JPH0417246A - 蛍光体ドットアレイ管及び蛍光面形成方法 - Google Patents
蛍光体ドットアレイ管及び蛍光面形成方法Info
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- JPH0417246A JPH0417246A JP11912590A JP11912590A JPH0417246A JP H0417246 A JPH0417246 A JP H0417246A JP 11912590 A JP11912590 A JP 11912590A JP 11912590 A JP11912590 A JP 11912590A JP H0417246 A JPH0417246 A JP H0417246A
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Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
に1分夏
本発明は、蛍光体ドツトアレイ管及び蛍光面形成方法関
し1例えば、蛍光表示管、バーコード表示管、光プリン
タの光書き込みデバイス、フラットデイスプレィバネな
どに適用されるものである。
し1例えば、蛍光表示管、バーコード表示管、光プリン
タの光書き込みデバイス、フラットデイスプレィバネな
どに適用されるものである。
l米弦!
本発明に係る従来技術を記載した公知文献としては5例
えば特開昭61−267224号公報がある。この、特
開昭61−267224号公報は、リフトオフ法に関す
るもので、基板上に導電性材料からなる短冊状電極を少
なくとも一列設ける電極形成工程と、グリッド電極と短
冊状電極との接触を避けるために、前記短冊状電極を含
む基板表面に、該短冊状電極の配列方向に沿って該短冊
状電極の一部を露出させる絶縁層を形成してセグメント
電極列を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層及びセ
グメント電極列をフォトレジスト層で被覆したのち、該
フォトレジスト層を前記セグメント電極列の配列方向に
沿って所望の幅でスリット状に除去して、前記セグメン
ト電極列を露出させるレジスト層形成工程と、露出して
いる前記セグメント電極の一つ一つに蛍光体粒子を付着
させて蛍光面を形成する蛍光面形成工程と、前記フォト
レジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程とから
なる蛍光面形成方法が開示されている。
えば特開昭61−267224号公報がある。この、特
開昭61−267224号公報は、リフトオフ法に関す
るもので、基板上に導電性材料からなる短冊状電極を少
なくとも一列設ける電極形成工程と、グリッド電極と短
冊状電極との接触を避けるために、前記短冊状電極を含
む基板表面に、該短冊状電極の配列方向に沿って該短冊
状電極の一部を露出させる絶縁層を形成してセグメント
電極列を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層及びセ
グメント電極列をフォトレジスト層で被覆したのち、該
フォトレジスト層を前記セグメント電極列の配列方向に
沿って所望の幅でスリット状に除去して、前記セグメン
ト電極列を露出させるレジスト層形成工程と、露出して
いる前記セグメント電極の一つ一つに蛍光体粒子を付着
させて蛍光面を形成する蛍光面形成工程と、前記フォト
レジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程とから
なる蛍光面形成方法が開示されている。
また、特開昭64−2672224号公報は、電着方法
に関するもので、電着基板上に配列形成された多数のセ
グメント電極に蛍光体粒子を電着する方法が開示されて
いる。すなわち、この蛍光面形成方法では、まず、短冊
状の陽極電極及び絶縁層を形成した後、フォトレジスト
を用いて蛍光体が付着するドツトパターンを形成してか
ら蛍光体を付着させ、フォトレジスト層を除去して蛍光
面を形成する方法である。
