JPH04170786A - Magnetic memory cell - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To improve corner transfer characteristic by deviating the pit position of Bloch line pair of the corner of a transfer passage of a minor loop in a magnetic bubble memory cell. CONSTITUTION:A conversion gate 1 is disposed at a position in which many stripe domains of minor loops 6 are brought into contact with major lines 5, and the gate 1 is formed of a domain cutting hair pin and three parallel leads for locally applying a magnetic field in a surface. A cell chip 15 is provided obliquely as prescribed to a bias magnetic field applying magnet plate 16. The direction of the local magnetic field in the surface is inclined about 20 deg. inward from the straight line direction of the passage at the corner of the transfer passage, and transfer of Bloch line pair from the corner to the straight part is conducted excellently without delay. As a result, the transfer operation margin from the corner to the straight part is increased, and the Bloch line transfer at the corner is improved similarly to that of the straight part.

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に間する
ー （従来の技術） 高密度固体磁気記憶素子を目指して、磁気バブル素子の
開発が各所で盛んに行われている。しかし、現在使用さ
れているガーネット材料では、到達可能な最小バブル径
は０．３μｍ径といわれている。Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention relates to a nonvolatile ultra-high density solid-state magnetic memory element (prior art) Aiming at a high-density solid-state magnetic memory element, the present invention is directed to a nonvolatile ultra-high-density solid-state magnetic memory element. Development is being actively carried out everywhere. However, with the currently used garnet materials, the minimum attainable bubble diameter is said to be 0.3 μm.

したがって０．３μｍμｍ下のバブルを保持するバブル
材料はガーネット材料以外に求めなければならない。こ
れは容易ではなく、ここがバブル高密度化の限界である
とさえ考えられている。Therefore, a bubble material capable of retaining bubbles below 0.3 μm must be found in a material other than garnet material. This is not easy and is even considered to be the limit of bubble density.

このようなバブル保持層の特性に基づく高密度化限界を
大幅に改善し、かつ情報読み出し時間は従来の素子と同
程度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜
面垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性強磁性体（フェ
リ磁性体を含む）膜に形成されるストライブドメインの
境界を形成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在す
る垂直ブロッホライン（以下単にブロッホラインと称す
る）２個からなるブロッホライン対を記憶単位として用
い、該磁壁を転送路としてデータをアクセスする素子が
発明された（特願昭５７−１８２３４６）。It is easy to magnetize in the direction perpendicular to the film surface as an ultra-high-density magnetic memory element that greatly improves the density limit based on the characteristics of the bubble retention layer and can maintain information readout time at the same level as conventional elements. Vertical Bloch lines (hereinafter simply referred to as Bloch lines) that exist statically and stably within Bloch domain walls that form the boundaries of stripe domains formed in soft magnetic ferromagnetic (including ferrimagnetic) films ) A device was invented that uses a pair of Bloch lines as a storage unit and accesses data using the domain wall as a transfer path (Japanese Patent Application No. 57-182346).

本素子において、情報の入力及び出力をブロッホライン
の直接書き込みあるいは読み出しで行なうことは現在の
技術では困難であり、そのため、磁気バブル素子におい
て技術上確立している磁気バブル（以下ではバブルと称
する）の発生、転送および検出技術を用いてデータ入力
をバブルをバブル発生器で発生させることにより行ない
、該バブルをバブル転送路上を転送させ変換ゲートにお
いてブロッホラインに変換して書き込まれる。ブロッホ
ラインに変換された情報単位は磁区磁壁で構成される転
送路上を転送し、情報蓄積時は磁壁上で保持される。ま
た読み出し時はブロッホラインを変換ゲートにおいてバ
ブルに変換した後、バブルをバブル転送路上を転送させ
、バブル検出器で読み出す構成になっている。In this device, it is difficult with current technology to input and output information by direct writing or reading of Bloch lines. Using the generation, transfer, and detection technique, data input is performed by generating bubbles with a bubble generator, transferring the bubbles on a bubble transfer path, converting them into Bloch lines at a conversion gate, and writing them. The information unit converted into a Bloch line is transferred on a transfer path made up of magnetic domain walls, and is held on the magnetic domain walls during information storage. Further, at the time of reading, the Bloch line is converted into a bubble at a conversion gate, and then the bubble is transferred on a bubble transfer path and read out by a bubble detector.

