JPH0421222B2 - - Google Patents

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JPH0421222B2
JPH0421222B2 JP57181125A JP18112582A JPH0421222B2 JP H0421222 B2 JPH0421222 B2 JP H0421222B2 JP 57181125 A JP57181125 A JP 57181125A JP 18112582 A JP18112582 A JP 18112582A JP H0421222 B2 JPH0421222 B2 JP H0421222B2
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JP
Japan
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bank
cache
memory
cache memory
main memory
Prior art date
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Application number
JP57181125A
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English (en)
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JPS5971184A (ja
Inventor
Mamoru Umemura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP57181125A priority Critical patent/JPS5971184A/ja
Publication of JPS5971184A publication Critical patent/JPS5971184A/ja
Publication of JPH0421222B2 publication Critical patent/JPH0421222B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/08Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
    • G06F12/0802Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は計算機の記憶装置に関する。
主記憶装置の容量は、ソフトウエア大規模化へ
の対処とメモリ素子価格の低下により、増大の一
途をたどつている。この大容量化に伴つて、アク
セスのオーバーヘツドを最小化することが益々重
要な課題となつてくる。キヤツシユメモリは参照
頻度の高いデータを主記憶より高価だが高速な少
容量のメモリに収容することによつて、見かけ上
の主記憶アクセス時間を短縮させるために用いら
れる。
従来のキヤツシユメモリ制御方式においては、
キヤツシユメモリはプロセツサからは透明で、主
記憶空間すべてがキヤツシユメモリにロードされ
得るものであつた。このため通常キヤツシユメモ
リは単一であり、記憶内容は逐次的にアクセスさ
れていた。更に参照時のアドレスとして主記憶ア
ドレスまたは仮想アドレスそのものを用いていた
ため、、記憶空間が増大することによつてアドレ
ス長が増大し、プロセツサにおけるアドレス計算
負荷が増大するという欠点があつた。
また、従来のキヤツシユメモリ制御方式におい
ては、キヤツシユメモリ内のデータ追出しアルゴ
リズムはシステムで一意に定まつているのが通常
であり、単一のキヤツシユメモリにおいて、複数
のアルゴリズムを適用することは困難であつた。
本発明の目的は、以上のような従来のキヤツシ
ユメモリ制御方式の欠点を改良するためになされ
たものである。
すなわち、本発明によれば、 (1) 複数のバンクから成る主記憶装置と、夫々独
立にアクセスし得る複数箇のキヤツシユメモリ
と、前記複数箇のキヤツシユメモリ毎に前記主
記憶バンクを指定するバンク指定レジスタと、
キヤツシユメモリ内容置換制御手段を含む制御
部とを備え、前記個々のキヤツシユメモリには
前記バンク指定レジスタで指定される前記主記
憶装置のバンクの内容のみを収容し得る記憶装
置が得られる。
さらに、 (2) 複数のバンクから成る主記憶装置と、夫々独
立にアクセスし得る複数箇のキヤツシユメモリ
と、前記複数箇のキヤツシユメモリ毎に前記主
記憶装置のバンクを指定するバンク指定レジス
タと、前記各キヤツシユメモリ毎にキヤツシユ
メモリ内容置換制御部とを備え、前記各キヤツ
シユメモリには前記バンク指定レジスタで指定
される前記主記憶装置のバンクの内容のみを収
容し得ると共に、前記各キヤツシユメモリ毎に
前記内容置換制御部によつて個々のキヤツシユ
メモリへのアクセス特性に応じて各キヤツシユ
メモリ毎に異るアルゴリズムで置換制御を行い
得る記憶装置が得られる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例に
ついて説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示すブロツク
図である。図中、10は主記憶装置、11は主記
憶アドレスレジスタ(以降MAR)、20は第1
のキヤツシユメモリ、30は第2のキヤツシユメ
モリ、21および31は夫々第1および第2のキ
ヤツシユメモリ20,30に対応するバンク指定