に関するもので、電着基板上に配列形成された多数のセ
グメント電極に蛍光体粒子を電着する方法が開示されて
いる。すなわち、この蛍光面形成方法では、まず、短冊
状の陽極電極及び絶縁層を形成した後、フォトレジスト
を用いて蛍光体が付着するドツトパターンを形成してか
ら蛍光体を付着させ、フォトレジスト層を除去して蛍光
面を形成する方法である。
第3図(a)、(b)は、蛍光体ドツトアレイ管の従来
の構成図で、図(、)は全体斜視図、図(b)は図(、
)の■−■線断面図である。図中、21はガラス基板、
22はアルミ陽極電極、23は蛍光体(発光体)セグメ
ント、24a、24bは絶縁体層、25a、25bは制
御(グリッド)電極、26は陰極電極、27は高真空室
(10−7torr以下)、28はフェースガラスであ
る。ガラス基板21には、一連の蛍光体セグメント23
が該ガラス基板21の長手方向に列設されていて、この
蛍光体セグメント23にはその個々に蛍光面とアルミ陽
極電極22が形成されている。前記ガラス基板21の蛍
光面の配列の両側には、絶縁体層24a、24bがガラ
ス基板21の長手方向に沿って形成され、該絶縁体層2
4a、24bは。
の構成図で、図(、)は全体斜視図、図(b)は図(、
)の■−■線断面図である。図中、21はガラス基板、
22はアルミ陽極電極、23は蛍光体(発光体)セグメ
ント、24a、24bは絶縁体層、25a、25bは制
御(グリッド)電極、26は陰極電極、27は高真空室
(10−7torr以下)、28はフェースガラスであ
る。ガラス基板21には、一連の蛍光体セグメント23
が該ガラス基板21の長手方向に列設されていて、この
蛍光体セグメント23にはその個々に蛍光面とアルミ陽
極電極22が形成されている。前記ガラス基板21の蛍
光面の配列の両側には、絶縁体層24a、24bがガラ
ス基板21の長手方向に沿って形成され、該絶縁体層2
4a、24bは。
制御電極25a、25bがそれぞれ形成されている。ガ
ラス基板21の長手方向に陰極電極26が張り渡され、
表面に電子放射性物質を塗布されている。また、ガラス
等からなる透明な材料で形成されたフェースガラス28
は、ガラス基板側と一体化される。このようにガラス基
板21と絶縁体層24a、24bと制御電極25a、2
5bとフェースガラス28とにより閉空間を形成し、該
空間内には、蛍光体セグメント23と陰極電極26が閉
じ込められている。上記閉空間は高度に真空化されてい
る。
ラス基板21の長手方向に陰極電極26が張り渡され、
表面に電子放射性物質を塗布されている。また、ガラス
等からなる透明な材料で形成されたフェースガラス28
は、ガラス基板側と一体化される。このようにガラス基
板21と絶縁体層24a、24bと制御電極25a、2
5bとフェースガラス28とにより閉空間を形成し、該
空間内には、蛍光体セグメント23と陰極電極26が閉
じ込められている。上記閉空間は高度に真空化されてい
る。
制御電極25a、25bに適宜の電圧を印加しておいて
、陰極電極26に交流電流を通ずると、該陰極電極26
は、ジュール熱によって加熱されて熱電子を放出する。
、陰極電極26に交流電流を通ずると、該陰極電極26
は、ジュール熱によって加熱されて熱電子を放出する。
かかる状態において、蛍光体セグメント23の一つに正
電圧を印加してこれを正電位にすると、上記熱電子は正
電位の蛍光体セグメント23の電極部に引き寄せられ、
該電極部に吸い込まれるとき蛍光面の蛍光物質のエネル
ギー状態を励起させる。励起した蛍光物質は、基底状態
へ戻る際に蛍光を発する。この蛍光はフェースガラス2
8を介して観察される。
電圧を印加してこれを正電位にすると、上記熱電子は正
電位の蛍光体セグメント23の電極部に引き寄せられ、
該電極部に吸い込まれるとき蛍光面の蛍光物質のエネル
ギー状態を励起させる。励起した蛍光物質は、基底状態
へ戻る際に蛍光を発する。この蛍光はフェースガラス2
8を介して観察される。
第4図は、蛍光体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法の従
