JPH04170785A - 磁気記憶素子 - Google Patents
磁気記憶素子Info
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- JPH04170785A JPH04170785A JP2299298A JP29929890A JPH04170785A JP H04170785 A JPH04170785 A JP H04170785A JP 2299298 A JP2299298 A JP 2299298A JP 29929890 A JP29929890 A JP 29929890A JP H04170785 A JPH04170785 A JP H04170785A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に関する
。
。
(従来の技術)
高密度固体磁気記憶素子を目指して、磁気バブル素子の
開発が各所で盛んに行われている。しかし、現在使用さ
れているガーネット材料では、到達可能な最小バブル径
は0.3μmといわれている。したがって、0.3μm
径以下のバブルを保持するバブル材料はガーネット材料
以外に求めなければならない。これは容易ではなく、こ
こがバブル高密度化の限界であるとさえ考えられている
。
開発が各所で盛んに行われている。しかし、現在使用さ
れているガーネット材料では、到達可能な最小バブル径
は0.3μmといわれている。したがって、0.3μm
径以下のバブルを保持するバブル材料はガーネット材料
以外に求めなければならない。これは容易ではなく、こ
こがバブル高密度化の限界であるとさえ考えられている
。
このようなバブル保持層の特性に基づく高密度化限界を
大幅に改善し、かつ情報読み出し時間は従来の素子と同
程度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜
面垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性強磁性体(フェ
リ磁性体を含む)膜に形成されるストライプドメインの
境界を形成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在す
る垂直ブロッホライン(以下単にブロッホラインと称す
る)2個からなるブロッホライン対を記憶単位として用
い、該磁壁を転送路としてデータをアクセスする素子が
発明された(特願昭57−182346)。
大幅に改善し、かつ情報読み出し時間は従来の素子と同
程度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜
面垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性強磁性体(フェ
リ磁性体を含む)膜に形成されるストライプドメインの
境界を形成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在す
る垂直ブロッホライン(以下単にブロッホラインと称す
る)2個からなるブロッホライン対を記憶単位として用
い、該磁壁を転送路としてデータをアクセスする素子が
発明された(特願昭57−182346)。
本素子において、情報の人力及び出力をブロッホライン
の直接書き込みあるいは読み出しで行なうことは現在の
技術では困難であり、そのため、磁気バブル素子におい
て技術上確立している磁気バブル(以下ではバブルと称
する)の発生、転送および検出技術を用いてデータ人力
をバブルをバブル発生器で発生させることにより行ない
、該バブルをバブル転送路上を転送させ変換ゲートにお
いてブロッホラインに変換して書き込まれる。ブロッホ
ラインに変換された情報単位は磁区磁壁で構成される転
送路上を転送し、情報蓄積時は磁壁上で保持される。ま
た読み出し時はブロッホラインを変換ゲートにおいてバ
ブルに変換した後、バブルをバブル転送路上を転送させ
、バブル検出器で読み出す構成になっている。
の直接書き込みあるいは読み出しで行なうことは現在の
技術では困難であり、そのため、磁気バブル素子におい
て技術上確立している磁気バブル(以下ではバブルと称
する)の発生、転送および検出技術を用いてデータ人力
をバブルをバブル発生器で発生させることにより行ない
、該バブルをバブル転送路上を転送させ変換ゲートにお
いてブロッホラインに変換して書き込まれる。ブロッホ
