JPH04186716A - 位置合わせ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子製造用に好適な位置合わせ装置に関
し、特にウェハと共役関係にある撮像手段との相対的位
置合わせをウェハ面上に設けたアライメントマークの３
次元構造に基づくレジスト・面の起伏形状を捉えること
により高精度に行うことのできる位置合わせ装置に関す
るものである。

（従来の技術） 近年、半導体素子の回路パターンの微細化の要求に伴い
、半導体素子製造用の露光装置においてはレチクルとウ
ェハとの高鯖度な相対的位置合わせか要求されている。

露光装置における位置合わせ方法の一つとして例えば特
願平２−１２７００５号で提案されている、所謂１次元
パターンマツチ検出方法というのがある。

第８図は特願平２−１２７００５号で提案されている１
次元パターンマツチ検出方法を利用した露光装置の要部
概略図である。同図ではレチクルＲと撮像装置８６との
位置関係は既に求められている。

照明装置８４から放射された露光光の波長と略等しい波
長の光束をミラー８３て反射させ、照明光学系８２で集
光し、偏光ど一ムスプリッター８１で、所定方向に振動
する偏光光束を反射させて対物レンズ８０に入射させて
いる。対物レンズ８０に入射した光束はミラー８１０で
反射し、そのうちレチクルＲの透過部を通過した光束は
投影光学系１１を介して（入／４板８１１も通過する。

）ウェハＷ面上の位置合わせ用のアライメントマーク（
「ウェハマーク」ともいう。）Ｗａを照明する。

投影光学系１１によりレチクルＲ面近傍に結像されたウ
ェハマーク像（Ｗａ′）をミラー８１０、対物レンズ８
０、偏光ビームスプリ、ンター８１、そして検出光学系
８５により撮像装置８６の撮像面８６ａ上に結像させて
いる。尚、１１４は露光用の照明系であり、露光の際レ
チクルＲ面上を均一照明する。

第９図は第８図の撮像装置８６より得られたマーク像に
関する２次元電気信号に関する説明図である。

同図においてはレチクルの位置と撮像装置８６位置との
関係が予め求められている為、撮像装置の画面上でのウ
ニ八面上のアライメントマーク像の中心位置を決定すれ
ばレチクルとウェハの位置関係を決定することがてきる
。

第９図（Ａ）においてＷａ′は撮像面８６ａに形成され
たウェハマーク像である。撮像装置８６からの２次元電
気信号をＡ／Ｄ変換装置８７によって画素のＸＹアドレ
スに対応した２次元離散ディジタル信号列に変換した後
、積算装置８８ａによって所定の大きさの２次元窓９０
内でウェハマーク像Ｗａ’の長手方向（ｙ方向）に画素
積算して第９図（Ｂ）に示すような１次元離散電気信号
である積算信号ｔ　（ｘ）を得る。そして中心値演算装
置８８ｂによって次のようにしてウェハマークＷａの中
心位置を算出している。

まず第９図（Ｂ）に示すように積算信号ｔ（Ｘ）に対し
て評価用の１次元窓９１を用意する。１次元窓９１内の
積算信号ｔ（ｘ）に対してウェハマークＷａの断面形状
を考慮に入れた１次元パターンマツチングを行う。その
際に各点に対して最小自乗近似法によってマツチングす
る積算信号とテンプレート（第９図（Ｃ）に示す２次関
数を使用したテンプレート）の差を最小にした後に積算
信号ｓ　（ｘ）とテンプレートとの差の絶対値の１次元
窓９１内の和の逆数とテンプレートと近似の際に利用し
た幾何学的情報（２次関数の２次の係数の絶対値）との
積をもってその相関度とする。このときの積算信号ｓ　
（ｘ）としては例えば第１０図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
、（Ｄ）に示すようなものがあり、それに対応してテン
プレートとして第１１図（Ａ）、（’Ｂ）、（Ｃ）。

（Ｄ）の実線部で示すものがある。

第８図に示す位置合わせにおいては相関度の最も高い値
を持つ点をもってウェハマークの位置合わせの為の中心
位置としている。このようにして求めたウェハマークの
中心に対して位置合わせ制御装置８９によってＸＹステ
ージ１０を駆動させてレチクルＲとウェハＷとの位置合
わせな行っている。

