JPH04182952A - 光学的情報再生装置 - Google Patents
光学的情報再生装置Info
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- JPH04182952A JPH04182952A JP31068290A JP31068290A JPH04182952A JP H04182952 A JPH04182952 A JP H04182952A JP 31068290 A JP31068290 A JP 31068290A JP 31068290 A JP31068290 A JP 31068290A JP H04182952 A JPH04182952 A JP H04182952A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報を光学的情報記録担体に記録及び/又は再
生する光学的情報記録再生装置に関し、とくに情報記録
担体に記録された情報を磁気光学効果を利用して再生す
る光学ヘッド部分を改良した光学的情報再生装置に関す
るものである。
生する光学的情報記録再生装置に関し、とくに情報記録
担体に記録された情報を磁気光学効果を利用して再生す
る光学ヘッド部分を改良した光学的情報再生装置に関す
るものである。
光学的情報記録再生装置は、記録媒体の大きさに比べて
、データの記憶容量が大きいという特徴があり、コンピ
ュータの外部記憶手段として利用されている。なかでも
光磁気情報記録装置は、データの書換えが可能なことで
有用である。このような記憶手段を用いて情報の記録、
再生を行う方式にはマーク間記録方式、およびマーク長
記録方式(エツジ記録方式)が知られている。後者は前
者に比べてデータ容量を上げ得る点で有利であるとされ
ているが、この方式によって記録された記録媒体から正
確に情報を再生するためには光学ヘッド部分で、情報ビ
ットのエツジ位置を正確に読み取る必要がある。
、データの記憶容量が大きいという特徴があり、コンピ
ュータの外部記憶手段として利用されている。なかでも
光磁気情報記録装置は、データの書換えが可能なことで
有用である。このような記憶手段を用いて情報の記録、
再生を行う方式にはマーク間記録方式、およびマーク長
記録方式(エツジ記録方式)が知られている。後者は前
者に比べてデータ容量を上げ得る点で有利であるとされ
ているが、この方式によって記録された記録媒体から正
確に情報を再生するためには光学ヘッド部分で、情報ビ
ットのエツジ位置を正確に読み取る必要がある。
通常、光磁気記録媒体用の光学ヘッドにおいては、光源
としての半導体レーザからの光束を対物レンズにより微
小スポットに集光し、このスポット光を用いてマーク間
記録方式でデータの記録を行っており、また、この微小
スポット光の情報ヒツトからの反射光量の変化を差動検
出して情報の再生を行っている。
としての半導体レーザからの光束を対物レンズにより微
小スポットに集光し、このスポット光を用いてマーク間
記録方式でデータの記録を行っており、また、この微小
スポット光の情報ヒツトからの反射光量の変化を差動検
出して情報の再生を行っている。
このような従来の差動検出方式においては、入射直線偏
光の偏光方向と45度をなす偏光軸方向を有する偏光ビ
ームスプリッタ−を用いて、反射光を2つの信号光に分
解し、この両光束から2つの信号を検出し、これから差
動信号を作り出していた。
光の偏光方向と45度をなす偏光軸方向を有する偏光ビ
ームスプリッタ−を用いて、反射光を2つの信号光に分
解し、この両光束から2つの信号を検出し、これから差
動信号を作り出していた。
このように従来はマーク、長記録方式において、ガウス
分布状の光量分布を有する微小スポット光を投光し、情
報ビットからの反射光の光量変化を差動検出する方式が
使われているが、投光スポット光の光量分布がある広が
りを有するガウス分布であるため、エツジ検出能力が低
いという問題点がある。
分布状の光量分布を有する微小スポット光を投光し、情
報ビットからの反射光の光量変化を差動検出する方式が