本記憶素子では通常、アクセス時間を低減するため、第
３図ようなメジャーｌマイナー構成と呼ばれる素子構成
が採られる。即ち、第１の転送路であるメジャーライン
５端に設けられたバブル発生器２により次々と書き込ま
れたバブルによるデータ列はメジャーライン転送路上を
転送し、次いでメジャーライン５に対し直角に位置し、
多数本のブロッホラインを転送させる第２の転送路であ
るマイナーループ６と呼ばれる転送路へデータを移動す
るため、各マイナーループ端に設けられた変換ゲート１
でバブルからブロッホライン対にデータが並列的に変換
して書き込まれる。読み出し時はマイナーループ端の変
換ゲート部に位置したブロッホライン対は変換ゲートで
バブルに変換される。変換されたバブルは、メジャーラ
イン５上を転送し、メジャーライン５端のバブル検出器
３で検出され、データ出力される。In order to reduce access time, this memory element usually adopts an element configuration called a major/minor configuration as shown in FIG. 3. That is, a data string of bubbles written one after another by the bubble generator 2 provided at the end of the major line 5, which is the first transfer path, is transferred on the major line transfer path, and then located perpendicular to the major line 5. ,
A conversion gate 1 is provided at the end of each minor loop in order to move data to a transfer path called a minor loop 6, which is a second transfer path that transfers multiple Bloch lines.
Data is converted and written in parallel from bubbles to Bloch line pairs. At the time of reading, the Bloch line pair located at the conversion gate section at the end of the minor loop is converted into a bubble by the conversion gate. The converted bubble is transferred on the major line 5, detected by the bubble detector 3 at the end of the major line 5, and output as data.

（発明が解決しようとする課題） このようなメジャーｌマイナー構成においては磁区磁壁
で構成される転送路をメジャーラインに対し直角の方向
で多数本並列に配置される。従って、マイナーループ転
送路はメジャーラインと接するゲート部およびその反対
方向がコーナー領域となっている。マイナーループのブ
ロッホライン転送はガーネット膜に垂直方向のパルス磁
界により駆動されるが、該転送路の直線部とコーナ一部
とは駆動磁界に対してブロッホラインの駆動のされ方が
異なる。即ち転送路の直線部は転送路の直線部に対し直
角方向に、ＣｏＰｔ等の面内磁化膜細線バタン列を配置
し転送該パタン列下にポテンシャルを形成しビット単位
の転送が安定化するようにしている。該転送路の両コー
ナ一部では両コーナ一端がビット単位の転送での安定位
置になるが、該端を安定化するための手段として従来は
転送路直線部を含めた転送路上のブロッホラインを安定
性を強化するために、素子全面にわたって５０ｅ程度の
直流磁界を面内で該転送路の長手方向に印加する手段を
とっていたのみである。従って、該転送路コーナ一部で
の転送安定性は転送路直線部に比べ悪いという問題があ
った。(Problems to be Solved by the Invention) In such a major/minor configuration, a large number of transfer paths each composed of magnetic domain walls are arranged in parallel in a direction perpendicular to the major line. Therefore, the corner region of the minor loop transfer path is the gate portion in contact with the major line and the opposite direction. The Bloch line transfer of the minor loop is driven by a pulsed magnetic field perpendicular to the garnet film, but the way the Bloch line is driven by the driving magnetic field differs between the straight part and the corner part of the transfer path. That is, in the straight part of the transfer path, a row of thin wire battens of in-plane magnetized film such as CoPt is arranged in a direction perpendicular to the straight part of the transfer path, and a potential is formed under the row of transfer patterns to stabilize bit-by-bit transfer. I have to. At both corners of the transfer path, one end of each corner becomes a stable position for bit-by-bit transfer, and conventionally, as a means to stabilize the ends, Bloch lines on the transfer path including the straight portion of the transfer path have been used. In order to enhance stability, only a means was taken to apply a direct current magnetic field of about 50 e over the entire surface of the device in the longitudinal direction of the transfer path. Therefore, there is a problem in that the transfer stability at some corners of the transfer path is worse than at the straight portions of the transfer path.