（発明が解決しようとする問題点） ウニ八面上のアライメントマーク（ウェハマーク）の像
はその面上に塗布されたレジストの塗布　−ムラやアラ
イメントマークの３次元構造の非対称性の影響を受けて
歪んで観察されることが知られている。これによりアラ
イメントマークの位置検出を行なう際に測定誤差、所謂
タマサレを起し、位置合わせ結反を低下させる原因とな
っている。

特に半導体素子製造工程において金属化合物をスパッタ
リング等を用いて蒸着した後のウニ八表面にレジストを
塗布する工程においてはアライメントマーク近傍のレジ
ストの塗布ムラによる起伏形状からくるタマサレが深刻
な問題点となフている。

一方、前記の金属化合物を蒸着する工程におけるレジス
ト層によるダマサレの原因は金属化合物の高反射率の為
、薄膜干渉や屈折率の波長依存性から生じるものに比較
してレジストの塗布ムラによる幾何光学的現象によるも
のの影響の方が大きい。

第７図（Ａ）、（Ｂ）はこのときの現象番示す光路図で
ある。第７図（Ａ）はウェハの位置合わせ用のアライメ
ントマーク近傍の断面図である。

図中７１はウェハ、７０はレジスト、７３は空気層であ
る。７２は観察光のうちの一光線の光路を示している。

７５はアライメントマークの溝部である。レジスト表面
７０ａの局所的変化（起伏形状）によって光線７２の屈
折方向か大きく変化している。

ウニ八表面７１ａの反射率か大きいときにおいてはレジ
スト表面７０ａでの反射光とウニ八表面７１ａでの反射
光との干渉効果は幾何光学的効果に比較して十分小さい
と考えられる。

第７図（Ｂ）は同図（Ａ）に対応する観察光の光強度の
分布説明図である。レジスト表面７０ａの局所的変化に
伴フてアライメントマーク像が横ズレを起して観察され
ている。これは例えばコツプの水の中に入れたスプーン
を観察するように、このことは照明光の白色化、あるい
は照明光の波長の適正化によっては取り除けない。従っ
てレジスト表面７０ａの起伏形状を計測し、そのダマサ
レ量を予測することが重要となってくる。

他方、金属化合物に対する明視野のアライメントマーク
像の形状は金属化合物の反射率が高い為に一般的に従来
の技術で述べた第１０図（Ｃ）に対応する光分布のみを
考慮しておけばよい。

又、従来より格子パターンをウェハ面上に投影した後に
位置合わせを行なうようにした位置合わせ装置も提案さ
れている。しかしながらそれらはウェハ面上のアライメ
ントマークとの位相ズレを観察する為にウェハ面上のア
ライメントマークの長手方向に平行のものであった。そ
の為レジストの膜厚変化は積分されウェハ面上のアライ
メントマークからの信号と分離することができなかった
。従って必要とするレジスト表面の起伏形状を計測する
手段としては適していない、。

更に従来の位置合わせ装置では２次元情報を使用してい
ながら最終的には１次元情報に軽減させ、他の次元につ
いては積算することによるＳＺＮ比の向上のみを図って
いる。

本発明はウェハ面上のアライメントマーク近傍における
レジスト表面に起伏形状（３次元形状）に基づくタマサ
レをピッチの異なる２つの格子パターンより得られるモ
アレ縞（縞形状像）を用いることにより補正し、アライ
メントマークの位置を不要なノイズ光を除去し、高結反
に検出することができ、それにより高結反の位置合わせ
な可能とした位置合わせ装置の提供を目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明の位置合わせ装置は、レリーフ状のアライメント
マークが形成されているウェハと撮像手段とを光学系を
介して共役関係となるように配置し、双方の相対的な位
置合わせを行う際、該ウェハ面上にはレジストが塗布さ
れており、該光学系を介してウェハと共役関係にピッチ
が互いに異なる２つの格子パターンＧ１、Ｇ２をそれら
の格子方向が位置合わせ方向と同方向となるように配置
し、このうち該格子パターンＧ１を照明系で照明し、該
格子パターンＧ１からの光束を該光学系を介して該ウニ
へ面のアライメントマーク面上に該ウニ八表面に対して
該格子パターンの格子方向と平行な面内においては垂直
に、格子パターンの格子方向と垂直な面内においては所
定の角度で斜入射させて格子パターンＧ１の像を形成し
、該格子パターンＧ１の像を該光学系を介して該格子パ
ターン０２面上に投影し、該格子パターン０２面を撮像
装置に結像し、該撮像装置からの信号を用いて演算手段
により該ウェハ面のアライメントマーク領域のレジスト
の表面形状を求め、該演算手段からの信号を参照して該
ウェハと該撮像手段との相対的位置合わせを行っている
ことを特徴としている。

