０００Åで
あった。得られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同
様に測定した。

【０１１９】結果を表１に示す。

【０１２０】

【実施例５】ガラス基板上に、ターゲットとしてＣｏ１
０Ｐｔ９０（原子％）合金およびＣｏ９５Ｃｒ５（原子
％）合金を用い、同時スパッタリング法により、Ｃｏ１
０Ｐｔ９０（原子％）層１０Å、Ｃｏ９５Ｃｒ５（原子
％）層５Åを交互に積層した。得られたＣｏ９５Ｃｒ５
（原子％）／Ｃｏ１０Ｐｔ９０（原子％）多層膜の全厚
は約１０００Åであった。得られた光磁気記録媒体の特
性を実施例１と同様に測定した。

【０１２１】結果を表１に示す。

【０１２２】

【実施例６】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｔお
よびＣｏ７０Ｐｄ３０（原子％）合金を用い、同時スパ
ッタリング法により、Ｐｔ層１１Å、Ｃｏ７０Ｐｄ３０
（原子％）層５Åを交互に積層した。得られたＰｔ／Ｃ
ｏ７０Ｐｄ３０（原子％）多層膜の全厚は約５００Åで
あった。得られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同
様に測定した。

【０１２３】結果を表１に示す。

【０１２４】

【実施例７】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｔお
よびＣｏ７０Ｐｔ２０Ｐｄ１０（原子％）合金を用い、
同時スパッタリング法により、Ｐｔ層１１Å、Ｃｏ７０
Ｐｔ２０Ｐｄ１０（原子％）層５Åを交互に積層した。 得られたＰｔ／Ｃｏ７０Ｐｔ２０Ｐｄ１０（原子％）多
層膜の全厚は約１０００Åであった。得られた光磁気記
録媒体の特性を実施例１と同様に測定した。

【０１２５】結果を表１に示す。

【０１２６】

【実施例８】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｔお
よびＣｏ９５Ｈｆ５（原子％）合金を用い、同時スパッ
タリング法により、Ｐｔ層１１Å、Ｃｏ９５Ｈｆ５（原
子％）層５Åを交互に積層した。得られたＰｔ／Ｃｏ９
５Ｈｆ５（原子％）多層膜の全厚は約１０００Åであっ
た。 得られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同様に測定
した。

【０１２７】結果を表１に示す。

【０１２８】

【実施例９】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｄお
よびＣｏ９０Ｔｂ１０（原子％）合金を用い、同時スパ
ッタリング法により、Ｐｄ層１１Å、Ｃｏ９０Ｔｂ１０
（原子％）層５Åを交互に積層した。得られたＰｄ／Ｃ
ｏ９０Ｔｂ１０（原子％）多層膜の全厚は約５００Åで
あった。得られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同
様に測定した。

【０１２９】結果を表１に示す。

【０１３０】

【実施例１０】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｄ
およびＣｏ９０Ｇｄ１０（原子％）合金を用い、同時ス
パッタリング法により、Ｐｄ層１１Å、Ｃｏ９０Ｇｄ１
０（原子％）層５Åを交互に積層した。得られたＰｄ／
Ｃｏ９０Ｇｄ１０（原子％）多層膜の全厚は約５００Å
であった。得られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と
同様に測定した。

【０１３１】結果を表１に示す。

【０１３２】

【実施例１１】ガラス基板上に、ターゲットとしてＣｏ
７０Ｐｔ２５Ｔｉ５（原子％）合金およびＣｏ７０Ｐｔ
２０Ｔｂ１０（原子％）合金を用い、同時スパッタリン
グ法により、Ｃｏ７０Ｐｔ２５Ｔｉ５（原子％）層１１
Å、Ｃｏ７０Ｐｔ２０Ｔｂ１０（原子％）層５Åを交互
に積層した。得られたＣｏ７０Ｐｔ２５Ｔｉ５（原子％
）／Ｃｏ７０Ｐｔ２０Ｔｂ１０（原子％）多層膜の全厚
は約５００Åであった。得られた光磁気記録媒体の特性
を実施例１と同様に測定した。

【０１３３】結果を表１に示す。

【０１３４】

【実施例１２】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｔ
およびＣｏ８０Ｐｔ１５Ｃｒ５（原子％）合金を用い、
同時スパッタリング法により、Ｐｔ層１１Å、Ｃｏ８０
Ｐｔ１５Ｃｒ５（原子％）層５Åを交互に積層した。得
られたＰｔ／Ｃｏ８０Ｐｔ１５Ｃｒ５（原子％）多層膜
の全厚は約５００Åであった。得られた光磁気記録媒体
の特性を実施例１と同様に測定した。