ラインに変換された情報単位は磁区磁壁で構成される転
送路上を転送し、情報蓄積時は磁壁上で保持される。ま
た読み出し時はブロッホラインを変換ゲートにおいてバ
ブルに変換した後、バブルをバブル転送路上を転送させ
、バブル検出器で読み出す構成になっている。
本記憶素子では通常、アクセス時間を低減するため、第
3図のような磁性ガーネット膜4上にメジャーlマイナ
ー構成と呼ばれる素子構成が採られる。即ち、第1の転
送路であるメジャーライン5端に設けられたバブル発生
器2により次々と書き込まれたバブルによるデータ列は
メジャーライン転送路上を転送し、次いでメジャーライ
ン5に対し直角に位置し、多数本のブロッホラインを転
送させる第2の転送路であるマイナーループ6と呼ばれ
る転送路へデータを移動するため、各マイナーループ端
に設けられた変換ゲート1でバブルからブロッホライン
対にデータが並列的に変換して書き込まれる。読み出し
時はマイナーループ端の変換ゲート部に位置したブロッ
ホライン対は変換ゲートでバブルに変換される。変換さ
れたバブルは、メジャーライン5上を転送し、メジャー
ライン5端のバブル検出器3で検出され、データ出力さ
れる。
3図のような磁性ガーネット膜4上にメジャーlマイナ
ー構成と呼ばれる素子構成が採られる。即ち、第1の転
送路であるメジャーライン5端に設けられたバブル発生
器2により次々と書き込まれたバブルによるデータ列は
メジャーライン転送路上を転送し、次いでメジャーライ
ン5に対し直角に位置し、多数本のブロッホラインを転
送させる第2の転送路であるマイナーループ6と呼ばれ
る転送路へデータを移動するため、各マイナーループ端
に設けられた変換ゲート1でバブルからブロッホライン
対にデータが並列的に変換して書き込まれる。読み出し
時はマイナーループ端の変換ゲート部に位置したブロッ
ホライン対は変換ゲートでバブルに変換される。変換さ
れたバブルは、メジャーライン5上を転送し、メジャー
ライン5端のバブル検出器3で検出され、データ出力さ
れる。
(発明が解決しようとする課題)
このようなメジャーlマイナー構成においては磁区磁壁
で構成される転送路をメジャーラインに対し直角の方向
で多数本並列に配置される。従って、マイナーループ転
送路はメジャーラインと接するゲート部およびその反対
方向がコーナー領域となっている。マイナーループのブ
ロッホライン転送はガーネット膜に垂直方向のパルス磁
界により駆動されるが、該転送路の直接部とコーナー部
とは駆動磁界に対してブロッホラインの駆動のされ方が
異なる。即ち転送路の直接部は転送路の直接部に対し直
角方向に、CoPt等の面内磁化膜細線バタン列を配置
し転送該パタン列下にポテンシャルを形成しビット単位
の転送が安定化するようにしている。該転送路の両コー
ナー部では両コーナー端がビット単位の転送での安定位
置になるが、該端を安定化するための手段として従来は
特別の手段はとられず、転送路直接部を含めた転送路上
のブロッホラインを安定性を強化するために、素子全面
にわたって50e程度の直流磁界を面内で該転送路の長
手方向に印加する手段をとっていたのみである。従って
、該転送路コーナー部での転送特性は転送路直線部に比
べ悪いという問題があった。
で構成される転送路をメジャーラインに対し直角の方向
で多数本並列に配置される。従って、マイナーループ転
送路はメジャーラインと接するゲート部およびその反対
方向がコーナー領域となっている。マイナーループのブ
ロッホライン転送はガーネット膜に垂直方向のパルス磁
界により駆動されるが、該転送路の直接部とコーナー部
とは駆動磁界に対してブロッホラインの駆動のされ方が
異なる。即ち転送路の直接部は転送路の直接部に対し直
角方向に、CoPt等の面内磁化膜細線バタン列を配置
し転送該パタン列下にポテンシャルを形成しビット単位
の転送が安定化するようにしている。該転送路の両コー
ナー部では両コーナー端がビット単位の転送での安定位
置になるが、該端を安定化するための手段として従来は
特別の手段はとられず、転送路直接部を含めた転送路上
のブロッホラインを安定性を強化するために、素子全面
にわたって50e程度の直流磁界を面内で該転送路の長
手方向に印加する手段をとっていたのみである。従って
、該転送路コーナー部での転送特性は転送路直線部に比
べ悪いという問題があった。
その上、該コーナー端では転送路直線部から転送されて
きた情報担体であるブロッホライン対は該コーナー端に
