JPH04205815A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPH04205815A JPH04205815A JP32968490A JP32968490A JPH04205815A JP H04205815 A JPH04205815 A JP H04205815A JP 32968490 A JP32968490 A JP 32968490A JP 32968490 A JP32968490 A JP 32968490A JP H04205815 A JPH04205815 A JP H04205815A
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- Lubricants (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気的記憶装置、例えば磁気ディスク装置、磁
気ドラム装置等に用いられる磁気記憶体に関する。
気ドラム装置等に用いられる磁気記憶体に関する。
［従来の技術］
一般に記録再生磁気ヘッド（以下、ヘッドと称する。）
と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録・再
生方法には次のような方法がある。
と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録・再
生方法には次のような方法がある。
すなわち、操作開始時にヘットと磁気記憶体面とを接触
状態でセットした後、磁気配憶体に所要の回転を与える
ことによりヘットと磁気記憶体面の間に空気腑分の空間
を作り、この状態で記録・再生をする方法である（コン
タクト・スタート・ストップ方式、以下Ｃ８Ｓと称する
。）。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転か
止まり、この時、ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と
同様に接触摩擦状態になる。
状態でセットした後、磁気配憶体に所要の回転を与える
ことによりヘットと磁気記憶体面の間に空気腑分の空間
を作り、この状態で記録・再生をする方法である（コン
タクト・スタート・ストップ方式、以下Ｃ８Ｓと称する
。）。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転か
止まり、この時、ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と
同様に接触摩擦状態になる。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗ざぜ
、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめるこ
とがある。また前記接触摩擦状態において、ヘッドのわ
ずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせ
、金属、プラスチックまたはセラミックスを被覆したア
ルミ合金、チタン合金、ステンレスなどの積層合金基板
、あるいは金属またはセラミックスか被覆されたプラス
チック基板、あるいは金属またはプラスチックが被覆さ
れたセラミックス基板であるヘッドおよび磁気記憶体表
面に傷を作ることもある。さらにヘットと磁気記憶体の
長時間の接触により、両者は互いに吸着し、離れにくく
なる。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗ざぜ
、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめるこ
とがある。また前記接触摩擦状態において、ヘッドのわ
ずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせ
、金属、プラスチックまたはセラミックスを被覆したア
ルミ合金、チタン合金、ステンレスなどの積層合金基板
、あるいは金属またはセラミックスか被覆されたプラス
チック基板、あるいは金属またはプラスチックが被覆さ
れたセラミックス基板であるヘッドおよび磁気記憶体表
面に傷を作ることもある。さらにヘットと磁気記憶体の
長時間の接触により、両者は互いに吸着し、離れにくく
なる。
このヘッドとの接触および摺動による磁気記憶体の破壊
および吸着を防止するために、従来は特開昭５２−４９
８０５号公報に見られるように、磁気記憶体表面にパー
フロロポリエーテルなどの潤滑剤を被覆していた。また
特開昭６４〜９９６１号公報、特開昭６３−７７９９６
号公報または特開昭６２−４５５６２号公報に見られる
ように、アルキルパーフロロアルカンアミドまたはパー
フロロアルキルカルボン酸アミン塩またはパー７０ロカ
ルボン酸エステルを用いた潤滑剤が開示されている。
および吸着を防止するために、従来は特開昭５２−４９
８０５号公報に見られるように、磁気記憶体表面にパー
フロロポリエーテルなどの潤滑剤を被覆していた。また
特開昭６４〜９９６１号公報、特開昭６３−７７９９６
号公報または特開昭６２−４５５６２号公報に見られる
ように、アルキルパーフロロアルカンアミドまたはパー
フロロアルキルカルボン酸アミン塩またはパー７０ロカ
ルボン酸エステルを用いた潤滑剤が開示されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながらパーフロロポリエーテルのような潤滑剤は
耐荷重性が悪く、ヘッドとの摺動または多数回のＣ８Ｓ
の繰り返しにおいて、磁気記憶体の傷の発生を防ぐこと
ができなかった。また除去された潤滑剤が磁気記憶体と
ヘッドの接触摺動面に厚く局在して吸着し、離れなくな
るという欠点もあった。またアルキルパーフロロアルカ
ンアミドまたはパーフロロカルボン酸エステルを用いた
潤滑剤は、分子の配向性が悪く、潤滑剤分子か磁気記憶
体表面に保持されるために必要な吸着能が十分ではなく
、またヘッドとの摺動により除去されてしまう等の欠点
があった。
耐荷重性が悪く、ヘッドとの摺動または多数回のＣ８Ｓ
の繰り返しにおいて、磁気記憶体の傷の発生を防ぐこと
ができなかった。また除去された潤滑剤が磁気記憶体と
ヘッドの接触摺動面に厚く局在して吸着し、離れなくな
るという欠点もあった。またアルキルパーフロロアルカ
ンアミドまたはパーフロロカルボン酸エステルを用いた
潤滑剤は、分子の配向性が悪く、潤滑剤分子か磁気記憶
体表面に保持されるために必要な吸着能が十分ではなく
、またヘッドとの摺動により除去されてしまう等の欠点
があった。
本発明の目的は、以上述べたような従来の課題を解決し
た磁気記憶体を提供することにある。
た磁気記憶体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、下地体の上に磁性媒体が被覆され、該磁性媒
体上に直接、または保護膜を介して、−般式： ％式％）） ［］ （式中、Ｘは０，１．２または３の整数、ｍは１以上の
整数、ｐは］≦ｐ≦２ｍの整数、ｙは３以上の整数、Ｇ
は官能基でおる。） て表される化合物からなる潤滑剤が被覆されてなる構造
を有することを特徴とする磁気記憶体、および下地体の
上に磁性媒体が被覆され、さらに該磁性媒体上に直接ま
たは保護膜を介して、一般式：％式％ ］ （式中、ｘ，ｓはＯ．’ｌ，２または３の整数、ｍ，ｎ
は１以上の整数、ρ，ｑは９≦ｐ≦２ｍ。
体上に直接、または保護膜を介して、−般式： ％式％）） ［］ （式中、Ｘは０，１．２または３の整数、ｍは１以上の
整数、ｐは］≦ｐ≦２ｍの整数、ｙは３以上の整数、Ｇ
は官能基でおる。） て表される化合物からなる潤滑剤が被覆されてなる構造
を有することを特徴とする磁気記憶体、および下地体の
上に磁性媒体が被覆され、さらに該磁性媒体上に直接ま
たは保護膜を介して、一般式：％式％ ］ （式中、ｘ，ｓはＯ．’ｌ，２または３の整数、ｍ，ｎ
は１以上の整数、ρ，ｑは９≦ｐ≦２ｍ。
１≦ｑ≦２ｎの整数、Ｇは官能基である。）で表される
化合物からなる潤滑剤が被覆されてなる構造を有するこ
とを特徴とする磁気記憶体である。
化合物からなる潤滑剤が被覆されてなる構造を有するこ
とを特徴とする磁気記憶体である。
本発明の磁気記憶体の基本的構成は、第１図に示すよう
に、下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さらに該媒
体上に上記一般式［Ｉ］または［■］で示される化合物
からなる潤滑剤４が被覆された構造を有するか、あるい
は第２図に示すように、磁性媒体２と上記潤滑剤４との
間に保護膜３か被覆された構造を有するものである。
に、下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さらに該媒
