JPS5996593A - 書込みトランスフア−ゲ−ト - Google Patents
書込みトランスフア−ゲ−トInfo
- Publication number
- JPS5996593A JPS5996593A JP57205741A JP20574182A JPS5996593A JP S5996593 A JPS5996593 A JP S5996593A JP 57205741 A JP57205741 A JP 57205741A JP 20574182 A JP20574182 A JP 20574182A JP S5996593 A JPS5996593 A JP S5996593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- domain
- information
- minor
- conductor
- transfer gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は膜面垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性体薄
膜に形成されるストライプドメインの境界を形成するブ
ロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する垂直ブロッオラ
イン全記憶単位として用いた磁気記憶素子に関し、さら
に詳しくは該磁気記憶素子に形成される書込みトランス
ファーゲートに関する。
膜に形成されるストライプドメインの境界を形成するブ
ロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する垂直ブロッオラ
イン全記憶単位として用いた磁気記憶素子に関し、さら
に詳しくは該磁気記憶素子に形成される書込みトランス
ファーゲートに関する。
磁気バブル素子の開発は高密歴化金目積して各所でパー
マロイデバイス、イオン注入コンティギーアスディスク
デバイス、電流胆動デバイスおよびこれらを組合せたい
わゆる混成型デバイスについて盛んに行われている。こ
れらのデバイスの高密度化の限界は、バブル転送路を形
成するだめのフォトリソグラフィー技術にあるといわれ
てきた。
マロイデバイス、イオン注入コンティギーアスディスク
デバイス、電流胆動デバイスおよびこれらを組合せたい
わゆる混成型デバイスについて盛んに行われている。こ
れらのデバイスの高密度化の限界は、バブル転送路を形
成するだめのフォトリソグラフィー技術にあるといわれ
てきた。
しかし、近年、その技術が長足に進歩してきた。
その結果、高密度化のための材料す々わち、バブル径を
どこまで小さくできるかが問題視されるようになってき
た。現在使用されているガーネット材料では、到達可能
な最小バブル径は03μmといわれている。したがって
、0.3μm径以下のバブルを保持するバブル詞料はガ
ーネット材料以外に求めなければならない。これは容易
ではなく、ここがバブル高密度化の限界であるとさえ考
えられている。
どこまで小さくできるかが問題視されるようになってき
た。現在使用されているガーネット材料では、到達可能
な最小バブル径は03μmといわれている。したがって
、0.3μm径以下のバブルを保持するバブル詞料はガ
ーネット材料以外に求めなければならない。これは容易
ではなく、ここがバブル高密度化の限界であるとさえ考
えられている。
一方、このようなバブル保持層の特性に基く高賃度化限
界を大幅に改善し、かつ、惟#読出し時間は従来の素子
と同程度に保つことがでさる、新らたな記憶・素子が提
案されている。この母気記憶素子は114報読出し手段
と情報書込み手段と(T9報蓄積手段を備え、膜面に垂
直な方向を48化容易方向とする強磁性体膜(フェリ磁
性体膜を含む)に存在するストライプドメインの境界の
ブロッホ磁壁の中に作った相隣合う垂直プロッホライン
対を記憶情報単位として用い、該垂直プロッホラインを
ブロッホ磁壁内で転送する手段を有することを特徴とす
る。
界を大幅に改善し、かつ、惟#読出し時間は従来の素子
と同程度に保つことがでさる、新らたな記憶・素子が提
案されている。この母気記憶素子は114報読出し手段
と情報書込み手段と(T9報蓄積手段を備え、膜面に垂
直な方向を48化容易方向とする強磁性体膜(フェリ磁
性体膜を含む)に存在するストライプドメインの境界の
ブロッホ磁壁の中に作った相隣合う垂直プロッホライン
対を記憶情報単位として用い、該垂直プロッホラインを
