JPH03256290A - 磁気記憶素子の書込方法 - Google Patents
磁気記憶素子の書込方法Info
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- JPH03256290A JPH03256290A JP2055448A JP5544890A JPH03256290A JP H03256290 A JPH03256290 A JP H03256290A JP 2055448 A JP2055448 A JP 2055448A JP 5544890 A JP5544890 A JP 5544890A JP H03256290 A JPH03256290 A JP H03256290A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に関する
。
。
(従来の技術と発明が解決しようとする課題)高密度固
体磁気記憶素子を四指して、磁気バブル素子の開発が各
所で盛んに行われている。しがし、現在使用されている
ガーネット利料では、到達可能な最小バブル径は0.3
11mといわれている。したがって、0.3pm径以下
のバブルを保持するバブル材料はガーネット材料以外に
求めなければならない。これは容易ではなく、ここがバ
ブル高密度化の限界であるとさえ考えられている。
体磁気記憶素子を四指して、磁気バブル素子の開発が各
所で盛んに行われている。しがし、現在使用されている
ガーネット利料では、到達可能な最小バブル径は0.3
11mといわれている。したがって、0.3pm径以下
のバブルを保持するバブル材料はガーネット材料以外に
求めなければならない。これは容易ではなく、ここがバ
ブル高密度化の限界であるとさえ考えられている。
このようなバブル保持層の特性に基づく高密度化限界を
大幅に改善し、がっ情報読み出し時間は従来の素子と同
程度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜
面垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性強磁性体(フェ
リ磁性体を含む)膜に形成されるストライプドメインの
境界を形成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在す
る垂直ブロッホライン(以下単にブロッホラインと称す
る)2個からなるブロッホライン対を記憶単位として用
いる素子が発明された(特願昭57−182346)。
大幅に改善し、がっ情報読み出し時間は従来の素子と同
程度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜
面垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性強磁性体(フェ
リ磁性体を含む)膜に形成されるストライプドメインの
境界を形成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在す
る垂直ブロッホライン(以下単にブロッホラインと称す
る)2個からなるブロッホライン対を記憶単位として用
いる素子が発明された(特願昭57−182346)。
本素子において、情報の入力及び出力をプロツボライン
の直接書き込みあるいは読み出しで行なうことは現在の
技術では困難であり、そのため、磁気バブル素子におい
て技術上確立している磁気バブル(以下ではバブルと称
する)の発生、転送および検出技術を用いてデータ人力
をバブルをバブル発生器で発生させることにより行ない
、該バブルをバブル転送路上を転送させ変換ゲートにお
いてブロッホラインに変換する。また読み出し時はブロ
ッホラインを変換ゲートにおいてバブルに変換した後、
バブルをバブル転送路上を転送させ、バブル検出器で読
み出す構成になっている。
の直接書き込みあるいは読み出しで行なうことは現在の
技術では困難であり、そのため、磁気バブル素子におい
て技術上確立している磁気バブル(以下ではバブルと称
する)の発生、転送および検出技術を用いてデータ人力
をバブルをバブル発生器で発生させることにより行ない
、該バブルをバブル転送路上を転送させ変換ゲートにお
いてブロッホラインに変換する。また読み出し時はブロ
ッホラインを変換ゲートにおいてバブルに変換した後、
バブルをバブル転送路上を転送させ、バブル検出器で読
み出す構成になっている。
本記憶素子では通常、アクセス時間を低減するため、第
3図のようなメジャー/マイナー構成と呼ばれる素子構
成が探られる。即ち、第1の転送路であるメジャーライ
