JPH04181251A - フォトマスク検査装置 - Google Patents
フォトマスク検査装置Info
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- JPH04181251A JPH04181251A JP2308582A JP30858290A JPH04181251A JP H04181251 A JPH04181251 A JP H04181251A JP 2308582 A JP2308582 A JP 2308582A JP 30858290 A JP30858290 A JP 30858290A JP H04181251 A JPH04181251 A JP H04181251A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000282693 Cercopithecidae Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体等の回路パターンを転写する時に原版
として使用されるフォトマスクの検査装置に関し、詳し
くは透過光の位相を変化させる位相シフター服か特定部
分に付加された位相シフトフォトマスクにおける位相シ
フト量を計測する技術に関するものである。
として使用されるフォトマスクの検査装置に関し、詳し
くは透過光の位相を変化させる位相シフター服か特定部
分に付加された位相シフトフォトマスクにおける位相シ
フト量を計測する技術に関するものである。
[従来の技術]
半導体回路をウェハ上に投影露光して転写する際に原版
として用いられるフォトマスクは、一般には石英等のガ
ラス基板上にCr等の金属からなる遮光パターンが形成
された構造をなしている。
として用いられるフォトマスクは、一般には石英等のガ
ラス基板上にCr等の金属からなる遮光パターンが形成
された構造をなしている。
しかし、このような構造のフォトマスクでは、回路パタ
ーンが微細化すると、光の回折・干渉現象のために投影
像の十分なコントラストを得ることがてきないという問
題かあり、近年、フォトマスク裸面部の特定の箇所に位
相シフター膜を付加して透過光の位相を部分的に変化さ
せることにより像のコントラストを高める位相シフトフ
ォトマスクが種々提案されている。例えは特公昭62−
50811号公報には、空間波長変調型のフォトマスク
に関する技術が開示されている。
ーンが微細化すると、光の回折・干渉現象のために投影
像の十分なコントラストを得ることがてきないという問
題かあり、近年、フォトマスク裸面部の特定の箇所に位
相シフター膜を付加して透過光の位相を部分的に変化さ
せることにより像のコントラストを高める位相シフトフ
ォトマスクが種々提案されている。例えは特公昭62−
50811号公報には、空間波長変調型のフォトマスク
に関する技術が開示されている。
かかる位相シフトフォトマスクでは、位相を正確に制御
することが重要となるため、遮光パターンの欠損の有無
等の他に位相シフター膜による位相シフト量を検査する
ことが必要となるが、従来は、薄膜表面と基板・薄膜界
面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率を測定す
るエリプソメーター等を用いて位相シフト量を求めてい
た。
することが重要となるため、遮光パターンの欠損の有無
等の他に位相シフター膜による位相シフト量を検査する
ことが必要となるが、従来は、薄膜表面と基板・薄膜界
面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率を測定す
るエリプソメーター等を用いて位相シフト量を求めてい
た。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来、位相シフトフォトマスクの検査に
用いられていたエリプソメーターは、上述したように基
板・薄膜界面における反射を利用して膜厚や屈折率の測
定を行なう為、基板と薄膜とに屈折率差のない場合には
測定が不可能である。
用いられていたエリプソメーターは、上述したように基
板・薄膜界面における反射を利用して膜厚や屈折率の測
定を行なう為、基板と薄膜とに屈折率差のない場合には
測定が不可能である。
ところが、位相シフトフォトマスクの基板は一般に石英
ガラスからなり、位相シフター膜は通常スパッターによ
り形成された5i0211!で構成されるため、両者の
屈折率はほぼ等しい。しかるに、基板と薄膜との界面で
の反射光強度は非常に弱く、エリプソメーターを利用し
ての位相シフター膜の屈折率及び膜厚の計測、即ち位相
シフト量の計測は困難てあった。
ガラスからなり、位相シフター膜は通常スパッターによ
り形成された5i0211!で構成されるため、両者の
屈折率はほぼ等しい。しかるに、基板と薄膜との界面で
の反射光強度は非常に弱く、エリプソメーターを利用し
ての位相シフター膜の屈折率及び膜厚の計測、即ち位相
シフト量の計測は困難てあった。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、位
相シフター膜による位相シフト量(即ち位相シフターの
膜厚)の正確な計測か可能な位相シフトフォトマスクの
検査装置を提供することを目的とするものである。
相シフター膜による位相シフト量(即ち位相シフターの
膜厚)の正確な計測か可能な位相シフトフォトマスクの
検査装置を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段コ
本発明のフォトマスク検査装置は、所定波長の光ビーム
に対してほぼ透明な基板に幾何学的な原画パターンを有
し、該原画パターンの少なくとも一部に前記透明基板を
