JPH04209517A - 薄膜除去方法 - Google Patents
薄膜除去方法Info
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- JPH04209517A JPH04209517A JP2404633A JP40463390A JPH04209517A JP H04209517 A JPH04209517 A JP H04209517A JP 2404633 A JP2404633 A JP 2404633A JP 40463390 A JP40463390 A JP 40463390A JP H04209517 A JPH04209517 A JP H04209517A
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Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、例えば半導体基板(ウ
ェハ)等の支持基板上に被着された薄膜(フォトレジス
ト層)に選択的にエネルギービームを照射することによ
り、薄膜の所望の部分を除去する方法に関する。 [0002] 【従来の技術】半導体素子製造の光りソゲラフイエ程で
は、ウェハの露光領域に付随して設けられたアライメン
トマーク(位置合わせマーク)からの光情報を光電検出
することによって、重ね合わせ露光すべきレチクルやマ
スクとウェハとを相対的に位置合わせしている。通常、
ウェハのアライメントは、アライメントマークに光を照
射し、そのマークからの反射光、散乱光、又は回折光等
を光電検出することによって行われる。 [0003]Lかしながら、露光前のウェハには必然的
にレジストが被着されているため、アライメントマーク
の検出はレジスト層(1〜2μmの厚さ)を介して行わ
れことになる。アライメントを露光装置の投影光学系を
介して行なう場合(TTL方式: Through T
he Lens)、投影光学系は強い色収差をもってい
るので、アライメントの際にも露光光を用いる必要があ
るがg当然ながら露光光はレジストに吸収されるため、
アライメントマークから発生する光情報がレジスト層の
影響で弱められてしまうという不都合が生じる。 [0004]また、アライメントマークが微少な段差構
造をとることから、マーク周辺でレジストの膜厚が不均
一になることは避けられない。このため、薄膜固有の干
渉効果がマーク近傍で顕著になったり、あるいはマーク
両側でレジスト膜厚のムラが非対称になったりすること
等によってアライメント精度が低下してしまう。 Co OO5]更に、パターンの微細化を図るために多
層レジストを使う場合等は、アライメントマークそのも
のが照明波長のもとて光学的に見えなくなるといった現
象が起こり得るため、アライメント精度の確保はなかな
か難しい問題となっている。 [0006]そこで、アライメント動作に先だって、エ
キシマレーザ等の紫外域の高エネルギービームをマーク
上部のレジスト層に照射することでレジストを部分的に
除去することが考えられている。このレジスト除去のメ
カニズムは、有機高分子材料からなるレジストにエキシ
マレーザ−のような高強度の短パルス紫外光を照射する
と、レーザを吸収した照射部分のレジストの分子結合が
切断されて、分解・飛散するアブレーション過程に基づ
くものと考えられる。このアブレーションによる除去に
おいては、除去される部分の断面がシャープであり、照
射部分の周囲に熱的な損傷・歪がない等の利点がある反
面、飛散したレジストが除去領域周辺に堆積し、後の製
造工程で障害となってしまうという欠点がある。 [0007]そこで、本出願人による特願平2−519
01号に記載されているように、飛散したレジスト物質
によってレジスト表面が汚染されるのを防止するために
、レジスト除去工程に先立ってレジスト表面に汚染防止
膜を被着し、しかる後、汚染防止膜の上からエネルギー
ビームを照射してレジストと汚染防止膜を同時に部分除
去する方法が提案された。この方法では、飛散したレジ
ストは、エネルギービームの照射後に残存している汚染
防止膜を取り除くことによってレジスト表面から一掃す
ることができる。 [0008]
ェハ)等の支持基板上に被着された薄膜(フォトレジス
ト層)に選択的にエネルギービームを照射することによ
り、薄膜の所望の部分を除去する方法に関する。 [0002] 【従来の技術】半導体素子製造の光りソゲラフイエ程で
は、ウェハの露光領域に付随して設けられたアライメン
トマーク(位置合わせマーク)からの光情報を光電検出
することによって、重ね合わせ露光すべきレチクルやマ
スクとウェハとを相対的に位置合わせしている。通常、
ウェハのアライメントは、アライメントマークに光を照
射し、そのマークからの反射光、散乱光、又は回折光等
を光電検出することによって行われる。 [0003]Lかしながら、露光前のウェハには必然的
にレジストが被着されているため、アライメントマーク
の検出はレジスト層(1〜2μmの厚さ)を介して行わ
れことになる。アライメントを露光装置の投影光学系を
介して行なう場合(TTL方式: Through T
he Lens)、投影光学系は強い色収差をもってい
るので、アライメントの際にも露光光を用いる必要があ
るがg当然ながら露光光はレジストに吸収されるため、
アライメントマークから発生する光情報がレジスト層の
影響で弱められてしまうという不都合が生じる。 [0004]また、アライメントマークが微少な段差構
造をとることから、マーク周辺でレジストの膜厚が不均
一になることは避けられない。このため、薄膜固有の干
渉効果がマーク近傍で顕著になったり、あるいはマーク
両側でレジスト膜厚のムラが非対称になったりすること
等によってアライメント精度が低下してしまう。 Co OO5]更に、パターンの微細化を図るために多
層レジストを使う場合等は、アライメントマークそのも
のが照明波長のもとて光学的に見えなくなるといった現
象が起こり得るため、アライメント精度の確保はなかな
か難しい問題となっている。 [0006]そこで、アライメント動作に先だって、エ
キシマレーザ等の紫外域の高エネルギービームをマーク
上部のレジスト層に照射することでレジストを部分的に
除去することが考えられている。このレジスト除去のメ
カニズムは、有機高分子材料からなるレジストにエキシ
マレーザ−のような高強度の短パルス紫外光を照射する
と、レーザを吸収した照射部分のレジストの分子結合が
切断されて、分解・飛散するアブレーション過程に基づ
くものと考えられる。このアブレーションによる除去に
おいては、除去される部分の断面がシャープであり、照
射部分の周囲に熱的な損傷・歪がない等の利点がある反
面、飛散したレジストが除去領域周辺に堆積し、後の製
造工程で障害となってしまうという欠点がある。 [0007]そこで、本出願人による特願平2−519
01号に記載されているように、飛散したレジスト物質
によってレジスト表面が汚染されるのを防止するために
、レジスト除去工程に先立ってレジスト表面に汚染防止
