JPH04188723A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04188723A JPH04188723A JP31755690A JP31755690A JPH04188723A JP H04188723 A JPH04188723 A JP H04188723A JP 31755690 A JP31755690 A JP 31755690A JP 31755690 A JP31755690 A JP 31755690A JP H04188723 A JPH04188723 A JP H04188723A
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- layer
- conductive layer
- contact hole
- insulating film
- laser beam
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の導電層間のコンタクト形成方法に
関する。
関する。
［従来の技術］
従来技術においては、半導体基板上の第１の導電層上に
設けられた絶縁膜上にコンタクトホールを形成後、層構
成が少なくとも一層以上である第２の導電層を形成する
方法が一般的であった。
設けられた絶縁膜上にコンタクトホールを形成後、層構
成が少なくとも一層以上である第２の導電層を形成する
方法が一般的であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら前述の従来技術においては、微細加工技術
の進展とともにコンタクトホールのサイズがサブミクロ
ンと極端に小さくなってきた場合、コシタクト抵蹴が増
大し、かつ大きなばらつきを持つ。そこで本発明はこの
ような問題点を解決するもので、その目的とするところ
はコンタクト抵抗値とそのばらつきを低減させることに
ある。
の進展とともにコンタクトホールのサイズがサブミクロ
ンと極端に小さくなってきた場合、コシタクト抵蹴が増
大し、かつ大きなばらつきを持つ。そこで本発明はこの
ような問題点を解決するもので、その目的とするところ
はコンタクト抵抗値とそのばらつきを低減させることに
ある。
［１１題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は、半導体基板上の第１の導電層上
に設けられた絶縁膜にコンタクトホールを形成後、レー
ザー光を照射してアニール処理し、しかる後に層構成が
少なくとも一層以上である第２の導電層を形成すること
を特徴とする。
に設けられた絶縁膜にコンタクトホールを形成後、レー
ザー光を照射してアニール処理し、しかる後に層構成が
少なくとも一層以上である第２の導電層を形成すること
を特徴とする。
［実施例］
以下本発明について実施例に基づき説明する。第１図は
本発明の実施例を工程順に示す断面図である。第１図（
ａ）において１はシリコン基板、２は第１の導電層であ
る不純物拡散層、３は絶縁膜であり、４は絶縁膜に開口
したコンタクトホールであり、５はアニール処理のため
照射したエキシマレーザ−光である。第１図（ｂ）は１
例としてエキシマレーザ−光によりアニール処理を実施
した後、層構成が少なくとも一層以上である第２の導電
層として、６に示す１％シリコンを含有するアルミニウ
ムをスッパッタリング法にて堆積後、バターニングした
ものである。第２図は従来技術と本実施例によるコンタ
クト抵抗の測定結果をヒストグラムに示したものである
。これらはコンタクトサイズ１ミクロン角のコンタクト
抵抗をケルビン法にて測定した結果であり、第１の導電
層はＮ型拡散層、また第２の導電層は１％シリコンを含
有するアルミニウムである。第２図（ａ）は従来技術に
よるコンタクト抵抗の測定結果、また第２図（ｂ）は本
実施例によるコンタクト抵抗の測定結果である。第２図
から、明かのように、本発明によればコンタクト抵抗の
平均値とばらつきを大幅に低減することが可能となる。
本発明の実施例を工程順に示す断面図である。第１図（
ａ）において１はシリコン基板、２は第１の導電層であ
る不純物拡散層、３は絶縁膜であり、４は絶縁膜に開口
したコンタクトホールであり、５はアニール処理のため
照射したエキシマレーザ−光である。第１図（ｂ）は１
例としてエキシマレーザ−光によりアニール処理を実施
した後、層構成が少なくとも一層以上である第２の導電
層として、６に示す１％シリコンを含有するアルミニウ
ムをスッパッタリング法にて堆積後、バターニングした
ものである。第２図は従来技術と本実施例によるコンタ
クト抵抗の測定結果をヒストグラムに示したものである
。これらはコンタクトサイズ１ミクロン角のコンタクト
抵抗をケルビン法にて測定した結果であり、第１の導電
層はＮ型拡散層、また第２の導電層は１％シリコンを含
有するアルミニウムである。第２図（ａ）は従来技術に
よるコンタクト抵抗の測定結果、また第２図（ｂ）は本
実施例によるコンタクト抵抗の測定結果である。第２図
から、明かのように、本発明によればコンタクト抵抗の
平均値とばらつきを大幅に低減することが可能となる。
ところで本実施例においては、第１の導電層としてシリ