透過する光ビームの位相を変化させる位相部材を備えた
フォトマスクを検査する装置であり、上記の課題を達成
するために、前記フォトマスクに単色光又は準単色光を
照射する照射光学系と、該照射光学系からの照射光によ
る前記フォトマスクのパターン像を所定の基準平面内に
結像する検出光学系と、該検出光学系の瞳面近傍に配置
され、前記フォトマスクの検査用バターンを透過する光
のうち、零次回折光と±1次回折光以外の光を遮光する
とともに、前記±1次回折光の何れか一方を遮光可能な
遮光手段と、前記検出光学系による前記フォトマスクの
パターン像を光電検出するパターン検出手段とを備えた
こと特徴とするものである。
に対してほぼ透明な基板に幾何学的な原画パターンを有
し、該原画パターンの少なくとも一部に前記透明基板を
透過する光ビームの位相を変化させる位相部材を備えた
フォトマスクを検査する装置であり、上記の課題を達成
するために、前記フォトマスクに単色光又は準単色光を
照射する照射光学系と、該照射光学系からの照射光によ
る前記フォトマスクのパターン像を所定の基準平面内に
結像する検出光学系と、該検出光学系の瞳面近傍に配置
され、前記フォトマスクの検査用バターンを透過する光
のうち、零次回折光と±1次回折光以外の光を遮光する
とともに、前記±1次回折光の何れか一方を遮光可能な
遮光手段と、前記検出光学系による前記フォトマスクの
パターン像を光電検出するパターン検出手段とを備えた
こと特徴とするものである。
[作 用コ
本発明の原理を第2図及び第3図を使用して説明する。
第2図は本発明におけるテスト用位相シフトフォトマス
クパターンの例であって、フォトマスク基板9の下面に
は狭い間隔をあけて対をなす遮光パターン10aの組か
一定の幅のマスク裸面パターン10cを介して繰り返し
配列され、更に対をなす遮光パターン10aにまたがる
ように位相シフター11i10dが設けられている。即
ち、位相シフター服付パターン10b(マスク裸面部上
に位相シフター膜10dが付加された部分)とマスク裸
面パターン10cとがいわゆるラインアンドスペース状
に並んだパターン構成となっている。
クパターンの例であって、フォトマスク基板9の下面に
は狭い間隔をあけて対をなす遮光パターン10aの組か
一定の幅のマスク裸面パターン10cを介して繰り返し
配列され、更に対をなす遮光パターン10aにまたがる
ように位相シフター11i10dが設けられている。即
ち、位相シフター服付パターン10b(マスク裸面部上
に位相シフター膜10dが付加された部分)とマスク裸
面パターン10cとがいわゆるラインアンドスペース状
に並んだパターン構成となっている。
フォトマスク基板9を上方より照明する光束L3は、各
パターン10a、IOb、10cにより回折され、第2
図に示されるように零次回折光し。、+1次回折光り、
、−1次回折光り。を生しる。
パターン10a、IOb、10cにより回折され、第2
図に示されるように零次回折光し。、+1次回折光り、
、−1次回折光り。を生しる。
このとき、各回折光の振幅の比は、マスク裸面パターン
10cの幅をr1位相シフター服付パターン10bの幅
をq、マスク裸面パターン10c中心から次のマスク裸
面パターンIOcの中心までの距離をpとし、かつ、位
相シフター膜による透過光の位相変化を(π+δ)とす
れは、透過光の振幅はマスク裸面パターン10cの中心
を基準として 零次光振幅= r−qe“S で与えられる。
10cの幅をr1位相シフター服付パターン10bの幅
をq、マスク裸面パターン10c中心から次のマスク裸
面パターンIOcの中心までの距離をpとし、かつ、位
相シフター膜による透過光の位相変化を(π+δ)とす
れは、透過光の振幅はマスク裸面パターン10cの中心
を基準として 零次光振幅= r−qe“S で与えられる。
このとき+1次光は7次光に対して、それぞれ±sin
θ=λ/p(λは押針光の波長)となる角度をもつ紙面
内の方向へ進む。これら3木の回折光のうち、−1次光
を遮光し、零次光と+1次光とを結像させると、第3図
に示す様な2光束干渉による干渉縞30(図では振幅分
布として示す)が発生する。
θ=λ/p(λは押針光の波長)となる角度をもつ紙面
内の方向へ進む。これら3木の回折光のうち、−1次光
を遮光し、零次光と+1次光とを結像させると、第3図
に示す様な2光束干渉による干渉縞30(図では振幅分
布として示す)が発生する。
結像位置における7次光、+1次光の各振幅は、例えば
X方向くパターン配列方向)に、零次光= r−qe″
f となるが、結像位置よりずれてデフォーカスした場合に
は、波面収差がこれに乗算される。零次光と+1次光の
位相は相対量としては重要であるが、絶対量としては意
味がないので、波面収差として+1次光と零次光との位
相差分=e1wを+1次光に乗算する。
X方向くパターン配列方向)に、零次光= r−qe″
f となるが、結像位置よりずれてデフォーカスした場合に
は、波面収差がこれに乗算される。零次光と+1次光の
位相は相対量としては重要であるが、絶対量としては意
味がないので、波面収差として+1次光と零次光との位
相差分=e1wを+1次光に乗算する。
これより、各振幅は
零次光=r−qe”
π pp
となる。
このとき強度分布としては、2光束の振幅加算の絶対値
の2乗となるので、 強度分布Pは π p π pπ
p π px cos
(−2yr −+w) π p ytp xsi口(−2π−+w)X Sjn (δ)
・申・ (1)となる。
の2乗となるので、 強度分布Pは π p π pπ
p π px cos
(−2yr −+w) π p ytp xsi口(−2π−+w)X Sjn (δ)
・申・ (1)となる。
これを簡略化すると、
P−D(δ )+C(δ ) ・cos (−2r