膜を被着し、しかる後、汚染防止膜の上からエネルギー
ビームを照射してレジストと汚染防止膜を同時に部分除
去する方法が提案された。この方法では、飛散したレジ
ストは、エネルギービームの照射後に残存している汚染
防止膜を取り除くことによってレジスト表面から一掃す
ることができる。 [0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のレジスト(薄膜)除去方法においては、以下に説
明するような問題点があった。 [0009]従来、汚染防止膜としては、例えばレジス
トがポジ型である場合にはネガ型レジストを用いること
が提案され、他に定在波の発生を低減する目的で使用さ
れているARC(商品名: BREWER5CIENC
E社製)またはコントラスト増強層(CEL)用の層間
分離膜として用いられているポリビニルアルコール(以
下PVAと略称する)を使用することが提案されている
。 (OOIOILかしながら、汚染防止膜としてネガ型レ
ジストを用いる場合、汚染防止膜の除去に際して現像液
を用いる必要があり、この現像液がポジ型レジストに悪
影響を与えることがある。また、ARCについては、含
有される溶剤がレジストを溶解することがあり、レジス
トの種類によっては汚染防止膜としてレジスト表面に形
成できないことがある。 [0011]一方、PVAは水溶性であり、レジスト表
面への塗布、及び除去に際して純水を用いることができ
るので、レジスト層に悪影響を与える二とがない。しか
し、PVAは紫外光に対して透明であるため(CE L
用の層間分離膜としては当然の特性である)、照射され
たエネルギービームを吸収せず、レジスト層のようなア
ブレーション過程は起こらない。PVAからなる汚染防
止膜の除去は、汚染防止膜を透過したレーザ光によって
レジストが飛散するときの衝撃力によるか、あるいはレ
ジストのアブレーション過程に附随して汚染防止膜とレ
ジスト層との界面において生じた熱膨張による応力によ
るものと考えられる。このような過程で汚染防止膜が除
去される場合、高いエネルギー密度のエネルギービーム
を照射すると、照射領域の周囲のPVAが広範囲にわた
って剥がれてしまうという現象が発生する。 [0012]この様子を図7を用いて説明する。まず、
図7(a)に示されるように、支持基板104上のレジ
スト層1O2上面に一様に塗布された汚染防止膜(PV
A)101の上方から高エネルギー密度のレーザビーム
103を所望の除去領域に照射する。レーザビーム10
3は汚染防止膜101を透過してレジスト層102の上
層部121で吸収される(図7(b))。レーザービー
ム103を吸収した上層部121ではアブレーション過
程に基づいて分解されたレジストが飛散する(図7(C
))。 [0013]この時のレジストの飛散エネルギーにより
、レーザ照射領域111の汚染防止膜101、更には照
射領域の周囲領域112の汚染防止膜101も同時に飛
散あるいは剥離してしまう。この周囲の汚染防止膜10
1が除去される範囲は照射するレーザビーム103のエ
ネルギー密度が高い程広い範囲に及ぶ。汚染防止膜10
1が除去された周囲領域112には、図7(d)に示す
ようにレジスト層1O2の除去が完了するまでの間にレ
ーザビーム103の照射によって発生するレジスト飛散
物質122が堆積することになり、周囲領域112につ
いては汚染防止膜101が役割りを果たさないという不
都合が生じる。 [0014]このような、飛散物質122が存在すると
、後のリソグラフィー工程においてレジスト層1O2の
露光が行なわれる際、周囲領域112への露光光が遮ぎ
られたり、あるいは飛散物質122の熱によって周囲領
域112のレジスト表面が変質したりすることによって
、現像後も周囲領域112にレジストが残ってしまうこ
とになる。このような不要な残存レジストはエツチング
の際にパターン形成部分にまで及んだりすることによっ
て歩留を低下させる原因となる。 [0015]この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、エネルギービームの照射によって薄膜の所望
領域を除去するにあたって、除去領域の周囲についても
薄膜表面の汚染を回避できる薄膜除去方法を提供するこ
とを目的とするものである。 (0016]
従来のレジスト(薄膜)除去方法においては、以下に説
明するような問題点があった。 [0009]従来、汚染防止膜としては、例えばレジス
トがポジ型である場合にはネガ型レジストを用いること
が提案され、他に定在波の発生を低減する目的で使用さ
れているARC(商品名: BREWER5CIENC
E社製)またはコントラスト増強層(CEL)用の層間
分離膜として用いられているポリビニルアルコール(以
下PVAと略称する)を使用することが提案されている
。 (OOIOILかしながら、汚染防止膜としてネガ型レ
ジストを用いる場合、汚染防止膜の除去に際して現像液
を用いる必要があり、この現像液がポジ型レジストに悪
影響を与えることがある。また、ARCについては、含
有される溶剤がレジストを溶解することがあり、レジス
トの種類によっては汚染防止膜としてレジスト表面に形
成できないことがある。 [0011]一方、PVAは水溶性であり、レジスト表
面への塗布、及び除去に際して純水を用いることができ
るので、レジスト層に悪影響を与える二とがない。しか
し、PVAは紫外光に対して透明であるため(CE L
用の層間分離膜としては当然の特性である)、照射され
たエネルギービームを吸収せず、レジスト層のようなア
ブレーション過程は起こらない。PVAからなる汚染防
止膜の除去は、汚染防止膜を透過したレーザ光によって
レジストが飛散するときの衝撃力によるか、あるいはレ
ジストのアブレーション過程に附随して汚染防止膜とレ
ジスト層との界面において生じた熱膨張による応力によ
るものと考えられる。このような過程で汚染防止膜が除
去される場合、高いエネルギー密度のエネルギービーム
を照射すると、照射領域の周囲のPVAが広範囲にわた
って剥がれてしまうという現象が発生する。 [0012]この様子を図7を用いて説明する。まず、
図7(a)に示されるように、支持基板104上のレジ
スト層1O2上面に一様に塗布された汚染防止膜(PV
A)101の上方から高エネルギー密度のレーザビーム
103を所望の除去領域に照射する。レーザビーム10
3は汚染防止膜101を透過してレジスト層102の上
層部121で吸収される(図7(b))。レーザービー
ム103を吸収した上層部121ではアブレーション過
程に基づいて分解されたレジストが飛散する(図7(C
))。 [0013]この時のレジストの飛散エネルギーにより
、レーザ照射領域111の汚染防止膜101、更には照
射領域の周囲領域112の汚染防止膜101も同時に飛
散あるいは剥離してしまう。この周囲の汚染防止膜10
1が除去される範囲は照射するレーザビーム103のエ
ネルギー密度が高い程広い範囲に及ぶ。汚染防止膜10
1が除去された周囲領域112には、図7(d)に示す