ブロッホ磁壁内で転送する手段を有することを特徴とす
る。
この素子の構成をメジャーマイナー構成とする場合、メ
ジャーラインでは従来通)バブルドメインを1h報単位
とし、マイナーループをストライプドメインでう蒋成し
、その周辺のブロッホ磁Wtl内に存在する垂直プロッ
ホライン(以下VBLという。)を情報単位とする。第
1図はチップの全体図である。全体の情報の流れ會示す
と、まず、発生器1で書込まれた情報(バブルの有無)
は書込みメジャーラインを上から下へ移動する。この情
報をマイナーループ2へ記憶させるために、バブル3の
有無で示されたメジャーライン上の情報をマイナールー
プへVBLの形でトランスファーできるように、マイナ
ーループをVBLを保持できるブロッホ磁壁で構成する
ことが本発明の特徴で冷シ、記憶容量の飛躍的向上の重
要なカギになっている。書込みライニ/トランスファー
ゲート4によシ、マイナールーズにトランスファーされ
た情報(VBL)はマイナーループを構成するストライ
ブドメイン磁壁土を移動させることができる。マイナー
ループから読出しメジャーラインへの情報トランスファ
ーはVBLからバブルへの変換を伴う。なお、この読出
しトランスファーゲート5はブロックレプリケータ機能
も合せ持っている。
ジャーラインでは従来通)バブルドメインを1h報単位
とし、マイナーループをストライプドメインでう蒋成し
、その周辺のブロッホ磁Wtl内に存在する垂直プロッ
ホライン(以下VBLという。)を情報単位とする。第
1図はチップの全体図である。全体の情報の流れ會示す
と、まず、発生器1で書込まれた情報(バブルの有無)
は書込みメジャーラインを上から下へ移動する。この情
報をマイナーループ2へ記憶させるために、バブル3の
有無で示されたメジャーライン上の情報をマイナールー
プへVBLの形でトランスファーできるように、マイナ
ーループをVBLを保持できるブロッホ磁壁で構成する
ことが本発明の特徴で冷シ、記憶容量の飛躍的向上の重
要なカギになっている。書込みライニ/トランスファー
ゲート4によシ、マイナールーズにトランスファーされ
た情報(VBL)はマイナーループを構成するストライ
ブドメイン磁壁土を移動させることができる。マイナー
ループから読出しメジャーラインへの情報トランスファ
ーはVBLからバブルへの変換を伴う。なお、この読出
しトランスファーゲート5はブロックレプリケータ機能
も合せ持っている。
この素子の構成例についてさらに詳しく説明する。メジ
ャーラインは書込み、読出しともに電流駆動方式を採用
している。
ャーラインは書込み、読出しともに電流駆動方式を採用
している。
4本の平行コンダクタ−からなる書込みトランスファー
ゲートはメジャーライン上のバブルとマイナーループを
構成するストン・イブドメインヘッドとの相互作用を用
いている。メジャーラインチ伴フ上にバブルドメインが
あると、それにつながるマイナーループを構成している
ストライプドメインのヘッドはバブルとストライプドメ
インとの反発相互作用のため、バブルから遠ざかること
を利用している。書込みメジャーラインにバブルがない
とき、マイナールーズのストライプドメイン磁壁にVB
Lを書込む。VBLをストライプドメインヘッドに作る
手段として、ストライプドメインヘッドをそれに接する
コンダクタ−パターンにパルス電流を与えることによシ
、ダイナミックに移動させ、ヘッド部感壁をダイナミッ
クコンバージョンさせることをオリ用した。この方法で
、VBLが2つできるが、これらは互いに性質が異なり
、再結合しやすい。そこで、情報を安定化できるように
ストライプドメインの長手方向に面内磁界を加え、スト
ライプドメイン側の2本のコンダクタ−によってストラ
イプドメインヘッド金切離しすことによシ、ストライプ
ドメイン中に2つの同じ性質のVBLを作る。同じ性質
のVBLは互いに近づいても安定に存在する。メジャー
ラインにバブルが存在しているところに対応するマイナ
ールーズのストライプドメインヘッドはバブルとの反発
作用のだめ、上記コンダクタ−パターンから離れている
ため、VBLは形成され々い。結果的にメジャーライン
の情報“1″をマイナーループ内にVBL対がない状態
としてトランスファーしたととになる。
ゲートはメジャーライン上のバブルとマイナーループを
構成するストン・イブドメインヘッドとの相互作用を用
いている。メジャーラインチ伴フ上にバブルドメインが
あると、それにつながるマイナーループを構成している
ストライプドメインのヘッドはバブルとストライプドメ
インとの反発相互作用のため、バブルから遠ざかること