来例を示す図で、この方法は一般に前述したりフトオフ
法と呼ばれている1図中、51は基板、52は陽極電極
、53は絶縁層、54はレジスト層、55.56はマス
ク、57は蛍光体ドツトである。まず、電極形成工程に
おいて、基板51上に陽極電極52を形成し、次の絶縁
層形成工程で絶縁層53が形成される。次のフォトレジ
スト層形成工程において、まず、(a)の工程でフォト
レジストで基板51を被覆してレジスト層54を形成し
た後に、(b)、(c)の工程で蛍光体の付着する部分
をマスク55.56を用いて現像露光で除去する。(d
)の蛍光面形成工程において、電着などの方法により上
記露出した電極部に蛍光体を付着させ、フォトレジスト
層除去工程において、最後に残ったレジスト層を焼成な
どの方法により除去して蛍光体ドツト57を形成するも
のである。
来例を示す図で、この方法は一般に前述したりフトオフ
法と呼ばれている1図中、51は基板、52は陽極電極
、53は絶縁層、54はレジスト層、55.56はマス
ク、57は蛍光体ドツトである。まず、電極形成工程に
おいて、基板51上に陽極電極52を形成し、次の絶縁
層形成工程で絶縁層53が形成される。次のフォトレジ
スト層形成工程において、まず、(a)の工程でフォト
レジストで基板51を被覆してレジスト層54を形成し
た後に、(b)、(c)の工程で蛍光体の付着する部分
をマスク55.56を用いて現像露光で除去する。(d
)の蛍光面形成工程において、電着などの方法により上
記露出した電極部に蛍光体を付着させ、フォトレジスト
層除去工程において、最後に残ったレジスト層を焼成な
どの方法により除去して蛍光体ドツト57を形成するも
のである。
第5図(a)、(b)は、実際に蛍光体を付着させる方
法の一例を示す図で、一般には電気泳動法(電着)−と
呼ばれている。図中、60は撹拌翼、61は基板、62
は陽極電極、63は絶縁層。
法の一例を示す図で、一般には電気泳動法(電着)−と
呼ばれている。図中、60は撹拌翼、61は基板、62
は陽極電極、63は絶縁層。
64はレジスト層、65はマスク、66は電源、67は
モータ、68は分散媒体(蛍光体、IPA;イソプロピ
ルアルコールなど)である、蛍光体を含む分散媒体(溶
媒としてはIPAを用いる)を撹拌翼により撹拌し、対
向電極とセグメント電極との間に電界をかけることによ
り蛍光体を前述した所望の場所に付着させる。フォトレ
ジストは精度上の問題によりポジタイプを用いる(例え
ば、東京応化社製の0FPR800など)、ポジタイプ
のフォトレジストは1通常電着時に分散媒体として用い
るIPAなどの有機溶媒に溶解してしまうので、溶解し
ないように紫外線などを照射してハードニングを行ない
蛍光体を付着させた後、焼成などによりレジスト層を除
去する。
モータ、68は分散媒体(蛍光体、IPA;イソプロピ
ルアルコールなど)である、蛍光体を含む分散媒体(溶
媒としてはIPAを用いる)を撹拌翼により撹拌し、対
向電極とセグメント電極との間に電界をかけることによ
り蛍光体を前述した所望の場所に付着させる。フォトレ
ジストは精度上の問題によりポジタイプを用いる(例え
ば、東京応化社製の0FPR800など)、ポジタイプ
のフォトレジストは1通常電着時に分散媒体として用い
るIPAなどの有機溶媒に溶解してしまうので、溶解し
ないように紫外線などを照射してハードニングを行ない
蛍光体を付着させた後、焼成などによりレジスト層を除
去する。
このレジスト除去の際、付着している蛍光体がその雰囲
気により蛍光体自身の発光効率や発光寿命を低下させら
れてしまうなどの影響がある。また、基板の長平方向に
わたって均一に十分なレジストのハードニングが行なわ
れなかった場合、電着時にレジストが溶解して適切な蛍
光体ドツトが形成できなかったり、電着液を汚染したり
、また逆に、部分的に過剰なハードニングがされた場合
、通常の焼成条件ではレジストが除去できずに基板上に
残ってしまい管球化後の輝度や寿命などの特性に悪影響
することが考えられる。
気により蛍光体自身の発光効率や発光寿命を低下させら
れてしまうなどの影響がある。また、基板の長平方向に