使われているが、投光スポット光の光量分布がある広が
りを有するガウス分布であるため、エツジ検出能力が低
いという問題点がある。
このような問題点を解決し、光磁気記録媒体からの少な
い反射光量をより有効に利用するためにさらなる改良が
望まれていた。
い反射光量をより有効に利用するためにさらなる改良が
望まれていた。
本発明は上記事情にもとづいてなされたものでマーク長
記録方式を用いた記録された情報ビットからの再生にお
いて、エツジ検出能力が高く光量利用効率の高い小型光
学ヘッドを備えた光学的情報再生装置を提供しようとす
るものである。
記録方式を用いた記録された情報ビットからの再生にお
いて、エツジ検出能力が高く光量利用効率の高い小型光
学ヘッドを備えた光学的情報再生装置を提供しようとす
るものである。
このため本発明の光学的情報再生装置では、半導体レー
ザからの直線偏光光束を対物レンズを介して、光磁気記
録媒体から成る情報記録面上においてスポット光となる
ように1つの情報トラック上に投光し、前記スポット光
の反射光束を受光光学系に導き、前記導かれた受光光束
を前記情報トラックの方向にそって第1、第2の2つの
領域に分割し、第1の領域の光束を第1の要素光電変換
光検出器上に結像させ、第2の領域の光束を第2の要素
光電変換光検出器上に結像させる瞳分割光束偏向光学系
に導き、前記要素光電変換光検出器からの出力信号の差
分信号を用いて前記情報記録面に記録された情報磁区の
エツジを検出するようにしている。
ザからの直線偏光光束を対物レンズを介して、光磁気記
録媒体から成る情報記録面上においてスポット光となる
ように1つの情報トラック上に投光し、前記スポット光
の反射光束を受光光学系に導き、前記導かれた受光光束
を前記情報トラックの方向にそって第1、第2の2つの
領域に分割し、第1の領域の光束を第1の要素光電変換
光検出器上に結像させ、第2の領域の光束を第2の要素
光電変換光検出器上に結像させる瞳分割光束偏向光学系
に導き、前記要素光電変換光検出器からの出力信号の差
分信号を用いて前記情報記録面に記録された情報磁区の
エツジを検出するようにしている。
以下図面に従い本発明の光学的情報再生装置を説明する
。
。
第1図〜第6図は本発明の第1実施例を説明するための
図である。
図である。
第1図は本発明の光学的情報再生装置に用いられる光磁
気記録再生用光ヘッドの概略図である。
気記録再生用光ヘッドの概略図である。
同図において、1は波長λ(λ=830nm、)の直線
偏光(この電界ベクトル方向をEで示す)を発する半導
体レーザ、2はこの光束を平行光束に変換するコリメー
タレンズ、3はE方向の偏光成分はほとんど透過し、こ
れと直交する方向の偏光成分を100%反射する第1の
偏光ビームスプリッタ−14は対物レンズである。5は
対物レンズにより結像された投光スポット、6は光磁気
記録媒体である光磁気ディスクに設けられた1つの情報
トラック、7は光スポットのトラッキング用に設けられ
た案内溝である。8はS偏光を100%反射し、p偏光
の一部を反射する第2の偏光ビムスプリッター、9は透
過波面である。1oは光束の位相差を調整する位相差調
整光学素子、11は1/2波長板であり、12はS偏光
を1oo%反射し、p偏光を100%透過する第3の偏
光ビームススプリッターであり、13.14は各々結像
レンズ、15.16は各々2つのプリズムがら成る瞳光
束分割素子、17.18は各々17−1゜17−2.お
よび18−1.18−2から成る2分割光電変換素子で
ある。
偏光(この電界ベクトル方向をEで示す)を発する半導
体レーザ、2はこの光束を平行光束に変換するコリメー
タレンズ、3はE方向の偏光成分はほとんど透過し、こ
れと直交する方向の偏光成分を100%反射する第1の
偏光ビームスプリッタ−14は対物レンズである。5は
対物レンズにより結像された投光スポット、6は光磁気
記録媒体である光磁気ディスクに設けられた1つの情報
トラック、7は光スポットのトラッキング用に設けられ
た案内溝である。8はS偏光を100%反射し、p偏光