を利用している。書込みメジャーラインにバブルがない
とき、マイナールーズのストライプドメイン磁壁にVB
Lを書込む。VBLをストライプドメインヘッドに作る
手段として、ストライプドメインヘッドをそれに接する
コンダクタ−パターンにパルス電流を与えることによシ
、ダイナミックに移動させ、ヘッド部感壁をダイナミッ
クコンバージョンさせることをオリ用した。この方法で
、VBLが2つできるが、これらは互いに性質が異なり
、再結合しやすい。そこで、情報を安定化できるように
ストライプドメインの長手方向に面内磁界を加え、スト
ライプドメイン側の2本のコンダクタ−によってストラ
イプドメインヘッド金切離しすことによシ、ストライプ
ドメイン中に2つの同じ性質のVBLを作る。同じ性質
のVBLは互いに近づいても安定に存在する。メジャー
ラインにバブルが存在しているところに対応するマイナ
ールーズのストライプドメインヘッドはバブルとの反発
作用のだめ、上記コンダクタ−パターンから離れている
ため、VBLは形成され々い。結果的にメジャーライン
の情報“1″をマイナーループ内にVBL対がない状態
としてトランスファーしたととになる。
マイナーループ内では性質が同じVBLの対を1ビツト
として情報が記憶される。レプリケータ−作用の安定性
を考えて(IIVBL対を使っている。
として情報が記憶される。レプリケータ−作用の安定性
を考えて(IIVBL対を使っている。
マイナーループ内のビット周期つま、9、VBL間隔を
一定に保つように、1ビツトずつ遂次転送できるように
転送パターンをつける。−例どして、上記マイナールー
プを構成するストライプドメイン上にストライプドメイ
ンの長手方向に直角方向にVBL間の安定間隔S。02
倍の周期で、幅S(lのパーマロイ劾膜で作った平行細
線パターンを形成し、平行細線の両ψ口に誘起される磁
気とVBLとの相互作用を利用した。
一定に保つように、1ビツトずつ遂次転送できるように
転送パターンをつける。−例どして、上記マイナールー
プを構成するストライプドメイン上にストライプドメイ
ンの長手方向に直角方向にVBL間の安定間隔S。02
倍の周期で、幅S(lのパーマロイ劾膜で作った平行細
線パターンを形成し、平行細線の両ψ口に誘起される磁
気とVBLとの相互作用を利用した。
VBLのマイナーループに沿っての転送は一つの方法と
して、ストライプドメインにパルスバイアス磁界をL口
えてダイナミックに行なった。
して、ストライプドメインにパルスバイアス磁界をL口
えてダイナミックに行なった。
3本の平行コンダクタ−からなる読出しトランスファー
ゲートは、マイナールーズを形成しているストライプド
メイン8壁にVBLとして記憶されている情報をバブル
に変換してメジャーラインにトランスファーアウトし、
かつ、マイナーループ上の411報が破壊されないよう
にするレプリケータ−の働きも兼備えている。
ゲートは、マイナールーズを形成しているストライプド
メイン8壁にVBLとして記憶されている情報をバブル
に変換してメジャーラインにトランスファーアウトし、
かつ、マイナーループ上の411報が破壊されないよう
にするレプリケータ−の働きも兼備えている。
動作原理を説明する。VBL対で形成される1ビツトの
片割れを例えば、面内磁界を加えてストライプドメイン
ヘッドに固定する。その後コンダクタ−パターンを用い
て、このストライプドメインヘッドを切シとババブルに
する。そうすると、バブルを切りとった後のストライプ
ドメインへ。
片割れを例えば、面内磁界を加えてストライプドメイン
ヘッドに固定する。その後コンダクタ−パターンを用い
て、このストライプドメインヘッドを切シとババブルに
する。そうすると、バブルを切りとった後のストライプ
ドメインへ。
ドには切シとったVBLと同じVBLが構成される。
このよりなVBLのレプリケート作用はマイナス符号の
VBLに約してのみ生じる。
VBLに約してのみ生じる。
マイナールーズのストライプドメインヘッドから切シと
られたバブルはメジャーライン上を検出器に向けて転送
される。ここではストライプドメインヘッドにVBLが
ある場合とない場合とでストライプドメインヘッドを切
りとるパルス電流値が異なることを利用している。スト
ライプドメインヘッドにVBLがない場合は切れにくい
。しだがって、ストライプドメインヘッドにVBLがあ
る場合はメジャーラインにバブルを送シ込めるが、VB
Lがない場合はバブルはない。つまシ、マイナーループ
上のVBLの有無(2,0)は読出しメジャーライン上