わたって均一に十分なレジストのハードニングが行なわ
れなかった場合、電着時にレジストが溶解して適切な蛍
光体ドツトが形成できなかったり、電着液を汚染したり
、また逆に、部分的に過剰なハードニングがされた場合
、通常の焼成条件ではレジストが除去できずに基板上に
残ってしまい管球化後の輝度や寿命などの特性に悪影響
することが考えられる。
また、信頼性の観点から従来より蛍光表示管に用いられ
ている絶縁層はAlなどの短冊状電極を直接覆うように
スクリーン印刷などの方法により形成されているが、こ
の絶縁層は酸化鉛を主成分とする硼硅酸鉛ガラスで構成
されているため腐食性が高く、短冊状電極であるAlを
劣化させてしまう、スクリーン印刷で塗布された後、大
気中550〜600℃の条件で焼成する際や高湿な雰囲
気による水の付着によりAt電極が腐食されてしまい、
腐食はAl薄膜と絶縁層との界面で生じることにより、
電気伝導度が著しく低下してしまうという問題が生じる
。
ている絶縁層はAlなどの短冊状電極を直接覆うように
スクリーン印刷などの方法により形成されているが、こ
の絶縁層は酸化鉛を主成分とする硼硅酸鉛ガラスで構成
されているため腐食性が高く、短冊状電極であるAlを
劣化させてしまう、スクリーン印刷で塗布された後、大
気中550〜600℃の条件で焼成する際や高湿な雰囲
気による水の付着によりAt電極が腐食されてしまい、
腐食はAl薄膜と絶縁層との界面で生じることにより、
電気伝導度が著しく低下してしまうという問題が生じる
。
目 的
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
レジストによる蛍光体ドツトパターンではなく、全工程
にわたって蛍光体自身に影響せず、かつ管球化後の諸特
性にもまったく影響しないように構成すること、また、
腐食しゃすいAl薄膜の表面をある程度酸化させて絶縁
膜にすることによって、絶縁層との界面に生じる腐食を
発生させないように構成された蛍光体ドツトアレイ管及
び蛍光面形成方法を提供することを目的としてなされた
ものである。
レジストによる蛍光体ドツトパターンではなく、全工程
にわたって蛍光体自身に影響せず、かつ管球化後の諸特
性にもまったく影響しないように構成すること、また、
腐食しゃすいAl薄膜の表面をある程度酸化させて絶縁
膜にすることによって、絶縁層との界面に生じる腐食を
発生させないように構成された蛍光体ドツトアレイ管及
び蛍光面形成方法を提供することを目的としてなされた
ものである。
碧−一一収
本発明は、上記目的を達成するために、(1)導電性材
料で短冊状の陽極電極を形成した基板と、前記陽極電極
の表面に蛍光体を付着させ、アレイ状に配置されたドツ
トパターン状の複数の発光セグメントと、前記陽極電極
上に絶縁層に介して設けられたグリッド電極と、該グリ
ッド電極を覆うフェイスガラス内で前記蛍光体上に設け
られた陰極電極とから成り、該陰極電極から発生する熱
電子を前記グリッド電極で加速制御し、前記蛍光体に熱
電子を射突させて該蛍光体を発光させるように構成した
蛍光体ドツトアレイ管において、前記蛍光体が付着して
いる部分以外の陽極電極の表面を酸化させて絶縁皮膜を
設けたこと、更には、(2)基板上に導電性材料からな
る短冊状の陽極電極を少なくとも一列設ける電極形成工
程と、前記短冊状の陽極電極を含む前記基板表面をフォ
トレジスト層で被覆した後、前記短冊状の陽極電極列上
で蛍光体が付着しない電極部のフォトレジスト層を除去
して蛍光体が付着する電極部をフォトレジスト層で被覆
させるフォトレジスト層形成工程と、前記フォトレジス
ト層が被覆されていない電極部の表面に陽極酸化被膜を
形成する陽極酸化被膜形成工程と、前記蛍光体が付着す
る電極部のフォトレジスト層を除去するフォトレジスト
層除去工程と、前記短冊状の陽極電極を含む前記基板表
面に、該短冊状の陽極電極の配列方向に沿って前記短冊
状の陽極電極の一部を露出させる絶縁層を形成してセグ
メント電極列を形成する絶縁層形成工程と、陽極酸化被
膜を形成していない前記セグメント電極列のうち蛍光体
が付着する電極部分の一つ一つに蛍光体を付着させて蛍