ン5の端部に設けられたバブル発生器11により次々と
書き込まれたバブルによるデータ列はメジャーライン転
送路上を転送し、次いで該メジャーライン5に対し直角
に位置し、多数本のブロッホラインを転送させる第2の
転送路であるマイナーループ6と呼ばれる転送路へデー
タを移動するため、各マイナーループ端に設けられた変
換ゲート1でバブルがらブロッホラインにデータが並列
的に変換される。読み出し時はマイナーループ端の変換
ゲート部1に位置したブロッホラインは変換ゲートでバ
ブルに変換される。変換されたバブルは、メジャーライ
ン上を転送し、メジャーライン端のバブル検出器12で
検出され、データ出力される。
3図のようなメジャー/マイナー構成と呼ばれる素子構
成が探られる。即ち、第1の転送路であるメジャーライ
ン5の端部に設けられたバブル発生器11により次々と
書き込まれたバブルによるデータ列はメジャーライン転
送路上を転送し、次いで該メジャーライン5に対し直角
に位置し、多数本のブロッホラインを転送させる第2の
転送路であるマイナーループ6と呼ばれる転送路へデー
タを移動するため、各マイナーループ端に設けられた変
換ゲート1でバブルがらブロッホラインにデータが並列
的に変換される。読み出し時はマイナーループ端の変換
ゲート部1に位置したブロッホラインは変換ゲートでバ
ブルに変換される。変換されたバブルは、メジャーライ
ン上を転送し、メジャーライン端のバブル検出器12で
検出され、データ出力される。
このメジャーラインとマイナーループ間の変換ゲートで
はゲートに近接したメジャーライン上のビット位置にバ
ブルが存在するときは、バブルとの反発作用により、マ
イナーループを構成するドメイン端は伸張しない。一方
、メジャーライン上の変換ゲートに近接したビット位置
にバブルが存在しない時は、マイナーループを構成する
ドメイン端はバイアス磁界を減少させることにより伸張
する。伸張したマイナーループを構成するドメイン端に
対して横断する向きに面内磁界印加用導体とドメイン切
断用ヘアピン導体が設けられている。
はゲートに近接したメジャーライン上のビット位置にバ
ブルが存在するときは、バブルとの反発作用により、マ
イナーループを構成するドメイン端は伸張しない。一方
、メジャーライン上の変換ゲートに近接したビット位置
にバブルが存在しない時は、マイナーループを構成する
ドメイン端はバイアス磁界を減少させることにより伸張
する。伸張したマイナーループを構成するドメイン端に
対して横断する向きに面内磁界印加用導体とドメイン切
断用ヘアピン導体が設けられている。
従来、伸張したマイナーループであるドメイン端に該平
行導体により局所的に面内磁界を印加した」二で該ヘア
ピン導体にバイアス磁界が増加する向きのパルス磁界を
1発印加することにより、伸張したドメインを切断し、
一対のブロッホラインを書き込んでいた。
行導体により局所的に面内磁界を印加した」二で該ヘア
ピン導体にバイアス磁界が増加する向きのパルス磁界を
1発印加することにより、伸張したドメインを切断し、
一対のブロッホラインを書き込んでいた。
伸張したドメイン端に1本のブロッホラインも存在せず
、またバイアス磁界13が存在する状態の第5図(a)
の下で面内磁界を印加すると、第5図(b)のように、
ドメイン磁壁内の磁化の向きが面内磁界と逆向きの部分
で水平ブロッホライン7が発生ずる。ここでヘアピン導
体2によりパルス磁界を印加すると、第5図(e)のよ
うに水平ブロッホラインが下向きにパンチスルーし、一
対の正負の向きのブロッホライン8,9が発生ずる。同
時に該パルス磁界によりドメインが切断される時、正の
ブロッホライン9はσバブルとしてドメインから除去さ
れ、かわりに負のブロッホライン8が1本はいり、第5
図(d)のように結局1対の負のブロッホライン8が書
き込まれる。
、またバイアス磁界13が存在する状態の第5図(a)
の下で面内磁界を印加すると、第5図(b)のように、
ドメイン磁壁内の磁化の向きが面内磁界と逆向きの部分
で水平ブロッホライン7が発生ずる。ここでヘアピン導
体2によりパルス磁界を印加すると、第5図(e)のよ
うに水平ブロッホラインが下向きにパンチスルーし、一
対の正負の向きのブロッホライン8,9が発生ずる。同
時に該パルス磁界によりドメインが切断される時、正の
ブロッホライン9はσバブルとしてドメインから除去さ
れ、かわりに負のブロッホライン8が1本はいり、第5
図(d)のように結局1対の負のブロッホライン8が書
き込まれる。
しかしながら、この書込過程では1発のパルスの印加に
より、水平ブロッホラインのパンチスルーとドメインの
切断の2つの動作が順序良くおこなわれることが必要で