ではバブルの有無に変換されている。
られたバブルはメジャーライン上を検出器に向けて転送
される。ここではストライプドメインヘッドにVBLが
ある場合とない場合とでストライプドメインヘッドを切
りとるパルス電流値が異なることを利用している。スト
ライプドメインヘッドにVBLがない場合は切れにくい
。しだがって、ストライプドメインヘッドにVBLがあ
る場合はメジャーラインにバブルを送シ込めるが、VB
Lがない場合はバブルはない。つまシ、マイナーループ
上のVBLの有無(2,0)は読出しメジャーライン上
ではバブルの有無に変換されている。
VBL対の消去法について述べる。消云したいVBL対
を書込みメジャーライン側のマイナールーズのストライ
プドメインヘッドの最近接位置におく。次に面内磁界H
3pを加えて、消去したいVBL対と、そのとなυのV
BL対の片割れをストライプドメインヘッドにもってき
て、情報書込みの際、プラスのVBLを切りとるために
用いた平行コンダクタ−を使ってストライプドメインヘ
ッドを切シとる。バブルドメインを切シとったあとのス
トライプドメインヘッドには、消云したいVBL対と共
にもってきたVBLがレプリケートされる。結局、消云
しだいVBL対のみが消去されることになる。
を書込みメジャーライン側のマイナールーズのストライ
プドメインヘッドの最近接位置におく。次に面内磁界H
3pを加えて、消去したいVBL対と、そのとなυのV
BL対の片割れをストライプドメインヘッドにもってき
て、情報書込みの際、プラスのVBLを切りとるために
用いた平行コンダクタ−を使ってストライプドメインヘ
ッドを切シとる。バブルドメインを切シとったあとのス
トライプドメインヘッドには、消云したいVBL対と共
にもってきたVBLがレプリケートされる。結局、消云
しだいVBL対のみが消去されることになる。
なお、マイナーループ全体をクリアする場合は予め、バ
イアス磁界を上げて全体のストライプドメインを一旦消
云したあと、s=1バブルからマイナーループスドライ
ブドメインを形成することにより、VBLが全体ない全
ビット零の状態を作ることができる。
イアス磁界を上げて全体のストライプドメインを一旦消
云したあと、s=1バブルからマイナーループスドライ
ブドメインを形成することにより、VBLが全体ない全
ビット零の状態を作ることができる。
このようにマイナーループをバブル材料に存在するスト
ライプドメインで構成し、マイナーループ上での情報単
位としてバブルドメインの代シにVBLを用いるととに
よシ、従来のバブルドメインを用いた素子に比較して約
2桁の記憶密度向上を達成できる。
ライプドメインで構成し、マイナーループ上での情報単
位としてバブルドメインの代シにVBLを用いるととに
よシ、従来のバブルドメインを用いた素子に比較して約
2桁の記憶密度向上を達成できる。
本発明は、以上のような原理に基づく記tυ素子を構成
する上で必安不OJ欠な書込みトランスファーゲートに
関し、前述の構成に比べよシ安定に情報を薔き込むこと
ができる書込みトランスファーゲートを提供することを
目的とする。
する上で必安不OJ欠な書込みトランスファーゲートに
関し、前述の構成に比べよシ安定に情報を薔き込むこと
ができる書込みトランスファーゲートを提供することを
目的とする。
すなわち本発明は惰報読み出し手段と情報書込み手段と
4’rr報蓄積手段を備え、膜+fJiに垂直な方向を
8化容易方向とする強磁性体膜(フェリ磁性体膜を含む
)に存在するストライプドメインの境界のブロッホ磁壁
中に作った相隣る2つの垂直プロッホラインからなる垂
直プロッホライン対を記憶情報単位として用い、該垂直
プロッホラインをブロッホ磁壁内で転送する手段を有す
るメジャー・マイナー構成の磁気記憶素子に形成する書
込みトランスファーゲートにおいて、5本の導体からな
り、これらのうち両列側に位置するメジャーラインより
情報を移動させる導体とストライプドメインを引き伸ば
す導体はマイナーループチャンネルに対応する位置でヘ
アピン状に屈曲しておシ、しかも前記2つの導体の該ヘ
アピン状屈曲部は互いに一部がM々9合い、かつマイナ
ーループチャンネルに平行に形成されていることを特徴
とする書込みトランスファーゲートである。
4’rr報蓄積手段を備え、膜+fJiに垂直な方向を
8化容易方向とする強磁性体膜(フェリ磁性体膜を含む
)に存在するストライプドメインの境界のブロッホ磁壁
中に作った相隣る2つの垂直プロッホラインからなる垂
直プロッホライン対を記憶情報単位として用い、該垂直
プロッホラインをブロッホ磁壁内で転送する手段を有す