光面を形成する蛍光面形成工程とにより、蛍光体ドツト
アレイを形成するようにしたことを特徴としたものであ
る。以下1本発明の実施例に基づいて説明する。
料で短冊状の陽極電極を形成した基板と、前記陽極電極
の表面に蛍光体を付着させ、アレイ状に配置されたドツ
トパターン状の複数の発光セグメントと、前記陽極電極
上に絶縁層に介して設けられたグリッド電極と、該グリ
ッド電極を覆うフェイスガラス内で前記蛍光体上に設け
られた陰極電極とから成り、該陰極電極から発生する熱
電子を前記グリッド電極で加速制御し、前記蛍光体に熱
電子を射突させて該蛍光体を発光させるように構成した
蛍光体ドツトアレイ管において、前記蛍光体が付着して
いる部分以外の陽極電極の表面を酸化させて絶縁皮膜を
設けたこと、更には、(2)基板上に導電性材料からな
る短冊状の陽極電極を少なくとも一列設ける電極形成工
程と、前記短冊状の陽極電極を含む前記基板表面をフォ
トレジスト層で被覆した後、前記短冊状の陽極電極列上
で蛍光体が付着しない電極部のフォトレジスト層を除去
して蛍光体が付着する電極部をフォトレジスト層で被覆
させるフォトレジスト層形成工程と、前記フォトレジス
ト層が被覆されていない電極部の表面に陽極酸化被膜を
形成する陽極酸化被膜形成工程と、前記蛍光体が付着す
る電極部のフォトレジスト層を除去するフォトレジスト
層除去工程と、前記短冊状の陽極電極を含む前記基板表
面に、該短冊状の陽極電極の配列方向に沿って前記短冊
状の陽極電極の一部を露出させる絶縁層を形成してセグ
メント電極列を形成する絶縁層形成工程と、陽極酸化被
膜を形成していない前記セグメント電極列のうち蛍光体
が付着する電極部分の一つ一つに蛍光体を付着させて蛍
光面を形成する蛍光面形成工程とにより、蛍光体ドツト
アレイを形成するようにしたことを特徴としたものであ
る。以下1本発明の実施例に基づいて説明する。
第1図及び第2図は、本発明による蛍光体ドツトアレイ
管の蛍光面形成方法の一実施例を説明するための工程図
で、図中、1は基板、2は短冊状のアルミ(Al)陽極
電極、3は絶縁層、4はフォトレジスト、5はマスクの
透過部、6はマスクの遮断部、7は蛍光体ドツト、13
は陽極酸化皮膜である。
管の蛍光面形成方法の一実施例を説明するための工程図
で、図中、1は基板、2は短冊状のアルミ(Al)陽極
電極、3は絶縁層、4はフォトレジスト、5はマスクの
透過部、6はマスクの遮断部、7は蛍光体ドツト、13
は陽極酸化皮膜である。
以下、蛍光面形成工程に従って順に説明する。
図(a)の工程;電極形成工程においては、まずAIな
どの導電性材料をスパッタなどの方法により基板1上に
形成させ、通常のフォトリソグラフィ工程により短冊状
のAl配線パターンの陽極電極2を形成する。
どの導電性材料をスパッタなどの方法により基板1上に
形成させ、通常のフォトリソグラフィ工程により短冊状
のAl配線パターンの陽極電極2を形成する。
図(b)〜(d)の工程;次に、フォトレジストをAl
配線パターンが形成された基板上にスピンナーなとの方
法により塗布し、蛍光体が付着する部分にのみレジスト
4を残すようなマスク5゜6を用いてレジストのパター
ニングを行なう。
配線パターンが形成された基板上にスピンナーなとの方
法により塗布し、蛍光体が付着する部分にのみレジスト
4を残すようなマスク5゜6を用いてレジストのパター
ニングを行なう。
図(e)の工程;フォトレジストはポジ型でもネガ型で
もよい、ポストベイクなどを施してレジスト膜の耐薬品
性を向上させた後、露出しているA1電極及び配線を陽
極として絶縁性皮膜13を生じる電解質の溶液中で電界
酸化させる。電解質としては電界酸化してすぐに電圧が
急速に著しく上昇して電流が止まり、膜が増厚しないも
のを使用したほうがよい、膜が増厚するものでも構わな
いが時間の管理が離しい、膜が増厚しないものとしては
、例えばホウ酸やホウ酸アンモン、シュウ酸アンモン、
特殊の混酸(ホウ酸i00gtホウ砂1g、純蒸留水で
1リツトルにうすめたもの)などがあり、純AIに対し
てシュウ酸アンモン電解液として用いた場合、約13.