あるが、そのような要求を満たすパルス条件は大きく制
限されるため、誤動作を生じやすい。例えば、水平ブロ
ッホラインがパンチスルーする前にドメイン切断が生じ
ると書込誤動作となる等、正常動作するパルス振幅の余
裕度は小さく、また多数回動作時の信頼性にも欠けてい
た。
より、水平ブロッホラインのパンチスルーとドメインの
切断の2つの動作が順序良くおこなわれることが必要で
あるが、そのような要求を満たすパルス条件は大きく制
限されるため、誤動作を生じやすい。例えば、水平ブロ
ッホラインがパンチスルーする前にドメイン切断が生じ
ると書込誤動作となる等、正常動作するパルス振幅の余
裕度は小さく、また多数回動作時の信頼性にも欠けてい
た。
このような1発パルスによる書込動作を改善するため、
2発のパルスを印加することにまり書込動作過程の水平
ブロッホラインのパンチスルー動作とドメイン切断動作
を確実に行なわしめることも発明された。この従来の2
発のパルスによる書込方法では、それぞれのパルスで水
平ブロッホラインのパンチスルーとドメイン切断を起こ
させるため、正常動作するパルス振幅が広がったが、パ
ルスの電流方向を同一にしていたため、水平ブロッホラ
インをパンチスル−さぜる目的で第1見目のパルスを印
加した時、パルス振幅が大きいと水平ブロッホラインを
パンチスルーさせるのみならず、ドメインの切断も生じ
るため、第1見目のパルス振幅余裕度が制限される欠点
があった。
2発のパルスを印加することにまり書込動作過程の水平
ブロッホラインのパンチスルー動作とドメイン切断動作
を確実に行なわしめることも発明された。この従来の2
発のパルスによる書込方法では、それぞれのパルスで水
平ブロッホラインのパンチスルーとドメイン切断を起こ
させるため、正常動作するパルス振幅が広がったが、パ
ルスの電流方向を同一にしていたため、水平ブロッホラ
インをパンチスル−さぜる目的で第1見目のパルスを印
加した時、パルス振幅が大きいと水平ブロッホラインを
パンチスルーさせるのみならず、ドメインの切断も生じ
るため、第1見目のパルス振幅余裕度が制限される欠点
があった。
本発明の目的はこのような従来の問題点を除去したもの
で、変換ゲートのゲート動作時、水平ブロッホラインの
パンチスルー動作およびその後のドメイン切断動作を互
いに電流の方向が逆向きの2発のパルスを印加すること
により安定に行なわしめることにより、ブロッホライン
書込動作特性のパルス振幅の余裕度が大きく、しかも動
作信頼性が良好な磁気記憶素子の書込方法を提供するこ
とにある。
で、変換ゲートのゲート動作時、水平ブロッホラインの
パンチスルー動作およびその後のドメイン切断動作を互
いに電流の方向が逆向きの2発のパルスを印加すること
により安定に行なわしめることにより、ブロッホライン
書込動作特性のパルス振幅の余裕度が大きく、しかも動
作信頼性が良好な磁気記憶素子の書込方法を提供するこ
とにある。
(課題を解決するための手段)
即ち本発明は情報読み出し手段、情報書込み手段及び情
報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容易
方向とする軟磁性の強磁性体(フェリ磁性体を含む)膜
に、情報担体として相隣る2つの垂直ブロッホラインか
らなる垂直ブロッホライン対を駆動する転送路と、情報
担体として相隣る2つの垂直ブロッホラインからなる垂
直ブロッホライン列を書込かつ読出す機能を有する変換
ゲートとを廟する磁気記憶素子の書込方法であって、該
変換ゲートにおける情報書込時、互いに電流の向きが逆
向きの2発のパルスを印加することを特徴とする磁気記
憶素子の書込方法である。
報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容易
方向とする軟磁性の強磁性体(フェリ磁性体を含む)膜
に、情報担体として相隣る2つの垂直ブロッホラインか
らなる垂直ブロッホライン対を駆動する転送路と、情報
担体として相隣る2つの垂直ブロッホラインからなる垂
直ブロッホライン列を書込かつ読出す機能を有する変換
ゲートとを廟する磁気記憶素子の書込方法であって、該
変換ゲートにおける情報書込時、互いに電流の向きが逆
向きの2発のパルスを印加することを特徴とする磁気記
憶素子の書込方法である。
(作用)
即ち、本発明はメジャーラインとマイナーループ間での
情報変換動作の際、変換ゲートにおいてマイナーループ
端にブロッホライン対を書込動作時、バイアス磁界と逆
向きの磁界が発生ずるように印加した1発目のパルス磁
界により、ドメイン切断動作の生じることなしに水平ブ