の一部を反射する第2の偏光ビムスプリッター、9は透
過波面である。1oは光束の位相差を調整する位相差調
整光学素子、11は1/2波長板であり、12はS偏光
を1oo%反射し、p偏光を100%透過する第3の偏
光ビームススプリッターであり、13.14は各々結像
レンズ、15.16は各々2つのプリズムがら成る瞳光
束分割素子、17.18は各々17−1゜17−2.お
よび18−1.18−2から成る2分割光電変換素子で
ある。
半導体レーザ1から発した光束は、直線偏光であり、そ
の電界ベクトルの方向は、図中Eで示される方向である
。この方向をp偏光方向とし、これと直交する方向をS
偏光方向とする。この光束はコリメータレンズ2により
平行光束に変換される。この光束は第1の偏光ビームス
プリッタ−3を透過し、対物レンズ4により不図示の光
磁気ディスクの透明基盤を透過し、TbFeCoなどC
つ光磁気記録膜を有する情報トラック6上に光スポット
5として結像される。
の電界ベクトルの方向は、図中Eで示される方向である
。この方向をp偏光方向とし、これと直交する方向をS
偏光方向とする。この光束はコリメータレンズ2により
平行光束に変換される。この光束は第1の偏光ビームス
プリッタ−3を透過し、対物レンズ4により不図示の光
磁気ディスクの透明基盤を透過し、TbFeCoなどC
つ光磁気記録膜を有する情報トラック6上に光スポット
5として結像される。
この光磁気記録膜により、磁気カー効果を受けた反射光
束は、Eの方向と直交するS偏光成分を有し、この偏光
成分は第1の偏光ビームスプリッタ−3により全て反射
され、一方元々のp偏光成分はその一部が反射され、第
2の偏光ビームスプリッタ−8に入射する。第2の偏光
ビームスプリッタ−8は、S偏光成分を100%反射し
、p偏光成分はその一部を透過するという特性を有する
。したがって、第2の偏光ビームスプリッタ−8を透過
後の光束9は全てp偏光成分であり、不図示のオートフ
ォーカス制御用フォーカス検出光学系、オートトラッキ
ング制御用トラッキング検出光学系へと導かれる。これ
ら各検出光学系は従来公知の各種方式を用いる事ができ
る。
束は、Eの方向と直交するS偏光成分を有し、この偏光
成分は第1の偏光ビームスプリッタ−3により全て反射
され、一方元々のp偏光成分はその一部が反射され、第
2の偏光ビームスプリッタ−8に入射する。第2の偏光
ビームスプリッタ−8は、S偏光成分を100%反射し
、p偏光成分はその一部を透過するという特性を有する
。したがって、第2の偏光ビームスプリッタ−8を透過
後の光束9は全てp偏光成分であり、不図示のオートフ
ォーカス制御用フォーカス検出光学系、オートトラッキ
ング制御用トラッキング検出光学系へと導かれる。これ
ら各検出光学系は従来公知の各種方式を用いる事ができ
る。
他方第2の偏光ビームスプリッタ−8により反射された
光束は位相差調整光学素子10を透過する。この光学素
子は後はど述べる1/2波長板11を通過した光束とこ
れを通過しない周辺領域部の光束との光路長差によって
発生する位相差をゼロに調整するものである。つまり、
1/2波長板11の常光線に対する屈折率をno、厚さ
をdとし、この位相差調整素子10の屈折率をnとする
と、no−d=n−dとなるように光学的に等方向な透
明誘電体から成るこの素子の厚みDを決めればよい。こ
の光学素子通過後の中央部の光束は1/2波長板11を
透過する。1/2波長板11はこれを透過するp偏光、
S偏光がその電界ベクトルの角度をなしている。他方周
辺領域部の光束はこの1/2波長板を通らないので偏光
方向は回転されない。12はこの光束をp偏光、S偏光
に分離するための偏光ビームスプリッタ−であり、p偏
光成分光束は結像レンズ13、さらに瞳分割プリズム1
5により結像され、プリズム15−1を透過した光束は
結像面近傍に設けられた2分割光電変換素子17−1へ
入射し、プリズム15−2を透過した光束は結像面近傍
に設けられた2分割充電変換素子17−2へ入射する。
光束は位相差調整光学素子10を透過する。この光学素