転送路安定化のために配置されている1本のブロッホラ
インに近接、合体し、次の駆動パルスで該コーナー端か
ら逆側の直線転送路部へ転送される。この時、情報担体
として転送されるブロッホライン対は転送されてきたブ
ロッホライン対ではなく、該コーナーに配置されていた
1本のブロッホラインとコーナー端に転送されてきたブ
ロッホライン対の先頭の1本が組となって転送される。
きた情報担体であるブロッホライン対は該コーナー端に
転送路安定化のために配置されている1本のブロッホラ
インに近接、合体し、次の駆動パルスで該コーナー端か
ら逆側の直線転送路部へ転送される。この時、情報担体
として転送されるブロッホライン対は転送されてきたブ
ロッホライン対ではなく、該コーナーに配置されていた
1本のブロッホラインとコーナー端に転送されてきたブ
ロッホライン対の先頭の1本が組となって転送される。
即ち、該コーナー端では情報担体としてのブロッホライ
ン対の組替え動作が行なわれる必要がある。しかしなが
ら、従来はこのブロッホライン対の組替えを促進させる
、該コーナーでのブロッホライン対の転送特性を改善す
るための手段は特に取られないため、該コーナーでの転
送特性の不良をきたしていた。
ン対の組替え動作が行なわれる必要がある。しかしなが
ら、従来はこのブロッホライン対の組替えを促進させる
、該コーナーでのブロッホライン対の転送特性を改善す
るための手段は特に取られないため、該コーナーでの転
送特性の不良をきたしていた。
本発明の目的はこのような従来の開題点を除去したもの
で、転送路コーナー部の転送特性が直線部同様良好な特
性を有する磁気記憶素子を提供するにある。
で、転送路コーナー部の転送特性が直線部同様良好な特
性を有する磁気記憶素子を提供するにある。
(課題を解決するための手段)
即ち本発明は情報読み出し手段、情報書き込み手段及び
情報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容
易方向とする軟磁性の強磁性体(フェリ磁性体を含む)
膜に、情報担体として相隣る2つの垂直ブロッホライン
からなる垂直ブロッホライン対を駆動する転送器と、情
報担体として相隣る2つの垂直ブロッホラインからなる
垂直ブロッホライン対を書き込みかつ読み出す機能を有
する変換ゲートとを有する磁気記憶素子に関して、転送
路全域にわたって印加される均一な面内磁界と垂直方向
の磁界を該転送路のコーナー端に印加する手段を有する
ことを特徴とする磁気記憶素子であって、該コーナー領
域に面内磁界を印加する手段として、たとえば該均一面
内磁界と垂直方向に磁化した面内磁化膜パタンを設置す
るか、あるいは面内で、転送路の長手方向の中心線上に
電流導体を設けたことを特徴とする磁気記憶素子である
。
情報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容
易方向とする軟磁性の強磁性体(フェリ磁性体を含む)
膜に、情報担体として相隣る2つの垂直ブロッホライン
からなる垂直ブロッホライン対を駆動する転送器と、情
報担体として相隣る2つの垂直ブロッホラインからなる
垂直ブロッホライン対を書き込みかつ読み出す機能を有
する変換ゲートとを有する磁気記憶素子に関して、転送
路全域にわたって印加される均一な面内磁界と垂直方向
の磁界を該転送路のコーナー端に印加する手段を有する
ことを特徴とする磁気記憶素子であって、該コーナー領
域に面内磁界を印加する手段として、たとえば該均一面
内磁界と垂直方向に磁化した面内磁化膜パタンを設置す
るか、あるいは面内で、転送路の長手方向の中心線上に
電流導体を設けたことを特徴とする磁気記憶素子である
。
即ち、本発明はマイナーループ転送路のコーナーでのブ
ロッホラインのビット転送時に、コーナー部に局所的に
該転送路の長手方向に垂直の磁界を印加せしめる手段を
設けることにより、情報担体としてのブロッホライン対
とコーナーに転送路安定用に配置されている1本のブロ
ッホラインがコーナーで容易に組替えを行なわせる手段
を提供し、コーナー部での転送特性が直線部同様に良好
な磁気記憶素子を提供するものである。
ロッホラインのビット転送時に、コーナー部に局所的に
該転送路の長手方向に垂直の磁界を印加せしめる手段を
設けることにより、情報担体としてのブロッホライン対
とコーナーに転送路安定用に配置されている1本のブロ
ッホラインがコーナーで容易に組替えを行なわせる手段