t −+w)−5(δ) ・sin (−2yt −
+w) −(2)となる。従ってδの値により、
像強度のコサイン成分(上記(2)式中C(δ))とサ
イン成分(上記(2)式中S(δ))の比が変化し、フ
ォトマスクのパターン像はX方向(干渉縞と直交する方
向)で+、−にシフトすることになる。
t −+w)−5(δ) ・sin (−2yt −
+w) −(2)となる。従ってδの値により、
像強度のコサイン成分(上記(2)式中C(δ))とサ
イン成分(上記(2)式中S(δ))の比が変化し、フ
ォトマスクのパターン像はX方向(干渉縞と直交する方
向)で+、−にシフトすることになる。
本発明においては、この像のシフト量を検出手段により
検出し、位相シフター膜による位相シフト量(π+δ)
を計測する。ここで、上記パターン(第2図)の像は、
第4図に示されたような位相シフター11i10dとマ
スク裸面パターン10cとが一定のピッチで交互に配列
されたフォトマスクのパターン像と同様に正弦的な強度
分布を持っており、本発明ではそのシフト量(正弦波の
位相)を検出するのて、分解能が良く、高精度の計測が
可能となる。
検出し、位相シフター膜による位相シフト量(π+δ)
を計測する。ここで、上記パターン(第2図)の像は、
第4図に示されたような位相シフター11i10dとマ
スク裸面パターン10cとが一定のピッチで交互に配列
されたフォトマスクのパターン像と同様に正弦的な強度
分布を持っており、本発明ではそのシフト量(正弦波の
位相)を検出するのて、分解能が良く、高精度の計測が
可能となる。
[実施例]
第1図は本発明実施例によるフォトマスク検査装置の構
成を示す概略図である。図におし1て、光源である水銀
ランプ1を発した光は楕円鏡2て集光され(図中Ll)
、 ミラー3により曲げられてリレーレンズ4に達する
。次に干渉フィルター等の波長選択素子5により単色化
されて、フォトマスクか用いられる露光装置の露光光と
同し波長の単色光となり(図中L2)、開口絞り6を通
ってコンデンサーレンズ7により集光され(図中L3)
、ミラー8により検査すべきフォトマスク9に達する。
成を示す概略図である。図におし1て、光源である水銀
ランプ1を発した光は楕円鏡2て集光され(図中Ll)
、 ミラー3により曲げられてリレーレンズ4に達する
。次に干渉フィルター等の波長選択素子5により単色化
されて、フォトマスクか用いられる露光装置の露光光と
同し波長の単色光となり(図中L2)、開口絞り6を通
ってコンデンサーレンズ7により集光され(図中L3)
、ミラー8により検査すべきフォトマスク9に達する。
この際、楕円鏡2とミラー3との少なくとも一方はダイ
クロイックミラーであっても良く、この場合には波長選
択素子5を省くことが可能となる。また、露光装置の光
源にレーザ(例えばKrFエキシマレーザ等)か用いら
れている場合には、これに合わせて水銀ランプ1の代わ
りにレーザを光源として用いても良い。更に、上記装置
の照明光学系(1〜8)はクリティカル照明となってい
るが、当然ながらケラ−照明を採用しても構わない。
クロイックミラーであっても良く、この場合には波長選
択素子5を省くことが可能となる。また、露光装置の光
源にレーザ(例えばKrFエキシマレーザ等)か用いら
れている場合には、これに合わせて水銀ランプ1の代わ
りにレーザを光源として用いても良い。更に、上記装置
の照明光学系(1〜8)はクリティカル照明となってい
るが、当然ながらケラ−照明を採用しても構わない。
フォトマスク9は水平面内で2次元移動可能なステージ
R3上に載置されており、その下面には回路パターンR
Pの他に、第2図て説明したようなテスト用パターンT
P(遮光パターン10a。
R3上に載置されており、その下面には回路パターンR
Pの他に、第2図て説明したようなテスト用パターンT
P(遮光パターン10a。
位相シフター膜付パターン10b、マスク裸面パターン
10c 実施例では総称してテスト用パターンと呼ぶ
)が回路パターンRPと同一の製造工程で形成されてい
る。ここで、第6図は本実施例による装置に用いられる
フォトマスクの一例を示す平面図であ。第6図において
テスト用パターンTPは回路パターンRPとともに、ク
ロム等の遮光体LSで囲まれたパターン領域PA(ここ
では特にストリートライン相当領域)内に形成されてい
る。このため、ステージRSはフォトマスク9を保持し
た後、テスト用パターンTPが光束L3の照射領域内に
入る用に不図示のモータにより駆動される。この結果、
照射光L3はフォトマスク9中のこのテスト用パターン
TP近傍を照明する。
10c 実施例では総称してテスト用パターンと呼ぶ
)が回路パターンRPと同一の製造工程で形成されてい
る。ここで、第6図は本実施例による装置に用いられる
フォトマスクの一例を示す平面図であ。第6図において
テスト用パターンTPは回路パターンRPとともに、ク
ロム等の遮光体LSで囲まれたパターン領域PA(ここ
では特にストリートライン相当領域)内に形成されてい
る。このため、ステージRSはフォトマスク9を保持し
た後、テスト用パターンTPが光束L3の照射領域内に
入る用に不図示のモータにより駆動される。この結果、
照射光L3はフォトマスク9中のこのテスト用パターン
TP近傍を照明する。
照射光L3は、テスト用パターンTP (IOa。
10b、l0c)により回折され、零次回折光り。
、+1次回折光Lp、 1次回折光Lmか発生する
。
。
この3つの回折光は共に検出光学系11aへ入射するか
、+1次光Lpまたは一1次光Lfflの、どちらか一
方は検出光学系11a、Ilbの瞳面近傍に配置された
遮光部材12aまたは12bにより遮光される。第1図
中では、−1次光が遮光される例を示した。遮光部材1