その上、該コーナ一端では転送路直線部から転送されて
きた情報担体であるブロッホライン対は該コーナ一端に
転送路安定化のために配置されている１本のブロッホラ
インに近接、合体し、次の駆動パルスで該コーナ一端か
ら逆側の直線転送路部へ転送される。この時、情報担体
として転送されるブロッホライン対は転送されてきたブ
ロッホライン対ではなく、該コーナーに配置されていた
１本のブロッホラインとコーナ一端に転送されてきたブ
ロッホライン対の先頭の１本が組となって転送される。Moreover, at one end of the corner, a pair of Bloch lines, which are information carriers transferred from the straight section of the transfer path, approach and merge with one Bloch line placed at one end of the corner for stabilizing the transfer path, With the next driving pulse, the signal is transferred from one end of the corner to the straight transfer path section on the opposite side. At this time, the Bloch line pair transferred as an information carrier is not the Bloch line pair that has been transferred, but one Bloch line placed at the corner and the first one of the Bloch line pair transferred to one end of the corner. Books are transferred in sets.

即ち、該コーナ一端では情報担体としてのブロッホライ
ン対の組替え動作が行なわれる必要がある。しかしなが
ら、従来はこのブロッホライン対の組替えを促進させ得
る、該コーナーでのブロッホライン対の転送特性を改善
するための手段は特に取られないため、該コーナーへの
ブロッホラインの進入は比較的容易であるものの、該コ
ーナーから対向する直線部へ進出する転送特性の不良を
きたしていた。本発明の目的はこのような従来の問題点
を除去したもので、転送路コーナ一部に於けるブロッホ
ライン対のコーナーから直線部への転送特性を改善し、
コーナー転送特性が全体として直線部同様良好な特性を
有する磁気記憶素子を提供するにある。That is, at one end of the corner, it is necessary to perform a rearrangement operation of the Bloch line pair as information carriers. However, conventionally, no particular measures have been taken to improve the transfer characteristics of the Bloch line pair at the corner, which may promote the rearrangement of the Bloch line pair, so it is relatively easy for the Bloch line to enter the corner. However, the transfer characteristics from the corner to the opposite straight section were poor. The object of the present invention is to eliminate such conventional problems, and to improve the transfer characteristics from the corner to the straight section of the Bloch line pair at a part of the corner of the transfer path,
The object of the present invention is to provide a magnetic memory element whose corner transfer characteristics as a whole are as good as those of the straight portion.

（課題を解決するための手段） 本発明は情報読み出し手段、情報書込み手段及び情報蓄
積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容易方向
とする軟磁性の強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に、
情報担体として相隣る２つの垂直ブロッホラインからな
る垂直ブロッホライン対を駆動する転送路と、情報担体
として相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる垂直ブ
ロッホライン対を書込かつ読出す機能を有する変換ゲー
トとを有する磁気記憶素子に関して、少なくとも該転送
路が存在する領域に、全域にわたって印加される均一な
面内磁界の方向が該転送路の長手方向からずれた方向を
向かせることによりコーナーに於けるブロッホライン対
のビット安定位置をコーナー先端からブロッホライン対
の転送方向側へ寄せることを特徴とする磁気記憶素子で
あり、たとえば素子チップをバイアス磁界印加のための
２枚の天然磁石板の間に該素子の転送路の長手方向から
ブロッホラインの転送方向に回転した方向に傾斜して配
置することを特徴とする磁気記憶素子である。(Means for Solving the Problems) The present invention has an information reading means, an information writing means, and an information storage means, and has a soft magnetic ferromagnetic material (ferrimagnetic membranes (including the body),
It has a transfer path for driving a vertical Bloch line pair consisting of two adjacent vertical Bloch lines as information carriers, and a function for writing and reading a vertical Bloch line pair consisting of two adjacent vertical Bloch lines as information carriers. With respect to a magnetic memory element having a conversion gate, the direction of a uniform in-plane magnetic field applied over the entire region at least in the area where the transfer path exists is oriented in a direction that is deviated from the longitudinal direction of the transfer path. This is a magnetic memory element characterized by shifting the stable bit position of the Bloch line pair from the corner tip to the transfer direction side of the Bloch line pair. For example, the element chip is placed between two natural magnet plates for applying a bias magnetic field. This magnetic memory element is characterized in that it is arranged so as to be inclined in a direction rotated from a longitudinal direction of a transfer path of the element to a Bloch line transfer direction.