レジスタ(以降BSR)、22および32は夫々第
1および第2のキヤツシユメモリ20,30に対
応するキヤツシアドレスレジスタ(以降CAR)、
41はBSR21またはBSR31のいずれかの内
容を選択してMAR11のバンク指定部に与える
セレクタ、42はCAR32のいずれかの内容を
選択しMAR11のバンク内相対アドレス指定部
に与えるセレクタ、60はレジスタBSR21,
31に更新手段と、キヤツシユメモリ内容置換制
御手段61とを含む制御部(以降プロセツサと称
することがある)である。
本発明の装置では、キヤツシユメモリ毎にその
時点で収容すべき主記憶装置のバンクを一意に対
応付ける。実施例では、MAR11の上位3ビツ
トをバンク指定ビツトとして用い、主記憶装置1
0のアドレス0…0番から0001…1(計nビツト)
番地までをバンク000、アドレス0010…0から
0011…1(夫々nビツト)番地までをバンク001、
以降バンク010、011、100、101、110、111の計8
バンクに分割して管理する(第1図主記憶装置1
0内の破線で示してある)。初期化フエーズでこ
の3ビツトが各キヤツシユメモリ毎に備えられて
いるBSR21,31にセツトされることによつ
て主記憶バンクとキヤツシユメモリ20,30が
対応付けられる。例えばBSR21に111がセツト
されている間はキヤツシユメモリ20には主記憶
バンク111の内容のみを収容し得る。CAR22お
よびCAR32はnビツトの主記憶アドレスの下
位n−3ビツトで構成され、主記憶バンク内の相
対番地を指定する。
BSR21の出力はバス2101を介してセレ
クタ41への一方の入力として与えられ、BSR
31の出力はバス3101を介してセレクタ41
への他方の入力として与えられる。セレクタ41
は、線6041を介してプロセツサ60より送ら
れる信号に従い、バス4101を介してBSR2
1またはBSR31の内容をMAR11のバンク指
定部へ印加する。
CAR22およびCAR32の内容は、同様にし
て夫々、バス2201および3201を介してセ
レクタ42へ印加され、プロセツサ60より線6
040を介して送られる選択信号に従い、CAR
22またはCAR32のいずれかがバス4201
を介してMAR11のバンク内相対番地指定部へ
送られる。
MAR11の内容はバス1101を介して主記
憶装置10へ、その番地として与えられる。主記
憶装置10のデータは、バス1001を介してキ
ヤツシユメモリ20および30と結ばれる。キヤ
ツシユメモリ20および30の内容は夫々バス2
001,3001を介してプロセツサ60と結ば
れる。主記憶装置10とキヤツシユメモリ20,
30の間のデータ転送は、特定の主記憶バンクと
キヤツシユメモリが対応することを除き、通常の
キヤツシユメモリと同様に行なわれる。また、キ
ヤツシユメモリ内容と主記憶内容との対応の保守
およびキヤツシユメモリ内容の置換は、制御部6
0内に含まれる置換制御部61によつて制御され
る。この部分は従来行われているキヤツシユメモ
リコントローラと全く同様な為説明は省略する。
本実施例の動作について更に詳細に説明する。
初期化フエーズでは主記憶バンクとキヤツシユメ
モリとの対応付けを行う。この処理は第1図のプ
ロセツサ60の制御の下に行われる。一例として
キヤツシユメモリ20を主記憶バンク000に対応
させ、キヤツシユメモリ30を主記憶バンク001
に対応させるには、プロセツサ60の出力バス6
021を介して000がBSR21に送られてセツト
され、バス6031を介して001がBSR31に送
られてセツトされる。
上記初期化が終了すると、プロセツサ60は主
記憶10を、キヤツシユメモリ20および30を
介してアクセスする。すなわち、バンク000の内
容をアクセスするには、キヤツシユメモリ20に
目的のデータの有無を調べ、存在すればバス60
22を介してキヤツシユメモリの番地を送りバス
2001を介してデータをアクセスする。存在し
ないときには、線6040を介してセレクタ41
および42に夫々バス2101,2201を選択
する信号を送りMAR11にバンク000内のアド
レスを送つて主記憶10をアクセスする。主記憶
データは、キヤツシユメモリ20を介して転送さ
れる。
バンク001の内容のアクセスはキヤツシユメモ
リ30を介し、主記憶アクセス時にはセレクタ4
1および42に夫々バス3101,3201を選
択する信号を送出することにより、上記と同様に
行われる。
以上で本発明の第1の実施例についての説明を
終了する。
第2図は本発明の第2の実施例を示すブロツク
図である。第2図では説明のため最小限必要な要
素のみ示してあり、第1図と同一の構成要素には
同一番号を付してある。第1図に示した実施例と
異る部分についてのみ説明する。第2図の23
は、キヤツシユメモリ20の内容置換制御部、3
3はキヤツシユメモリ30の内容置換制御部であ
る。内容置換制御部23および33の内部構成は
従来行われている方法と全く同一の為詳細は述べ
ない。置換を行う際のアルゴリズムとしては、キ
ヤツシユ内に格納されるデータへのアクセス特性
に応じて、キヤツシユメモリのヒツト率(目的の
データがキヤツシユメモリ内に見付かる確率)を
高めるよう数種類の方法が従来採用されている。
例えばLRUは、最も旧い時点でアクセスされた
データを選んで追出しの対称とする方法、FIFO
は最も旧くロードされたデータを追出す方法、
LIFOは最も新しくロードされたデータを追出す
方法等である。
本発明の第2の実施例は、上記置換アルゴリズ
ムを制御する内容置換制御部を複数のキヤツシユ
メモリ毎に備え、各キヤツシユメモリ毎に異る置
換アルゴリズムを適用できるようにしたことを骨