体上に上記一般式［Ｉ］または［■］で示される化合物
からなる潤滑剤４が被覆された構造を有するか、あるい
は第２図に示すように、磁性媒体２と上記潤滑剤４との
間に保護膜３か被覆された構造を有するものである。
本発明において、Ｈ（３−ｘ） Ｆｘ Ｃ−Ｃｍ Ｆ（
２ｍ−１）Ｈｌ−および −Ｃｎ Ｆ（２ｎ−ｃ＋）Ｈ
ｑ −ＣＦｓＨ（３−ｓ ）は、水素を含む弗素化炭化
水素である。
２ｍ−１）Ｈｌ−および −Ｃｎ Ｆ（２ｎ−ｃ＋）Ｈ
ｑ −ＣＦｓＨ（３−ｓ ）は、水素を含む弗素化炭化
水素である。
Ｇは一０ＣＯＮＨ、ＣＯＯ−Ｎ’ Ｎ３ 、−ＣＯＮＨ
ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−、−０ＣＯ−。
ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−、−０ＣＯ−。
Ｃｏ 、 Ｏ、ＮＨ、Ｓｉ （ＯＨ＞２−、−３ｉ
ＣＨ３（ＯＨ）−などの官能基である。
ＣＨ３（ＯＨ）−などの官能基である。
これらの官能基は、磁気記録体表面への保持能力が大き
い。
い。
下地体としては、アルミ合金、チタン合金またはステン
レス合金などの金属、またはポリエステル、ポリイミド
、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフオン、ポリサ
ルフオン、芳香族ポリエーテル、エポキシ樹脂、尿素樹
脂、メラミン樹脂。
レス合金などの金属、またはポリエステル、ポリイミド
、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフオン、ポリサ
ルフオン、芳香族ポリエーテル、エポキシ樹脂、尿素樹
脂、メラミン樹脂。
ポリカーボネート、ジアリルフタレート樹脂、アクリル
樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイド、
ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール樹脂、ポリブ
チレンテレフタレート、ビスマレイミドトリアジン樹脂
、ポリオキシベンシレン樹脂、ポリアミ７ノビスマレイ
ミト樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレン
サルファイドなとのプラスチック、カラス、シリコン、
ゲルマニウム、アルミナ、シリカ、ダイアモンドなとの
セラミックス、または陽極酸化アルマイト被覆アルミ合
金、Ｎ１−Ｐメツキ膜、 Ｃｒ、 Ｆｅ＼１゜ステンレ
ス、ＭＯまたはＷなどの金属か用いられる。
樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイド、
ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール樹脂、ポリブ
チレンテレフタレート、ビスマレイミドトリアジン樹脂
、ポリオキシベンシレン樹脂、ポリアミ７ノビスマレイ
ミト樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレン
サルファイドなとのプラスチック、カラス、シリコン、
ゲルマニウム、アルミナ、シリカ、ダイアモンドなとの
セラミックス、または陽極酸化アルマイト被覆アルミ合
金、Ｎ１−Ｐメツキ膜、 Ｃｒ、 Ｆｅ＼１゜ステンレ
ス、ＭＯまたはＷなどの金属か用いられる。
次にこの下地体１の上に被覆される磁性媒体２としては
、Ｆｅ３Ｏ４、Ｔ−Ｆｅ２０３ 、バリウムフェライト
、ＣｒＯ２などの酸化物、Ｆｅ３Ｎ４などの窒化物、Ｆ
ｅ５Ｃ２などの炭化物、Ｃｏ、ＣｏＮ ｉ、ＣｏＮ ｉ
Ｐ、ＣｏＭｎＰ、Ｃ。
、Ｆｅ３Ｏ４、Ｔ−Ｆｅ２０３ 、バリウムフェライト
、ＣｒＯ２などの酸化物、Ｆｅ３Ｎ４などの窒化物、Ｆ
ｅ５Ｃ２などの炭化物、Ｃｏ、ＣｏＮ ｉ、ＣｏＮ ｉ
Ｐ、ＣｏＭｎＰ、Ｃ。
ＭｎＮ ｉ Ｐ、Ｃ０Ｒｅ、ｃｏｐｔ、ＣＯＮ ｉ Ｐ
ｔ。
ｔ。
Ｃ０Ｃｒ、Ｃ０ＣｒＴａ、ＣＯＮ ｉ Ｒｅ、Ｃ０Ｍ
ｎ Ｒｅ ｐ 、 ＣＯＦ ｅ Ｃｒ 、 ＣＯＶ 、
ＣＯＲｕ 。
ｎ Ｒｅ ｐ 、 ＣＯＦ ｅ Ｃｒ 、 ＣＯＶ 、
ＣＯＲｕ 。
ＣＯＯ８，Ｃ０ＰｔＣｒ、Ｃ０ＰｔＶ、Ｃ０Ｒｈ。
Ｃ０ＣｒＲｈ、ＣＯＮ ｉＭｏ、ＣＯＮ ｉ Ｃｒ。
ＣＯＮ ＊ｗ、ｃｏｓｍなとのコバルトを含む金属、Ｆ
ｅＮｄ、ＦｅＭＣ］、ＦｅＮｄ、ＦｅＡｇ、ＦｅＰｄ、
ＦｅＴｂなどの鉄を含む金属、またはＭｎＡβ、ＭｎＣ
ｕＡβなどのマンガンを含む金属が角いられる。あるい
は上記の種々の磁性体の微粒子を混入、分散させた樹脂
でもよい。
ｅＮｄ、ＦｅＭＣ］、ＦｅＮｄ、ＦｅＡｇ、ＦｅＰｄ、
ＦｅＴｂなどの鉄を含む金属、またはＭｎＡβ、ＭｎＣ
ｕＡβなどのマンガンを含む金属が角いられる。あるい
は上記の種々の磁性体の微粒子を混入、分散させた樹脂
でもよい。
第２図における保護膜３としては、ＳｉＯ２゜３！３Ｎ
４．ＳＩＣ，珪酸重合物などの珪素化合物、Ａｌ１０３
、ｃｏｏ、ＣＯ３０４、ＣＯ２Ｏ３、（Ｘ−Ｆｅ２０
３ 、Ｃｒ２０３ 、ＣｒＯ３。
４．ＳＩＣ，珪酸重合物などの珪素化合物、Ａｌ１０３
、ｃｏｏ、ＣＯ３０４、ＣＯ２Ｏ３、（Ｘ−Ｆｅ２０
３ 、Ｃｒ２０３ 、ＣｒＯ３。
ＴｉＯ２，ＺｒＯ２、ｚｎｏ、ｐｂｏ、Ｎ ｉＯ。
ＭＯＯ２，５ｎ０２などの金属酸化物、ＴｉＮ。
ＺｒＮ、ＣｒＮ、ＴａＮ、ＢＮなどの金属窒化物、ＭＯ
８２、ＷＳ２ 、ＴａＳ２などの金属硫化物、Ｔ；ｃ、
ｚｒｃ、ｃｒｃ、 Ｔａｃなどの金属炭化物、ぶつ化黒
鉛などの金属ぶつ化物、ｗ、ｃｒ。
８２、ＷＳ２ 、ＴａＳ２などの金属硫化物、Ｔ；ｃ、
ｚｒｃ、ｃｒｃ、 Ｔａｃなどの金属炭化物、ぶつ化黒
鉛などの金属ぶつ化物、ｗ、ｃｒ。
Ｉｒ、ＮｉＢ、ＮｉＰ、ＦｅＣｒ、ＮｉＣｒ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｚｎ、Ｔｊ！、Ａｕ、Ａｃｔ、Ｃｕ、Ｇａ。
ｂ、Ｚｎ、Ｔｊ！、Ａｕ、Ａｃｔ、Ｃｕ、Ｇａ。
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｔａまたはそれらの合
金などの金属または合金、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ。
金などの金属または合金、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ。
Ｃ（非晶質、ダイアモンド状あるいはその混合物、また
はグラファイト状あるいはその混合物）などの半導体、
ポリテトラフルオロエチレン、フェノール樹脂、ポリイ
ミドなどのプラスチックなどが用いられる。
はグラファイト状あるいはその混合物）などの半導体、
ポリテトラフルオロエチレン、フェノール樹脂、ポリイ
ミドなどのプラスチックなどが用いられる。
［作用］
上記一般式［工］て表される化合物からなる潤滑剤４は
、第３図に示すように、その分子中に含まれる官能基３
７が磁気記憶体表面３５（ｆｉｉ性媒体または保護膜表
面）に吸着して摺動により除去され難く、また耐荷重機
能が高い。さらに水素を含む弗素化炭化水素３９と炭化
水素３８か膜厚方向に配向して、低い摩擦係数と高い耐
荷重能か得られる。
、第３図に示すように、その分子中に含まれる官能基３
７が磁気記憶体表面３５（ｆｉｉ性媒体または保護膜表
面）に吸着して摺動により除去され難く、また耐荷重機
能が高い。さらに水素を含む弗素化炭化水素３９と炭化
水素３８か膜厚方向に配向して、低い摩擦係数と高い耐
荷重能か得られる。
ここで、弗素化炭化水素と炭化水素の組み合わせでは親
和性か低いため、凝集力が弱く配向性能が悪い。弗素化
炭化水素の一部に水素を含ませることにより、炭化水素
との親和性が増して強い凝集力３０が働くことにより配
向性が改善され、結果的に優れた耐摩耗性を有する。ま
た耐熱性も高く、さらに表面張力が低くヘッドと磁気記
憶体との吸着を起こしにくいなどの特性を有している。
和性か低いため、凝集力が弱く配向性能が悪い。弗素化
炭化水素の一部に水素を含ませることにより、炭化水素
との親和性が増して強い凝集力３０が働くことにより配
向性が改善され、結果的に優れた耐摩耗性を有する。ま
た耐熱性も高く、さらに表面張力が低くヘッドと磁気記
憶体との吸着を起こしにくいなどの特性を有している。
また、上記一般式ＥＩＮで表される化合物からなる潤滑
剤は、第４図に示すように、その分子中に含まれる官能
基４７か磁気記憶体表面４５（磁性媒体または保護膜表
面）に吸着して摺動により除去され難く、また耐荷重機
能が高い。さらに水素を含む弗素化炭化水素４８が膜厚
方向に配向して、低い摩擦係数と高い耐荷重能が得られ
る。ここで、弗素化炭化水素と炭化水素の組み合わせで
は親和性が低いため、凝集力が弱く配向性能が悪い。弗
素化炭化水素の一部に水素か含まれる基同士を組み合わ
せることにより弗素おるいは水素同士の親和性か高いた