即ち、ブロッホライン対が転送する転送路のコーナーの
該ブロッホライン対の安定位置を形成する均一面内磁界
方向を該転送路の長手方向からずらせることにより、該
コーナーのビット安定位置から直線部のビット位置まで
の距離が短くなるため、従来転送特性の悪化原因となっ
ていたブロッホライン対の該コーナーから直線部への転
送特性を改善できる。本発明はかくのごとき構成を取る
ことにより、コーナ一部での転送特性が直線部同様に良
好な磁気記憶素子を提供することができる。That is, by shifting the direction of the uniform in-plane magnetic field that forms the stable position of the Bloch line pair at the corner of the transfer path where the Bloch line pair transfers from the longitudinal direction of the transfer path, the straight line portion is removed from the bit stable position at the corner. Since the distance to the bit position is shortened, it is possible to improve the transfer characteristics from the corner to the straight portion of the Bloch line pair, which conventionally caused deterioration of transfer characteristics. By adopting such a configuration, the present invention can provide a magnetic memory element in which the transfer characteristics in a corner part are as good as in a straight part.

（作用） 以下では従来例と本発明の比較説明することにより、本
発明を更に詳細に説明する。(Function) The present invention will be explained in more detail below by comparing the conventional example and the present invention.

従来の磁気記憶素子のブロッホライン転送路に於いては
、第４図（ａ）のように転送路の直線部端まで転送され
てきたブロッホライン対は第４図（ｂ）のように次の１
ビツト駆動させるパルスによりコーナー先端のビット位
置に容易に転送され、転送路安定のためにコーナーに設
置している１本のブロッホラインと合体し３本のブロッ
ホラインの群となる。In the Bloch line transfer path of a conventional magnetic memory element, the Bloch line pair that has been transferred to the straight end of the transfer path as shown in FIG. 4(a) is transferred to the next point as shown in FIG. 4(b). 1
The bit is easily transferred to the bit position at the tip of the corner by the pulse that drives the bit, and is combined with one Bloch line installed at the corner to stabilize the transfer path, forming a group of three Bloch lines.

次の１ビツト駆動パルスが印加された時、３本のブロッ
ホラインは第４図（Ｃ）のように、先ずもとからコーナ
一端にいた１本のブロッホラインと駆動されてきたブロ
ッホライン対の先頭の１本が新たに対となり、駆動され
てきたブロッホライン対の後尾の１本が転送路安定用ブ
ロッホラインとなるような組替え動作が起こる。しかる
後、第４図（ｄ）のように、駆動パルスにより新たなブ
ロッホライン対は駆動パルスにより直線部に転送され、
一方新たな安定用ブロッホラインはコーナ一端に残る。When the next 1-bit drive pulse is applied, the three Bloch lines are divided into the one Bloch line that was originally at one end of the corner and the Bloch line pair that has been driven, as shown in Figure 4 (C). A recombination operation occurs in which the leading one becomes a new pair, and the trailing one of the Bloch line pair that has been driven becomes a Bloch line for stabilizing the transfer path. After that, as shown in FIG. 4(d), the new Bloch line pair is transferred to the straight part by the driving pulse,
Meanwhile, the new stabilizing Bloch line remains at one end of the corner.

このように、直線部からコーナー先端への転送は容易に
行なわれるのに対し、コーナー先端から直線部への転送
時はブロッホラインの組替えと転送という二つの動作を
１駆動車位時間で行なわせる必要がある。コーナー領域
でのブロッホライン対の転送距離は使用ガーネット膜が
５μｍ径バブルを生じるものである場合、直線部でのビ
ット間距離がきく、ブロッホライン対の組替えが無い直
線部からコーナ一端への転送余裕度はあるのに対し、ブ
ロッホライン対の組替えが必要なコーナ一端から直線部
への転送では転送余裕度が小さく、ブロッホラインの組
替動作が遅れると、次の駆動パルスによる転送動作が不
十分になり、これがコーナー部での転送特性劣化の原因
となっていた。In this way, transfer from a straight section to the tip of a corner is easily performed, but when transferring from the tip of a corner to a straight section, it is necessary to perform two operations in one drive position time: rearranging the Bloch line and transferring. There is. The transfer distance of the Bloch line pair in the corner area is that if the garnet film used generates bubbles with a diameter of 5 μm, the distance between the bits in the straight part is large, and the transfer from the straight part to one end of the corner without rearranging the Bloch line pair. While there is a margin, the transfer margin is small when transferring from one end of a corner to a straight section where the Bloch line pair needs to be rearranged, and if the Bloch line rearrangement operation is delayed, the transfer operation by the next drive pulse will not be possible. This caused deterioration of transfer characteristics at corner portions.