ようにレジスト層1O2の除去が完了するまでの間にレ
ーザビーム103の照射によって発生するレジスト飛散
物質122が堆積することになり、周囲領域112につ
いては汚染防止膜101が役割りを果たさないという不
都合が生じる。 [0014]このような、飛散物質122が存在すると
、後のリソグラフィー工程においてレジスト層1O2の
露光が行なわれる際、周囲領域112への露光光が遮ぎ
られたり、あるいは飛散物質122の熱によって周囲領
域112のレジスト表面が変質したりすることによって
、現像後も周囲領域112にレジストが残ってしまうこ
とになる。このような不要な残存レジストはエツチング
の際にパターン形成部分にまで及んだりすることによっ
て歩留を低下させる原因となる。 [0015]この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、エネルギービームの照射によって薄膜の所望
領域を除去するにあたって、除去領域の周囲についても
薄膜表面の汚染を回避できる薄膜除去方法を提供するこ
とを目的とするものである。 (0016]
【課題を解決するための手段】本発明では、支持基板上
に被着された薄膜にエネルギービームを選択的に照射す
ることにより、前記薄膜の所望の部分を除去する薄膜除
去方法において、前記薄膜の表面に汚染防止膜を被着し
、該汚染防止膜の前記エネルギービームに対する吸収特
性に応じて、前記エネルギービームのエネルギー密度も
しくは前記エネルギービームの照射範囲を調整して、前
記汚染防止膜の上からエネルギービームを照射し、該エ
ネルギービームの照射によって前記所望の部分の汚染防
止膜と薄膜を除去した後に、除去しなかった薄膜上の汚
染防止膜を取り除くことによって、上記の課題を達成し
ている。 [0017]
に被着された薄膜にエネルギービームを選択的に照射す
ることにより、前記薄膜の所望の部分を除去する薄膜除
去方法において、前記薄膜の表面に汚染防止膜を被着し
、該汚染防止膜の前記エネルギービームに対する吸収特
性に応じて、前記エネルギービームのエネルギー密度も
しくは前記エネルギービームの照射範囲を調整して、前
記汚染防止膜の上からエネルギービームを照射し、該エ
ネルギービームの照射によって前記所望の部分の汚染防
止膜と薄膜を除去した後に、除去しなかった薄膜上の汚
染防止膜を取り除くことによって、上記の課題を達成し
ている。 [0017]
【作用】本発明におけるエネルギービームの調整につい
て図4及び図5を参照して説明する。 [0018]図4において、レジスト層(薄膜)2上に
は汚染防止膜1が被着されており、汚染防止膜1の上か
らビーム3が照射される。ここでは、まず、汚染防止膜
1のビーム3に対する吸収がレジスト層2に比べて小さ
い場合を考える。 [0019]照射されるビーム3のエネルギー密度をP
o、汚染防止膜1のビーム3に対する透過率(吸収特性
に相当)をT(t) (tは汚染防止膜の膜厚)とす
ると、レジスト層2の汚染防止膜1と接する上部領域2
1bにおけるビーム3のエネルギー密度Pは、(1)式
となる。 [00201P=Po −T(t) −(1)[0
021]また、上部領域21bにおけるエネルギー密度
Pとレジスト層2がアブレーション過程によって除去さ
れる深さとの関係は図5に示すようになる。即ち、ビー
ム3の単位パルス当りのエネルギー密度P O/cm2
・pulse)が閾値Pubを超えるまでは、ビーム3
が照射されてもレジスト層2は除去されないが、エネル
ギー密度Pが閾値Pubを超えると、レジスト層2の除
去深さはエネルギー密度Pに比例して増大する。 [0022]従って、上部領域21bにおけるエネルギ
ー密度Pが(2)式となるように、ビーム3のエネルギ
ー密度Po を調整すれば、レジスト層2は最小限のエ
ネルギーでごく僅かに分解・飛散することになり、これ
によって汚染防止膜1が除去される。 [0023] P=Po −T(t) =P1h
−(2)[0024]このとき、レジスト層2の飛散エ
ネルギーは非常に小さいので、ビーム3の照射領域の汚
染防止膜1だけが除去されることになる。しかる後(照
射領域の汚染防止膜1が除去された後)、ビーム3のエ
ネルギー密度を上げても照射領域周囲の汚染防止膜1が
剥離することはない。このようにして、照射するビーム
3のエネルギー密度を調整することで、レジスト層2の
除去領域を超えて過剰に汚染防止膜1が除去されるのを
防止することができる。 (0025]この際、ビーム3のエネルギー密度を初め
から閾値P+bより大きく設定すると、汚染防止膜1が
除去される際のレジスト層2の飛散エネルギーが大きく
なりすぎ、照射領域周囲の汚染防止膜lまで除去される
こととなるが、ビーム3の照射範囲を調整すれば、ビー
ム3のエネルギー密度を初めから大きく設定しても汚染
防止膜1の過剰な除去を回避できる。つまり、照射領域
を超えて汚染防止膜1が除去されてしまう範囲を見込ん
で予めビーム3の照射範囲を小さく設定しておき、汚染
防止膜1を除去した後に、ビーム3の照射範囲を除去領
域に見合う大きさに拡大してレジスト層2を除去すれば
、汚染防止膜1の過剰な除去が防止される。 [0026]ところで、上記においては、汚染防止膜1
のビーム3に対する吸収が小さい場合について説明した
が、汚染防止膜lのビーム3に対する吸収特性が次に説
明する条件を満たす場合は、ビーム3の照射範囲を初め
からレジスト層2の除去領域に見合う大きさとし、かつ
ビーム3のエネルギー密度を初めから閾値Pub以上と
することが可能となる。つまり、汚染防止膜1について
もアブレーション過程によって除去されるためのエネル
ギー密度の閾値E+h(図5P+hに相当)が定まるは
ずであるが、汚染防止膜1の吸収が大きければ、図4に
おける汚染防止膜1のレジスト層2と接する下部領域2
1aにおけるエネルギー密度EがE L b以上となる
ことが考えられる。 [0027]E≧E+b ・・・(3)[0028]
(3)式が成り立てば、汚染防止膜1自体がアブレー
ション過程で除去されることとなり、ビーム3のエネル
ギー密度をPlh以上としても照射領域を超えて汚染防
止膜1が除去されることはない。(3)式の条件を満た
し得る吸収特性を有する水溶性の汚染防止膜材料として
は1例えばポリビニルピロリドン(以下PVPという)
がある。 [0029]
て図4及び図5を参照して説明する。 [0018]図4において、レジスト層(薄膜)2上に
は汚染防止膜1が被着されており、汚染防止膜1の上か
らビーム3が照射される。ここでは、まず、汚染防止膜
1のビーム3に対する吸収がレジスト層2に比べて小さ
い場合を考える。 [0019]照射されるビーム3のエネルギー密度をP
o、汚染防止膜1のビーム3に対する透過率(吸収特性
に相当)をT(t) (tは汚染防止膜の膜厚)とす
ると、レジスト層2の汚染防止膜1と接する上部領域2
1bにおけるビーム3のエネルギー密度Pは、(1)式
となる。 [00201P=Po −T(t) −(1)[0
021]また、上部領域21bにおけるエネルギー密度