2a、12bは制御回路15からの駆動指令に基いてモ
ータMT、により駆動される。なお、遮光部材12a、
12bにより2次以上の回折光は遮光される。従って、
7次光り、と+1次光LPの2光束が検出光学系11b
を通り、検出手段13上に結像される。この検出手段1
3としてはCOD等の撮像素子、又はマルチスリット付
のフォトダイオード等を使用する。
、+1次光Lpまたは一1次光Lfflの、どちらか一
方は検出光学系11a、Ilbの瞳面近傍に配置された
遮光部材12aまたは12bにより遮光される。第1図
中では、−1次光が遮光される例を示した。遮光部材1
2a、12bは制御回路15からの駆動指令に基いてモ
ータMT、により駆動される。なお、遮光部材12a、
12bにより2次以上の回折光は遮光される。従って、
7次光り、と+1次光LPの2光束が検出光学系11b
を通り、検出手段13上に結像される。この検出手段1
3としてはCOD等の撮像素子、又はマルチスリット付
のフォトダイオード等を使用する。
ここで、検出手段13上に結像されるテスト用パターン
TPの像の強度分布Pは、前述したように、 P=D(δ )十C(δ) ・cos (−2yr 二
+w)p −5(δ) ・s in (−2yr −+w)である
ので、位相シフター膜による位相シフト量としてのδの
みでなく、デフォーカスによる波面収差Wによってもパ
ターン像のX方向(パターン配列方向)へのシフトは発
生してしまう。
TPの像の強度分布Pは、前述したように、 P=D(δ )十C(δ) ・cos (−2yr 二
+w)p −5(δ) ・s in (−2yr −+w)である
ので、位相シフター膜による位相シフト量としてのδの
みでなく、デフォーカスによる波面収差Wによってもパ
ターン像のX方向(パターン配列方向)へのシフトは発
生してしまう。
このため、測定時には、先ず遮光部材12aを−1次光
り、の光路よりはずし、検出手段13上に零次光LO,
+1次光L2−1次光り、の3光束からなる干渉像を結
像させる。そして、上下動ステージ14を検出光学系1
1a、llbの光軸方向(2方向)に上下させ(即ち検
出手段13を上下させ)つつ、像のコントラストを測定
し、制御回路15によって像のコントラストが最も高く
なる位置を探してベストフォーカス位置(検出光学系1
1a、llbの最良結像面)を決定する。しかる後、ベ
ストフォーカス位置に検出手段13の受光面を固定し、
遮光部材12aで−1次光りゆを遮光して干渉像の検出
を行なう。このとき、波面収差Wは零となるので、像の
位置すれは位相シフター服による位相シフト量δによっ
てのみ生じる。
り、の光路よりはずし、検出手段13上に零次光LO,
+1次光L2−1次光り、の3光束からなる干渉像を結
像させる。そして、上下動ステージ14を検出光学系1
1a、llbの光軸方向(2方向)に上下させ(即ち検
出手段13を上下させ)つつ、像のコントラストを測定
し、制御回路15によって像のコントラストが最も高く
なる位置を探してベストフォーカス位置(検出光学系1
1a、llbの最良結像面)を決定する。しかる後、ベ
ストフォーカス位置に検出手段13の受光面を固定し、
遮光部材12aで−1次光りゆを遮光して干渉像の検出
を行なう。このとき、波面収差Wは零となるので、像の
位置すれは位相シフター服による位相シフト量δによっ
てのみ生じる。
制御回路15ては、ベストフォーカス位置を決定した際
の7次光り。、+1次光り、−1次光り、の3光束から
なる干渉像の強度分布を基準として。
の7次光り。、+1次光り、−1次光り、の3光束から
なる干渉像の強度分布を基準として。
検出手段13より得られる光量信号の解析を行ない、像
の位置ずれ量の決定を行なう。即ち、零次光Lo、±1
次光り、、 L□ の3光束からなる干渉像の強度分布
はほぼサイン波状となるので、同しくサイン波となる零
次光LOと+1次光し、の2光束による干渉像の強度分
布との位相差を求めることにより、位相シフター膜によ
る位相シフト量(位相シフターの膜厚)に対応する干渉
像の位置ずれ量が求められる。また、予め7次光り。を
空間フィルターによって除外しておき、ベストフォーカ
ス位置で+1次光LPと−1次光り、どの干渉像を結像
させてこの強度分布を基準として上記の位相差を求める
こともできる。この場合は基準となる強度分布も完全な
サイン波となる。
の位置ずれ量の決定を行なう。即ち、零次光Lo、±1
次光り、、 L□ の3光束からなる干渉像の強度分布
はほぼサイン波状となるので、同しくサイン波となる零
次光LOと+1次光し、の2光束による干渉像の強度分
布との位相差を求めることにより、位相シフター膜によ
る位相シフト量(位相シフターの膜厚)に対応する干渉
像の位置ずれ量が求められる。また、予め7次光り。を
空間フィルターによって除外しておき、ベストフォーカ
ス位置で+1次光LPと−1次光り、どの干渉像を結像
させてこの強度分布を基準として上記の位相差を求める
こともできる。この場合は基準となる強度分布も完全な
サイン波となる。
なお、上記においては、−1次光を遮光した場合につい
て説明したが、+1次光を遮光し、零次光と−1次光に
よる像を計測しても同様にδを求めることができる。ま
た、両者(零次光と+1次光、V次光と−1次光)の計
測を行ない、その結果を平均してもよい。この際、基準
となる強度分布を求めすとも、上記両者の計測を行なり
てその位相差を求めることによって、この位相差の1/
2の値を位相シフト量に対応する位相差として求めるこ
とができる。
て説明したが、+1次光を遮光し、零次光と−1次光に
よる像を計測しても同様にδを求めることができる。ま
た、両者(零次光と+1次光、V次光と−1次光)の計
測を行ない、その結果を平均してもよい。この際、基準
となる強度分布を求めすとも、上記両者の計測を行なり