【０１３５】結果を表１に示す。

【０１３６】

【実施例１３】ガラス基板上に、ターゲットとしてＰｔ
７０Ｐｄ３０（原子％）合金およびＣｏ９５Ｃｒ５（原
子％）合金を用い、同時スパッタリング法により、Ｐｔ
７０Ｐｄ３０（原子％）層１１Å、Ｃｏ９５Ｃｒ５（原
子％）層５Åを交互に積層した。得られたＣｏ９５Ｃｒ
５（原子％）／Ｃｏ９５Ｃｒ５（原子％）多層膜の全厚
は約５００Åであった。得られた光磁気記録媒体の特性
を実施例１と同様に測定した。

【０１３７】結果を表１に示す。

【０１３８】

【比較例１】ガラス基板上に、スパッタリング法により
、ターゲットとしてＴｂ２０Ｆｅ８０（原子％）を用い
、厚さ２０００ÅのＴｂ２０Ｆｅ８０（原子％）層を被
着した。得られた光磁気記録媒体の特性を実施例１と同
様に測定した。

【０１３９】結果を表１に示す。

【０１４０】

【比較例２】ガラス基板上に、スパッタリング法により
、ターゲットとしてＴｂ２０Ｆｅ６５Ｃｏ１５（原子％
）を用い、厚さ２０００ÅのＴｂ１９Ｆｅ６５Ｃｏ１６
（原子％）層を被着した。得られた光磁気記録媒体の特
性を実施例１と同様に測定した。

【０１４１】結果を表１に示す。

【０１４２】

【表１】

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気記録層を備えた光磁気記録媒体にお
   いて、該光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜
   と第２薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層
   体であり、第１薄膜がＰｔからなり、第２薄膜がＣｏＭ
   １（ただし、Ｍ１はＰｄ、Ｐｔ、ＣｒまたはＨｆを表す
   。）からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】光磁気記録層を備えた光磁気記録媒体にお
   いて、該光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜
   と第２薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層
   体であり、第１薄膜がＰｔからなり、第２薄膜がＣｏＭ
   ２Ｍ３（ただし、Ｍ２はＰｔおよびＰｄから選ばれる少
   なくとも１種の元素を表し、Ｍ３は下記（ａ）〜（ｈ）
   よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を表す。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなる
   ことを特徴とする光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】光磁気記録層を備えた光磁気記録媒体にお
   いて、該光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜
   と第２薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層
   体であり、第１薄膜がＰｔＭ４（ただし、Ｍ４はＰｄお
   よびＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素を表す。）
   からなり、第２薄膜がＣｏＭ５（ただし、Ｍ５は下記（
   ａ）〜（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の
   元素を表す。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなる
   ことを特徴とする光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】光磁気記録層を備えた光磁気記録媒体にお
   いて、該光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜
   と第２薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層
   体であり、第１薄膜がＰｄからなり、第２薄膜がＣｏＭ
   ６（ただし、Ｍ６はＧｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｃｒ、Ｚ
   ｒ、Ｈｆ、ＴａおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種
   の元素を表す。）からなることを特徴とする光磁気記録
   媒体。
5. 【請求項５】光磁気記録層を備えた光磁気記録媒体にお
   いて、該光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜
   と第２薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層
   体であり、第１薄膜がＣｏＰｔＭ７（ただし、Ｍ７は下
   記（ａ）〜（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも１
   種の元素を表す。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素）からなり、第２薄膜がＣｏ
   ＰｔＭ８（ただし、Ｍ８は下記（ａ）〜（ｈ）よりなる
   群から選ばれる少なくとも１種の元素を表し、かつ前記
   Ｍ７とは異なる。 （ａ）：　　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなる
   ことを特徴とする光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】光磁気記録層を備えた光磁気記録媒体にお
   いて、該光磁気記録層が、互いに組成の異なる第１薄膜
   と第２薄膜とが交互に積層された周期構造を有する積層
   体であり、第１薄膜がＰｔＭ９（ただし、Ｍ９は下記（
   ａ）〜（ｈ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の
   元素を表す。 （ａ）：　　３ｄ遷移元素 （ｂ）：　　４ｄ遷移元素 （ｃ）：　　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：　　希土類元素 （ｅ）：　　ＩＩＩＢ族元素 （ｆ）：　　ＩＶＢ族元素 （ｇ）：　　ＶＢ族元素 （ｈ）：　　ＶＩＢ族元素　　　　　　　　）からなり
   、第２薄膜がＣｏからなることを特徴とする光磁気記録
   媒体。
7. 【請求項７】前記第１薄膜の膜厚が５〜２５Åであり、
   前記第２薄膜の膜厚が３〜１５Åであり、前記磁気記録
   層の全厚が５０〜１２００Åであることを特徴とする請
   求項１〜請求項６のいずれかに記載の光磁気記録媒体。