Pとレジスト層2がアブレーション過程によって除去さ
れる深さとの関係は図5に示すようになる。即ち、ビー
ム3の単位パルス当りのエネルギー密度P O/cm2
・pulse)が閾値Pubを超えるまでは、ビーム3
が照射されてもレジスト層2は除去されないが、エネル
ギー密度Pが閾値Pubを超えると、レジスト層2の除
去深さはエネルギー密度Pに比例して増大する。 [0022]従って、上部領域21bにおけるエネルギ
ー密度Pが(2)式となるように、ビーム3のエネルギ
ー密度Po を調整すれば、レジスト層2は最小限のエ
ネルギーでごく僅かに分解・飛散することになり、これ
によって汚染防止膜1が除去される。 [0023] P=Po −T(t) =P1h
−(2)[0024]このとき、レジスト層2の飛散エ
ネルギーは非常に小さいので、ビーム3の照射領域の汚
染防止膜1だけが除去されることになる。しかる後(照
射領域の汚染防止膜1が除去された後)、ビーム3のエ
ネルギー密度を上げても照射領域周囲の汚染防止膜1が
剥離することはない。このようにして、照射するビーム
3のエネルギー密度を調整することで、レジスト層2の
除去領域を超えて過剰に汚染防止膜1が除去されるのを
防止することができる。 (0025]この際、ビーム3のエネルギー密度を初め
から閾値P+bより大きく設定すると、汚染防止膜1が
除去される際のレジスト層2の飛散エネルギーが大きく
なりすぎ、照射領域周囲の汚染防止膜lまで除去される
こととなるが、ビーム3の照射範囲を調整すれば、ビー
ム3のエネルギー密度を初めから大きく設定しても汚染
防止膜1の過剰な除去を回避できる。つまり、照射領域
を超えて汚染防止膜1が除去されてしまう範囲を見込ん
で予めビーム3の照射範囲を小さく設定しておき、汚染
防止膜1を除去した後に、ビーム3の照射範囲を除去領
域に見合う大きさに拡大してレジスト層2を除去すれば
、汚染防止膜1の過剰な除去が防止される。 [0026]ところで、上記においては、汚染防止膜1
のビーム3に対する吸収が小さい場合について説明した
が、汚染防止膜lのビーム3に対する吸収特性が次に説
明する条件を満たす場合は、ビーム3の照射範囲を初め
からレジスト層2の除去領域に見合う大きさとし、かつ
ビーム3のエネルギー密度を初めから閾値Pub以上と
することが可能となる。つまり、汚染防止膜1について
もアブレーション過程によって除去されるためのエネル
ギー密度の閾値E+h(図5P+hに相当)が定まるは
ずであるが、汚染防止膜1の吸収が大きければ、図4に
おける汚染防止膜1のレジスト層2と接する下部領域2
1aにおけるエネルギー密度EがE L b以上となる
ことが考えられる。 [0027]E≧E+b ・・・(3)[0028]
(3)式が成り立てば、汚染防止膜1自体がアブレー
ション過程で除去されることとなり、ビーム3のエネル
ギー密度をPlh以上としても照射領域を超えて汚染防
止膜1が除去されることはない。(3)式の条件を満た
し得る吸収特性を有する水溶性の汚染防止膜材料として
は1例えばポリビニルピロリドン(以下PVPという)
がある。 [0029]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の詳細な説明す
る。 [00301まず、本発明実施例で汚染防止膜の材料と
して用いた水溶性高分子PVA及びPVPについて説明
する。これらの高分子の透過スペクトル特性を図3 (
横軸:波長nm、縦軸:透過率%)に示す。図かられか
るように、エキシマレーザ光の波長、例えばKrFレー
ザ光(248nm)に対しては画商分子とも90%以上
の透過率を有し、はとんどレーザビームを吸収しない。 また、ArFレーザ光(193nm)に対してはPVA
は90%以上の透過率をもち、一方PVPはこの波長の
ビームをほとんど透過せず強い吸収を示す。 [00313従って、エネルギービームとしてArFレ
ーザ光を用い、汚染防止膜としてP V Pをレジスト
表面に被着することとすれば、前述した(3)式の条件
を満たすことができ、汚染防止膜自体がアブレージヨシ
過程で除去されることになる。この場合、レーザビーム
の照射範囲はレジスト層の除去領域に見合う大きさとし
、ビームのエネルギー密度はレジストの実効的な除去速
度を得るに足る値に設定すれば良い。 [0032]Lかし、汚染防止膜をPVPだけて構成し
た場合、レーザビームの照射に伴って発生する熱によっ
てPVPが変質し、水に対する溶解性が低下するという
不都合を生じることがある。このような不都合は、水に
対する溶解性に優れるPVAを併用することによって解
消される。つまり、PVAとPVPを混合してこれを汚
染防止膜として用いることで、水に対する溶解性とレー
ザビームに対する吸収性の2つの特性を合わせ持たせる
ことができる。PVAとPVPは混合して用いるだけで
なく、PVAを下層としてその上にPVPを積層しても
良い。 [0033]ここで、PVAとPVPの比率は1対lを
目安として調整すれば良いが、PVAの比率を増やすと
、水に対する溶解性が高まる代わりにレーザビームに対
する吸収性が低下することになる。レーザビームに対す
る吸収性が低下すると、前述の(3)式の条件を満たさ
ず(即ち、E < E Ih )汚染防止膜がアブレー
ション過程で除去されなくなることが想定される。また
、照射ビームとしてKrFレーザ光を用いる場合は、P
VA、PVPの何れの高分子を用いても汚染防止膜はア
ブレーション過程では除去されない。このような場合は
、汚染防止膜がレジストの飛散エネルギーで除去される
こととなるので、汚染防止膜の過剰な除去を防止するた
めに、レーザビームのエネルギー密度を下げるかあるい
は照射範囲を小さくすることが必要となる。 [0034]本発明第1実施例によるレジスト除去工程
を図1(a)〜(d)を参照して説明する。 [0035]まず、図1(a)に示されるように、レー
ザビーム3の照射に先立ち、支持基板4(ウェハ)上の
レジスト層2の表面に汚染防止膜1を被着する。この時
、汚染防止膜1はレジスト層2の表面全体にわたって一
様に被着しても良いし、場合によっては汚染が予想され
る除去領域を中心とする一定の範囲のみに被着してもよ
い。 [0036]次いで、図1(b)のように、レーザビー
ム3を汚染防止膜1の上からレジスト層2の除去領域に
照射するわけであるが、この際、汚染防止膜1のビーム
3に対する吸収が小さく、前述の(3)式を満たさない
場合は、ビームのエネルギー密度をレジスト層のアブレ
ーション過程による除去が実現されるに足る最小限の値
(図5の閾値P、h)とする。 [0037]閾値Plhのエネルギー密度のビーム3を
照射すると、図1 (c)のように、照射を受けたレジ
スト層2の表面部21の分子結合が光子エネルギーによ
り切断されて微粒子状となり飛散しく飛散物質22)、
このときの飛散エネルギーによって上層の汚染防止膜も
飛散除去される(図He))。 [0038]このときのレジストの飛散エネルギーはご
く小さいものであるので、ビームの照射領域を超えて汚