特に本発明では、前記演算手段は前記格子パターン０２
面上に形成される縞形状像に基っ′いて、前記ウニ八面
上のアライメントマーク近傍の局所的な３次元形状を求
めていることを特徴としている。

（実施例） 第１図は本発明の一実施例の要部概略図である。同図に
おいてＲはレチクルであり、その面上には電子回路パタ
ーンが形成されている。又レチクルＲはレチクルステー
ジＲ１に支持されている。１１４は露光用の照明系であ
り、超高圧水銀灯、コンデンサーレンズ、シャッター等
を有し、露光の際にはレチクル８面上を均一照明してい
る。１１は投影レンズ（露光光学系）であり、レチクル
８面上のパターンをウェハＷ面上に縮少投影（例えば１
１５〜１／１０倍）している。１゜はウェハステージで
あり、その面上に載置したウェハＷをｘ、ｙ、ｚ方向に
駆動している。

本実施例では以上のような各要素によりレチクル８面上
のパターンをウェハＷ面上に投影露光している。

尚、ウェハＷ面上には後述する位置合わせ用のレリーフ
型のウェハマーク（アライメントマーク）Ｗａが形成さ
れている。又レチクルＲで露光装置本体（例えば撮像手
段１１０）とは既に位置決められている。

次に本実施例においてウェハＷと露光装置本体例えば撮
像手段１１０との位置合わせを行なう為の各要素につい
て説明する。尚、第１図において投影レンズ１１の光軸
方向を２軸、紙面左右方向をｙ軸、紙面垂直方向をｙ軸
としている。

本実施例ではＸ方向の位置合わせを例にとり示している
か、Ｘ方向についても全く同禄である。

１８は光源手段であり、露光光の波長とは異なる波長の
光束を放射している。光源手段１８からの光束はミラー
１９で反射され、照明光学系１６で集光されて格子パタ
ーンＧｌを照明している。

格子パターンＧ１は第２図（Ａ）に示すように格子方向
がＸ方向に延びた透過領域と不透過領域より成るピッチ
λ１の複数の格子より成り、遮光板（不図示）によって
囲まれている。１４は補正光学系であり、投影レンズと
の使用波長の差に基づく収差補正を行ない、格子パター
ンＧ１とウェハＷの表面とが光学的に共役関係となるよ
うにしている。１３は光路変換用のミラーであり、補正
光学系１４からの光束を投影レンズ１１に導光している
。

本実施例では光源手段１８からの光束をミラー１９で反
射させ、照明光学系１６で集光した後、格子パターンＧ
１を照明している。そして格子パターンＧ１からの光束
を補正光学系１４、ミラー１３そして投影レンズ１１を
介してウェハＷのウェハマークＷａ面上に入射させてい
る。

このとき格子パターンＧ１とウェハＷ面上とは共役関係
となっている為にウェハマークＷａ面−Ｆに格子パター
ンＧ１の像が重なって形成される。

第４図はウェハＷ面上のウェハマークＷａへの照明光束
の入射光路状態を示した概略図である。

同図に示すように投影レンズ１１（不図示）からの光束
４１は格子パターンＧ１の格子方向と平行な面内（ｘｚ
面内）に対し垂直に入射し、格子方向と垂直な面内（ｙ
ｚ面内）に対しては所定の角度θで斜入射している。

格子パターンＧ１はウェハマークＷａ面上に格子方向が
Ｘ方向と平行となるように投影されている。尚、４２は
ウェハマークＷａからの正反射光、４３は光束４１の同
位相面を模式的に示している。

第３図（Ａ）はこのときのウェハＷ面上におけるウェハ
マーク像Ｗａ′と格子パターンＧ１の像との関係を示し
ている。同図に示すように一般にウェハマークＷａ面上
の領域の格子パターンＧ１の像はレジスト表面の起伏形
状に応じて変形して形成されている。