子とする。すなわち、第2図で例えば内容置換制
御部23はLRUアルゴリズムでキヤツシユメモ
リ20の内容置換を行うよう構成し、内容置換制
御部33はFIFOアルゴリズムでキヤツシユメモ
リ30の内容置換を行うよう構成する。各キヤツ
シユメモリには主記憶装置の特定のバンクの内容
のみがロードされるため、予めバンク毎にアクセ
ス特性を一にするデータを格納することによつて
ヒツト率の高いキヤツシユメモリを構成すること
ができる。
以上で本発明の第2の実施例の説明を終了す
る。
以上の説明で明らかなように、本発明は従来方
式に比べて、大容量の主記憶装置を高速にアクセ
ス出来るような記憶装置である。
本発明の第1の実施例は、主記憶装置の特定の
バンクに対応した独立のキヤツシユメモリを設け
ることにより、プロセツサ側からは夫々のキヤツ
シユメモリを独立にアクセスできるため、キヤツ
シユメモリへヒツトする限り大きな性能向上度が
得られる。
従来も、主記憶の内容を命令とデータという属
性に分け、夫々独立のキヤツシユメモリを設けて
ロードする方式はあつたが、本発明のように主記
憶の物理的なバンクに対応してキヤツシユメモリ
を設ける方式とは全く異なるものである。すなわ
ち上記従来の方式では記憶空間は増大したときの
アドレス計算負荷増大に対処することができな
い。また、上記従来方法ではキヤツシユメモリは
高々2箇しか持てないためアクセス並列度は最大
2に限られている。
本発明の第2の実施例は、上記発明に加えキヤ
ツシユメモリ毎に内容置換アルゴリズムを独立に
適用できるよう構成されている為、データへのア
クセス特性に応じてよりきめ細かい制御を行うこ
とによつてキヤツシユメモリへのヒツト率を向上
できる効率の良い記憶装置である。
以上、本発明を実施例を用いて説明したが、こ
れらは単なる例にすぎず、本願の特許請求の範囲
を限定するものではない。すなわち、実施例では
キヤツシユメモリを2箇備えた例について示した
が、3箇以上の数であつてもよい。また、説明の
為主記憶のバンクを8ケに分割する例を示したが
複数であればよい。
また、複数箇設けられているキヤツシユメモリ
は、夫々読出し幅、容量、構成素子の速度等を異
にして構成することができ、より効率の良い記憶
装置として提供できる。とくに主記憶バンク毎に
固定幅の表を格納し、その幅に合わせた語幅のキ
ヤツシユメモリを備えておけば、キヤツシユメモ
リ1回のアクセスでその表の1エントリ分がプロ
セツサに与えられる。さらにこの幅が主記憶読出
し幅の整数倍であればキヤツシユメモリアドレス
レジスタ長を短かくすることができ、アドレス計
算負荷が更に減少する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示すブロツク
図である。図中、10は複数のバンクから成る主
記憶装置、20および30は夫々独立にアクセス
し得るキヤツシユメモリ21,31はキヤツシユ
メモリ20,30に対応する前記主記憶バンクを
指定するバンク指定レジスタ、60はバンク指定
レジスタ21,31を更新する手段とキヤツシユ
メモリ内容置換制御部61を含み記憶装置全体を
制御する制御部である。第2図は本発明の第2の
実施例を示すブロツク図である。図中、10は複
数のバンクから成る主記憶装置、20および30
は夫々独立にアクセスし得るキヤツシユメモリ、
23および33は夫々キヤツシユメモリ20およ
び30に対応する主記憶バンクを指定するバンク
指定レジスタ、23および33は夫々キヤツシユ
メモリ20および30の内容置換を制御する内容
置換制御部、60はバンク指定レジスタ21およ
び31を更新する手段を含み記憶装置を制御する
制御部である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数のバンクから成る主記憶装置と、夫々独
    立にアクセスし得る複数箇のキヤツシユメモリ
    と、前記複数箇のキヤツシユメモリ毎に前記主記
    憶バンクを指定するバンク指定レジスタと、キヤ
    ツシユメモリ内容置換制御手段を含む制御部とを
    備え、前記個々のキヤツシユメモリには前記バン
    ク指定レジスタで指定される前記主記憶装置のバ
    ンクの内容のみを収容し得ることを特徴とする記
    憶装置。 2 複数のバンクから成る主記憶装置と、夫々独
    立にアクセスし得る複数箇のキヤツシユメモリ
    と、前記複数箇のキヤツシユメモリ毎に前記主記
    憶装置のバンクを指定するバンク指定レジスタ
    と、前記各キヤツシユメモリ毎にキヤツシユメモ
    リ内容置換制御部とを備え、前記各キヤツシユメ
    モリには前記バンク指定レジスタで指定される前
    記主記憶装置のバンクの内容のみを収容し得ると
    共に、前記各キヤツシユメモリ毎に前記内容置換
    制御部によつて個々のキヤツシユメモリへのアク
    セス特性に応じて各キヤツシユメモリ毎に異るア
    ルゴリズムで置換制御を行い得ることを特徴とす
    る記憶装置。
JP57181125A 1982-10-15 1982-10-15 記憶装置 Granted JPS5971184A (ja)

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JP4656862B2 (ja) 2004-05-28 2011-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

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