を提供し、コーナー部での転送特性が直線部同様に良好
な磁気記憶素子を提供するものである。
(作用)
第5図(a)のように直線部端まで転送されてきたブロ
ッホライン対は次の駆動パルスでコーナーに転送され、
転送路安定のためにコーナーに設置している1本のブロ
ッホラインと合体し3本のブロッホラインの群となる(
第5図(b))。次の駆動パルスで良好に転送させるた
めには、もとからコーナー端にいた1本のブロッホライ
ンと駆動されてきたブロッホライン対の先頭の1本が新
たに対となり、駆動されてきたブロッホライン対の後尾
の1本が転送路安定用ブロッホラインとなるような組替
え(第5図(C))が必要である。このような組替えを
促進するためには第5図(C)のように組替え後のブロ
ッホライン対とコーナーに残る1本のブロッホラインと
の間の磁壁磁化の向き(この場合は左向き)に局所的に
磁界を印加することにより、新たなブロッホライン対は
駆動パルスにより直線部に転送され、一方新たな安定用
ブロッホラインはコーナー端に残ることができる(第5
図(d))。このように、コーナー新たに局所的に面内
磁界を印加できる手段を備えることにより、コーナー部
でのブロッホライン転送が直線部同様に良好な磁気記憶
素子を提供できる。
ッホライン対は次の駆動パルスでコーナーに転送され、
転送路安定のためにコーナーに設置している1本のブロ
ッホラインと合体し3本のブロッホラインの群となる(
第5図(b))。次の駆動パルスで良好に転送させるた
めには、もとからコーナー端にいた1本のブロッホライ
ンと駆動されてきたブロッホライン対の先頭の1本が新
たに対となり、駆動されてきたブロッホライン対の後尾
の1本が転送路安定用ブロッホラインとなるような組替
え(第5図(C))が必要である。このような組替えを
促進するためには第5図(C)のように組替え後のブロ
ッホライン対とコーナーに残る1本のブロッホラインと
の間の磁壁磁化の向き(この場合は左向き)に局所的に
磁界を印加することにより、新たなブロッホライン対は
駆動パルスにより直線部に転送され、一方新たな安定用
ブロッホラインはコーナー端に残ることができる(第5
図(d))。このように、コーナー新たに局所的に面内
磁界を印加できる手段を備えることにより、コーナー部
でのブロッホライン転送が直線部同様に良好な磁気記憶
素子を提供できる。
(実施例)
以下、本発明を実施例により詳細に説明をする。第1図
は本発明による磁気記憶素子の主要部の構成の一例を示
したものであり、第3図は素子全体の構成を示したもの
である。本実施例では、組成(YSmLuCa)3(F
eGe)5012、膜厚:4.4層m、特性長:0.6
1μm、4yrMs:183Gの磁性ガーネット膜4を
用い、該膜中に幅2μm、厚さ0.5μmの2層の金に
よるジグザグ状導体パタンによりメジャーライン5を構
成している。この2層の導体に90度位相がずれた高周
波電流を印加することによりバブルを転送させる。変換
ゲート1はマイナーループである多数本のストライプド
メインがメジャーライン転送に接する位置に有り、ドメ
イン切断用の1本のヘアピン状導体と局所的に面内磁界
を印加するための3本の平行導体から構成されており(
第1図では省略)、これ等の2種類の導体パタンは全て
のマイナーループ6の端にわたってマイナーループと直
角の方向に配置されている。マイナーループ6は該磁性
ガーネット膜の一部領域を膜の厚さ全てにわたって溝掘
りし、溝7を形成し、政情の周囲を囲むようにストライ
ブドメイン8を安定化させる。このストライプドメイン
を安定化させる方法についてはH,Kawahara他
による論文、アイトリプルイー、トランザクションオン
マグネティックス、MAG−23巻3396頁、198
7年、に記載されている方法で容易に実現する。マイナ
ーループ上のブロッホライン安定化のために全面に均一
な面内磁界11を転送路の長手方向に加える。具体的に
はバイアス磁界方向をチップに対し垂直方向からほんの
少し傾けることにより容易に発生させることができる。
は本発明による磁気記憶素子の主要部の構成の一例を示
したものであり、第3図は素子全体の構成を示したもの
である。本実施例では、組成(YSmLuCa)3(F
eGe)5012、膜厚:4.4層m、特性長:0.6
1μm、4yrMs:183Gの磁性ガーネット膜4を
用い、該膜中に幅2μm、厚さ0.5μmの2層の金に
よるジグザグ状導体パタンによりメジャーライン5を構
