JPH0346186A - Magnetic storage element and its driving method - Google Patents
Magnetic storage element and its driving methodInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a nonvolatile ultra-high density solid state magnetic memory element.
（従来の技術と発明が解決しようとする課題）高密度固
体磁気記憶素子を目指して、磁気バブル素子の開発が各
所で盛んに行われている。しかし、現在使用されている
ガーネット材料では、到達可能な最小バブル径は０．：
％ｍといわれている。したがって、Ｏ，：％ｍ径以下の
バブルを保持するバブル材料はガーネット材料以外に求
めなければならない。これは容易ではなく、ここがバブ
ル高密度化の限界であるとさえ考えられている。(Prior Art and Problems to be Solved by the Invention) Magnetic bubble elements are being actively developed in various places with the aim of producing high-density solid-state magnetic storage elements. However, with the currently used garnet materials, the minimum attainable bubble diameter is 0. :
It is said to be %m. Therefore, a bubble material that retains bubbles with a diameter of O,:%m or less must be found other than garnet material. This is not easy and is even considered to be the limit of bubble density.
このようなバブル保持層の特性に基ずく高密度化限界を
大幅に改善し、かつ情報読み出し時間は従来の素子と同
程度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜
面垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性強磁性体（フェ
リ磁性体を含む）膜に形成されるストライプドメインの
境界を形成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在す
る垂直ブロッホライン（以下単にブロッホラインと称す
る）２個からなるブロッホライン対を記憶単位として用
いる素子が発明され７ｊ： （特願昭５７−Ｌ８２３４
６）。We have developed an ultra-high-density magnetic memory element that is magnetized in the direction perpendicular to the film surface, which can significantly improve the high-density limit based on the characteristics of the bubble retention layer, and keep the information readout time at the same level as conventional elements. Vertical Bloch lines (hereinafter simply referred to as Bloch lines) exist statically and stably within Bloch domain walls that form the boundaries of striped domains formed in soft ferromagnetic (including ferrimagnetic) films with easy directions. ) A device using a pair of Bloch lines as a memory unit was invented.
6).
本素子においては、大量のデータを効率良くアクセスす
るために、メジャーマイナー構成を採ることが提案され
ている。即ち、情報は発生器によってバブルとして書き
込まれ、メジャーライン上をバブルが転送し、ゲート部
でバブルからブロッホライン対に変換され、ストライプ
ドメインで構成されるマイナーループに蓄積される。情
報読み出し時は、マイナーループ上のブロッホライン対
はゲート部でブロッホライン対からバブルへ変換され、
変換されたバブルはメジャーループを転送し、検出器で
読み出される。In this device, it has been proposed to adopt a major-minor configuration in order to efficiently access a large amount of data. That is, information is written as a bubble by a generator, the bubble is transferred on a major line, the bubble is converted into a Bloch line pair at the gate, and the information is stored in a minor loop composed of striped domains. When reading information, the Bloch line pair on the minor loop is converted into a bubble at the gate,
The converted bubble transfers the measure loop and is read out by the detector.
しかしながら、大容量素子を構成した時、マイナールー
プは長大となり、マイナ・−ループに蓄積されるビット
数は非常に多くなる。したがって、マイナーループに蓄
積されているデータの一部は読み出し動作時、長いマイ
ナーループを通ってメジャーライン出た後読み出される
ため、実際に読み出されるまで超時間を要することにな
る。However, when a large capacitance element is configured, the minor loop becomes long and the number of bits stored in the minor loop becomes very large. Therefore, during a read operation, part of the data stored in the minor loop is read out after passing through a long minor loop and exiting the major line, so it takes an extremely long time until it is actually read out.
一方、従来のバブルメモリではこのような問題点につい
て、１本のマイナーループ３２を複数に分割し、メジャ
ーライン３１に接続している部分をキャッシュループ３
３としてアクセス頻度の高いデ・−夕を蓄積させ、該キ
ャッシュループに接続して本来のマイナーループを配置
させる第８図のようなオンチップキャッシュ構成が提案
されている。On the other hand, in conventional bubble memory, one minor loop 32 is divided into multiple parts, and the part connected to the major line 31 is connected to the cache loop 3.
An on-chip cache configuration as shown in FIG. 8 has been proposed, in which frequently accessed data is stored and the original minor loop is connected to the cache loop.