染防止膜1が除去されることはない。飛散物質22の一
部は大気中に放出され、一部は汚染防止膜1上に堆積す
る。照射領域の汚染防止膜1が除去された後は、高エネ
ルギーのビームを照射しても周囲の汚染防止膜1が除去
されることはないので、図1(d)のようにエネルギー
密度を上げたビーム6を照射してレジスト層2を完全に
除去する。このとき発生する飛散物質22は汚染防止膜
上に堆積しレジスト層2表面が汚染されることはない。 [0039] レジスト層2の除去が終了した後、汚染
防止膜1を溶解除去し、全工程を終了する。本実施例で
は汚染防止膜1は水溶性となっているので、短時間の純
水洗浄(いわゆるスピンウォッシュ)を行なうことで容
易に実現でき、その後はいわゆるスピンドライで乾燥す
れば良く、レジスト層の特性が劣化することはない。 [0040]次に、図2は本発明の第2実施例によるレ
ジスト除去工程を示した概念図である。 [00411支持基板4(ウェハ)上には第1実施例と
同様にレジスト層2が塗布され、レジスト層2の表面に
は汚染防止膜1が被着されている。この汚染防止膜1は
レジスト層2の除去に用いるビームに対する吸収性が小
さいものとする(図2(a))。 [0042]本実施例では、レーザビーム6aのエネル
ギー密度は初めから高く設定する代わりに、汚染防止膜
1がビーム6aの照射領域を超えて過剰に除去される分
を見込んで予めビーム6aの照射範囲を除去領域21a
より小さく設定しておく(図2(b))。 [0043] ビーム径を絞ったレーザビーム6aを照
射すると、除去領域21aより狭い範囲のレジスト層2
の表面部21bの分子結合が光子エネルギーにより切断
されて微粒子状となって飛散しく飛散物質22)、この
ときの飛散エネルギーによって上層の汚染防止膜1も飛
散除去される。本実施例ではレジストの飛散エネルギー
は大きいので、ビーム6aの照射領域を超えて汚染防止
膜1が剥離され、飛散物質22の一部は露出したレジス
ト層2上にも付着する(図2(c))。 [0044]Lかし、ビーム6aの照射範囲は予め小さ
く設定されているので、レジスト層2の露出部分は除去
領域21a内に含まれることとなり飛散物質22が付着
しても何等差し障りはない。 [0045]除去領域21aの汚染防止膜1が除去され
た後は、図2(d)のように照射範囲を除去領域21a
に見合う大きさに拡大しくビーム6)、除去領域21a
のレジスト層2を完全に除去する。このときレジスト層
2は汚染防止膜1に保護されているので1発生する飛散
物質22は汚染防止膜1上に堆積し、レジスト層2が汚
染されることはない。レジスト層2の除去が終了した後
は、第1実施例と同様にして汚染防止膜1を溶解除去す
る。 [0046]次に、本発明を実施するのに好適なレジス
ト除去装置の一例を図6を用いて説明する。 [0047] このレジスト除去装置には、レジスト除
去用のエキシマレーザ光源31とアライメント用の照明
系41とが設けられており、エキシマレーザ光のエネル
ギー密度はフィルター31aを挿脱することにより調整
可能となっている。または、エキシマレーザ31に与え
る印加電圧を調整することによって、エネルギー密度を
制御しても良い。 [0048]エキシマレーザ光はレンズ系32、必要に
応じてフィルター31a、ビームスプリッタ−33及び
レンズ系34を介して、可変開口絞り (可変アパーチ
ャ)35を均一に照射する。可変アパーチャ35の開口
像は加工用対物レンズ37によりウェハWの表面に縮小
結像される。図2で説明したようにエキシマレーザ光の
照射範囲を予めレジスト除去領域より狭くしておく場合
にはこの可変アパーチャ35の開口の大きさを調節する
。対物レンズ37とウェハWの間には加工時の対物レン
ズ37の汚れを防止するための透明な保護板39が取り
外し可能に配置されている。 [0049]ウエハWの表面には、レジスト層及び汚染
防止膜が塗布されており、このウェハWは干渉計等で位
置計測されて2次元移動するステージ40に載置される
。また、照明系41からのアライメント照明光はビーム
スプリッタ−42で反射されて、アライメント用対物レ
ンズ43に入射し、ウェハWの表面を均一に照明する。 ウェハW上のマークWM (アライメントマーク)から
の反射光は対物レンズ43、ビームスプリッタ−42を
介してリレー系44を通って観察系に導かれる。この対
物レンズ43、ビームスプリッタ−42及びリレー系4
4によって、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメン
ト系が構成される。 [00501また、加工用対物レンズ37を介して加工
点(レジスト除去領域)を直接観察するため、対物レン
ズ37と可変アパーチャ35との間の光路中に進退可能
なビームスプリッタ−36が配置される。このビームス
プリッタ−36が光路中にある時、照明系41からの照
明光は対物レンズ37に導かれ、ウェハW上の加工部を
均一に照射する。 [00511ウエハWの表面からの反射光は対物レンズ
37、ビームスプリッタ−36及び可変アパーチャ35
を通り、さらにレンズ系34及びビームスプリッタ−3
3を介してリレー系38に入射し、観察系に導かれる。 ここで、ウェハWと可変アパーチャ35とは共役なので
、リレー系38を介して可変アパーチャ35の開口像と
、ウェハW上の加工部とが同時観察される。即ち、可変
アパーチャ35の開口内にウェハマークWMが位置する
ようにステージ40を位置決めした後、ビームスプリッ
タ−36を退避させて、エキシマレーザ光源31からエ
キシマレーザ光(パルス光)を発振させる。 [0052] この際、フィルター31aを挿入してエ
キシマレーザ光のエネルギー密度を低くしておいた場合
は、汚染防止膜が除去された段階で、フィルター31a
を退避させてビームのエネルギー密度を上げ、ウェハマ
ークが露出するまでレジスト層の除去を行なう。 [0053]また、可変アパーチャー35の開口を除去
領域より小さく設定しておいた場合には、汚染防止膜が
除去された段階で、除去領域に見合う大きさに開口を拡
大して、ウェハマークWMが露出するまでエキシマレー
ザ光の照射を続ける。 [0054]もちろん、フィルター31aによるエネル
ギー密度の調整と可変アパーチャー35による照射範囲
の調整を組み合わせて行なっても良い。この場合も、汚
染防止膜が除去された後は照射範囲を除去領域に見合う
大きさとし、エネルギー密度はレジストの実効的な除去
速度が得られる大きさとする。 [0055]上記構成において、ビームスプリッタ−3
3はダイクロイックミラーのような波長選択性のものに
し、照明系41からの照明光の波長は可視域にすること
が望ましい。 [0056]また、図示されていないが、除去領域の光
学的又は物理的な特性変化を検出する検出素子を除去領
域付近に設け、この検出素子からの出力信号によって汚
染防止膜の有無を判断してフィルター31a及び可変ア
パーチャー35を動作させるとともに、レジスト除去の
終点を判断してエキシマレーザ光の照射を停止するよう
にすれば、過剰なレーザ光の照射によつウェハのアライ