ロッホラインのパンチスルー動作のみを起こさせ、バイ
アス磁界と同一方向の磁界である2発目のパルス磁界に
よりドメイン切断動作のみを起こさせることにより、信
頼性の高い書込動作を行える手段を具備した磁気記憶素
子の書込方法を提供するものである。
情報変換動作の際、変換ゲートにおいてマイナーループ
端にブロッホライン対を書込動作時、バイアス磁界と逆
向きの磁界が発生ずるように印加した1発目のパルス磁
界により、ドメイン切断動作の生じることなしに水平ブ
ロッホラインのパンチスルー動作のみを起こさせ、バイ
アス磁界と同一方向の磁界である2発目のパルス磁界に
よりドメイン切断動作のみを起こさせることにより、信
頼性の高い書込動作を行える手段を具備した磁気記憶素
子の書込方法を提供するものである。
本発明者等はブロッホラインを書き込も過程に於けるパ
ルス磁界の役割を詳細に検討した結果、2発のパルスを
用い、第1見目のパルス磁界により水平ブロッホライン
をパンチスルーさせ、第2発白のパルスによりドメイン
を切断させる書込方法は、ただ1発のパルスによる水平
ブロッホラインのパンチスルーとドメイン切断の二つの
動作を起こさしめる書込方法上り書込特性が優れている
ことを見出したが、この従来の2発パルスによる書込方
法では第1発パルス印加時パルス振幅が大きくなると、
第1見目のパルスでドメインが切断される現象が生じ書
込特性を劣化させる問題があることが判明した。このよ
うな問題を解決するために、水平プロツボラインのパン
チスルー過程について、詳細に検討した結果、水平ブロ
ッホラインをパンチスルーさせるためには、パルス磁界
の電流方向が従来のような、バイアス磁界方向のみなら
ず、バイアス磁界と逆向き方向でも同様にパンチスルー
させ得ることが判明した。即ち、バイアス磁界と逆向き
のパルス磁界を印加した時、ドメイン幅は広がる方向に
変化するため、ドメインが切断される可能性は皆無であ
り、第1見目のパルス磁界振幅の上限を規制していたド
メイン切断による誤動作が解消する。
ルス磁界の役割を詳細に検討した結果、2発のパルスを
用い、第1見目のパルス磁界により水平ブロッホライン
をパンチスルーさせ、第2発白のパルスによりドメイン
を切断させる書込方法は、ただ1発のパルスによる水平
ブロッホラインのパンチスルーとドメイン切断の二つの
動作を起こさしめる書込方法上り書込特性が優れている
ことを見出したが、この従来の2発パルスによる書込方
法では第1発パルス印加時パルス振幅が大きくなると、
第1見目のパルスでドメインが切断される現象が生じ書
込特性を劣化させる問題があることが判明した。このよ
うな問題を解決するために、水平プロツボラインのパン
チスルー過程について、詳細に検討した結果、水平ブロ
ッホラインをパンチスルーさせるためには、パルス磁界
の電流方向が従来のような、バイアス磁界方向のみなら
ず、バイアス磁界と逆向き方向でも同様にパンチスルー
させ得ることが判明した。即ち、バイアス磁界と逆向き
のパルス磁界を印加した時、ドメイン幅は広がる方向に
変化するため、ドメインが切断される可能性は皆無であ
り、第1見目のパルス磁界振幅の上限を規制していたド
メイン切断による誤動作が解消する。
(実施例)
以下、本発明を実施例により詳細に説明をする。第4図
は本発明による磁気記憶素子の変換ゲート1の構成の一
例を示したものである。本実施例では、組成(YSmL
uCa)3(FeGe)5012、膜厚: 4.4層m
、特性長+ 0.61pm、4層Ms: 183Gの磁
性ガーネット膜を用い、該膜中に幅2pm、厚さ0.5
11mの2層の金によるジグザグ状導体パタンによりメ
ジャーライン5を構成している。この2層の導体に90
度位相がずれた高周波電流を印加することによりバブル
を転送させる。変換ゲート1はマイナーループである多
数本のストライプドメインがメジャーライン転送に接す
る位置に有り、ドメイン切断用の1本のヘアピン状導体
2と局所的に面内磁界を印加するための3本の平行導体
3から構成されており、これ等の2種類の導体パタンは
ずべてのマイナーループ6の端にわたってマイナールー
プと直角の方向に配置されている。
は本発明による磁気記憶素子の変換ゲート1の構成の一
例を示したものである。本実施例では、組成(YSmL
uCa)3(FeGe)5012、膜厚: 4.4層m
、特性長+ 0.61pm、4層Ms: 183Gの磁
性ガーネット膜を用い、該膜中に幅2pm、厚さ0.5
11mの2層の金によるジグザグ状導体パタンによりメ
ジャーライン5を構成している。この2層の導体に90
度位相がずれた高周波電流を印加することによりバブル
を転送させる。変換ゲート1はマイナーループである多