てその位相差を求めることによって、この位相差の1/
2の値を位相シフト量に対応する位相差として求めるこ
とができる。
回路パターンRPとテスト用パターンTPは同一工程で
形成されており、両パターンにおける位相シフト量は同
等とみなすことができ、上述のよ・うにしてテスト用パ
ターンTPにおける位相シフト量を計測することで、回
路パターンRPにおける位相シフト量を知ることができ
る。
形成されており、両パターンにおける位相シフト量は同
等とみなすことができ、上述のよ・うにしてテスト用パ
ターンTPにおける位相シフト量を計測することで、回
路パターンRPにおける位相シフト量を知ることができ
る。
さて、ここで検出手段13上に結像する零次光と+1次
光または−1次光との2光束干渉による像のコントラス
トは、零次光と+1次光との強度が等しい場合が最も高
く、強度が著しく異なる場合は大変低くなる。このため
、位相をπ変化させる位相シフター膜付パターンとマス
ク裸面パターンとの面積比かl 1であると、零次光は
相殺されて発生しなくなるため、本発明におけるテスト
用パターンTPとしては適ざない。
光または−1次光との2光束干渉による像のコントラス
トは、零次光と+1次光との強度が等しい場合が最も高
く、強度が著しく異なる場合は大変低くなる。このため
、位相をπ変化させる位相シフター膜付パターンとマス
ク裸面パターンとの面積比かl 1であると、零次光は
相殺されて発生しなくなるため、本発明におけるテスト
用パターンTPとしては適ざない。
強度比を零次光と+1次光とで等しくするには、それぞ
れの面積の比か7:1から72あるいはlニアから2ニ
ア程度であれば良い。
れの面積の比か7:1から72あるいはlニアから2ニ
ア程度であれば良い。
また、テスト用パターンとしては、第2図に示す様な遮
光パターン付のものでなくとも、第4図に示す様に位相
シフト服パターン10dとマスク裸面パターン10cだ
けか交互に配列されたものでも良い。なおテスト用パタ
ーンTPは、フォトマスク9のどこに配置しても良い。
光パターン付のものでなくとも、第4図に示す様に位相
シフト服パターン10dとマスク裸面パターン10cだ
けか交互に配列されたものでも良い。なおテスト用パタ
ーンTPは、フォトマスク9のどこに配置しても良い。
更に、回路パターンRPの一部に第2図や第4図に示し
たようなパターンがあれば、特別にテスト用パターンを
設けずとも回路パターンRPの一部を用いて上記と同様
な計測を行なうことが可能である。
たようなパターンがあれば、特別にテスト用パターンを
設けずとも回路パターンRPの一部を用いて上記と同様
な計測を行なうことが可能である。
また、前述の(1)式より、rとqの値が近い程コサイ
ン成分が減少し、従って、干渉像のすれ量tanα−5
/Cが増大するとことがわかる。しかしなからrと9を
近づけると、零次光の光量が減少し、検出手段上の像は
、充分なコントラストを有することができなくなる。こ
のような条件下でも充分な像コントラストを得るために
は第5図(フォトマスク9.検出光学系11a、Ifb
、遮光部材12a、12bの配置は第1図に同じ)に示
すように、検出光学系11a、llbの瞳面近傍に、±
1次光光路に相当する部分に減光部材51を有する空間
フィルター50を挿入し、±1次光強度の強度を零次光
に近づければ良い。第5図の構成では(1)式のrとq
の値と近づけることが可能であり、従ってδの変化に対
するαの変化が大きくなり、より高精度に位相シフト量
を計測することが可能となる。
ン成分が減少し、従って、干渉像のすれ量tanα−5
/Cが増大するとことがわかる。しかしなからrと9を
近づけると、零次光の光量が減少し、検出手段上の像は
、充分なコントラストを有することができなくなる。こ
のような条件下でも充分な像コントラストを得るために
は第5図(フォトマスク9.検出光学系11a、Ifb
、遮光部材12a、12bの配置は第1図に同じ)に示
すように、検出光学系11a、llbの瞳面近傍に、±
1次光光路に相当する部分に減光部材51を有する空間
フィルター50を挿入し、±1次光強度の強度を零次光
に近づければ良い。第5図の構成では(1)式のrとq
の値と近づけることが可能であり、従ってδの変化に対
するαの変化が大きくなり、より高精度に位相シフト量
を計測することが可能となる。
なお、上記実施例におけるテスト用パターンTPのピッ
チP(ここではマスク裸面パターン間の距離を指す)は
任意で構わない。
チP(ここではマスク裸面パターン間の距離を指す)は
任意で構わない。
また、上記実施例では開口絞り6について特に述べてい
なかったが、検出光学系11a、11bの瞳面近傍にお
いてテスト用パターンTPからの零次光及び±1次光か
それぞれ分離するように調節してやれは良いここでは、
照射光学系(1〜8)の開口数(λ/2P)以下に定め
てやれば良い。
なかったが、検出光学系11a、11bの瞳面近傍にお
いてテスト用パターンTPからの零次光及び±1次光か
それぞれ分離するように調節してやれは良いここでは、
照射光学系(1〜8)の開口数(λ/2P)以下に定め
てやれば良い。
更に、フォトマスク9上ての光束L3の開明領域の大ぎ
さや形状等は、上記の実施例の如く固定ても構わないか
、検査用パターンTP以外のパターンから生しる回折光
や散乱光か検出手段13に入射し得るので、フォトマス
ク9とほぼ共役な面内に視野絞りを配置するとともに、
検査用パターンTPの大きさや形状に応して開口を可変
に構成することが好ましい。
さや形状等は、上記の実施例の如く固定ても構わないか
、検査用パターンTP以外のパターンから生しる回折光
や散乱光か検出手段13に入射し得るので、フォトマス
ク9とほぼ共役な面内に視野絞りを配置するとともに、