めに強い凝集力４９が働くことにより配向性か改善され
、結果的に優れた耐摩耗性を有する。また耐熱性も高く
、さらに表面張力か低くヘッドと磁気記憶体との吸着を
起こしにくいなどの特性を有している。
剤は、第４図に示すように、その分子中に含まれる官能
基４７か磁気記憶体表面４５（磁性媒体または保護膜表
面）に吸着して摺動により除去され難く、また耐荷重機
能が高い。さらに水素を含む弗素化炭化水素４８が膜厚
方向に配向して、低い摩擦係数と高い耐荷重能が得られ
る。ここで、弗素化炭化水素と炭化水素の組み合わせで
は親和性が低いため、凝集力が弱く配向性能が悪い。弗
素化炭化水素の一部に水素か含まれる基同士を組み合わ
せることにより弗素おるいは水素同士の親和性か高いた
めに強い凝集力４９が働くことにより配向性か改善され
、結果的に優れた耐摩耗性を有する。また耐熱性も高く
、さらに表面張力か低くヘッドと磁気記憶体との吸着を
起こしにくいなどの特性を有している。
［実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
アルミ合金基板の上にニッケルー燐めつき膜か被覆され
、表面粗さ０．０２卯に鏡面仕上げされた下地体の上に
、磁性媒体としてコバルト−ニッケルー燐合金を０．０
５卯の厚さにめっきした。次にこの磁性媒体の上に保護
膜として特開昭５２−２０８０．１１号公報に示すよう
なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法により５０ ｎ
ｍの厚さに被覆し、２５０°Ｃて焼成した。次にこの保
護膜の上に潤滑剤として下記の構造（１）を有する化合
物のクロルセン溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被
覆し、磁気ディスクを作った。
、表面粗さ０．０２卯に鏡面仕上げされた下地体の上に
、磁性媒体としてコバルト−ニッケルー燐合金を０．０
５卯の厚さにめっきした。次にこの磁性媒体の上に保護
膜として特開昭５２−２０８０．１１号公報に示すよう
なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法により５０ ｎ
ｍの厚さに被覆し、２５０°Ｃて焼成した。次にこの保
護膜の上に潤滑剤として下記の構造（１）を有する化合
物のクロルセン溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被
覆し、磁気ディスクを作った。
ＨＣＦ２ （ＣＨＦ）９ＣＯＯ−Ｎ” ｔ−＋３ Ｃ１
７Ｈ３５・・・（１） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１の変化はな
く、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は全
く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７０
時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放
置しないときに比べ、１．０倍と全く変化しなかった。
７Ｈ３５・・・（１） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１の変化はな
く、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は全
く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７０
時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放
置しないときに比べ、１．０倍と全く変化しなかった。
また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例２
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に実施例１と
同様の潤滑剤を同じ方法で被覆して、磁気ディスクを作
った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に実施例１と
同様の潤滑剤を同じ方法で被覆して、磁気ディスクを作
った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
実施例３
実施例１と同様にして、但し磁性媒体の上に保護膜とし
て無電解めっき法によりニッケルー燐を１０ ｎｍ被覆
し、３００ ’Ｃで焼成、酸化してＮｉＯからなる保護
膜を形成し、その上に実施例１と同様の潤滑剤を同様な
方法で被覆して、磁気ディスクを作った。
て無電解めっき法によりニッケルー燐を１０ ｎｍ被覆
し、３００ ’Ｃで焼成、酸化してＮｉＯからなる保護
膜を形成し、その上に実施例１と同様の潤滑剤を同様な
方法で被覆して、磁気ディスクを作った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０、０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０、０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
実施例４
実施例１と同様にして、但し磁性媒体の上に保護膜とし
て化学気相法によりダイヤモンド状カーホンを２０ ｎ
ｍ被覆した後、実施例１と同様の潤滑剤を同様な方法で
被覆して、磁気ディスクを作った。
て化学気相法によりダイヤモンド状カーホンを２０ ｎ
ｍ被覆した後、実施例１と同様の潤滑剤を同様な方法で
被覆して、磁気ディスクを作った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、吸着力の増加は全くなかった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、吸着力の増加は全くなかった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
実施例５
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により形成した
γ−Ｆｅ２０３薄膜からなる磁性媒体の上に実施例１と
同様の潤滑剤を同様の方法で被覆して、磁気ディスクを
作った。
γ−Ｆｅ２０３薄膜からなる磁性媒体の上に実施例１と
同様の潤滑剤を同様の方法で被覆して、磁気ディスクを
作った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１ の変化
はなく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認、められなかった。またヘッドと磁気ディスク
を７０時間放置してその間に動く吸着力を測定したとこ
ろ、放置しないときに比へ、１，３倍の増加にとどまっ
た。また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境
で２０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく
、１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は
全く認められなかった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１ の変化
はなく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認、められなかった。またヘッドと磁気ディスク
を７０時間放置してその間に動く吸着力を測定したとこ
ろ、放置しないときに比へ、１，３倍の増加にとどまっ
た。また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境
で２０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく
、１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は
全く認められなかった。
実施例６
実施例１と同様にして、但し下地体としてＣｒをＮｉＰ
めつき層の上にスパッタ法により１１ＪＩｎの厚さに被
覆し、その上に磁性媒体としてＣｏＮｉ合金をスパッタ
法により０，０５ＩＪＩｎの厚さに被覆し、その上に保
護膜としてスパッタ法によりＳ ｉ ０２を２０ ｎｍ
被覆した後、実施例１と同様の潤滑剤を同様の方法で被
覆して、磁気ディスクを作った。
めつき層の上にスパッタ法により１１ＪＩｎの厚さに被
覆し、その上に磁性媒体としてＣｏＮｉ合金をスパッタ
法により０，０５ＩＪＩｎの厚さに被覆し、その上に保
護膜としてスパッタ法によりＳ ｉ ０２を２０ ｎｍ