メントマークが損傷することがない。 [0057]また、図1及び図2で説明したような工程
でレジストの部分除去を効率良く行なうには、レジスト
の塗布部と現像部を一体にもついわゆるコータデベロッ
パーに図6に説明したレジスト除去装置を組み込んだシ
ステムをつくり、コータデベロッパーの塗布部でレジス
トと汚染防止膜を塗布した後、ウェハをレジスト除去装
置へ搬送して所定部分のレジストを除去し、続いてコー
タデベロッパーの現像部で汚染防止膜を溶解除去した後
、ウェハを現像部から露光装置に搬送するようにすると
良い。 [0058]なお、上記の説明においては、汚染防止膜
として水溶性高分子膜を用いた場合について説明したが
、使用するレジスト層に悪影響がなければ、汚染防止膜
としてARCやネガ型レジスト等を用いても良いことは
言うまでもない。また、最終工程で汚染防止膜を取り除
く方法は、溶解除去に限るものではなく、物理的方法に
よっても良い。また、上記においてはウェハのアライメ
ントマーク上のレジストを除去する場合を例にとって説
明したが、本発明は光エッチング等にも適用できるもの
である。 [0059]
る。 [00301まず、本発明実施例で汚染防止膜の材料と
して用いた水溶性高分子PVA及びPVPについて説明
する。これらの高分子の透過スペクトル特性を図3 (
横軸:波長nm、縦軸:透過率%)に示す。図かられか
るように、エキシマレーザ光の波長、例えばKrFレー
ザ光(248nm)に対しては画商分子とも90%以上
の透過率を有し、はとんどレーザビームを吸収しない。 また、ArFレーザ光(193nm)に対してはPVA
は90%以上の透過率をもち、一方PVPはこの波長の
ビームをほとんど透過せず強い吸収を示す。 [00313従って、エネルギービームとしてArFレ
ーザ光を用い、汚染防止膜としてP V Pをレジスト
表面に被着することとすれば、前述した(3)式の条件
を満たすことができ、汚染防止膜自体がアブレージヨシ
過程で除去されることになる。この場合、レーザビーム
の照射範囲はレジスト層の除去領域に見合う大きさとし
、ビームのエネルギー密度はレジストの実効的な除去速
度を得るに足る値に設定すれば良い。 [0032]Lかし、汚染防止膜をPVPだけて構成し
た場合、レーザビームの照射に伴って発生する熱によっ
てPVPが変質し、水に対する溶解性が低下するという
不都合を生じることがある。このような不都合は、水に
対する溶解性に優れるPVAを併用することによって解
消される。つまり、PVAとPVPを混合してこれを汚
染防止膜として用いることで、水に対する溶解性とレー
ザビームに対する吸収性の2つの特性を合わせ持たせる
ことができる。PVAとPVPは混合して用いるだけで
なく、PVAを下層としてその上にPVPを積層しても
良い。 [0033]ここで、PVAとPVPの比率は1対lを
目安として調整すれば良いが、PVAの比率を増やすと
、水に対する溶解性が高まる代わりにレーザビームに対
する吸収性が低下することになる。レーザビームに対す
る吸収性が低下すると、前述の(3)式の条件を満たさ
ず(即ち、E < E Ih )汚染防止膜がアブレー
ション過程で除去されなくなることが想定される。また
、照射ビームとしてKrFレーザ光を用いる場合は、P
VA、PVPの何れの高分子を用いても汚染防止膜はア
ブレーション過程では除去されない。このような場合は
、汚染防止膜がレジストの飛散エネルギーで除去される
こととなるので、汚染防止膜の過剰な除去を防止するた
めに、レーザビームのエネルギー密度を下げるかあるい
は照射範囲を小さくすることが必要となる。 [0034]本発明第1実施例によるレジスト除去工程
を図1(a)〜(d)を参照して説明する。 [0035]まず、図1(a)に示されるように、レー
ザビーム3の照射に先立ち、支持基板4(ウェハ)上の
レジスト層2の表面に汚染防止膜1を被着する。この時
、汚染防止膜1はレジスト層2の表面全体にわたって一
様に被着しても良いし、場合によっては汚染が予想され
る除去領域を中心とする一定の範囲のみに被着してもよ
い。 [0036]次いで、図1(b)のように、レーザビー
ム3を汚染防止膜1の上からレジスト層2の除去領域に
照射するわけであるが、この際、汚染防止膜1のビーム
3に対する吸収が小さく、前述の(3)式を満たさない
場合は、ビームのエネルギー密度をレジスト層のアブレ
ーション過程による除去が実現されるに足る最小限の値
(図5の閾値P、h)とする。 [0037]閾値Plhのエネルギー密度のビーム3を
照射すると、図1 (c)のように、照射を受けたレジ
スト層2の表面部21の分子結合が光子エネルギーによ
り切断されて微粒子状となり飛散しく飛散物質22)、
このときの飛散エネルギーによって上層の汚染防止膜も
飛散除去される(図He))。 [0038]このときのレジストの飛散エネルギーはご
く小さいものであるので、ビームの照射領域を超えて汚
染防止膜1が除去されることはない。飛散物質22の一
部は大気中に放出され、一部は汚染防止膜1上に堆積す
る。照射領域の汚染防止膜1が除去された後は、高エネ
ルギーのビームを照射しても周囲の汚染防止膜1が除去
されることはないので、図1(d)のようにエネルギー
密度を上げたビーム6を照射してレジスト層2を完全に
除去する。このとき発生する飛散物質22は汚染防止膜
上に堆積しレジスト層2表面が汚染されることはない。 [0039] レジスト層2の除去が終了した後、汚染
防止膜1を溶解除去し、全工程を終了する。本実施例で
は汚染防止膜1は水溶性となっているので、短時間の純
水洗浄(いわゆるスピンウォッシュ)を行なうことで容
易に実現でき、その後はいわゆるスピンドライで乾燥す
れば良く、レジスト層の特性が劣化することはない。 [0040]次に、図2は本発明の第2実施例によるレ
ジスト除去工程を示した概念図である。 [00411支持基板4(ウェハ)上には第1実施例と
同様にレジスト層2が塗布され、レジスト層2の表面に
は汚染防止膜1が被着されている。この汚染防止膜1は
レジスト層2の除去に用いるビームに対する吸収性が小
さいものとする(図2(a))。 [0042]本実施例では、レーザビーム6aのエネル
ギー密度は初めから高く設定する代わりに、汚染防止膜
1がビーム6aの照射領域を超えて過剰に除去される分
を見込んで予めビーム6aの照射範囲を除去領域21a
より小さく設定しておく(図2(b))。 [0043] ビーム径を絞ったレーザビーム6aを照
射すると、除去領域21aより狭い範囲のレジスト層2
の表面部21bの分子結合が光子エネルギーにより切断
されて微粒子状となって飛散しく飛散物質22)、この
ときの飛散エネルギーによって上層の汚染防止膜1も飛
散除去される。本実施例ではレジストの飛散エネルギー
は大きいので、ビーム6aの照射領域を超えて汚染防止
膜1が剥離され、飛散物質22の一部は露出したレジス
ト層2上にも付着する(図2(c))。 [0044]Lかし、ビーム6aの照射範囲は予め小さ
く設定されているので、レジスト層2の露出部分は除去