子は後はど述べる1/2波長板11を通過した光束とこ
れを通過しない周辺領域部の光束との光路長差によって
発生する位相差をゼロに調整するものである。つまり、
1/2波長板11の常光線に対する屈折率をno、厚さ
をdとし、この位相差調整素子10の屈折率をnとする
と、no−d=n−dとなるように光学的に等方向な透
明誘電体から成るこの素子の厚みDを決めればよい。こ
の光学素子通過後の中央部の光束は1/2波長板11を
透過する。1/2波長板11はこれを透過するp偏光、
S偏光がその電界ベクトルの角度をなしている。他方周
辺領域部の光束はこの1/2波長板を通らないので偏光
方向は回転されない。12はこの光束をp偏光、S偏光
に分離するための偏光ビームスプリッタ−であり、p偏
光成分光束は結像レンズ13、さらに瞳分割プリズム1
5により結像され、プリズム15−1を透過した光束は
結像面近傍に設けられた2分割光電変換素子17−1へ
入射し、プリズム15−2を透過した光束は結像面近傍
に設けられた2分割充電変換素子17−2へ入射する。
他方S偏光成分光束は偏光ビームスプリッタ−12によ
り反射され、結像レンズ14、瞳分割プリズム16によ
り結像され、プリズム16−1を透過した光束は結像面
近傍に設けられた要素光電変換素子18〜1へ入射し、
プリズム16−2を透過した光束は結像面近傍に設けら
れた要素光電変換素子18−2へ入射する。2分割光電
変換素子17.18は情報トラック方向(X方向)に垂
直な方向(y方向)に分割軸を有している。
り反射され、結像レンズ14、瞳分割プリズム16によ
り結像され、プリズム16−1を透過した光束は結像面
近傍に設けられた要素光電変換素子18〜1へ入射し、
プリズム16−2を透過した光束は結像面近傍に設けら
れた要素光電変換素子18−2へ入射する。2分割光電
変換素子17.18は情報トラック方向(X方向)に垂
直な方向(y方向)に分割軸を有している。
第2図は光磁気記録膜に記録された情報磁区のエツジ上
にスポット光5が入射した場合を示している。
にスポット光5が入射した場合を示している。
入射光束19上での電界ベクトルの方向は先の第1図の
場合と同じであり、20で示される。スポット光5が入
射する情報磁区はエツジ23を境に21.22で示され
るように互いにその磁化の方向が異なっている。入射ス
ポット光5の波面の内、磁化21の影響を受ける領域を
5−1、磁化22の影響を受ける領域を5−2とする。
場合と同じであり、20で示される。スポット光5が入
射する情報磁区はエツジ23を境に21.22で示され
るように互いにその磁化の方向が異なっている。入射ス
ポット光5の波面の内、磁化21の影響を受ける領域を
5−1、磁化22の影響を受ける領域を5−2とする。
波面5−1の光は磁化21による磁気カー効果を受け、
反射光束24のこの領域に対応する部分の光束24−1
は、カー回転を受け、その電界ベクトルは25で示され
る。
反射光束24のこの領域に対応する部分の光束24−1
は、カー回転を受け、その電界ベクトルは25で示され
る。
一方、波面5−2の光は磁化22による磁気カー効果を
受け、反射光束24のこの領域に対応する部分の光束2
4−2は、24−1とは反対方向へ偏光面が回転し、2
6で示されるような電界ベクトルとなる。
受け、反射光束24のこの領域に対応する部分の光束2
4−2は、24−1とは反対方向へ偏光面が回転し、2
6で示されるような電界ベクトルとなる。
この反射光束は対物レンズ4を透過後、第1の偏光ビー
ムスプリッタ−3、第2の偏光ビームスプリッタ−8に
より反射され、位相差調整光学素子10,1/2波長板
11に向かう。この1/2波長板通過後の光束内での偏
光成分をみると、第3図に示すようになる。
ムスプリッタ−3、第2の偏光ビームスプリッタ−8に
より反射され、位相差調整光学素子10,1/2波長板
11に向かう。この1/2波長板通過後の光束内での偏
光成分をみると、第3図に示すようになる。
第3図は、l/2波長板11を通過後の光束を第3図の
偏光ビームスプリッタ−12の手前から見た図であり、