被覆した後、実施例１と同様の潤滑剤を同様の方法で被
覆して、磁気ディスクを作った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１ の変化
はなく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった
。また磁気ディネクを温度４０℃、湿度８０％の環境で
２０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、
１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全
く認められなかった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１ の変化
はなく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった
。また磁気ディネクを温度４０℃、湿度８０％の環境で
２０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、
１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全
く認められなかった。
実施例７
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（２）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（２）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
Ｈ２Ｏ［ＣＦ２ＣＨ２］５−
ＣＯＯＮＨ３Ｃ２２Ｈ４５
・・・（２）
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
実施例８
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（３）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２１ｍの厚さに被覆し、磁気ディスクを
作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（３）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２１ｍの厚さに被覆し、磁気ディスクを
作った。
Ｈ２Ｏ［ＣＦ２ＣＨＦ］４０ＣＯＮＨＣ２２Ｈ４５・・
・（３） この磁気ディスクを１０万回のＣ８ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
・（３） この磁気ディスクを１０万回のＣ８ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
実施例９
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（４）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（４）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
Ｈ２ＣＦ （ＣＨＦ）９ＣＯＮＨＣＯＮＨＣ２２Ｈ４５
・・・（４） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
・・・（４） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
実施例１０
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（５）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（５）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
Ｈ２ＣＦ （ＣＨＦ ） ｇ Ｃ２Ｈ４Ｃ００Ｃ１８Ｈ
３７・・・（５） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
３７・・・（５） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例１１
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（６）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（６）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
ＨＣＦ２（ＣＨＦ）９０ＣＯＣ１８Ｈ３□・・・（６）
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例１２
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（７）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２０…の厚さに被覆し、磁気ディスクを
作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（７）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２０…の厚さに被覆し、磁気ディスクを
作った。
ＨＣＦ２（ＣＦ２ＣＨ２）３ＣＯＣ１８Ｈ３□・・・（
７） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
７） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例１３
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（８）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（８）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
ＨＣＦ２ （ＣＦ２ＣＨＦ）９０Ｃ１８Ｈ３□・・・（
８） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
８） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０°Ｃ２湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例１４
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（９）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（９）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。
ＨＣＦ２ （ＣＨＦ）９ＮＨＣ１８Ｈ３７・・・（９）
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０°Ｃ２湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例１５
実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（１０）を有する化合物のクロルセン溶
液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（１０）を有する化合物のクロルセン溶
液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。
ＨＣＦ２ （ＣＨＦ）９−
Ｃ２Ｈ４Ｓ ！ （ＯＨ） ２ ＣｌＢＨ３□・・・（
１０） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０、０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
１０） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０、０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０°Ｃ１湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例１６
実施例］と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（１１）を有する化合物のクロルセン溶
液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（１１）を有する化合物のクロルセン溶