成している。この2層の導体に90度位相がずれた高周
波電流を印加することによりバブルを転送させる。変換
ゲート1はマイナーループである多数本のストライプド
メインがメジャーライン転送に接する位置に有り、ドメ
イン切断用の1本のヘアピン状導体と局所的に面内磁界
を印加するための3本の平行導体から構成されており(
第1図では省略)、これ等の2種類の導体パタンは全て
のマイナーループ6の端にわたってマイナーループと直
角の方向に配置されている。マイナーループ6は該磁性
ガーネット膜の一部領域を膜の厚さ全てにわたって溝掘
りし、溝7を形成し、政情の周囲を囲むようにストライ
ブドメイン8を安定化させる。このストライプドメイン
を安定化させる方法についてはH,Kawahara他
による論文、アイトリプルイー、トランザクションオン
マグネティックス、MAG−23巻3396頁、198
7年、に記載されている方法で容易に実現する。マイナ
ーループ上のブロッホライン安定化のために全面に均一
な面内磁界11を転送路の長手方向に加える。具体的に
はバイアス磁界方向をチップに対し垂直方向からほんの
少し傾けることにより容易に発生させることができる。
マイナーループ転送路の直線部には転送路の長手方向に
対し直角方向にCoPt細線パタンの列9を形成し、転
送路直線部のビット転送を安定化する。マイナーループ
転送路の両コーナー部にはCoPtパタン10を転送路
の長手方向に配置した後、CoPtパタンを12方向に
磁化させる。磁化させたCoPtパタンからの12と逆
向きの磁界によりコーナー部でブロッホライン対の組替
えが容易に行なわれる。第2図(a)は本発明による磁
気記憶素子のマイナーループのブロッホラインの周回転
送特性であり、第2図(b)は従来の構成による磁気記
憶素子のマイナーループのブロッホラインの周回転送特
性である。第2図(a)、(b)から明らかなように本
発明の素子の転送特性に著しい改善が見られるが、これ
は転送路コーナーに本発明による面内磁界を印加せしめ
たことにより転送路コーナー部の転送特性が大きく改善
されたことによる。なお、本実施例では転送路コーナー
部に局所的面内磁界を印加するための手段として、Co
Pt磁性膜を配置したが、第4図のように転送路の長手
方向の中心線上に、導体パタン15を配置し、直流電流
を印加することにより、面内磁界を発生させても全く同
様な効果が得られることは言うまでもない。
対し直角方向にCoPt細線パタンの列9を形成し、転
送路直線部のビット転送を安定化する。マイナーループ
転送路の両コーナー部にはCoPtパタン10を転送路
の長手方向に配置した後、CoPtパタンを12方向に
磁化させる。磁化させたCoPtパタンからの12と逆
向きの磁界によりコーナー部でブロッホライン対の組替
えが容易に行なわれる。第2図(a)は本発明による磁
気記憶素子のマイナーループのブロッホラインの周回転
送特性であり、第2図(b)は従来の構成による磁気記
憶素子のマイナーループのブロッホラインの周回転送特
性である。第2図(a)、(b)から明らかなように本
発明の素子の転送特性に著しい改善が見られるが、これ
は転送路コーナーに本発明による面内磁界を印加せしめ
たことにより転送路コーナー部の転送特性が大きく改善
されたことによる。なお、本実施例では転送路コーナー
部に局所的面内磁界を印加するための手段として、Co
Pt磁性膜を配置したが、第4図のように転送路の長手
方向の中心線上に、導体パタン15を配置し、直流電流
を印加することにより、面内磁界を発生させても全く同
様な効果が得られることは言うまでもない。
以上実施例により詳細に説明したように、本発明により
、マイナーループ転送路の周回転送特性が改善され、素
子動作余裕度の大きな磁気記憶素子を提供することがで
き、大容量磁気記憶素子の実用化に資すること犬である
。
、マイナーループ転送路の周回転送特性が改善され、素
子動作余裕度の大きな磁気記憶素子を提供することがで
き、大容量磁気記憶素子の実用化に資すること犬である
。
第1図は本発明による磁気記憶素子の主要部構成を示す
図であり、第2図(a)、(b)はそれぞれ本発明の素
子のマイナーループ転送特性図と従来構成の素子のマイ
ナーループ転送特性図であり、第3図は磁気記憶素子の
構成を示す図であり、第4図は本発明の別の実施例を示
す図であり、第5図(a)、(b)、(C)、(d)は
本発明の主要部でのブロッホライン対の組替えを示す図