しかしながら、ブロッホラインメモリではこれまで、ス
トライプドメインで構成された転送路間で情報担体とし
ての垂直ブロッホライン対を移動させる手段が与えられ
ていなかったため、本構成の記憶素子を実現できなかっ
た。However, until now, Bloch line memories have not been provided with a means for moving pairs of vertical Bloch lines as information carriers between transfer paths composed of striped domains, so it has not been possible to realize a memory element with this configuration.
本発明の目的はこのような従来の問題点を除去したもの
で、複数のストライプドメインによる転送路によって構
成された１本のマイナーループに関し、互いにその先端
部が近接した二つの転送路間でブロッホライン対を移動
させる手段を有する磁気記憶素子を提供することにある
。The purpose of the present invention is to eliminate such problems in the conventional art, and to solve the problem of blotting between two transfer paths whose tips are close to each other with respect to one minor loop constituted by a transfer path using a plurality of striped domains. An object of the present invention is to provide a magnetic memory element having means for moving a pair of lines.
（問題点を解決するための手段）
即ち、本発明は膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする
軟磁性の強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在する
ストライプドメインの境界のブロッホ磁壁中の垂直ブロ
ッホライン対を情報担体とし、該ストライプドメインで
構成されるメジャーマイナー方式の転送路上で該垂直ブ
ロッホライン対を駆動する手段を有する磁気記憶素子に
関して、マイナーループ転送路が、互にその先端部が近
接した複数のストライプドメインで構成されたことを特
徴とする磁気記憶素子と、この素子の駆動方法であって
、互に先端が近接した複数のストライプドメインで構成
された転送路間の情報移動に関し、二つの転送路の先端
を平行かつ同一直線上にないように伸長させ、該ストラ
イプドメイン転送路の一部が互いにすれ違った状態に近
接させ、該ストライプドメイン転送路の互いにすれ違っ
た部分同士を接合させ、接合したストライブドメインの
磁壁上で垂直ブロッホライン対を一方のストライブドメ
イン転送路からもう１本のストライブドメイン転送路に
移動させた後、接合したストライブドメインを切断する
ことを特徴とする磁気記憶素子の駆動方法である。(Means for Solving the Problems) That is, the present invention solves the problem by reducing the block size at the boundary of stripe domains existing in a soft ferromagnetic (including ferrimagnetic) film whose easy magnetization direction is perpendicular to the film surface. Regarding a magnetic memory element that uses a pair of vertical Bloch lines in a domain wall as an information carrier and has means for driving the pair of vertical Bloch lines on a major-minor type transfer path composed of the stripe domain, the minor loop transfer path is mutually A magnetic memory element characterized in that it is composed of a plurality of striped domains whose tips are close to each other, and a method for driving this element, wherein a transfer path is composed of a plurality of striped domains whose tips are close to each other. Regarding the information transfer, the tips of the two transfer paths are extended parallel to each other but not on the same straight line, and the striped domain transfer paths are brought close to each other so that some parts of the stripe domain transfer paths pass each other. After joining the parts together and moving the vertical Bloch line pair from one stripe domain transfer path to the other stripe domain transfer path on the domain wall of the joined stripe domain, the joined stripe domain is cut. A method of driving a magnetic memory element is characterized in that:
（実施例）
本発明の目的は上述の構成をとることにより、二つの互
にその先端部が近接し、ノ：：ストラ・１１１７４７間
でブロッホライン対を移動させる手段を有する高密度磁
気記憶素子を提供するにある。以下、本発明の構成例の
詳細な説明をする。(Embodiment) The object of the present invention is to provide a high-density magnetic memory element having the above-mentioned configuration, the tip portions of which are close to each other, and a means for moving a pair of Bloch lines between two strata. is to provide. Hereinafter, a detailed explanation of a configuration example of the present invention will be given.