液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。
ＨＣＦ２ （ＣＨＦ）９−
Ｃ２Ｈ４Ｓ ｉ ＣＨ３（ＯＨ） Ｃｌ８Ｈ３□・・・
（１１） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１，２倍の増加にとどまった。
（１１） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１，２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０°Ｃ１湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例１７
アルミ合金基板の上にニッケルー燐めつき膜か被覆され
、表面粗さ０．０２７ｍに鏡面仕上げされた下地体の上
に、磁性媒体としてコバルト−ニッケルー燐合金を０，
０５ｉｉＩｒ１の厚さにめっきした。次にこの磁性媒体
の上に保護膜として特開昭５２−２０８０４ ＠公報に
示すようなポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法により
５０ ｎｍの厚さに被覆し、２５０℃で焼成した。次に
この保護膜の上に潤滑剤として下記の構造（１２）を有
する化合物のクロルセン溶液を回転塗布して２ ｎｍの
厚さに被覆し、磁気ディスクを作った。
、表面粗さ０．０２７ｍに鏡面仕上げされた下地体の上
に、磁性媒体としてコバルト−ニッケルー燐合金を０，
０５ｉｉＩｒ１の厚さにめっきした。次にこの磁性媒体
の上に保護膜として特開昭５２−２０８０４ ＠公報に
示すようなポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法により
５０ ｎｍの厚さに被覆し、２５０℃で焼成した。次に
この保護膜の上に潤滑剤として下記の構造（１２）を有
する化合物のクロルセン溶液を回転塗布して２ ｎｍの
厚さに被覆し、磁気ディスクを作った。
Ｆ３ＣＣ１７Ｈ３４ＣＯＱ−Ｎ″′Ｈ３−Ｃ１７Ｈ３４
０Ｆ３ ・・・（１２） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１の変化はな
く、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は全
く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７０
時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放
置しないときに比へ、１．０倍と全く変化しなかった。
０Ｆ３ ・・・（１２） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１の変化はな
く、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は全
く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７０
時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放
置しないときに比へ、１．０倍と全く変化しなかった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
実施例１８
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に実施例１
と同様の潤滑剤を同じ方法で被覆して、磁気ディスクを
作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に実施例１
と同様の潤滑剤を同じ方法で被覆して、磁気ディスクを
作った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１，２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１，２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
実施例１９
実施例１７と同様にして、但し磁性媒体の上に保護膜と
して無電解めっき法によりニッケルー燐を１０ ｎｍ被
覆し、３００ ’Ｃで焼成、酸化してＮｉＯからなる保
護膜を形成し、その上に実施例１と同様の潤滑剤を同様
な方法で被覆して、磁気ディスクを作った。
して無電解めっき法によりニッケルー燐を１０ ｎｍ被
覆し、３００ ’Ｃで焼成、酸化してＮｉＯからなる保
護膜を形成し、その上に実施例１と同様の潤滑剤を同様
な方法で被覆して、磁気ディスクを作った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１，２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１，２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
実施例２０
実施例１７と同様にして、但し磁性媒体の上に保護膜と
して化学気相法によりダイヤモンド状カーホンを２０
ｎｍ被覆した後、実施例１と同様の潤滑剤を同様な方法
で被覆して、磁気ディスクを作った。
して化学気相法によりダイヤモンド状カーホンを２０
ｎｍ被覆した後、実施例１と同様の潤滑剤を同様な方法
で被覆して、磁気ディスクを作った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、吸着力の増加は全くなかった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、吸着力の増加は全くなかった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、１
０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く
認められなかった。
実施例２１
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により形成し
たγ−Ｆｅ２０３薄膜からなる磁性媒体の上に実施例１
と同様の潤滑剤を同様の方法で被覆して、磁気ディスク
を作った。
たγ−Ｆｅ２０３薄膜からなる磁性媒体の上に実施例１
と同様の潤滑剤を同様の方法で被覆して、磁気ディスク
を作った。
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１ の変化
はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比べ、１．３倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０°Ｃ２湿度８０％の環境
で２゜日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく
、１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は
全く認められなかった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１ の変化
はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比べ、１．３倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０°Ｃ２湿度８０％の環境
で２゜日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく
、１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は
全く認められなかった。
実施例２２
実施例１７と同様にして、但し下地体としてＣｒをＮｉ
Ｐめっき層の上にスパッタ法により１卯の厚さに被覆し
、その上に磁性媒体としてＣｏＮｉ合金をスパッタ法に
より０．０５卯の厚さに被覆し、その上に保護膜として
スパッタ法により５ｉＱ２を２０ ｎｍ被覆した後、実
施例１と同様の潤滑剤を同様の方法で被覆して、磁気デ
ィスクを作った。
Ｐめっき層の上にスパッタ法により１卯の厚さに被覆し
、その上に磁性媒体としてＣｏＮｉ合金をスパッタ法に
より０．０５卯の厚さに被覆し、その上に保護膜として
スパッタ法により５ｉＱ２を２０ ｎｍ被覆した後、実
施例１と同様の潤滑剤を同様の方法で被覆して、磁気デ
ィスクを作った。
この磁気ディスクを１０万回のｃｓｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期のＨ擦係数０．１ の変化
はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比べ、１，２倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で
２゜日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、
１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全
く認められなかった。
性を評価したところ、初期のＨ擦係数０．１ の変化
はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比べ、１，２倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で
２゜日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、
１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全
く認められなかった。
実施例２３
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１３）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１３）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
８３Ｃ［ＣＦ２ ＣＨ２］９ＣＯＯ−Ｎ” Ｆ３−［Ｃ
Ｈ２ＣＦ２］９ｃＨ３ ・・・（１３） この磁気ディスクを’１０１０Ｃｃｓｓ試験により耐摩
耗性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化
はなく、さらにヘッドおよ６−！ｉ気ディスクの表面に
は傷は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディス
クを７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したと
ころ、放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどま
った。また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の
環境で２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、
１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全
く認められなかった。
Ｈ２ＣＦ２］９ｃＨ３ ・・・（１３） この磁気ディスクを’１０１０Ｃｃｓｓ試験により耐摩
耗性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化
はなく、さらにヘッドおよ６−！ｉ気ディスクの表面に
は傷は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディス
クを７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したと
ころ、放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどま
った。また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の
環境で２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、
１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全
く認められなかった。
実施例２４
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１４）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１４）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
Ｆ３ ＣｆｃＦ２ ＣＨＦコ。ＣＨ２−０ＣＯＮＨ［Ｃ
ＨＦＣＦ２ ］９ＣＦ３・・・（１４） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
ＨＦＣＦ２ ］９ＣＦ３・・・（１４） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例２５
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１５）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１５）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
１−１２ ｃＦ（ＣＨＦ）ｃ；ＣＨ２−ＣＯＮＨＣＯＮ
ＨＣＨ２（ＣＨＦ）９ＣＦＨ２・・・（１５） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
ＨＣＨ２（ＣＨＦ）９ＣＦＨ２・・・（１５） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例２６
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１６）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１６）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
ＨＣＦ２ （ＣＨＦ）９Ｃ２Ｈ４−
Ｃ００Ｃ２Ｈ４（ＣＨＦ）９ＣＨＦ２
・・・（１６）
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
実施例２７
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１７）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１７）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
Ｆ’３ ｃｃ８Ｆ１６Ｃ１７Ｈ３４〜
０ＣＯＣ１７Ｈ３４Ｃ８Ｆ１６ＣＦ３
・・・（１７）
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例２８
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１８）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１８）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
ＨＣＣＦ ＣＨＣ０Ｃ１ｏＦ２ｏＣ１□Ｈ３５・・・（
１８） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
１８） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
実施例２９
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１９）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布し・て２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気デ
ィスクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（１９）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布し・て２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気デ
ィスクを作った。
Ｆ３Ｃ（ＣＦ２ ＣＨＦ）９ ｃ２Ｈ４−○Ｃ２Ｈ４（
ＣＨＦＣＦ２）９ＣＦ３ ・・・（１９） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
ＣＨＦＣＦ２）９ＣＦ３ ・・・（１９） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した俊にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
０日間放置した俊にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
実施例３０