るメジャー・マイナー構成の磁気記憶素子に形成する書
込みトランスファーゲートにおいて、5本の導体からな
り、これらのうち両列側に位置するメジャーラインより
情報を移動させる導体とストライプドメインを引き伸ば
す導体はマイナーループチャンネルに対応する位置でヘ
アピン状に屈曲しておシ、しかも前記2つの導体の該ヘ
アピン状屈曲部は互いに一部がM々9合い、かつマイナ
ーループチャンネルに平行に形成されていることを特徴
とする書込みトランスファーゲートである。
まず、書込みトランスファーゲートの動作原理を第2図
に従ってさらに詳しく説明する。ここに例示するトラン
スファーゲートはメジャーライン」二のバブルとマイナ
ーループを構成するストライプドメインヘッドとの相互
作用を用いている。つ−t、b、メジャーライン上にバ
ブルドメインがあると、それにつながるマイナール・−
プを構成しているストライプドメインのヘッドはバブル
とストライプドメインとの反発相互作用のだめ、バブル
から遠ざかることを利用している。
に従ってさらに詳しく説明する。ここに例示するトラン
スファーゲートはメジャーライン」二のバブルとマイナ
ーループを構成するストライプドメインヘッドとの相互
作用を用いている。つ−t、b、メジャーライン上にバ
ブルドメインがあると、それにつながるマイナール・−
プを構成しているストライプドメインのヘッドはバブル
とストライプドメインとの反発相互作用のだめ、バブル
から遠ざかることを利用している。
第2図には、書込みメジャーラインにバブルがないとき
、マイナールーズのストライプドメイン磁壁にVBLi
書込む、いわゆる相補型トランスファーゲートの動作手
順を示す。トランスファーゲートば4本の平行コンダク
タ−からできている。−マイナールーズ全構成するスト
ライプドメインはメジャーライン上にバブルがない場合
、第2図(a)に示す位置に安定化させておく。ストラ
イプドメインヘッドにVBLi作る方法として、ここで
はコンダクタ−ライン6にパルス電流Ip+を与え、ス
トライプドメインヘッドを第2図(blに示す方向にダ
イナミックに移動させる方法を用いる。こうすることに
よって、ストライツブヘッド音[(10の〕゛ロッホi
壁部の磁化は180°回転し、第2図(a)の向きから
紀2図(b) 、 (C1の向きに変る。これは418
曝構造のダイナミックコンバージョンという。こうする
ことにより、ストライプドメインヘッドの両倶1に、ブ
ロッホ砂壁の砂体が互いにぶつかり合うところ11.1
2ができる。その部分がVBLと呼ばれるところである
。いま述べたような方法でVBLを作ると必ず■VBL
IIとeVBL12が対になっている。
、マイナールーズのストライプドメイン磁壁にVBLi
書込む、いわゆる相補型トランスファーゲートの動作手
順を示す。トランスファーゲートば4本の平行コンダク
タ−からできている。−マイナールーズ全構成するスト
ライプドメインはメジャーライン上にバブルがない場合
、第2図(a)に示す位置に安定化させておく。ストラ
イプドメインヘッドにVBLi作る方法として、ここで
はコンダクタ−ライン6にパルス電流Ip+を与え、ス
トライプドメインヘッドを第2図(blに示す方向にダ
イナミックに移動させる方法を用いる。こうすることに
よって、ストライツブヘッド音[(10の〕゛ロッホi
壁部の磁化は180°回転し、第2図(a)の向きから
紀2図(b) 、 (C1の向きに変る。これは418
曝構造のダイナミックコンバージョンという。こうする
ことにより、ストライプドメインヘッドの両倶1に、ブ
ロッホ砂壁の砂体が互いにぶつかり合うところ11.1
2ができる。その部分がVBLと呼ばれるところである
。いま述べたような方法でVBLを作ると必ず■VBL
IIとeVBL12が対になっている。
eVBLとeVBLが互いに相隣り合って存在している
と、それらは互いに再結合しやすく、情報保持の安定性
がよくない。
と、それらは互いに再結合しやすく、情報保持の安定性
がよくない。
第2図(b)は外部面内磁界H4p f加えておくこと
により、ストライプドメインヘッド部のブロッホ8B
’iJ jH化k HI p方向に固定し、fEEIV
BLとeVBLの再結合を防いでいる。しかし、実際の
素子では常にHipi加えておくことがVBL1%報の
安定性の見地から不、4−ffiであることがわかって
いる。そこで、ここではHipがなくてもVBL情報が
安定化できるように、VBLのタイプk =麺、Thに
するよう工夫しである。その隙、院出しライントランス