数本のストライプドメインがメジャーライン転送に接す
る位置に有り、ドメイン切断用の1本のヘアピン状導体
2と局所的に面内磁界を印加するための3本の平行導体
3から構成されており、これ等の2種類の導体パタンは
ずべてのマイナーループ6の端にわたってマイナールー
プと直角の方向に配置されている。
変換ゲート1において、書き込み動作時、マイナールー
プ6を構成するドメインの端を伸張させる。伸張させた
ドメイン端の安定化用の1本のブロッホラインを面内磁
界を回転させる等により側壁部に移動させる。この時、
第5図の従来例とは異なり、ドメイン安定化用のブロッ
ホラインの移動方向を逆向きにすることにより、第6図
(a)のようにドメイン先端での磁壁内の磁化の向きは
バイアス磁界の方向に向かったとき時計回りにする。該
ドメイン端には1本のブロッホラインも存在しない状態
になる。ここで、平行導体3に一定電流を印加し、伸張
させたマイナーループ6の端部に面内磁界を発生させ、
水平ブロッホラインを発生させる。
プ6を構成するドメインの端を伸張させる。伸張させた
ドメイン端の安定化用の1本のブロッホラインを面内磁
界を回転させる等により側壁部に移動させる。この時、
第5図の従来例とは異なり、ドメイン安定化用のブロッ
ホラインの移動方向を逆向きにすることにより、第6図
(a)のようにドメイン先端での磁壁内の磁化の向きは
バイアス磁界の方向に向かったとき時計回りにする。該
ドメイン端には1本のブロッホラインも存在しない状態
になる。ここで、平行導体3に一定電流を印加し、伸張
させたマイナーループ6の端部に面内磁界を発生させ、
水平ブロッホラインを発生させる。
第6図(b)の↓うに水平ブロッホラインの発生する側
の磁壁は従来例(第5図(b))と反対側である。この
状態でヘアピン導体2にバイアス磁界と逆向き方向の1
発のパルスを加えることにより、発生している水平ブロ
ッホラインが下向きにパンチスルーし、ヘアピン導体下
のマイナーループ6であるドメインに正負一対のブロッ
ホラインを発生させる(第6図(C))。パルス磁界の
方向がバイアス磁界と逆向きであるため、ドメイン幅は
広くなり、決して切断されることはない。次いでヘアピ
ン導体2にバイアス磁界と同一方向の2発目のパルスを
印加することにより、第6図(d)のように正負−則の
ブロッホライン8.9の間でドメインを切断することに
より一対の負のプロツボライン8を書き込むことができ
る。
の磁壁は従来例(第5図(b))と反対側である。この
状態でヘアピン導体2にバイアス磁界と逆向き方向の1
発のパルスを加えることにより、発生している水平ブロ
ッホラインが下向きにパンチスルーし、ヘアピン導体下
のマイナーループ6であるドメインに正負一対のブロッ
ホラインを発生させる(第6図(C))。パルス磁界の
方向がバイアス磁界と逆向きであるため、ドメイン幅は
広くなり、決して切断されることはない。次いでヘアピ
ン導体2にバイアス磁界と同一方向の2発目のパルスを
印加することにより、第6図(d)のように正負−則の
ブロッホライン8.9の間でドメインを切断することに
より一対の負のプロツボライン8を書き込むことができ
る。
ここで、第1発目のパルスの立上がり、立下がり時間が
50ns以下では第1図のように広いパルス振幅範囲で
パンチスルーを生じさせることができた。
50ns以下では第1図のように広いパルス振幅範囲で
パンチスルーを生じさせることができた。
水平ブロッホラインを正常にパンチスルーさせ得るパル
ス振幅の範囲は第1図のように30mA以上と広く、し
かも多数回試行時の再現性も良好であった。又、高バイ
アス磁界に動作範囲が拡がった。
ス振幅の範囲は第1図のように30mA以上と広く、し
かも多数回試行時の再現性も良好であった。又、高バイ
アス磁界に動作範囲が拡がった。
一方、従来の第1発目のパルスをバイアス磁界方向に印
加した場合、多数回試行時の再現性は良好であったが、
正常に動作するパルス振幅の上限がドメイン切断現象に
よって制限されるため、正常(11) 動作パルス振幅範囲は第2図のように10mA以下であ
った。
加した場合、多数回試行時の再現性は良好であったが、
正常に動作するパルス振幅の上限がドメイン切断現象に
よって制限されるため、正常(11) 動作パルス振幅範囲は第2図のように10mA以下であ
った。
第2発目のパルス磁界に対しては、従来例同様立」二か
り、立下がり時間が100ns以」−であると、パンチ
スルーを起こさせず、ドメイン切断のみを生じさせるパ
ルス振幅の余裕度は10mA以上であった。
り、立下がり時間が100ns以」−であると、パンチ
スルーを起こさせず、ドメイン切断のみを生じさせるパ