検査用パターンTPの大きさや形状に応して開口を可変
に構成することが好ましい。
また、上記実施例では遮光部材12a、12bにより零
次光や±1次光の遮光を行なっていたが、例えばテスト
用パターンTPのフーリエ変換パターン(すなわち瞳面
における零次光や±1次光の位置や大きさ)に応して数
種類の空間フィルター(遮光部材)を用意しておき、こ
れらを瞳面近傍に交換して挿入するように構成しても良
く、先の遮光部材12a、12bと全く同様の効果を得
ることができる。更に、遮光手段として液晶表示素子や
エレクトロクロミック素子等を用いても良く、この場合
にはテスト用パターンのピッチや照明条件等が変化して
も簡単に零次光や±1次光を抽出することが可能になる
といった利壱、がある。この際、±1次光が通過する部
分の透過率を調節することによって、先の空間フィルタ
ー50(第5図)の機能を遮光部材に持たせることが可
能となる。
次光や±1次光の遮光を行なっていたが、例えばテスト
用パターンTPのフーリエ変換パターン(すなわち瞳面
における零次光や±1次光の位置や大きさ)に応して数
種類の空間フィルター(遮光部材)を用意しておき、こ
れらを瞳面近傍に交換して挿入するように構成しても良
く、先の遮光部材12a、12bと全く同様の効果を得
ることができる。更に、遮光手段として液晶表示素子や
エレクトロクロミック素子等を用いても良く、この場合
にはテスト用パターンのピッチや照明条件等が変化して
も簡単に零次光や±1次光を抽出することが可能になる
といった利壱、がある。この際、±1次光が通過する部
分の透過率を調節することによって、先の空間フィルタ
ー50(第5図)の機能を遮光部材に持たせることが可
能となる。
ここて、検査対象となるフォトマスクは位相シフターを
備えていれば何でも良く、空間周波数変調型、エツジ強
調型、あるいは遮光効果強調型の位相シフトフォトマス
ク、もしくは位相シフター(訪電体服)とマスク裸面部
のみで形成されたフォトマスクであっても構わない。な
お、特にエツジ強調型や遮光効果強調型の場合には、上
記実施例と同様に回路パターンと別にテスト用パターン
を用意しておくことが望ましい。
備えていれば何でも良く、空間周波数変調型、エツジ強
調型、あるいは遮光効果強調型の位相シフトフォトマス
ク、もしくは位相シフター(訪電体服)とマスク裸面部
のみで形成されたフォトマスクであっても構わない。な
お、特にエツジ強調型や遮光効果強調型の場合には、上
記実施例と同様に回路パターンと別にテスト用パターン
を用意しておくことが望ましい。
また、上記実施例ではステージR5を駆動して光束L3
の照明領域内にテスト用パターンTPを設定していたが
、例えはフォトマスク9とほぼ共役な面に可変ブライン
ド(視野絞り)を配置することによって、フォトマスク
9を移動させなくとも、光束L3てテスト用パターンを
正確に照明することが可能となる。なお、例えばテスト
用パターンTPかフォトマスク9の端部にある場合には
、検出光学系11a、llbによるパターン像が横シフ
トするのて、これに応じて検出手段13を水平面内で移
動する必要があることは言うまでもない。第7図はケラ
−照明を採用した照射光学系の構成を示す概略図であっ
て、第1図に示した装置と同じ作用、機能の部材には同
一の符号を付しである。第7図ではリレーレンズ系21
を追加することによりケラ−照明を行なっている。更に
、モータMT2により視野絞り20を駆動することによ
り、フォトマスク9上の照明領域を任意に遷択できるよ
うになっている。
の照明領域内にテスト用パターンTPを設定していたが
、例えはフォトマスク9とほぼ共役な面に可変ブライン
ド(視野絞り)を配置することによって、フォトマスク
9を移動させなくとも、光束L3てテスト用パターンを
正確に照明することが可能となる。なお、例えばテスト
用パターンTPかフォトマスク9の端部にある場合には
、検出光学系11a、llbによるパターン像が横シフ
トするのて、これに応じて検出手段13を水平面内で移
動する必要があることは言うまでもない。第7図はケラ
−照明を採用した照射光学系の構成を示す概略図であっ
て、第1図に示した装置と同じ作用、機能の部材には同
一の符号を付しである。第7図ではリレーレンズ系21
を追加することによりケラ−照明を行なっている。更に
、モータMT2により視野絞り20を駆動することによ
り、フォトマスク9上の照明領域を任意に遷択できるよ
うになっている。
なお、本発明ではフォトマスク検査装置について述べた
が上記検査機能を投影露光装置(ステッパー)に持たせ
ることができる。つまり、投影光学系の瞳面近傍に遮光
手段を配置するとともにウェハステージ上に配置された
照度系(フォトタイオード)を用いることにより、上記
実施例と同様の動作にて位相シフターの位相シフト量(
即ち膜厚)を求めることが可能となる。
が上記検査機能を投影露光装置(ステッパー)に持たせ
ることができる。つまり、投影光学系の瞳面近傍に遮光
手段を配置するとともにウェハステージ上に配置された
照度系(フォトタイオード)を用いることにより、上記
実施例と同様の動作にて位相シフターの位相シフト量(
即ち膜厚)を求めることが可能となる。
[発明の効果コ
以上の様に本発明においては、フォトマスクに設けたテ
スト用パターンを透過した零次光と+1次光又は−1次
光の2光束による干渉像の位置ずれ量を検出することに
より位相シフター膜の位相シフト量(膜厚)を求めるの
で、フォトマスクのガラス基板と位相シフター膜の屈折
率がほとんど同じであっても回答問題なく位相シフト量
を計測することができる。また、本発明においては、従
来のように強度検出により位相シフト量を求めるのでは
なく、多数の干渉縞からなる干渉像の位置ずれ(サイン