第１図は本発明による、ともにストライブドメインで構
成されたマイナーループ転送路間でブロッホライン対を
移動させる領域（ここでは単１こゲートと称する）の構
成を示したものである。図中１はストライブドメインで
構成されたマイナーループ転送路、２はストライブドメ
インで構成されたマイナーループ転送路、３はマイナー
ループ転送路を構成するストライブドメインを伸長する
ために該転送路の伸長領域のバイアス磁界を低下させる
導体、４はマイナーループ転送路２を構成するストライ
ブドメインを伸長するために該転送路の伸長領域のバイ
アス磁界低下させる導体、５は伸長させた２本のストラ
イブドメイン転送路を接合および切断するための導体で
ある。６はゲー・ト動作時にマイナーループ１の端の負
符号の安定用ブロッホラインをトラップさせる導体であ
り、２７はゲー］・動作時にマイナーループ２の端の負
符号の安定用ブロッホラインをトラップさせる導体であ
る。１４はマイナーループ１のストライプドメイン磁壁
土のブロッホラインが存在しない領域の磁化の向きを示
し、１５はマイナーループ２のストライプドメイン磁壁
土のブロッホラインが領域の磁化の向きを示す。１６は
マイナーループ１の転送路端に転送されてきたブロッホ
ライン対を示す。FIG. 1 shows the configuration of a region (herein referred to as a single gate) in which a Bloch line pair is moved between minor loop transfer paths, both of which are constituted by stripe domains, according to the present invention. In the figure, 1 is a minor loop transfer path made up of striped domains, 2 is a minor loop transfer path made up of striped domains, and 3 is a transfer path used to extend the striped domains that make up the minor loop transfer path. 4 is a conductor that lowers the bias magnetic field in the extension region of the transfer path in order to extend the stripe domain constituting the minor loop transfer path 2; 5 is a conductor that reduces the bias magnetic field in the extension region of the minor loop transfer path 2; A conductor for connecting and disconnecting the stripe domain transfer path. 6 is a conductor that traps the negative-sign stabilizing Bloch line at the end of minor loop 1 during gate operation, and 27 is a conductor that traps the negative-sign stabilizing Bloch line at the end of minor loop 2 during gate operation. It is a conductor. Reference numeral 14 indicates the direction of magnetization in a region where Bloch lines of the striped domain domain wall soil of minor loop 1 do not exist, and reference numeral 15 indicates the direction of magnetization of the region where Bloch lines of the striped domain domain wall soil of minor loop 2 do not exist. Reference numeral 16 indicates a pair of Bloch lines transferred to the end of the transfer path of minor loop 1.
マイナーループ転送路であるストライブドメイン１の端
部には、ブロッホライン安定用の面内磁界７により１本
の負符号のブロッホライン８が存在し、マイナーループ
転送路であるストライブドメイン２の端部には、ブロッ
ホライン安定用の面内磁界７により１本の負符号のブロ
ッホライン２８が存在ｊ−ている。バイアス磁界の方向
は本例では９で示す方向である。第２図のように、マイ
ナーループ転送路１はブロッホライン対を移動させる操
作（ここでは単にゲート動作と称する）時、マイナール
ープ転送路を伸長させる導体３に印加した電流１１によ
り発生するバイアス磁界を局所的に減少させる磁界によ
・り伸長する。マイナーループ転送路２はメジャーライ
ン転送路を伸長させる導体４に印加した電流Ｉ２により
発生するバイアス磁界を局所的にに減少させる磁界によ
り伸長する。マイナーループ１端に存在する１本の安定
用ブロッホライン８はこの時、導体６に印加した電流Ｉ
３により、トラップされている。マイナーループ２４に
存在する１本の安定用ブロッホライン２８はこの時、導
体２７に印加した電流■４により、トラップされている
。マイナーループ転送路１および２は互に接近して伸長
するが、マイナーループ１および２である２本のドメイ
ンが最も接近している部分の磁壁の磁化の向きは共に、
面内磁界の方向を向いている。At the end of the strike domain 1, which is a minor loop transfer path, there is one Bloch line 8 with a negative sign due to the in-plane magnetic field 7 for stabilizing Bloch lines, and at the end of the strike domain 2, which is a minor loop transfer path, there is one Bloch line 8 with a negative sign due to the in-plane magnetic field 7 for stabilizing the Bloch line. At the end, one Bloch line 28 with a negative sign exists due to the in-plane magnetic field 7 for stabilizing the Bloch line. The direction of the bias magnetic field is the direction indicated by 9 in this example. As shown in FIG. 2, the minor loop transfer path 1 is generated by a bias magnetic field generated by a current 11 applied to the conductor 3 that extends the minor loop transfer path when the Bloch line pair is moved (herein simply referred to as gate operation). elongates due to a magnetic field that locally reduces the The minor loop transfer path 2 is extended by a magnetic field that locally reduces the bias magnetic field generated by the current I2 applied to the conductor 4 that extends the major line transfer path. At this time, one stabilizing Bloch line 8 existing at the end of the minor loop 1 receives the current I applied to the conductor 6.