コン基板上の不純物拡散層を例として用いたが、これは
多結晶シリコン、またはチタン、タングステン、モリブ
デン等のポリサイドまたはシリサイド、またはチタン、
タングステン、モリブデン等の高融点金属においてもま
ったく同様に適用可能である。
コン基板上の不純物拡散層を例として用いたが、これは
多結晶シリコン、またはチタン、タングステン、モリブ
デン等のポリサイドまたはシリサイド、またはチタン、
タングステン、モリブデン等の高融点金属においてもま
ったく同様に適用可能である。
また層構成が少なくとも一層以上である第２の導電層と
して、１％シリコンを含有するアルミニウムを例として
説明したが、これは多結晶シリコン、またはチタン、タ
ングステン、モリブデン等のポリサイドまたはシリサイ
ド、またはチタン、タングステン、モリブデン等の高融
点金属、または銅やパラジウムを含むアルミニウム、ま
たはチタン、チタンナイトライド、チタンタングステン
等の高融点金属並びにその化合物等とアルミニウム並び
にアルミニウム合金との積層配線においてもまったく同
様に適用可能である。
して、１％シリコンを含有するアルミニウムを例として
説明したが、これは多結晶シリコン、またはチタン、タ
ングステン、モリブデン等のポリサイドまたはシリサイ
ド、またはチタン、タングステン、モリブデン等の高融
点金属、または銅やパラジウムを含むアルミニウム、ま
たはチタン、チタンナイトライド、チタンタングステン
等の高融点金属並びにその化合物等とアルミニウム並び
にアルミニウム合金との積層配線においてもまったく同
様に適用可能である。
［発明の効果］
以上述べてきたように本発明によれば、コンタクトホー
ル形成後、レーザー光を照射することによりアニール処
理を実施し、コンタクト抵抗の低減とばらつきの減少が
可能となる
ル形成後、レーザー光を照射することによりアニール処
理を実施し、コンタクト抵抗の低減とばらつきの減少が
可能となる
第１図は本発明の実施例を工程順に示す断面図であり、
第２図は従来技術と本実施例によるコンタクト抵抗の測
定結果を示すヒストグラムである。 １ シリコン基板 ２ 不純物拡散層 ３ 絶縁膜 ４ コンタクトホール ５ レーザー光 ６１％シリコンを含有するアルミニウム以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）第１図（ｂ）
第２図は従来技術と本実施例によるコンタクト抵抗の測
定結果を示すヒストグラムである。 １ シリコン基板 ２ 不純物拡散層 ３ 絶縁膜 ４ コンタクトホール ５ レーザー光 ６１％シリコンを含有するアルミニウム以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）第１図（ｂ）
Claims (1)
- 半導体基板上の第１の導電層上に設けられた絶縁膜にコ
ンタクトホールを形成後、レーザー光を照射してアニー
ル処理し、しかる後に層構成が少なくとも一層以上であ
る第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31755690A JPH04188723A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31755690A JPH04188723A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188723A true JPH04188723A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18089576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31755690A Pending JPH04188723A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188723A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554055B2 (en) | 2005-05-03 | 2009-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for making ohmic contact to silicon structures with low thermal loads |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31755690A patent/JPH04188723A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554055B2 (en) | 2005-05-03 | 2009-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for making ohmic contact to silicon structures with low thermal loads |
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