第１図に戻り、ウェハマークＷａ面上に投影された格子
パターンＧ１の像からの反射光束は投影レンズ１１、ミ
ラー１２を介して対物レンズ１５によって格子パターン
０２面上に第３図（Ａ）に示すような格子パターン像を
形成する。格子パターンＧ２は第２図（’Ｂ）に示すよ
うに格子方向がＸ方向に延びた透過領域と不透過領域よ
り成る格子パターンＧ１のピッチλ１とは異なるピッチ
λ２の複数の格子より成っている。

１７は撮像光学系であり、格子パターン０２面を撮像手
段１１０に結像している。この結果ウェハＷ面と撮像手
段１１０とは光学系（投影レンズ１１、対物レンズ１５
そして撮像光学系１７）を介して共役関係となりでいる
。

第３図（Ｂ）はこのときの撮像手段１１０面上に形成さ
れる格子パターンＧ１と格子パターンＧ２とから発生す
るモアレ縞（鱗形状）３３とウェハマーク像Ｗａ′とを
示している。同図に示すようにウェハマーク像Ｗａ’面
上のレジスト面上の点Ｐ１と点Ｐ２との表面変化（起伏
形状）の差分に対応して変形されたモアレ縞３３が撮像
手段１１０面上に形成されている。

本実施例では撮像手段１１０面上でピント信号か得られ
るように格子パターンＧ１、Ｇ２のどッチλ１．λ２を
光学的倍率を考慮して決定している。

ここてモアレ・トポグラフィ−を使用したモアレ縞につ
いて簡単に説明する。今、観察光学系の倍率を簡単の為
に１とする。ウェハマークＷａの近傍Ｐ１の格子パター
ンの投影像を簡単にの形て、書き表わす。ここでρ。は
初期位置、ρ（ｘ、ｙ）は変調成分で、レジストの起伏
に依存する関数である。このときウェハマークＷａの近
傍Ｐ２の格子パターンの投影像は と書ける。ρ０　′は初期位置である。

このとき２つの波の横１　（ｘ）ρ。＝ρｏ　′＝０で
かつ、λ１岬λ２、ρ（ｘ、ｙ）が緩和な関数であるこ
とに注意すると となる。又、一般に撮像手段１１０面上での光学的分解
能と撮像手段１１０の画素解像度は異なっている。

高周波であり、光学的には分解するように光学設計かな
されるが撮像手段においては分解されなくともよい。

本実施例ではそのような撮像手段を使用している。従っ
て、その強度は に比例する。又１画素がピッチλ１に比べて粗くないと
きにはフィルターを掛けてλ１のピッチ回りの成分を落
としてもよい。ここでいっそアレ縞とは（λ１）２／（
λ１−λ２）のピッチ廻りの成分のことである。但し、
これは既知のλ１及びλ２と、変調成分の差に依存して
いる。変調成分はレジスト起伏の変化差に依存している
。

撮像手段１１０に結像されたモアレ像はＡ／Ｄ変換器１
１１によフて量子化され、画像解析装置１１２に送られ
る。画像解析装置１１２では処理窓３８を設定し、ｙ軸
方向に積算される。第３図（Ｃ）はこのときの積算デー
タの説明図である。

同図については基準のＸ座標を正確に与える為に従来公
知の１次元パターンマツチングによって位置合わせな行
なう。その位置を仮中心としてＸｏとする。本実施例で
は位置合わせ後にウェハマークＷａ近傍のレジスト表面
の起伏形状を以下の方法で決定している。

即ちウェハマークＷａの仮の中心位置Ｘ。回りに対して
処理窓３４，３５，３６．３７を設定し、Ｘ軸方向に積
算を行う。このときｙ軸方向に高周波カットのフィルタ
ーをかけても良い。第３図（Ｄ）はこのときの積算され
たデータの説明図である。

第５図（Ｄ）、（Ｃ）、（Ｂ）、（Ａ）は各々処理窓３
４，３５，３６．３７に対応して得られる波形である。

ここで処理窓３４．３５．３６はウェハマークＷａ近傍
、処理窓３７はウェハマークＷａより十分層れた場所で
の格子パターンがＸ方向に略安定すると思われる領域で
ある。このようにして得られた波形（第５図（Ａ）〜（
Ｄ）に対して画像処理、例えば高速フーリエ変換を行な
い位相変化を求めている。