ファーゲートにレプリケータ−機能を持たせられること
をJ#、jしてeVBIl−残すことにしである。次に
、eVBLだけ全マイナールーズのストライプドメイン
缶壁に残す方法を述べる。まず、第2図(d)に示す向
きにHipe加える。そうすると、ブロッホ磁壁磁化全
T(ip向きに向ける方がゼーマンエネルギーを得るの
で、eVBLがストライプドメインへ。
により、ストライプドメインヘッド部のブロッホ8B
’iJ jH化k HI p方向に固定し、fEEIV
BLとeVBLの再結合を防いでいる。しかし、実際の
素子では常にHipi加えておくことがVBL1%報の
安定性の見地から不、4−ffiであることがわかって
いる。そこで、ここではHipがなくてもVBL情報が
安定化できるように、VBLのタイプk =麺、Thに
するよう工夫しである。その隙、院出しライントランス
ファーゲートにレプリケータ−機能を持たせられること
をJ#、jしてeVBIl−残すことにしである。次に
、eVBLだけ全マイナールーズのストライプドメイン
缶壁に残す方法を述べる。まず、第2図(d)に示す向
きにHipe加える。そうすると、ブロッホ磁壁磁化全
T(ip向きに向ける方がゼーマンエネルギーを得るの
で、eVBLがストライプドメインへ。
ドにくる。この状態で、コンダクタ−8,9に互いに逆
向きにパルス電流を与え、ストライプドメインヘッドを
第2図(e)のように切削す。そうすると、■VBLi
切シとられたストライプドメインヘッドには□VBL1
3が形成される。このeVBLとマイナールーズに烈し
ておいた□VBL1.2の計2本のeVBLを対にして
ビ、トヲ形成する。この一連の動作により、書込みメン
ヤーライン上の情報”O″をマイナーループ内に(9V
B Lの対14としてトランスファーできる。同じ符
号のV B Lは互いに近づいても安定に存在する。メ
ジャーラインにバブルが存在しているところに対応する
マイナールーズのストライプドメインへ、ドはバブルと
の反発相互作用f 7:j用してコンダクタ−9の右0
111にくるようにしておくと、第2図に示す一連の動
作ではそのストライプドメインヘッド状態は不変である
。したがって、結果的にメジャーラインの情報”1”を
マイナーループ内にVBIJIがない状態としてトラン
スファーしたことになる。なお、トランスファーゲート
で切シとった不用バブルは第2図(flに示すように、
コンダクタ−6,8に平行パルス電流を与えて、メジャ
ーラインへ移動させ、服後に消去する。
向きにパルス電流を与え、ストライプドメインヘッドを
第2図(e)のように切削す。そうすると、■VBLi
切シとられたストライプドメインヘッドには□VBL1
3が形成される。このeVBLとマイナールーズに烈し
ておいた□VBL1.2の計2本のeVBLを対にして
ビ、トヲ形成する。この一連の動作により、書込みメン
ヤーライン上の情報”O″をマイナーループ内に(9V
B Lの対14としてトランスファーできる。同じ符
号のV B Lは互いに近づいても安定に存在する。メ
ジャーラインにバブルが存在しているところに対応する
マイナールーズのストライプドメインへ、ドはバブルと
の反発相互作用f 7:j用してコンダクタ−9の右0
111にくるようにしておくと、第2図に示す一連の動
作ではそのストライプドメインヘッド状態は不変である
。したがって、結果的にメジャーラインの情報”1”を
マイナーループ内にVBIJIがない状態としてトラン
スファーしたことになる。なお、トランスファーゲート
で切シとった不用バブルは第2図(flに示すように、
コンダクタ−6,8に平行パルス電流を与えて、メジャ
ーラインへ移動させ、服後に消去する。
本発明は、上記例に導体パターンを追加し、さらに導体
パターンの形状を変えることで、より安定に動作する書
込みトランスファゲート’を提供するものである。
パターンの形状を変えることで、より安定に動作する書
込みトランスファゲート’を提供するものである。
以下本発明の要旨全実施例を示す第3図を使って詳細に
説明する。本発明では、第1の導体”31”と第5の導
体35全マイナル−ブチヤンネルCH1,CH2,−・
・・・CHn部でマイナルーブ・チャンネルに実質的に
平行々ヘアピン状にし、かつ、第1の導体31と第5の
導体35の一部が重り合うように配置することが特徴で
ある。
説明する。本発明では、第1の導体”31”と第5の導
体35全マイナル−ブチヤンネルCH1,CH2,−・
・・・CHn部でマイナルーブ・チャンネルに実質的に
平行々ヘアピン状にし、かつ、第1の導体31と第5の