3, it is trapped. One stabilizing Bloch line 28 existing in the minor loop 24 is trapped by the current 4 applied to the conductor 27 at this time. Minor loop transfer paths 1 and 2 extend close to each other, but the directions of magnetization of the domain walls at the portion where the two domains, which are minor loops 1 and 2, are closest are both as follows.
It faces the direction of the in-plane magnetic field.
第３図のように、導体５にマイナーループ１および２で
ある２本のドメインが接合する方向（バイアス磁界歩行
と逆向き方向）の磁界が発生するように電流Ｉ５を印加
し、２本のドメインを接合する。２本のドメインの互に
近接している部分の磁壁の磁化方向が同一の方向である
ため、ドメインの接合は容易に行われ、接合部には第３
図にしめずような２本の正符号のブロッホライン１０．
１１が発生する。正符号のブロッホライン１０は導体電
流６を切ることにより束縛状態から脱した負符号のブロ
ッホライン、８、とは互に異符号であるため、容易に合
体し共に消滅する。正符号のブロッホライン１１は導体
電流２７を切ることにより束縛状態から脱した負符号の
ブロッホライン２８とは互いに異符号であるため、容易
に合体し共に消滅する。従って、ドメイン接合部の、元
ブロッホライン１０．１１が存在していた両側の磁壁上
にはブロッホラインは全く存在しなくなり、第４図のよ
うにマイナーループ１と２の間は全くブロッホライン無
しに連絡された状態となっている。As shown in Fig. 3, a current I5 is applied to the conductor 5 so that a magnetic field is generated in the direction in which the two domains, which are minor loops 1 and 2, are joined (in the direction opposite to the bias magnetic field walking), and the two domains are Join domains. Since the magnetization directions of the domain walls of the two domains that are close to each other are in the same direction, the domains can be easily joined, and there is a third
Bloch line with two positive signs not shown in the figure 10.
11 occurs. Since the Bloch line 10 with a positive sign has a different sign from the Bloch line 8 with a negative sign which is released from the bound state by cutting off the conductor current 6, they easily merge and disappear together. The Bloch line 11 with a positive sign and the Bloch line 28 with a negative sign which is released from the bound state by cutting off the conductor current 27 have opposite signs, so they easily merge and disappear together. Therefore, there are no Bloch lines at all on the domain walls on both sides of the domain junction where the original Bloch lines 10 and 11 existed, and as shown in Figure 4, there are no Bloch lines at all between minor loops 1 and 2. has been contacted.
従って、転送路端にブロッホフィン対が転送されてきた
場合、第５図のように、マイナーループ１からマイナー
ループ２へあるいはマイナーループ２からマイナールー
プ１へとブロッホライン対１６を元の位置１７から１８
の位置まで移動させることが出来る。駆動はパルスバイ
アス磁界を印加することにより行う。あるいは平行導体
を設置し、進行波状電流を印加することによっても駆動
する。Therefore, when a Blochfin pair is transferred to the end of the transfer path, as shown in FIG. from 18
It can be moved to the position of Driving is performed by applying a pulsed bias magnetic field. Alternatively, it can be driven by installing parallel conductors and applying a traveling wave current.