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（２０）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２０ｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（２０）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２０ｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。
ＨＣＦ、２ （ＣＨＦ）９ＮＨ（ＣＨＦ）９ＣＨＦ２
・・・（２０） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
・・・（２０） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０°Ｃ１湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。
実施例３１
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（２１）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（２１）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
ＨＣＦ２ （ＣＨＦ）９ Ｃ２Ｆ４−
３ ｉ （ＯＨ）２Ｃ２Ｈ４（ＣＨＦ）ｇ ＣＨＦ２・
・・（２１） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
・・（２１） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は仝く認めら
れなかった。
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は仝く認めら
れなかった。
実施例３２
実施例１７と同様にして、但しスパッタ法により被覆し
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（２２）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
た炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤と
して、下記の構造（２２）を有する化合物のクロルセン
溶液を回転塗布して２ ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディ
スクを作った。
ＨＣＦ２ （ＣＨＦ）９ Ｆｅ２ Ｈ４Ｓ ｉ ＣＨ
３（ＯＨ）Ｃ２Ｈ４（ＣＨＦ）９ＣＨＦ２・・・（２２
） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
３（ＯＨ）Ｃ２Ｈ４（ＣＨＦ）９ＣＨＦ２・・・（２２
） この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。
また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。
比較例１
実施例７と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造（
２３）を有するパーフロロポリエーテルを１ｎｍ被覆し
て、磁気ディスクを作った。
２３）を有するパーフロロポリエーテルを１ｎｍ被覆し
て、磁気ディスクを作った。
Ｆ（Ｃ２Ｆ４０）５（ＣＦ２０）１５ＣＦ３・・・（２
３） この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験により耐
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の７倍に増
加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に達
する傷が発生した。またヘッドと磁気ディスクを７０時
間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放置
しないときに比べ、１０倍の増加が見られた。
３） この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験により耐
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の７倍に増
加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に達
する傷が発生した。またヘッドと磁気ディスクを７０時
間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放置
しないときに比べ、１０倍の増加が見られた。
比較例２ 。
実施例７と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造（
２４）を有するアルキルパーフロロアルカンアミドを用
いた潤滑剤を１ 止被覆して、磁気ディスクを作った。
２４）を有するアルキルパーフロロアルカンアミドを用
いた潤滑剤を１ 止被覆して、磁気ディスクを作った。
Ｃｌ８Ｈ３７ＮＨＣＯＣ７Ｆ１５ ・・・（２４
）この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験により
耐摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の４倍に
増加し、ヘットおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に
達する傷が発生した。また磁気ディスクを温度４０°Ｃ
２湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係数は
試験前の５倍に増加し、５ｏｏｏ回のＣ８Ｓ試験で磁気
ディスクの表面に傷が認められた。
）この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験により
耐摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の４倍に
増加し、ヘットおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に
達する傷が発生した。また磁気ディスクを温度４０°Ｃ
２湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係数は
試験前の５倍に増加し、５ｏｏｏ回のＣ８Ｓ試験で磁気
ディスクの表面に傷が認められた。
比較例３
実施例７と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造（
２５）を有するパーフロロアルキルカルボン酸アミン塩
を用いた潤滑剤を１ ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作
った。
２５）を有するパーフロロアルキルカルボン酸アミン塩
を用いた潤滑剤を１ ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作
った。
この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験により耐
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の６倍に増
加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に達
する傷か発生した。また、磁気ディスクを温度４０’Ｃ
，湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係数は
試験前の５倍に増加し、５０００回のＣ８Ｓ試験で磁気
ディスクの表面に傷が認められた。
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の６倍に増
加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に達
する傷か発生した。また、磁気ディスクを温度４０’Ｃ
，湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係数は
試験前の５倍に増加し、５０００回のＣ８Ｓ試験で磁気
ディスクの表面に傷が認められた。
比較例４
実施例７と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造（
２６）を有するパーフロロカルボン酸エステルを用いた