]/2波長板11を通過した中央部の光束28.29内
での偏光方向は各々32.33て示され、1/2波長板
11を通過しない周辺部光束27.30の偏光方向31
.34と90度異なっている。
偏光ビームスプリッタ−12の手前から見た図であり、
]/2波長板11を通過した中央部の光束28.29内
での偏光方向は各々32.33て示され、1/2波長板
11を通過しない周辺部光束27.30の偏光方向31
.34と90度異なっている。
したがって、この光束が第3図の偏光ビームスプリッタ
−12を透過した後のp偏光成分を見ると、第4図に示
すように成る。第4図において、透過光束の中心部28
.29、周辺部27.30の偏光方向は先の第3図の電
界ベクトルのp偏光成分と成り、各々36.37、さら
に35.38となる。
−12を透過した後のp偏光成分を見ると、第4図に示
すように成る。第4図において、透過光束の中心部28
.29、周辺部27.30の偏光方向は先の第3図の電
界ベクトルのp偏光成分と成り、各々36.37、さら
に35.38となる。
同様にして、第3図の偏光ヒームスプリッター12を反
射した後のS偏光成分を見ると、第5図に示すようにな
る。第5図において、反射光束の中心部28.29、周
辺部27.30の偏光方向は先の第3図の電界ベクトル
のS偏光成分となり40.41、さらに39.42に示
す電界ベクトルとなる。
射した後のS偏光成分を見ると、第5図に示すようにな
る。第5図において、反射光束の中心部28.29、周
辺部27.30の偏光方向は先の第3図の電界ベクトル
のS偏光成分となり40.41、さらに39.42に示
す電界ベクトルとなる。
第6図は第3の偏光ビームスプリッタ−12を透過した
後の第4図に示したp偏光成分の光束が結像レンズ13
、瞳分割プリズム15により要素光電変換素子1.7−
1.17−2上に結像されるようすを示すものである。
後の第4図に示したp偏光成分の光束が結像レンズ13
、瞳分割プリズム15により要素光電変換素子1.7−
1.17−2上に結像されるようすを示すものである。
光束上半部27.28からの光束は結像レンズ透過後、
瞳分割プリズム15−1により上部へ光束が曲げられ、
要素光電変換素子17−1上に結像される。この光束内
の偏光成分は、第4図に示したように光束27と28と
で互いに位相が逆になっている。したがって要素光電変
換素子17−1上に結像されるスポット光は光束27と
28とがout−of−phaseで干渉した結果であ
り、光強度は両者単独の強度の和よりも少なくなる。
瞳分割プリズム15−1により上部へ光束が曲げられ、
要素光電変換素子17−1上に結像される。この光束内
の偏光成分は、第4図に示したように光束27と28と
で互いに位相が逆になっている。したがって要素光電変
換素子17−1上に結像されるスポット光は光束27と
28とがout−of−phaseで干渉した結果であ
り、光強度は両者単独の強度の和よりも少なくなる。
他方下部光束29.30からの光束は結像レンズ透過後
、瞳分割プリズム15−2により下部へ光束が曲げられ
、要素光電変換素子17−2上に結像される。この光束
内の偏光成分は第4図に示したように光束29.30と
は互いに同位相である。したがって要素光電変換素子1
7−2上に結像されるスポット光は光束29.30とが
1n−pha s eで干渉した結果であり、光強度は
両者単独の強度の和よりも多くなる。
、瞳分割プリズム15−2により下部へ光束が曲げられ
、要素光電変換素子17−2上に結像される。この光束
内の偏光成分は第4図に示したように光束29.30と
は互いに同位相である。したがって要素光電変換素子1
7−2上に結像されるスポット光は光束29.30とが
1n−pha s eで干渉した結果であり、光強度は
両者単独の強度の和よりも多くなる。
したがって2分割光電変換素子17−1.17−2上に
は等しくない光強度が入射し、この2つの要素光電変換
素子からの出力信号の差信号43はマイナスとなる。
は等しくない光強度が入射し、この2つの要素光電変換