領域21a内に含まれることとなり飛散物質22が付着
しても何等差し障りはない。 [0045]除去領域21aの汚染防止膜1が除去され
た後は、図2(d)のように照射範囲を除去領域21a
に見合う大きさに拡大しくビーム6)、除去領域21a
のレジスト層2を完全に除去する。このときレジスト層
2は汚染防止膜1に保護されているので1発生する飛散
物質22は汚染防止膜1上に堆積し、レジスト層2が汚
染されることはない。レジスト層2の除去が終了した後
は、第1実施例と同様にして汚染防止膜1を溶解除去す
る。 [0046]次に、本発明を実施するのに好適なレジス
ト除去装置の一例を図6を用いて説明する。 [0047] このレジスト除去装置には、レジスト除
去用のエキシマレーザ光源31とアライメント用の照明
系41とが設けられており、エキシマレーザ光のエネル
ギー密度はフィルター31aを挿脱することにより調整
可能となっている。または、エキシマレーザ31に与え
る印加電圧を調整することによって、エネルギー密度を
制御しても良い。 [0048]エキシマレーザ光はレンズ系32、必要に
応じてフィルター31a、ビームスプリッタ−33及び
レンズ系34を介して、可変開口絞り (可変アパーチ
ャ)35を均一に照射する。可変アパーチャ35の開口
像は加工用対物レンズ37によりウェハWの表面に縮小
結像される。図2で説明したようにエキシマレーザ光の
照射範囲を予めレジスト除去領域より狭くしておく場合
にはこの可変アパーチャ35の開口の大きさを調節する
。対物レンズ37とウェハWの間には加工時の対物レン
ズ37の汚れを防止するための透明な保護板39が取り
外し可能に配置されている。 [0049]ウエハWの表面には、レジスト層及び汚染
防止膜が塗布されており、このウェハWは干渉計等で位
置計測されて2次元移動するステージ40に載置される
。また、照明系41からのアライメント照明光はビーム
スプリッタ−42で反射されて、アライメント用対物レ
ンズ43に入射し、ウェハWの表面を均一に照明する。 ウェハW上のマークWM (アライメントマーク)から
の反射光は対物レンズ43、ビームスプリッタ−42を
介してリレー系44を通って観察系に導かれる。この対
物レンズ43、ビームスプリッタ−42及びリレー系4
4によって、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメン
ト系が構成される。 [00501また、加工用対物レンズ37を介して加工
点(レジスト除去領域)を直接観察するため、対物レン
ズ37と可変アパーチャ35との間の光路中に進退可能
なビームスプリッタ−36が配置される。このビームス
プリッタ−36が光路中にある時、照明系41からの照
明光は対物レンズ37に導かれ、ウェハW上の加工部を
均一に照射する。 [00511ウエハWの表面からの反射光は対物レンズ
37、ビームスプリッタ−36及び可変アパーチャ35
を通り、さらにレンズ系34及びビームスプリッタ−3
3を介してリレー系38に入射し、観察系に導かれる。 ここで、ウェハWと可変アパーチャ35とは共役なので
、リレー系38を介して可変アパーチャ35の開口像と
、ウェハW上の加工部とが同時観察される。即ち、可変
アパーチャ35の開口内にウェハマークWMが位置する
ようにステージ40を位置決めした後、ビームスプリッ
タ−36を退避させて、エキシマレーザ光源31からエ
キシマレーザ光(パルス光)を発振させる。 [0052] この際、フィルター31aを挿入してエ
キシマレーザ光のエネルギー密度を低くしておいた場合
は、汚染防止膜が除去された段階で、フィルター31a
を退避させてビームのエネルギー密度を上げ、ウェハマ
ークが露出するまでレジスト層の除去を行なう。 [0053]また、可変アパーチャー35の開口を除去
領域より小さく設定しておいた場合には、汚染防止膜が
除去された段階で、除去領域に見合う大きさに開口を拡
大して、ウェハマークWMが露出するまでエキシマレー
ザ光の照射を続ける。 [0054]もちろん、フィルター31aによるエネル
ギー密度の調整と可変アパーチャー35による照射範囲
の調整を組み合わせて行なっても良い。この場合も、汚
染防止膜が除去された後は照射範囲を除去領域に見合う
大きさとし、エネルギー密度はレジストの実効的な除去
速度が得られる大きさとする。 [0055]上記構成において、ビームスプリッタ−3
3はダイクロイックミラーのような波長選択性のものに
し、照明系41からの照明光の波長は可視域にすること
が望ましい。 [0056]また、図示されていないが、除去領域の光
学的又は物理的な特性変化を検出する検出素子を除去領
域付近に設け、この検出素子からの出力信号によって汚
染防止膜の有無を判断してフィルター31a及び可変ア
パーチャー35を動作させるとともに、レジスト除去の
終点を判断してエキシマレーザ光の照射を停止するよう
にすれば、過剰なレーザ光の照射によつウェハのアライ
メントマークが損傷することがない。 [0057]また、図1及び図2で説明したような工程
でレジストの部分除去を効率良く行なうには、レジスト
の塗布部と現像部を一体にもついわゆるコータデベロッ
パーに図6に説明したレジスト除去装置を組み込んだシ
ステムをつくり、コータデベロッパーの塗布部でレジス
トと汚染防止膜を塗布した後、ウェハをレジスト除去装
置へ搬送して所定部分のレジストを除去し、続いてコー
タデベロッパーの現像部で汚染防止膜を溶解除去した後
、ウェハを現像部から露光装置に搬送するようにすると
良い。 [0058]なお、上記の説明においては、汚染防止膜
として水溶性高分子膜を用いた場合について説明したが
、使用するレジスト層に悪影響がなければ、汚染防止膜
としてARCやネガ型レジスト等を用いても良いことは
言うまでもない。また、最終工程で汚染防止膜を取り除
く方法は、溶解除去に限るものではなく、物理的方法に
よっても良い。また、上記においてはウェハのアライメ
ントマーク上のレジストを除去する場合を例にとって説
明したが、本発明は光エッチング等にも適用できるもの
である。 [0059]
【発明の効果】以上のように本発明においては、汚染防
止膜を被着した薄膜にエネルギービームを照射すること
によって薄膜の所望の領域を部分的に除去するに際して
、汚染防止膜のエネルギービームに対する吸収特性に応
じて、エネルギービームのエネルギー密度又は照射範囲
を調整するようにしているので、薄膜の所望の除去領域
を超えて汚染防止膜が剥離することがない。従って、除
去領域の周囲も含めて、薄膜表面の飛散物質による汚染
を完全に防止することができる。 [00601かかる薄膜除去方法を半導体素子の製造に
適用すれば、レジスト表面の汚染によってリソグラフィ
工程に支障をきたすことなく、レジストの所望の部分だ
けを除去することが可能であり、例えばウェハのアライ
メントマーク上のレジストを除去することにより、アラ
イメント精度の向上を図ることができる。
止膜を被着した薄膜にエネルギービームを照射すること