潤滑剤を１ ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作った。
２６）を有するパーフロロカルボン酸エステルを用いた
潤滑剤を１ ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作った。
Ｃｌ８Ｈ３７００ＣＣ７Ｆ１５ ・・・（２
６）この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験によ
り耐摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の４倍
に増加し、ヘットおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体
に達する傷か発生した。また、磁気ディスクを温度４０
’Ｃ，湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係
数は試験前の５倍に増加し、５０００回のＣ８Ｓ試験で
磁気ディスクの表面に傷か認められた。
６）この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験によ
り耐摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の４倍
に増加し、ヘットおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体
に達する傷か発生した。また、磁気ディスクを温度４０
’Ｃ，湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係
数は試験前の５倍に増加し、５０００回のＣ８Ｓ試験で
磁気ディスクの表面に傷か認められた。
このように、本発明の水素を含む弗素化炭化水素同士を
官能基で結合した潤滑剤、あるいは水素を含む弗素化炭
化水素と炭化水素を官能基で結合した潤滑剤は、比較例
の水素を含まない弗素化炭化水素と炭化水素を官能基で
結合した潤滑剤に比べ、上記のごとく極めて異なる優れ
た特性が得られる。このことは、化学式の違いだけで考
えると驚くべきことであるが、実際の分子モデルを立体
的に考えると、両者の分子形態の違いは極めて大きく、
これが分子全体の配向性と下地体に対する吸着能に大き
く影響して上記特性の違いに反映しているものと考えら
れる。
官能基で結合した潤滑剤、あるいは水素を含む弗素化炭
化水素と炭化水素を官能基で結合した潤滑剤は、比較例
の水素を含まない弗素化炭化水素と炭化水素を官能基で
結合した潤滑剤に比べ、上記のごとく極めて異なる優れ
た特性が得られる。このことは、化学式の違いだけで考
えると驚くべきことであるが、実際の分子モデルを立体
的に考えると、両者の分子形態の違いは極めて大きく、
これが分子全体の配向性と下地体に対する吸着能に大き
く影響して上記特性の違いに反映しているものと考えら
れる。
［発明の効果］
以上、詳細に述べたように、本発明の磁気記憶体は、ヘ
ッドとの摺動に対する摩擦係数が小さく、かつ耐摩耗性
に優れ、磁気ヘッドとの長時間の静的接触によっても吸
着力か発生せず、高湿度の条件においても化学的に安定
で、従来の磁気記憶体よりはるかに信頼性を向上させる
ことができる。
ッドとの摺動に対する摩擦係数が小さく、かつ耐摩耗性
に優れ、磁気ヘッドとの長時間の静的接触によっても吸
着力か発生せず、高湿度の条件においても化学的に安定
で、従来の磁気記憶体よりはるかに信頼性を向上させる
ことができる。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の磁気記憶体の一
例の断面図、第３図および第４図は本発明の潤滑剤の磁
気記憶体表面での分子構造を説明するための説明図であ
る。 １・・・下地体 ２・・・磁性媒体 ３・・・保護膜 ４・・・潤滑剤 ３０、４９・・・凝集力 ３５．４５・・・磁気記憶体表面 ３６、４６・・・水素結合 ３７、４７・・・官能基
例の断面図、第３図および第４図は本発明の潤滑剤の磁
気記憶体表面での分子構造を説明するための説明図であ
る。 １・・・下地体 ２・・・磁性媒体 ３・・・保護膜 ４・・・潤滑剤 ３０、４９・・・凝集力 ３５．４５・・・磁気記憶体表面 ３６、４６・・・水素結合 ３７、４７・・・官能基
Claims (2)
- （１）下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに該磁性
媒体上に直接または保護膜を介して、一般式： Ｈ＿（＿３＿−＿ｘ＿）Ｆ＿ｘＣ−Ｃ＿ｍＦ＿（＿２＿
ｍ＿−＿ｐ＿）Ｈ＿ｐ−−Ｇ−Ｃ＿ｙＨ＿（＿２＿ｙ＿
＋＿１＿） （式中、ｘは０、１、２または３の整数、ｍは１以上の
整数、ｐは１≦ｐ≦２ｍの整数、ｙは３以上の整数、Ｇ
は官能基である。） で表される化合物からなる潤滑剤が被覆されてなる構造
を有することを特徴とする磁気記憶体。 - （２）下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに該磁性
媒体上に直接または保護膜を介して、一般式： Ｈ＿（＿３＿−＿ｘ＿）Ｆ＿ｘＣ−Ｃ＿ｍＦ＿（＿２＿
ｍ＿−＿ｐ＿）Ｈ＿ｐ−Ｇ−−Ｃ＿ｎＦ＿（＿２＿ｎ＿
−＿ｑ＿）Ｈ＿ｑ−ＣＦ＿ｓＨ＿（＿３＿−＿ｓ＿）（
式中、ｘ、ｓは０、１、２または３の整数、ｍ、ｎは１
以上の整数、ｐ、ｑは１≦ｐ≦２ｍ、１≦ｑ≦２ｎの整
数、Ｇは官能基である。）で表される化合物からなる潤
滑剤が被覆されてなる構造を有することを特徴とする磁
気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32968490A JPH04205815A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32968490A JPH04205815A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04205815A true JPH04205815A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18224117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32968490A Pending JPH04205815A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04205815A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161744A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-17 | Sony Corp | カルボン酸パ−フルオロアルキルエステル誘導体及びカルボン酸パ−フルオロアルキルエステル誘導体を含有する潤滑剤 |
| JPH01112527A (ja) * | 1987-10-24 | 1989-05-01 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH03167158A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-19 | Hitachi Maxell Ltd | 脂肪族カルボン酸フルオロ基含有アルキルエステル誘導体および脂肪族カルボン酸フルオロ基含有アルキルエステル誘導体を含む潤滑剤 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP32968490A patent/JPH04205815A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161744A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-17 | Sony Corp | カルボン酸パ−フルオロアルキルエステル誘導体及びカルボン酸パ−フルオロアルキルエステル誘導体を含有する潤滑剤 |
| JPH01112527A (ja) * | 1987-10-24 | 1989-05-01 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH03167158A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-19 | Hitachi Maxell Ltd | 脂肪族カルボン酸フルオロ基含有アルキルエステル誘導体および脂肪族カルボン酸フルオロ基含有アルキルエステル誘導体を含む潤滑剤 |
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