波の位相のずれ)を検出することで位相シフト量を計測
するので、非常に高精度に位相シフト量を計測すること
が可能である。
スト用パターンを透過した零次光と+1次光又は−1次
光の2光束による干渉像の位置ずれ量を検出することに
より位相シフター膜の位相シフト量(膜厚)を求めるの
で、フォトマスクのガラス基板と位相シフター膜の屈折
率がほとんど同じであっても回答問題なく位相シフト量
を計測することができる。また、本発明においては、従
来のように強度検出により位相シフト量を求めるのでは
なく、多数の干渉縞からなる干渉像の位置ずれ(サイン
波の位相のずれ)を検出することで位相シフト量を計測
するので、非常に高精度に位相シフト量を計測すること
が可能である。
第1図は本発明実施例によるフォトマスク検査装置の構
成を示す概略図、第2図は本発明におけるフォトマスク
のテスト用パターンの例を示す断面図、第3図は本発明
の詳細な説明するための概念図、第4図はフォトマスク
のパターンの例を示す断面図、第5図は第1図に示され
た検査装置要部の別の構成例を示す光路図、第6図は本
発明実施例による装置に用いられるフォトマスクの一例
を示す平面図、第7図はケラ−照明を採用した照明光学
系の構成を示す概略図である。 [主要部分の符号の説明コ ト・・・・・・・・・・・・・・・・・水銀ランプ(光
源)9・・・・・・・・・・・・・・・・・・フォトマ
スク基板10a・・・・・・・・・・・・・・・遮光パ
ターン10b・・・・・・・・・・・・・・・位相シフ
ター膜付パターン10c・・・・・・・・・・・・・・
・マスク裸面パターン11a、flb・・・検出光学系 12a、12b・・・遮光部材
成を示す概略図、第2図は本発明におけるフォトマスク
のテスト用パターンの例を示す断面図、第3図は本発明
の詳細な説明するための概念図、第4図はフォトマスク
のパターンの例を示す断面図、第5図は第1図に示され
た検査装置要部の別の構成例を示す光路図、第6図は本
発明実施例による装置に用いられるフォトマスクの一例
を示す平面図、第7図はケラ−照明を採用した照明光学
系の構成を示す概略図である。 [主要部分の符号の説明コ ト・・・・・・・・・・・・・・・・・水銀ランプ(光
源)9・・・・・・・・・・・・・・・・・・フォトマ
スク基板10a・・・・・・・・・・・・・・・遮光パ
ターン10b・・・・・・・・・・・・・・・位相シフ
ター膜付パターン10c・・・・・・・・・・・・・・
・マスク裸面パターン11a、flb・・・検出光学系 12a、12b・・・遮光部材
Claims (7)
- (1)所定波長の光ビームに対してほぼ透明な基板に幾
何学的な原画パターンを有し、該原画パターンの少なく
とも一部に前記透明基板を透過する光ビームの位相を変
化させる位相部材を備えたフォトマスクを検査する装置
において、 前記フォトマスクに単色光又は準単色光を照射する照射
光学系と; 該照射光学系からの照射光による前記フォトマスクのパ
ターン像を所定の基準平面内に結像する検出光学系と; 該検出光学系の瞳面近傍に配置され、前記フォトマスク
の検査用パターンを透過する光のうち、零次回折光と±
1次回折光以外の光を遮光するとともに、前記±1次回
折光の何れか一方を遮光可能な遮光手段と; 前記検出光学系による前記フォトマスクのパターン像を
光電検出するパターン検出手段とを備えたことを特徴と
するフォトマスク検査装置。 - (2)前記パターン検出手段は、前記検出光学系の光軸
方向に移動可能であり、前記検出用パターンの像を検出
する光電検出器と; 該光電検出器から出力される検出信号に基いて、前記光
電検出器を前記基準平面内に配置する制御回路と、 前記光電検出器を前記基準平面内に配置した時に出力さ
れる検出信号に基づいて、前記原画パターンに設けられ
た位相部材の透過光の位相シフト量を算出する演算回路
とを含むことを特徴とする請求項第1項に記載のフォト
マスク検査装置。 - (3)前記遮光手段は、前記検査用パターンの透過光の
うちの±1時回折光の少なくとも一方を減光可能な遮光
部材を含むことを特徴とする請求項第1項又は第2項に
記載のフォトマスク検査装置。 - (4)前記検査用パターンは一次元のラインアンドスペ
ースパターンであって、前記原画パターンの一部、もし
くは前記原画パターンと同一の製造工程で異なる位置に
形成されたことを特徴とする請求項第1項乃至第3項に
記載のフォトマスク検査装置。 - (5)前記検査用パターンは、前記光ビームに対する透
過部と遮光部とが交互に配列され、該遮光部を挾む両側
の透過部の少なくとも一方に位相部材を有することを特
徴とする請求項第4項に記載のフォトマスク検査装置。 - (6)前記検査用パターンは、前記光ビームに対する透
過部と位相部材とが交互に配列されたことを特徴とする
請求項第4項に記載のフォトマスク検査装置。 - (7)前記検査用パターンにおいて、前記透過部と位相
部材との面積比を、7対1乃至7対2、あるいは1対7
乃至2対7に定めたことを特徴とする請求項第5項又は
第6項に記載のフォトマスク検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2308582A JPH04181251A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | フォトマスク検査装置 |