である。 図中1は変換ゲート、2はバブル発生器、3はバブル検
出器、4は磁性ガーネット膜、5はメジャーライン、6
はマイナーループ、7は磁性ガーネット膜に形成した溝
、8はストライプドメイン、9はCoPtパタン列、1
0は本発明のコーナー部のCoPtパタン、11は均一
面内磁界、12はTa/Au導体に流した電流による面
内磁界、13はマイナーループ転送路コーナー端、14
はガーネット膜に形成した補助溝、15は本発明の導体
パタンである。
図であり、第2図(a)、(b)はそれぞれ本発明の素
子のマイナーループ転送特性図と従来構成の素子のマイ
ナーループ転送特性図であり、第3図は磁気記憶素子の
構成を示す図であり、第4図は本発明の別の実施例を示
す図であり、第5図(a)、(b)、(C)、(d)は
本発明の主要部でのブロッホライン対の組替えを示す図
である。 図中1は変換ゲート、2はバブル発生器、3はバブル検
出器、4は磁性ガーネット膜、5はメジャーライン、6
はマイナーループ、7は磁性ガーネット膜に形成した溝
、8はストライプドメイン、9はCoPtパタン列、1
0は本発明のコーナー部のCoPtパタン、11は均一
面内磁界、12はTa/Au導体に流した電流による面
内磁界、13はマイナーループ転送路コーナー端、14
はガーネット膜に形成した補助溝、15は本発明の導体
パタンである。
Claims (3)
- (1)情報読み出し手段、情報書き込み手段及び情報蓄
積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易方向と
する軟磁性の強磁性体(フェリ磁性体を含む)膜に、情
報担体として相隣る2つの垂直ブロッホラインからなる
垂直ブロッホライン対を駆動する転送路と、情報担体と
して相隣る2つの垂直ブロッホラインからなる垂直ブロ
ッホライン対を書き込みかつ読み出す機能を有する変換
ゲートとを有する磁気記憶素子において、該転送路のコ
ーナー領域に、面内で素子全域にわたって印加される均
一な面内磁界と垂直方向の磁界を印加する手段を有する
ことを特徴とする磁気記憶素子。 - (2)コーナー領域に磁界を印加する手段として、転送
路コーナー端に該均一面内磁界と垂直の方向に磁化した
面内磁化ハード膜パタンを設置したことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の磁気記憶素子。 - (3)該コーナー領域に面内磁界を印加する手段として
、面内で、転送路の長手方向の中心線上に電流導体を設
けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気
記憶素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2299298A JPH04170785A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 磁気記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2299298A JPH04170785A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 磁気記憶素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04170785A true JPH04170785A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17870723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2299298A Pending JPH04170785A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 磁気記憶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04170785A (ja) |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP2299298A patent/JPH04170785A/ja active Pending
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