従って、コーナ一端から直線部へのビット間距離を小さ
くすることにより、ブロッホラインの組替え動作による
多少のパルス転送の遅れが転送動作に影響を及ぼさない
ようにして、コーナーから直線部への転送動作のマージ
ンを広げることにより、コーナ一部でのブロッホライン
転送が直線部同様に良好な磁気記憶素子を提供できる。Therefore, by reducing the distance between the bits from one end of the corner to the straight section, the slight delay in pulse transfer due to the Bloch line reshuffling operation does not affect the transfer operation, and the transfer operation from the corner to the straight section is reduced. By widening the margin, it is possible to provide a magnetic memory element in which Bloch line transfer in a corner part is as good as in a straight part.

この場合、直線部からコーナーへの転送余裕度は大きい
ため、コーナーのビット安定位置をコーナー先端からブ
ロッホライン対の転送方向へずらし、直線部からコーナ
ーへのビット間距離を長くしてコーナーから直線部への
ビット間距離を短くしても直線部からコーナーへの転送
特性を劣化させることはない。In this case, since the transfer margin from the straight section to the corner is large, the stable bit position at the corner is shifted from the tip of the corner in the transfer direction of the Bloch line pair, and the distance between the bits from the straight section to the corner is lengthened to ensure a straight line from the corner to the corner. Even if the distance between bits to a corner is shortened, the transfer characteristics from a straight part to a corner will not be deteriorated.

（実施例） 以下、本発明を実施例により説明をする。第１図は本発
明による磁気記憶素子の主要部の構成の一例を示したも
のであり、第３図は素子全体の構成を示したものである
。本実施例では、組成（ＹＳｍＬｕＣａ）３　（ＦｅＧ
ｅ）５０１２、膜厚：　４．４ｐｍ、特性長：０．６１
μｍ、４ｙｒＭｓ：１８３Ｇのガーネット膜４を用い、
該膜中に幅２μｍ、厚さ０．５□ｍの２層の金によるジ
グザグ状導体パタンによりメジャーライン５を構成して
いる。この２層の導体に９０度位相がずれた高周波電流
を印加することによりバブルを転送させる。変換ゲート
１はマイナーループである多数本のストライプドメイン
がメジャーライン転送に接する位置に有り、ドメイン切
断用の１本のヘアピン状導体と局所的に面内磁界を印加
するための３本の平行導体から構成されており（第１図
では省略）、これ等の２種類の導体パタンは全てのマイ
ナーループ６の端にわたってマイナーループと直角の方
向に配置されている。マイナーループ６は該磁性ガーネ
ット膜の一部領域を膜の厚さ全てにわたって溝掘りし、
溝７を形成し、政情の周囲を囲むようにストライプドメ
イン８を安定化させる。このストライプドメインを安定
化させる方法についてはＨ，Ｋａｗａｈａｒａ他による
論文、アイトリプルイー、トランザクションオンマグネ
ティックス、ＭＡＧ−２３巻３３９６頁、１９８７年、
記載されている方法で容易に実現する。マイナーループ
上のブロッホライン安定化のために全面に均一な面内磁
界ｌＯを転送路の長手方向から転送進行側に向くように
加える。本実施例では従来例の均一面内磁界方向１１に
対し、ブロッホラインの転送方向に２０°ずれた方向に
均一面内磁界を印加している。第５図のように、この面
内磁界は、バイアス磁界方向印加のための互いに平行な
二枚の磁石板１６に対し、素子チップ１５を平行な方向
がら、該転送路の長手方向からブロッホラインの転送方
向にずらした方向に傾けることにより容易に実現できる
。マイナーループ転送路６の直線部には転送路の長手方
向に対し直角方向にＣｏＰｔ細綿パタンのＶＩＩＱを形
成し、転送路直線部のビット転送を安定化している。第
１図中１３はマイナーループ転送路コーナー端、１４は
補助溝である。(Example) Hereinafter, the present invention will be explained with reference to Examples. FIG. 1 shows an example of the structure of the main parts of a magnetic memory element according to the present invention, and FIG. 3 shows the structure of the entire element. In this example, the composition (YSmLuCa)3 (FeG
e) 5012, film thickness: 4.4pm, characteristic length: 0.61
μm, 4yrMs: Using a garnet film 4 of 183G,
A measure line 5 is formed in the film by a two-layer gold zigzag conductor pattern with a width of 2 μm and a thickness of 0.5 □m. Bubbles are transferred by applying high frequency currents with a phase shift of 90 degrees to these two layers of conductors. Conversion gate 1 is located at a position where a large number of striped domains, which are minor loops, touch the major line transfer, and includes one hairpin-shaped conductor for cutting the domains and three parallel conductors for locally applying an in-plane magnetic field. (not shown in FIG. 1), and these two types of conductor patterns are arranged across the ends of all the minor loops 6 in a direction perpendicular to the minor loops. The minor loop 6 grooves a partial region of the magnetic garnet film over the entire thickness of the film,
A groove 7 is formed to stabilize the striped domain 8 so as to surround the political situation. Regarding the method of stabilizing this striped domain, see the paper by H. Kawahara et al., iTriple E, Transactions on Magnetics, MAG-23, p. 3396, 1987.
This is easily achieved using the method described. In order to stabilize the Bloch line on the minor loop, a uniform in-plane magnetic field IO is applied over the entire surface from the longitudinal direction of the transfer path toward the transfer proceeding side. In this embodiment, a uniform in-plane magnetic field is applied in a direction shifted by 20 degrees from the direction of the Bloch line transfer with respect to the uniform in-plane magnetic field direction 11 of the conventional example. As shown in FIG. 5, this in-plane magnetic field is applied along the Bloch line from the longitudinal direction of the transfer path in a direction parallel to the element chip 15 with respect to two mutually parallel magnet plates 16 for applying the bias magnetic field direction. This can be easily achieved by tilting the transfer direction in a direction shifted from the transfer direction. A VIIQ of a thin CoPt pattern is formed in the straight portion of the minor loop transfer path 6 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the transfer path to stabilize bit transfer in the straight portion of the transfer path. In FIG. 1, 13 is a corner end of the minor loop transfer path, and 14 is an auxiliary groove.