素子からの出力信号の差信号43はマイナスとなる。
一方、第3の偏光ビームスプリッタ−12を反射した後
の第5図に示すS偏光成分光束が結像レンズ14、瞳分
割プリズム16により要素光電変換素子18−1.18
−2上に作るスポット光の光量についても同様に、光束
上部27.28からの光束が1n−phaseで干渉し
た結果としての光強度と、下部29.30からの光束が
out−of−phaseで干渉した結果としての光強
度との差が生じ、差信号はプラスとなる。
の第5図に示すS偏光成分光束が結像レンズ14、瞳分
割プリズム16により要素光電変換素子18−1.18
−2上に作るスポット光の光量についても同様に、光束
上部27.28からの光束が1n−phaseで干渉し
た結果としての光強度と、下部29.30からの光束が
out−of−phaseで干渉した結果としての光強
度との差が生じ、差信号はプラスとなる。
スポット光5の照射内に情報磁区エツジが存在しない場
合には、第2図の反射光束24内に電界ベクトルの方向
差が発生せず、したがって第3図に示したような反射光
束の28.29、または27.30での電界ベクトルの
方向差が発生しない。したがって各々の要素光電変換光
検出器上に結像されるスポット光の光量は等しく、差信
号はゼロとなる。
合には、第2図の反射光束24内に電界ベクトルの方向
差が発生せず、したがって第3図に示したような反射光
束の28.29、または27.30での電界ベクトルの
方向差が発生しない。したがって各々の要素光電変換光
検出器上に結像されるスポット光の光量は等しく、差信
号はゼロとなる。
以上述べたように、本実施例においては、瞳分割プリズ
ム15により、結像レンズ通過後の光束は偏向され、各
要素光電変換光検出器の有効受光面の中心に結像スポッ
トの中心が一致するようになる。このため従来の問題点
であった、空間分割光電変換光検出器の継目の光不感領
域での光量ロスを小さく出来、光磁気記録媒体からの少
ない反射光量を有効に利用する事ができる。
ム15により、結像レンズ通過後の光束は偏向され、各
要素光電変換光検出器の有効受光面の中心に結像スポッ
トの中心が一致するようになる。このため従来の問題点
であった、空間分割光電変換光検出器の継目の光不感領
域での光量ロスを小さく出来、光磁気記録媒体からの少
ない反射光量を有効に利用する事ができる。
さらに、格2分割光電変換素子からの差信号同士からさ
らに差信号を作り、これを用いれば、エツジを境とする
磁化変化の向きを検出することができる。すなわち、2
分割光電変換素子17−■、17−2からの差信号をS
l、同じく2分割光電変換素子18−1.18−2から
の差信号を82とし、この信号同士の差5l−32をエ
ツジ検出信号とすれば、光スポットが磁区を走査する時
第7図に示すような信号が得られ、エツジの変化の方向
に対応したエツジ検出信号を得ることができる。第7図
において44−1.44−2.44−3はそれぞれ1つ
の情報磁区を示す。この中の矢印は磁化の方向を示して
いる。
らに差信号を作り、これを用いれば、エツジを境とする
磁化変化の向きを検出することができる。すなわち、2
分割光電変換素子17−■、17−2からの差信号をS
l、同じく2分割光電変換素子18−1.18−2から
の差信号を82とし、この信号同士の差5l−32をエ
ツジ検出信号とすれば、光スポットが磁区を走査する時
第7図に示すような信号が得られ、エツジの変化の方向
に対応したエツジ検出信号を得ることができる。第7図
において44−1.44−2.44−3はそれぞれ1つ
の情報磁区を示す。この中の矢印は磁化の方向を示して
いる。
第8図は瞳分割プリズムの代わりの他の手段を示す図で
ある。
ある。
同図において、45は第2の偏光ビームスプリッタ−8
からの反射光束であり、46は46−14.6−2の2
つのレンズ光軸を距離Gづらした複合レンズであり、そ
の断面は第9図に示すようである。結像レンズ46−1
を透過した光束は2分割充電変換素子47−1上に結像
し、結像レンズ46−2を透過した光束は2分割光電変