処理窓３７に対応する第５図（Ａ）の位相に対して第５
図（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の位相［０゜２π］の変化が
レジスト表面のＸ方向の起伏形状の変化である。

実際には細かく処理窓を分割し、位相とＸ方向との関係
を調へる。このときの結果を第６図に示す。但し第３図
（Ｃ）において領域３９に対応するところにはデータか
ない。

次に第６図で得られたデータを基に第３図（Ｃ）から得
られたウェハマークＷａの仮り中心位置Ｘｏを補正する
方法について説明する。

先の第７図で述べたようにレジスト表面のＸＺ平面での
曲率と微分絶対値によりてダマサレは起こる為、第６図
で示すように得られた計測値をスプライン関数で補間し
、曲線Ｖ（ｘ）（［０゜２π］の値をとる。）とする。

そしてその値に対してウェハマークＷａ位置に対応する
第６図の領＠６０（仮中心位置Ｘ。の回りに対してウェ
ハマークＷａの線幅の１．５倍程度内の領域）において
２次関数近似を行ない、このときの２次の係数をｇとす
る。

このときｇ／　Ｉ　ｇ　Ｉがタマサレの方向付けを示す
。つまり曲率を見る。又Ｖ　（ｘ）の微分絶対値を取り
、ｄ　（ｘ）とする。ｄ　（ｘ）の値は第６図（Ｃ）の
曲線のように成っている。ｄ　（ｘ）において適当にｄ
　（ｘ）の上下（例えば領域内の最大最小に対して８０
％以上、２０％以下）を切断した後に重心を計算し、ｄ
ｏとすると ｄｘ＝α・ｇ／　Ｉ　ｇ　Ｉ　・ｄｏ　　　−・”（＋
＞がタマサレ量となる。このとき ｘ　１　＝ｘｏ−ｄｘ　　　　　　　　”（２）がダマ
サレのないウェハマークＷａの中心位置である。ここで
ｘｌをレチクルとの位置関係に換算し、制御袋Ｗ１１３
によフてｘｙｚステージ１゜を駆動し、位置合わせを終
る。その後、露光を行なう。但し、αは実験で決められ
るパラメータ、仮中心位置ｘ０は第３図＜Ｃ＞を使用し
、従来の例で述べた１次パターンマツチングを利用した
中心値である。αの定性的なイメージは以下の通りであ
る。第７図において入射光を第７図上下方向（即ちｘｙ
平面に対して垂直方向）に限る。レジストの塗布ムラの
角度θ＜＜１　（ｒａｄ）のとき ｘｌ θ＃　　ｔａｎθ”’ｘ　　ｄ（ｘ）・ｔａｎ　　θ・
−−−−−（３）４　π に対応する。θは第４図の入射角である。λ１はく倍率
を考慮に入れた）ウニ八面上のスケールで見た実行的な
格子Ｇｌのピッチλ１の値である。

第７図のタマサレ量はほぼ １　　石 （１−−）　・ｄｘ　−−ＸΔ、−ｔａｎθ　　　−−
−−（４）ｎ２π となる。ここでｎはレジストの屈折率である。

（ｎ句１．６８）Δ、は第７図で与えられるレジスト厚
である。各点に対してこのように計算されるので 】　　　　　　后 ６句（１−−）・Δ、・ｔａｎθ□　　　　・・・・（
５）ｎ２π となる。しかし乍ら実際にはウェハの段差厚Δ２の効果
、観察光学系（対物レンズ１５や撮像光学系）のＮＡな
と多くのパラメータを含むため実験により決定する方が
実際的である。決定方法はレジスト塗布後と前のウェハ
マークからの光学情報によってｄｘを決定し、レジスト
塗布後の上記ｄｏとによって式（１）の関係より求める
。

一般にアライメントマーク形状か類似し、装置が同一の
場合 ・・・・・・・・・・（６） の関係となる。従っである条件でαを決定すれば簡単に
他のレジスト厚Δ１．ウニへの段差厚Δ２の場合も容易
に計算できる。

