JPH04216655A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04216655A
JPH04216655A JP40302390A JP40302390A JPH04216655A JP H04216655 A JPH04216655 A JP H04216655A JP 40302390 A JP40302390 A JP 40302390A JP 40302390 A JP40302390 A JP 40302390A JP H04216655 A JPH04216655 A JP H04216655A
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JP
Japan
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semiconductor element
island
leads
peltier element
semiconductor device
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Pending
Application number
JP40302390A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoto Kimura
直人 木村
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH04216655A publication Critical patent/JPH04216655A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来一般的な半導体装置は、図２に示す
様な縦断面図を有していた。つまり、半導体素子３はア
イランド４に搭載されボンディングワイヤ２によりリー
ド５へ接続され、樹脂パッケージ６にてバッケージンガ
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来一般的な半導体装
置は、半導体素子を動作させた時の発熱にて半導体素子
の温度が上昇しても、樹脂パッケージ６を介しての冷却
では温度が下がらず半導体素子の動作不具合を招くとい
う問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置には
、半導体素子が搭載されたアイランドの裏側にペルチェ
素子が搭載され、かつワイヤ２にてリードへ接続されて
いる。半導体素子の動作時にペルチェ素子も動作する。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の一実施例の半導体装置の縦断面図であ
る。半導休素子３はアイランド４に搭載されワイヤ２に
よりリード５へ接続され樹脂より成形され樹脂パッケー
ジ６となっている。ペルチェ素子１も同じくアイランド
４の裏側へ搭載されワイヤ２９によりリード５へ接続さ
れている。なおリード５は多数本用意されており、半導
体素子３とペルチェ素子１は別個のリードへ接続されて
いる。
【０００６】半導体素子３は動作時に発熱し温度上昇を
招くが、ある温度以上になると動作不具合を生じる。こ
の時ペルチェ素子１に別のリードとワイヤ２Ｐを通じて
電流を流して動作させると熱を吸収し放熱するために半
導体素子３の温度上昇を防止できる。
【０００７】
【発明の効果】以上説明した様に、ペルチェ素子を半導
体素子を搭載したアイランドの裏側に搭載し、半導体素
子が動作する際ペルチェ素子も動作するために半導体素
子の動作による発熱がペルチェ素子により急速に冷却さ
れて、半導体素子の温度上昇を低下させ良好な動作を保
てるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の縦断面図である。
【図２】従来の半導体装置の一例の縦断面図である。
【符号の説明】 １　　　　ペルチェ素子 ２　　　　ワイヤ ３　　　　半導体素子 ４　　　　アイランド ５　　　　リード ６　　　　樹脂パッケージ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体素子が搭載されたアイランドの
    裏側にペルチェ素子が搭載されていることを特徴とする
    半導体装置。
JP40302390A 1990-12-18 1990-12-18 半導体装置 Pending JPH04216655A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996030942A1 (en) * 1995-03-29 1996-10-03 Olin Corporation Components for housing an integrated circuit device
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JPS6084849A (ja) * 1983-10-15 1985-05-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970114