換素子47−2上に結像する。この複合レンズを先の実
施例の結像レンズと瞳分割プリズムの対と置き換える事
により、同じ機能を果たす光学系を実現できる。
からの反射光束であり、46は46−14.6−2の2
つのレンズ光軸を距離Gづらした複合レンズであり、そ
の断面は第9図に示すようである。結像レンズ46−1
を透過した光束は2分割充電変換素子47−1上に結像
し、結像レンズ46−2を透過した光束は2分割光電変
換素子47−2上に結像する。この複合レンズを先の実
施例の結像レンズと瞳分割プリズムの対と置き換える事
により、同じ機能を果たす光学系を実現できる。
以上説明したように、本発明は光磁気記録膜によって生
じる磁気カー効果のS偏光成分を用いて従来の光磁気ヘ
ッドの構造を複雑化することなく高精度に情報磁区エツ
ジを検出できる光量利用効率の高い光磁気ディスク用の
光ヘッドを実現するものである。
じる磁気カー効果のS偏光成分を用いて従来の光磁気ヘ
ッドの構造を複雑化することなく高精度に情報磁区エツ
ジを検出できる光量利用効率の高い光磁気ディスク用の
光ヘッドを実現するものである。
第1図は本発明の光学的情報再生装置に用いられる光ヘ
ッドの概略図、 第2図は記録された情報磁区のエツジ上にスポット光が
入射した場合を示す図、 第3図は1/2は波長板通過後の光束の偏光成分を示す
図、 第4図及び第5図は偏光ビームスプリッタ−通過後の光
束の偏光成分を示す図、 第6図は偏光ビームスプリッタ−通過後の光束が光電変
換素子上に結像される様子を示す図、第7図は光電変換
素子からの信号を示す図、第8図及び第9図は瞳分割プ
リズムの代わりに複合レンズを用いた例を説明する図で
ある。 1・・・半導体レーザ 2・・・コリメータレンズ 3・・・第1の偏光ビームスプリッタ−4・・・対物レ
ンズ 5・・・ 投光スポット 6・・・光磁気ディスクに設けられた情報トラック7・
・・トラッキング用に設けられた案内溝8・・・第2の
偏光ビームスプリッタ−10・・・位相差調整光学素子 11・・・1/2波長板 12・・・第3の偏光ビームスプリッタ−13,14・
・・結像レンズ 15.16・・・瞳光束分割素子、 17.18・・・2分割光電変換素子
ッドの概略図、 第2図は記録された情報磁区のエツジ上にスポット光が
入射した場合を示す図、 第3図は1/2は波長板通過後の光束の偏光成分を示す
図、 第4図及び第5図は偏光ビームスプリッタ−通過後の光
束の偏光成分を示す図、 第6図は偏光ビームスプリッタ−通過後の光束が光電変
換素子上に結像される様子を示す図、第7図は光電変換
素子からの信号を示す図、第8図及び第9図は瞳分割プ
リズムの代わりに複合レンズを用いた例を説明する図で
ある。 1・・・半導体レーザ 2・・・コリメータレンズ 3・・・第1の偏光ビームスプリッタ−4・・・対物レ
ンズ 5・・・ 投光スポット 6・・・光磁気ディスクに設けられた情報トラック7・
・・トラッキング用に設けられた案内溝8・・・第2の
偏光ビームスプリッタ−10・・・位相差調整光学素子 11・・・1/2波長板 12・・・第3の偏光ビームスプリッタ−13,14・
・・結像レンズ 15.16・・・瞳光束分割素子、 17.18・・・2分割光電変換素子
Claims (2)
- (1)半導体レーザからの光束を投光光学系により対物
レンズを介して微小スポット光として、垂直磁気記録媒
体から成る情報記録面上に設けられた1つの情報トラッ
クに導き、 前記情報記録面からの反射光を、前記対物レンズを介し
て受光光学系により第1、第2の空間的に分離された要
素光電変換光検出器から成る2分割光電変換光検出器に
導き、前記情報トラック上に記録された情報の再生を行
う光学的情報再生装置において、 前記受光光学系は、前記反射光束を前記情報トラック方
向に第1、第2の領域に分割し、前記第1の領域の光束
を前記第1の要素光検出器上に結像させ、前記第2の領
域の光束を前記第2の要素光電検出器上に結像させる瞳
分割結像系を有し、前記2分割光電変換光検出器からの
信号を用いて前記情報トラック上の情報を検出する事を