ルス振幅の余裕度は10mA以上であった。
以上の実施例のように、バイアス磁界方向に2発のパル
スを印加して書き込む方法と比較して、充分なパルス振
幅で書き込むことができ、多数回試行した時の再現性、
信頼性も良好であった。
スを印加して書き込む方法と比較して、充分なパルス振
幅で書き込むことができ、多数回試行した時の再現性、
信頼性も良好であった。
(発明の効果)
以上実施例により詳細に説明したように、本発明により
、パルス振幅余裕度が大きく、また動作信頼性の大きな
磁気記憶素子の書込方法を提供することができ、大容量
磁気記憶素子の実用化に資すること大である。
、パルス振幅余裕度が大きく、また動作信頼性の大きな
磁気記憶素子の書込方法を提供することができ、大容量
磁気記憶素子の実用化に資すること大である。
第1図は本発明の実施例1による書込パルス電流の余裕
度を示す図であり、第2図は従来の書込方法での書込パ
ルス電廉の余裕度を示す図であり、第3(12) 図は磁気記憶素子の構成を示す図であり、第4図は本発
明の磁気記憶素子の書込方法に関する主要部の構成を示
す図であり、第5図は磁気記憶素子の書込過程を示す図
であり、第6図は本発明の磁気記憶素子の書込過程を示
す図である。 図中1は変換ゲート、2はヘアピン状導体、3は平行導
体、5はメジャーライン、6はマイナーループ、7は水
平ブロッホライン、8は負のブロッホライン、9は正の
ブロッホライン、10はσバブル、11は発生器、12
は検出器、13はバイアス磁界である。
度を示す図であり、第2図は従来の書込方法での書込パ
ルス電廉の余裕度を示す図であり、第3(12) 図は磁気記憶素子の構成を示す図であり、第4図は本発
明の磁気記憶素子の書込方法に関する主要部の構成を示
す図であり、第5図は磁気記憶素子の書込過程を示す図
であり、第6図は本発明の磁気記憶素子の書込過程を示
す図である。 図中1は変換ゲート、2はヘアピン状導体、3は平行導
体、5はメジャーライン、6はマイナーループ、7は水
平ブロッホライン、8は負のブロッホライン、9は正の
ブロッホライン、10はσバブル、11は発生器、12
は検出器、13はバイアス磁界である。
Claims (1)
- (1)情報読み出し手段、情報書込み手段及び情報蓄積
手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容易方向と
する軟磁性の強磁性体(フェリ磁性体を含む)膜に、情
報担体として相隣る2つの垂直ブロッホラインからなる
垂直ブロッホライン対を駆動する転送路と、前記垂直ブ
ロッホライン対を書込かつ読出す機能を有する変換ゲー
トとを有する磁気記憶素子の書込方法であって、該変換
ゲートにおける情報書込時、互いに電流の向きが逆向き
の2発のパルスを印加することを特徴とする磁気記憶素
子の書込方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2055448A JPH03256290A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 磁気記憶素子の書込方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2055448A JPH03256290A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 磁気記憶素子の書込方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03256290A true JPH03256290A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12998885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2055448A Pending JPH03256290A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 磁気記憶素子の書込方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03256290A (ja) |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP2055448A patent/JPH03256290A/ja active Pending
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