によって薄膜の所望の領域を部分的に除去するに際して
、汚染防止膜のエネルギービームに対する吸収特性に応
じて、エネルギービームのエネルギー密度又は照射範囲
を調整するようにしているので、薄膜の所望の除去領域
を超えて汚染防止膜が剥離することがない。従って、除
去領域の周囲も含めて、薄膜表面の飛散物質による汚染
を完全に防止することができる。 [00601かかる薄膜除去方法を半導体素子の製造に
適用すれば、レジスト表面の汚染によってリソグラフィ
工程に支障をきたすことなく、レジストの所望の部分だ
けを除去することが可能であり、例えばウェハのアライ
メントマーク上のレジストを除去することにより、アラ
イメント精度の向上を図ることができる。
【図11(a)〜(d)は本発明第1実施例によるレジ
スト除去工程を示す概念図である。 【図21(a)〜(d)は本発明第2実施例によるレジ
スト除去工程を示す概念図である。 【図3] PVA及びPVPの透過スペクトル特性を示
すグラフである。 【図4】本発明におけるエネルギー密度の調整について
説明するための概念図である。
スト除去工程を示す概念図である。 【図21(a)〜(d)は本発明第2実施例によるレジ
スト除去工程を示す概念図である。 【図3] PVA及びPVPの透過スペクトル特性を示
すグラフである。 【図4】本発明におけるエネルギー密度の調整について
説明するための概念図である。
【図5】ビームのエネルギー密度とレジストの除去深さ
の関係を示したグラフである。
の関係を示したグラフである。
【図6】本発明に用いられるレジスト除去装置の一例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図71(a)〜(d)は従来のレジスト除去工程を示
す概念図である。 【符号の説明】 1 汚染防止膜 2 レジスト層 3.6a、6 レーザビーム 4 支持基板 22 飛散物質 31 エキシマレーザ光源 31a フィルター 35 可変アパーチャー 37 加工用対物レンズ
す概念図である。 【符号の説明】 1 汚染防止膜 2 レジスト層 3.6a、6 レーザビーム 4 支持基板 22 飛散物質 31 エキシマレーザ光源 31a フィルター 35 可変アパーチャー 37 加工用対物レンズ
【図1】
【図7】
Claims (4)
- 【請求項1】支持基板上に被着された薄膜にエネルギー
ビームを選択的に照射することにより、前記薄膜の所望
の部分を除去する薄膜除去方法において、前記薄膜の表
面に汚染防止膜を被着し、該汚染防止膜の前記エネルギ
ービームに対する吸収特性に応じて、前記エネルギービ
ームのエネルギー密度もしくは前記エネルギービームの
照射範囲を調整して、前記汚染防止膜の上からエネルギ
ービームを照射し、該エネルギービームの照射によって
前記所望の部分の汚染防止膜と薄膜を除去した後に、除
去しなかった薄膜上の汚染防止膜を取り除くことを特徴
とする薄膜除去方法。 - 【請求項2】前記汚染防止膜として、前記エネルギービ
ームに対する吸収性をもつ水溶性高分子膜を用いること
を特徴とする請求項1記載の薄膜除去方法。 - 【請求項3】前記汚染防止膜の上から前記エネルギービ
ームを照射するに際して、必要最小限のエネルギー密度
のエネルギービームで前記汚染防止膜を除去し、しかる
後、前記エネルギービームのエネルギー密度を上げて前
記薄膜を除去することを特徴とする請求項1記載の薄膜
除去方法。 - 【請求項4】前記汚染防止膜の上から前記エネルギービ
ームを照射するに際して、前記エネルギービームの照射
範囲を前記所望の領域より小さく設定して前記汚染防止
膜を除去し、しかる後、前記エネルギービームの照射範
囲を前記所望の領域に見合う大きさとして前記薄膜を除
去することを特徴とする請求項1記載の薄膜除去方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2404633A JPH04209517A (ja) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | 薄膜除去方法 |
US08/459,806 US5656229A (en) | 1990-02-20 | 1995-06-02 | Method for removing a thin film layer |
US08/563,349 US5597590A (en) | 1990-02-20 | 1995-11-28 | Apparatus for removing a thin film layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2404633A JPH04209517A (ja) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | 薄膜除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04209517A true JPH04209517A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18514295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2404633A Pending JPH04209517A (ja) | 1990-02-20 | 1990-12-05 | 薄膜除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04209517A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009110046A1 (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-11 | 富士フイルム株式会社 | フォトレジスト層を有するワークの加工方法 |
-
1990
- 1990-12-05 JP JP2404633A patent/JPH04209517A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009110046A1 (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-11 | 富士フイルム株式会社 | フォトレジスト層を有するワークの加工方法 |
JP2009210945A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | フォトレジスト層を有するワークの加工方法 |
US8309296B2 (en) | 2008-03-05 | 2012-11-13 | Fujifilm Corporation | Method for processing workpiece with photoresist layer |
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