特徴とする光学的情報再生装置。 - (2)半導体レーザからの光束を投光光学系により対物
レンズを介して微小スポット光として、垂直磁気記録媒
体からなる情報記録面上に設けられた情報磁区に導き、
前記情報磁区からの反射光を前記対物レンズを介して受
光光学系により第1、第2の空間的に分離された要素光
電変換検出器から成る2分割光電変換光検出器に導き、
前記情報記録面上に記録された情報磁区エッジの再生を
行う光学的情報再生装置において、 前記受光光学系は、前記情報記録面からの反射光束内の
一部の領域の光束の偏光方向を90度回転させる偏光方
向回転光学素子と、 前記領域内の光束とこの領域外の光束との位相差をある
値に調整可能な位相差調整光学素子と、前記偏光方向回
転光学素子および/または位相差調整光学素子を透過し
た光束を第1、第2の領域に分割し、前記第1の領域の
光束を前記第1の要素光検出器上に結像させ、前記第2
の領域の光束を前記第2の要素光電検出器上に結像させ
る光束分割結像系とを有し、 前記2分割光電変換光検出器からの差信号を用いて前記
情報磁区のエッジを検出する事を特徴とする光学的情報
再生装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31068290A JPH04182952A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 光学的情報再生装置 |
DE69126160T DE69126160T2 (de) | 1990-03-16 | 1991-03-15 | Aufzeichnungs-/Wiedergabegerät für optische Information |
EP91302268A EP0447265B1 (en) | 1990-03-16 | 1991-03-15 | Optical information recording/reproducing apparatus |
US08/165,548 US5581532A (en) | 1990-03-16 | 1993-12-13 | Optical information recording/reproducing apparatus for accurately detecting magnetic domain edges |
US08/282,768 US5712840A (en) | 1990-03-16 | 1994-07-29 | Optical information recording/reproduciing apparatus having two-division detectors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31068290A JPH04182952A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 光学的情報再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04182952A true JPH04182952A (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=18008187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31068290A Pending JPH04182952A (ja) | 1990-03-16 | 1990-11-16 | 光学的情報再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04182952A (ja) |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31068290A patent/JPH04182952A/ja active Pending
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