ブロッホライン対をマイナーループ２を移動させた後、
導体５に対土、接合されているドメインを再び切断する
方向（バイアス磁界の方向）の磁界が発生する方向（バ
イアス磁界の方向）の磁界が発生するように電流Ｉ６を
印加し、ドメインを切断する。切断により、第６図のよ
うな２本の負符号のブロッホライン１２．１３が発生す
る。切断した時、マイナーループ１側に発生する負のブ
ロッホライン１２はゲート動作前、マイナーループ安定
用として設置し、ドメイン接合時消滅したブロッホライ
ン２８の代わりの役目をし、マイナール−プ１はブロッ
ホライン対１６がマイナーループ２へ移った他は初期の
磁壁状態に戻る。マイナーループ２側に発生する負のブ
ロッホライン１３はゲート動作前、マイナーループ安定
用として設置し、ドメイン接合時消滅したブロッホライ
ン２８の代わりの役目をし、マイナーループ２はブロッ
ホライン対１６が移ってきた他は初期の磁壁状態に戻る
。After moving Bloch line pair minor loop 2,
A current I6 is applied so that a magnetic field is generated in a direction (direction of bias magnetic field) in which a magnetic field is generated in a direction (direction of bias magnetic field) that cuts the domain bonded to the conductor 5 again, and the domain is cut. do. The cutting generates two negative-sign Bloch lines 12 and 13 as shown in FIG. The negative Bloch line 12 that occurs on the minor loop 1 side when disconnected is installed to stabilize the minor loop before gate operation, and serves as a substitute for the Bloch line 28 that disappears when the domains are joined. The line pair 16 moves to the minor loop 2, and the rest returns to the initial domain wall state. The negative Bloch line 13 generated on the minor loop 2 side is installed to stabilize the minor loop before gate operation, and serves as a substitute for the Bloch line 28 that disappears when the domains are joined. The remaining parts return to the initial domain wall state.
導体３，４にドメインが収縮する方向に電流１７．１８
を印加することにより、第７図のようにストライプドメ
イン１，２の状態も初期状態に戻る。ブロッホライン対
をマイナーループ、２からマイナーループ、１、に移動
させる場合もドメイン接合動作は全く同様に行い、接合
後、ブロッホライン対を逆方向に転送させた後、同じく
同様なドメイン切断動作を行えば良い。いずれの場合も
マイナーループ１あるいは２にブロッホフィン対が存在
しない時はドメイン接合および切断動作を行ってもドメ
インの状態は動作前と全く変化してしない。Current 17.18 in the direction of domain contraction in conductors 3 and 4
By applying , the states of stripe domains 1 and 2 also return to their initial states as shown in FIG. When moving the Bloch line pair from the minor loop, 2 to the minor loop, 1, the domain joining operation is performed in exactly the same way, and after joining, the Bloch line pair is transferred in the opposite direction, and then the same domain cutting operation is performed. Just go. In either case, when there is no Blochfin pair in minor loop 1 or 2, the state of the domain does not change at all from before the operation even if the domain joining and cutting operations are performed.
以上のように、情報としてのブロッホライン対はマイナ
ーループ１からマイナーループ２へ、あるいはその逆方
向に転送路間を移動し、かつ、ブロッホライン対移動後
は、マイナーループ１および２の状態はともに初期状態
に復帰しており、ブロッホライン対の転送路間の移動が
正常に行われる。As described above, the Bloch line pair as information moves between the transfer paths from minor loop 1 to minor loop 2, or in the opposite direction, and after the Bloch line pair moves, the states of minor loops 1 and 2 are Both have returned to their initial states, and the Bloch line pair moves normally between the transfer paths.
以上のごとく、本発明の磁気記憶素子では、従来実現出
来なかったストライブト、メインで構成される転送路間
のブロッホライン対の移動が実現でき、大容量磁気記憶
素子の実用化に資すること大である。As described above, in the magnetic memory element of the present invention, it is possible to realize the movement of the Bloch line pair between the transfer paths consisting of stribtes and mains, which could not be realized in the past, and this greatly contributes to the practical application of large-capacity magnetic memory elements. be.
第１図は本発明による磁気記憶素子の主要部の構成を示
す図であり、第２図から第７図は本発明の実施例の過程
を示す図であり、第８図はオンチップキャッシュ構成を
示す図である。
図において、１，２はマイナーループ転送路、３，４゜
５、６．２７は導体、７は面内磁界、９はバイアス磁界
、１４、１５は磁化の向き、１６はブロッホライン対、
１７゜１８はブロッホラインの存在位置、１０，１１．
１２．１３．２８はブロッホライン、３１はメジャーラ
イン、３２はマイナーループ、３３はキャッシュループ
である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the main part of a magnetic memory element according to the present invention, FIGS. 2 to 7 are diagrams showing the process of an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a diagram showing the on-chip cache configuration. FIG. In the figure, 1 and 2 are minor loop transfer paths, 3, 4° 5, 6.27 are conductors, 7 is an in-plane magnetic field, 9 is a bias magnetic field, 14 and 15 are magnetization directions, 16 is a Bloch line pair,
17°18 is the position of the Bloch line, 10, 11.
12.13.28 is the Bloch line, 31 is the major line, 32 is the minor loop, and 33 is the cash loop.