このようにして本実施例ではウェハに設けたアライメン
トマーク面上近傍のレジスト表面の起伏形状を求め、得
られた結果より位置合わせ計測の補正を行ない高精度な
位置合わせを行なっている。

第１２図に本実施例における位置合わせに関するフロー
チャート図を示す。尚、第１図に示す実施例では位置合
わせ用の光束を投影レンズを介しているが、投影レンズ
を介さずに行なっても良い。

又、本実施例ではモアレ・トポグラフィ−法を使用した
例を示したか、他の干渉法を使用してウェハマークのｙ
方向側にＸ方向と略平行な干渉縞を形成して、その干渉
縞の分布からレジスト表面の起伏形状を求め、位置合わ
せ計測値の補正を行なっても良い。

例えばコヒーレント光を参照光と試験光にわけて、本実
施例第４図のように試験光を入射させた後に参照光と干
渉させ、その光の光路差による干渉縞の位相の変化から
レジスト塗布ムラを計測してもよい。

又、本実施例においてはウェハ位置検出とレジスト塗布
ムラ検出を同時に行なったが時間的に隔っていても、そ
の効果には影響がない。又塗布ムラ検出とウェハ位置検
出を互いに別の光学系を使用して行なフてもいい。

（発明の効果） 本発明によればウェハに設けたウェハマーク近傍におけ
るレジスト表面の起伏形状によるダマサレを前述した各
要素、特にピッチの異なる２つの格子パターンを利用す
ることにより、不要なノイズ光を除去することかでき、
ウェハと露光装置本体との高精度な位置合わせができる
位置合わせ装置を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の要部概略図、第２図（Ａ）
、（Ｂ）は第１図の一部分の概略図、第３図は本発明に
係るウェハマーク像の説明図、第４図は第１図のウェハ
への入射光束の光路説明図、第５図は本発明に係る格子
パターンによるモアレ像の積算データの説明図、第６図
は本発明に係るウェハマークの中心位置補正の説明図、
第７図は第１図のウェハへの入射光束の光路説明図、第
８図は従来の位置合わせ装置における要部概略図、第９
図は従来のテンプレートを用いた信号処理の説明図、第
１０．第１１図は積算信号とテンプレートに係る信号の
説明図、第１２図は本発明に係るフローチャート図であ
る。 図中、Ｒはレチクル、Ｗはウェハ、Ｗａはウェハマーク
、Ｇ１、Ｇ２は各々格子パターン、１１は投影レンズ、
１２．１３はミラー、１４は補正光学系、１５は対物レ
ンズ、１６は照明光学系、１７は撮像光学系、１８は光
源手段、１１４は照明系、１１０は撮像装置、７０はレ
ジスト、７０ａはレジスト表面、７１はウェハ、７３は
空気層である。 特許出願人　　キャノン株式会社 ７ヲ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）レリーフ状のアライメントマークが形成されてい
   るウェハと撮像手段とを光学系を介して共役関係となる
   ように配置し、双方の相対的な位置合わせを行う際、該
   ウェハ面上にはレジストが塗布されており、該光学系を
   介してウェハと共役関係にピッチが互いに異なる２つの
   格子パターンＧ１、Ｇ２をそれらの格子方向が位置合わ
   せ方向と同方向となるように配置し、このうち該格子パ
   ターンＧ１を照明系で照明し、該格子パターンＧ１から
   の光束を該光学系を介して該ウェハ面のアライメントマ
   ーク面上に該ウェハ表面に対して該格子パターンの格子
   方向と平行な面内においては垂直に、格子パターンの格
   子方向と垂直な面内においては所定の角度で斜入射させ
   て格子パターンＧ１の像を形成し、該格子パターンＧ１
   の像を該光学系を介して該格子パターンＧ２面上に投影
   し、該格子パターンＧ２面を撮像装置に結像し、該撮像
   装置からの信号を用いて演算手段により該ウェハ面のア
   ライメントマーク領域のレジストの表面形状を求め、該
   演算手段からの信号を参照して該ウェハと該撮像手段と
   の相対的位置合わせを行っていることを特徴とする位置
   合わせ装置。（２）前記演算手段は前記格子パターンＧ
   ２面上に形成される縞形状像に基づいて、前記ウェハ面
   上のアライメントマーク近傍の局所的な３次元形状を求
   めていることを特徴とする請求項１記載の位置合わせ装
   置。