導体35の一部が重り合うように配置することが特徴で
ある。
次に動作について説明する。バブル発生器で=#込まれ
た・1白報列は、メジャーライン37によりマイナル−
ブチヤンネルまで転送される。ここでは例として2つの
マイナル−ブチヤンネルを示す。
た・1白報列は、メジャーライン37によりマイナル−
ブチヤンネルまで転送される。ここでは例として2つの
マイナル−ブチヤンネルを示す。
マイナル−ブチヤンネルCHIにはバブルが有シ、(1
の状態)マイナル−ブチヤンネルCH2にはバブルが無
い(0の状態)を示している。メジャーライン37によ
シ各マイナル−ブチヤンネルに転送された情報は、第1
の導体31に電流を流すことによりメジャーラインから
書込みゲート部に移される。すなわち図中位置Aにあっ
たバブルは、位置Bに移される。次に第5の導体35に
電流金泥し、ストライブドメイン36ヲ弓厖のばす。こ
の時、バブルのあるマイナーループチャンネルCHIは
、導体中のバブルBものびるため、ストライプドメイン
の先端は、ヘアピン導体35の先端、すなわち、第2の
4体32の近くまでのびることはない。バブルのないチ
ャンネルCH2では、ストライプドメインの先端は、導
体32の近くまでのびる。
の状態)マイナル−ブチヤンネルCH2にはバブルが無
い(0の状態)を示している。メジャーライン37によ
シ各マイナル−ブチヤンネルに転送された情報は、第1
の導体31に電流を流すことによりメジャーラインから
書込みゲート部に移される。すなわち図中位置Aにあっ
たバブルは、位置Bに移される。次に第5の導体35に
電流金泥し、ストライブドメイン36ヲ弓厖のばす。こ
の時、バブルのあるマイナーループチャンネルCHIは
、導体中のバブルBものびるため、ストライプドメイン
の先端は、ヘアピン導体35の先端、すなわち、第2の
4体32の近くまでのびることはない。バブルのないチ
ャンネルCH2では、ストライプドメインの先端は、導
体32の近くまでのびる。
第3図の破線は、このような状態全示したものである。
次に導体32に′直流を流すことによシ、CH,2部に
おいてストライプドメインの先鼎11に垂面プロッホラ
インV B L ”f作り、次に導体33.34でスト
ライプドメインをカットすることにより、θVBL対を
ストライプドメイン先端に作る。この動作は、第2図で
述べた動作原理と同じである。情報列をストライプドメ
インに転写した後、導体35にストライプドメインをち
ぢめる電流金泥し、ストライプドメインを元の位置(3
6の実線の位置)にもどす。以上の動作でメジャーライ
ン上の情報列はストライプドメイン上へVBLの対とし
て転写されることになる。
おいてストライプドメインの先鼎11に垂面プロッホラ
インV B L ”f作り、次に導体33.34でスト
ライプドメインをカットすることにより、θVBL対を
ストライプドメイン先端に作る。この動作は、第2図で
述べた動作原理と同じである。情報列をストライプドメ
インに転写した後、導体35にストライプドメインをち
ぢめる電流金泥し、ストライプドメインを元の位置(3
6の実線の位置)にもどす。以上の動作でメジャーライ
ン上の情報列はストライプドメイン上へVBLの対とし
て転写されることになる。
このように本発明によれば、第1のヘアピン状導体と第
5のヘアピン状導体が実質的にマイナループ・チャンネ
ルに平行であシ、かつ、一部が重なっているだめ、バブ
ルをメジャーラインよシ昏込みゲー′ト部の決められた
位置へ安定に移動させることができる。同時に、ストラ
イプドメインの先端全決められた位置に安定化でき、マ
イナルーブヘVBLを安定に書き込むことができる。
5のヘアピン状導体が実質的にマイナループ・チャンネ
ルに平行であシ、かつ、一部が重なっているだめ、バブ
ルをメジャーラインよシ昏込みゲー′ト部の決められた
位置へ安定に移動させることができる。同時に、ストラ
イプドメインの先端全決められた位置に安定化でき、マ
イナルーブヘVBLを安定に書き込むことができる。
第1図は、垂直プロ、ホライン対を情報単位として用い
る士気記録素子の概略図、化2図は本発明にかかる一書
込みトランスファーゲートの書込み動作原理を説明する
図、第3図は本発明の書込みトランスファーゲートの一
実施例の構成図である。 これらの図において1は発生器、2はマイナーループ、
3はバブル、4は書込みライントランスファーゲート、
5は読出しトランスファーゲート、6 、7 、8 、
9ハコンダクタライン、10はストライプヘッド部、1
1,12.1.3.14は垂直プロッホライン、31,