第２図（ａ）は本発明による磁気記憶素子のマイナール
ープのブロッホラインの周回転送特性であり、第２図（
ｂ）は従来の構成による磁気記憶素子のマイナーループ
のブロッホラインの周回転送特性である。第２図（ａＸ
ｂ）から明らかなように本発明の素子の転送特性に著し
い改善が見られるが、これは本発明による転送路の長手
方向から２０°プロツホラインの転送方向へずれた方向
に均一面内磁界を印加せしめたことにより転送路コーナ
一部の転送特性が大きく改善されたことによる。FIG. 2(a) shows the circular transfer characteristics of the Bloch line of the minor loop of the magnetic memory element according to the present invention, and FIG.
b) is the circular transfer characteristic of the Bloch line of the minor loop of a magnetic memory element with a conventional configuration. Figure 2 (aX
As is clear from b), there is a significant improvement in the transfer characteristics of the device of the present invention, but this is due to the application of a uniform in-plane magnetic field in a direction shifted by 20° from the longitudinal direction of the transfer path according to the present invention to the transfer direction of the prozho line. This is because the transfer characteristics at some corners of the transfer path have been greatly improved.

（発明の効果） 以上実施例により詳細に説明したように、本発明により
、従来問題であったマイナーループのコーナーにおける
ブロッホライン転送特性が大きく改善され、従って、マ
イナーループ転送路特性が改善され、素子動作余裕度の
大きな磁気記憶素子を提供することができ、大容量磁気
記憶素子の実用化に資すること犬である。(Effects of the Invention) As explained in detail in the embodiments above, according to the present invention, the Bloch line transfer characteristics at the corners of the minor loop, which had been a problem in the prior art, are greatly improved, and therefore the minor loop transfer path characteristics are improved. This makes it possible to provide a magnetic memory element with a large element operating margin, contributing to the practical application of large-capacity magnetic memory elements.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明による磁気記憶素子の主要部構成を示す
図であり、第２図（ａＸｂ）はそれぞれ本発明の素子の
マイナーループ転送特性図と従来構成の素子のマイナー
ループ転送特性図であり、第３図は磁気記憶素子の構成
を示す図であり、第４図（ａＸｂＸｃＸｄ）は本発明の
主要部でのブロッホライン対の組替えを示す図である。 第５図はバイアス磁界の印加を示す図。　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　−図中１は変換ゲー
ト、２はバブル発生器、３はバブル検出器、４は磁性ガ
ーネット膜、５はメジャーライン、６はマイナーループ
、７は磁性ガーネット膜に形成した溝、８はストライプ
ドメイン、９はＣｏＰｔパタン列、１０は均一面内磁界
、１１は従来の均一面内磁界、１３はマイナーループ転
送路コーナ一端、１４はガーネット膜に形成した補助膜
、１５は素子チップ、１６は磁石板である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the main parts of the magnetic memory element according to the present invention, and FIG. 2 (aXb) is a minor loop transfer characteristic diagram of the element of the present invention and a minor loop transfer characteristic diagram of an element with a conventional configuration, respectively. 3 is a diagram showing the configuration of a magnetic memory element, and FIG. 4 (aXbXcXd) is a diagram showing rearrangement of Bloch line pairs in the main part of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing the application of a bias magnetic field.
- In the figure, 1 is a conversion gate, 2 is a bubble generator, 3 is a bubble detector, 4 is a magnetic garnet film, 5 is a major line, 6 is a minor loop, 7 is a groove formed in the magnetic garnet film, 8 is a stripe domain , 9 is a CoPt pattern array, 10 is a uniform in-plane magnetic field, 11 is a conventional uniform in-plane magnetic field, 13 is one end of a minor loop transfer path corner, 14 is an auxiliary film formed on a garnet film, 15 is an element chip, and 16 is a magnet It is a board.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）情報読み出し手段、情報書込み手段及び情報蓄積