0人/V、電流効率80%の条件で陽極皮膜厚さ200
0〜4000人をつくることができる。この条件でつく
られた膜の比重は約3.2g/cm”である(1次化成
)、そして中性溶液による2次化成を行ない純水により
水洗する。
もよい、ポストベイクなどを施してレジスト膜の耐薬品
性を向上させた後、露出しているA1電極及び配線を陽
極として絶縁性皮膜13を生じる電解質の溶液中で電界
酸化させる。電解質としては電界酸化してすぐに電圧が
急速に著しく上昇して電流が止まり、膜が増厚しないも
のを使用したほうがよい、膜が増厚するものでも構わな
いが時間の管理が離しい、膜が増厚しないものとしては
、例えばホウ酸やホウ酸アンモン、シュウ酸アンモン、
特殊の混酸(ホウ酸i00gtホウ砂1g、純蒸留水で
1リツトルにうすめたもの)などがあり、純AIに対し
てシュウ酸アンモン電解液として用いた場合、約13.
0人/V、電流効率80%の条件で陽極皮膜厚さ200
0〜4000人をつくることができる。この条件でつく
られた膜の比重は約3.2g/cm”である(1次化成
)、そして中性溶液による2次化成を行ない純水により
水洗する。
図(f)の工程;陽極酸化皮膜形成終了後、余分なレジ
ストを除去すれば蛍光体が付着する部分のAl電極が露
出される。
ストを除去すれば蛍光体が付着する部分のAl電極が露
出される。
図(g)の工程;次に、従来より用いられている絶縁層
3をスクリーン印刷により形成する。
3をスクリーン印刷により形成する。
図(h)の工程;その後、第5図に示すような電着装置
により蛍光体を露出しているAl電極部に付着させれば
所望の蛍光体ドツトアレイを得ることができる。
により蛍光体を露出しているAl電極部に付着させれば
所望の蛍光体ドツトアレイを得ることができる。
このようにして作られた蛍光体ドツトアレイは、管球化
工程でレジストにより汚染がなく、また、Al電極や配
線と絶縁層が直接に接していないので従来の腐食による
Al電極や配線の断線の発生が著しく改善される。
工程でレジストにより汚染がなく、また、Al電極や配
線と絶縁層が直接に接していないので従来の腐食による
Al電極や配線の断線の発生が著しく改善される。
第2図は、第1図に示した蛍光面形成工程のフローを示
す図で、前述したように電極形成工程→フォトレジスト
層形成工程→陽極酸化皮膜形成工程→フォトレジスト層
除去工程→絶縁層形成工程→蛍光面形成工程を経て本発
明による蛍光面が形成されることになる。
す図で、前述したように電極形成工程→フォトレジスト
層形成工程→陽極酸化皮膜形成工程→フォトレジスト層
除去工程→絶縁層形成工程→蛍光面形成工程を経て本発
明による蛍光面が形成されることになる。
夏−一見
以上の説明から明らかなように、本発明によると、以下
のような効果がある。
のような効果がある。
(1)請求項1に対応する効果5蛍光体ドツトアレイ管
においてAI陽極電極や配線が絶縁層や外界水分とによ
って腐食されないような構造、にしているので、管球化
後の蛍光体発光輝度のばらつきが小さくなり、経時的な
A1陽極電極や配線による部分的な輝度低下が押さえら
れ、プリンターなどの光書き込み用として十分使用に耐
えられるようになる。(2)請求項2に対応する効果;
蛍光体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法において、蛍光
体ドツトにレジスト雰囲気による悪影響が及ばないよう
にしているので、蛍光体の発光効率が低下することなく
十分な発光輝度を得ることができ、蛍光面形成における
信頼性を向上させることができる。
においてAI陽極電極や配線が絶縁層や外界水分とによ
って腐食されないような構造、にしているので、管球化
後の蛍光体発光輝度のばらつきが小さくなり、経時的な
A1陽極電極や配線による部分的な輝度低下が押さえら
れ、プリンターなどの光書き込み用として十分使用に耐
えられるようになる。(2)請求項2に対応する効果;
蛍光体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法において、蛍光
体ドツトにレジスト雰囲気による悪影響が及ばないよう
にしているので、蛍光体の発光効率が低下することなく
十分な発光輝度を得ることができ、蛍光面形成における
信頼性を向上させることができる。
第1図は、本発明による蛍光体ドツトアレイ管の蛍光面
形成方法の一実施例を説明するための工程図、第2図は
、蛍光面形成工程のフローを示す図、第3図は、蛍光体
ドツトアレイ管の従来例を示す構成図、第4図は、蛍光
体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法の従来例を示す図、