US08/430,266 US5576829A (en) | 1990-10-08 | 1995-04-28 | Method and apparatus for inspecting a phase-shifted mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2308582A JPH04181251A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | フォトマスク検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04181251A true JPH04181251A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=17982766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2308582A Pending JPH04181251A (ja) | 1990-10-08 | 1990-11-16 | フォトマスク検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04181251A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06308712A (ja) * | 1993-02-17 | 1994-11-04 | Nec Corp | 位相シフトマスクおよびその検査方法 |
JPH08146592A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Nec Corp | 位相シフトマスクの検査装置及び検査方法 |
JP2007271591A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hoya Corp | パターン欠陥検査方法、フォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
US7432021B2 (en) | 2003-07-18 | 2008-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle, apparatus for monitoring optical system, method for monitoring optical system, and method for manufacturing reticle |
US7482102B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask having a monitoring pattern with an asymmetrical diffraction grating that includes semi-transparent probing-phase shifters |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP2308582A patent/JPH04181251A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06308712A (ja) * | 1993-02-17 | 1994-11-04 | Nec Corp | 位相シフトマスクおよびその検査方法 |
JPH08146592A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Nec Corp | 位相シフトマスクの検査装置及び検査方法 |
US7432021B2 (en) | 2003-07-18 | 2008-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle, apparatus for monitoring optical system, method for monitoring optical system, and method for manufacturing reticle |
CN100462667C (zh) * | 2003-07-18 | 2009-02-18 | 株式会社东芝 | 原版 |
US7812972B2 (en) | 2003-07-18 | 2010-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle, apparatus for monitoring optical system, method for monitoring optical system, and method for manufacturing reticle |
US7482102B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask having a monitoring pattern with an asymmetrical diffraction grating that includes semi-transparent probing-phase shifters |
US8068213B2 (en) | 2003-08-27 | 2011-11-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask, method of lithography, and method for manufacturing the photomask |
JP2007271591A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hoya Corp | パターン欠陥検査方法、フォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
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