手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容易方向と
する軟磁性の強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に、情
報担体として相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる
垂直ブロッホライン対を駆動する転送路と、情報担体と
して相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる垂直ブロ
ッホライン対を書込かつ読出す機能を有する変換ゲート
とを有する磁気記憶素子に関して、該転送路のコーナー
に於けるブロッホライン対のビット位置がコーナー先端
部から該ブロッホライン対の転送方向へずれていること
を特徴とする磁気記憶素子。(1) An information carrier is attached to a soft magnetic ferromagnetic material (including ferrimagnetic material) film having an information reading means, an information writing means, and an information storage means, and whose easy magnetization direction is perpendicular to the film surface. A conversion gate having a transfer path for driving a vertical Bloch line pair consisting of two adjacent vertical Bloch lines as an information carrier and a conversion gate having a function of writing and reading a vertical Bloch line pair consisting of two adjacent vertical Bloch lines as an information carrier. 1. A magnetic memory element comprising: a bit position of a pair of Bloch lines at a corner of the transfer path is shifted from a tip of the corner in a transfer direction of the pair of Bloch lines. （２）少なくとも該転送路が存在する領域全域にわたっ
て印加される均一な面内磁界の方向が該転送路の長手方
向から該コーナーに於いてブロッホライン対が進行する
方向にずれた方向を向いていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気記憶素子。(2) The direction of the uniform in-plane magnetic field applied over at least the entire region where the transfer path exists is deviated from the longitudinal direction of the transfer path in the direction in which the Bloch line pair advances at the corner. The magnetic memory element according to claim 1, characterized in that: （３）情報読み出し手段、情報書込み手段及び情報蓄積
手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容易方向と
する軟磁性の強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に、情
報担体として相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる
垂直ブロッホライン対を駆動する転送路と、情報担体と
して相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる垂直ブロ
ッホライン対を書込かつ読出す機能を有する変換ゲート
とを有する磁気記憶素子に関して、該素子チップを、２
枚の平行に配置した磁石板の間に素子の転送路コーナー
の長手方向から該ブロッホラインの転送方向へ回転した
方向に傾斜させて配置することを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載の磁気記憶素子。(3) An information carrier is attached to a soft magnetic ferromagnetic material (including ferrimagnetic material) film having an information reading means, an information writing means, and an information storage means, and whose easy magnetization direction is perpendicular to the film surface. A conversion gate having a transfer path for driving a vertical Bloch line pair consisting of two adjacent vertical Bloch lines as an information carrier and a conversion gate having a function of writing and reading a vertical Bloch line pair consisting of two adjacent vertical Bloch lines as an information carrier. Regarding a magnetic memory element having
2. The magnetic memory according to claim 2, wherein the magnetic memory is arranged between two parallel magnet plates so as to be inclined in a direction rotated from the longitudinal direction of the transfer path corner of the element toward the transfer direction of the Bloch line. element.