第5図は、蛍光体を付着させる方法の一例を示す図であ
る。 1・・・基板、2・・・短冊状のアルミ(A1)陽極電
極、3・・・絶縁層、4・・・フォトレジスト、5・・
・マスクの透過部、6・・・マスクの遮断部、7・・・
蛍光体ドツト。 13・・・陽極酸化皮膜。 第 図 第 図 (b)
形成方法の一実施例を説明するための工程図、第2図は
、蛍光面形成工程のフローを示す図、第3図は、蛍光体
ドツトアレイ管の従来例を示す構成図、第4図は、蛍光
体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法の従来例を示す図、
第5図は、蛍光体を付着させる方法の一例を示す図であ
る。 1・・・基板、2・・・短冊状のアルミ(A1)陽極電
極、3・・・絶縁層、4・・・フォトレジスト、5・・
・マスクの透過部、6・・・マスクの遮断部、7・・・
蛍光体ドツト。 13・・・陽極酸化皮膜。 第 図 第 図 (b)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性材料で短冊状の陽極電極を形成した基板と、
前記陽極電極の表面に蛍光体を付着させ、アレイ状に配
置されたドットパターン状の複数の発光セグメントと、
前記陽極電極上に絶縁層に介して設けられたグリッド電
極と、該グリッド電極を覆うフェイスガラス内で前記蛍
光体上に設けられた陰極電極とから成り、該陰極電極か
ら発生する熱電子を前記グリッド電極で加速制御し、前
記蛍光体に熱電子を射突させて該蛍光体を発光させるよ
うに構成した蛍光体ドットアレイ管において、前記蛍光
体が付着している部分以外の陽極電極の表面を酸化させ
て絶縁皮膜を設けたことを特徴とする蛍光体ドットアレ
イ管。 2、基板上に導電性材料からなる短冊状の陽極電極を少
なくとも一列設ける電極形成工程と、前記短冊状の陽極
電極を含む前記基板表面をフォトレジスト層で被覆した
後、前記短冊状の陽極電極列上で蛍光体が付着しない電
極部のフォトレジスト層を除去して蛍光体が付着する電
極部をフォトレジスト層で被覆させるフォトレジスト層
形成工程と、前記フォトレジスト層が被覆されていない
電極部の表面に陽極酸化被膜を形成する陽極酸化被膜形
成工程と、前記蛍光体が付着する電極部のフォトレジス
ト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、前記短冊
状の陽極電極を含む前記基板表面に、該短冊状の陽極電
極の配列方向に沿って前記短冊状の陽極電極の一部を露
出させる絶縁層を形成してセグメント電極列を形成する
絶縁層形成工程と、陽極酸化被膜を形成していない前記
セグメント電極列のうち蛍光体が付着する電極部分の一
つ一つに蛍光体を付着させて蛍光面を形成する蛍光面形
成工程とにより、蛍光体ドットアレイを形成するように
したことを特徴とする蛍光面形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11912590A JPH0417246A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 蛍光体ドットアレイ管及び蛍光面形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11912590A JPH0417246A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 蛍光体ドットアレイ管及び蛍光面形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0417246A true JPH0417246A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14753562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11912590A Pending JPH0417246A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 蛍光体ドットアレイ管及び蛍光面形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0417246A (ja) |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP11912590A patent/JPH0417246A/ja active Pending
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