32,33,34.35は導体、36はストライプドメ
イン、37はメジャーラインをそれぞれ示す。 第1図 (f)LP31FJ
る士気記録素子の概略図、化2図は本発明にかかる一書
込みトランスファーゲートの書込み動作原理を説明する
図、第3図は本発明の書込みトランスファーゲートの一
実施例の構成図である。 これらの図において1は発生器、2はマイナーループ、
3はバブル、4は書込みライントランスファーゲート、
5は読出しトランスファーゲート、6 、7 、8 、
9ハコンダクタライン、10はストライプヘッド部、1
1,12.1.3.14は垂直プロッホライン、31,
32,33,34.35は導体、36はストライプドメ
イン、37はメジャーラインをそれぞれ示す。 第1図 (f)LP31FJ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 情@読み出し手段と情報書込み手段と情報蓄積手段金偏
え、膜面に蚕直な方向全磁化容易方向とする強磁性体j
摸(フェリ磁性体膜を含む)K存在するストライプドメ
インの境界のブロッホ磁壁中【作つた柏崎る2つの垂直
プロッホラインからなる耐直プロッホライン対を記憶情
報単位として用い、該垂直プロッホラインをブロッホ@
壁内で転送する手段を有するメジャー・マイナー構成の
磁気記憶素子に形成する書込みトランスファータートに
おいて、5本の導体からなシ、これらのうち両性側に位
置するメジャーラインより情報全移動させる導体とスト
ライプドメインを引き伸ばす導体はマイナーループチャ
ンネルに対応する位置でヘアピン状に屈曲しておシ、し
かも前記2つの導体の該ヘアピン状屈曲部は互いに一部
が重なり合い、かつマイナーループチャンネルに平行に
形成されていることを特徴とする書込みトランスファー
ゲート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57205741A JPS5996593A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 書込みトランスフア−ゲ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57205741A JPS5996593A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 書込みトランスフア−ゲ−ト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5996593A true JPS5996593A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16511887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57205741A Pending JPS5996593A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 書込みトランスフア−ゲ−ト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5996593A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180009635A1 (en) * | 2016-07-11 | 2018-01-11 | Otis Elevator Company | System to enable access to travelling cable dead end hitch from inside an elevator car |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57205741A patent/JPS5996593A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180009635A1 (en) * | 2016-07-11 | 2018-01-11 | Otis Elevator Company | System to enable access to travelling cable dead end hitch from inside an elevator car |
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