Claims (4)
強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するストライ
プドメインの境界のブロッホ磁壁中の垂直ブロッホライ
ン対を情報担体とし、該ストライプドメインで構成され
るメジャーマイナー方式の転送路上で該垂直ブロッホラ
イン対を駆動する手段を有する磁気記憶素子に関して、
１本のマイナーループ転送路が、互いにその先端部が近
接して配置される複数のストライプドメインで構成され
たことを特徴とする磁気記憶素子。(1) A pair of perpendicular Bloch lines in a Bloch domain wall at the boundary of a stripe domain existing in a soft ferromagnetic material (including ferrimagnetic material) film whose easy magnetization direction is perpendicular to the film surface is used as an information carrier, Regarding a magnetic storage element having means for driving the vertical Bloch line pair on a major-minor transfer path configured by the stripe domain,
A magnetic memory element characterized in that one minor loop transfer path is composed of a plurality of striped domains whose tips are arranged close to each other.
転送路間の領域上に、絶縁層を介して、該転送路を構成
するストライプドメインの先端を伸長させるための導体
線を配したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気記憶素子。(2) A conductor wire for extending the tips of the striped domains constituting the transfer path through an insulating layer over the region between the transfer paths whose tips are close to each other in the soft ferromagnetic film. 2. A magnetic memory element according to claim 1, characterized in that the magnetic memory element is provided with:
転送路の間の領域上に絶縁層を介して、伸長した二つの
該ストライプドメイン転送路同士を接合し、また接合し
たストライプドメイン転送路を切断する導体線を配した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶
素子。(3) The two elongated striped domain transfer paths are bonded to each other via an insulating layer on the area between the transfer paths whose tips are close to each other in the soft magnetic ferromagnetic film, and are bonded again. 2. The magnetic memory element according to claim 1, further comprising a conductor line that cuts the striped domain transfer path.
強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するストライ
プドメインの境界のブロッホ磁壁中の垂直ブロッホライ
ン対を情報担体とし、該ストライプドメインで構成され
るメジャーマイナー方式の転送路上で該垂直ブロッホラ
イン対を駆動する手段を有する磁気記憶素子に関して、
互に先端が近接したストライプドメインで構成された転
送路間の情報移動に関し、二つの転送路の先端を平行か
つ同一直線上にないように伸長させ、該ストライプドメ
イン転送路の一部が互いにすれ違った状態に近接させ、
該ストライプドメイン転送路の互いにすれ違った部分同
士を接合させ、接合したストライプドメインの磁壁上で
垂直ブロッホライン対を一方のストライプドメイン転送
路からもう一本のストライプドメイン転送路に移動させ
た後、接合したストライプドメインを切断することを特
徴とする磁気記憶素子の駆動方法。(4) A pair of perpendicular Bloch lines in a Bloch domain wall at the boundary of a stripe domain existing in a soft ferromagnetic (including ferrimagnetic) film whose easy magnetization direction is perpendicular to the film surface is used as an information carrier, Regarding a magnetic storage element having means for driving the vertical Bloch line pair on a major-minor transfer path configured by the stripe domain,
Regarding information transfer between transfer paths composed of striped domains whose tips are close to each other, it is possible to extend the tips of the two transfer paths in parallel but not on the same straight line, so that some of the striped domain transfer paths pass each other. close to the state,
The portions of the striped domain transfer paths that pass each other are bonded together, and the vertical Bloch line pair is moved from one striped domain transfer path to the other striped domain transfer path on the domain wall of the bonded striped domain, and then bonded. A method for driving a magnetic memory element, the method comprising cutting striped domains.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183054A JPH0346186A (en) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | Magnetic storage element and its driving method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183054A JPH0346186A (en) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | Magnetic storage element and its driving method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346186A true JPH0346186A (en) | 1991-02-27 |
Family
ID=16128930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1183054A Pending JPH0346186A (en) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | Magnetic storage element and its driving method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346186A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112008001870T5 (en) | 2007-07-17 | 2010-06-10 | Honda Motor Co., Ltd. | Obstacle device for a vehicle driving experience |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1183054A patent/JPH0346186A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112008001870T5 (en) | 2007-07-17 | 2010-06-10 | Honda Motor Co., Ltd. | Obstacle device for a vehicle driving experience |
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