JPH04165641A - ウェーハ外観検査装置 - Google Patents
ウェーハ外観検査装置Info
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- JPH04165641A JPH04165641A JP29284390A JP29284390A JPH04165641A JP H04165641 A JPH04165641 A JP H04165641A JP 29284390 A JP29284390 A JP 29284390A JP 29284390 A JP29284390 A JP 29284390A JP H04165641 A JPH04165641 A JP H04165641A
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- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェーハに異物が付着しているが否かを検査
するウェーハ外観検査装置に関し、特にパターンマツチ
ング方式を採用したウェーハ外観検査装置に関する。
するウェーハ外観検査装置に関し、特にパターンマツチ
ング方式を採用したウェーハ外観検査装置に関する。
第４図は従来のウェーハ外観検査装置の一例における構
成を示す図である。従来、この種のウェーハ外観検査装
置は、例えば、第４図に示すように、ウェーハ４を載置
するステージ６と、ウェーハ４の一領域をハーフミラ−
２及び対物レンズ３を介して光を照射する検査光源１と
、ウェーハ４より反射する光を対物レンズ３及びハーフ
ミラ−２を介して撮像する撮像カメラ５と、撮像カメラ
の撮像信号を処理して画像データを作成し、このデータ
と事前の画像データと比較するイメージプロセッサ７及
びＣＰＵ８とを有していた。
成を示す図である。従来、この種のウェーハ外観検査装
置は、例えば、第４図に示すように、ウェーハ４を載置
するステージ６と、ウェーハ４の一領域をハーフミラ−
２及び対物レンズ３を介して光を照射する検査光源１と
、ウェーハ４より反射する光を対物レンズ３及びハーフ
ミラ−２を介して撮像する撮像カメラ５と、撮像カメラ
の撮像信号を処理して画像データを作成し、このデータ
と事前の画像データと比較するイメージプロセッサ７及
びＣＰＵ８とを有していた。
次に、このウェーハ外観検査装置の動作について説明す
る。まず、ウェーハ４を矢印の方向に移動し、光照射領
域をウェーハ４面の一領域に位置決めする０次に、この
領域を撮像カメラ５で撮像し、第１の画像を取り込む０
次に、パターンマツチングすべき領域を光照射領域に位
置決めし、第の画像を取り込む０次に、イメージプロセ
ッサ７及びＣＰＵ８により、第１の画像と第２の画像と
を比較し、異常があるか否かを検査する。
る。まず、ウェーハ４を矢印の方向に移動し、光照射領
域をウェーハ４面の一領域に位置決めする０次に、この
領域を撮像カメラ５で撮像し、第１の画像を取り込む０
次に、パターンマツチングすべき領域を光照射領域に位
置決めし、第の画像を取り込む０次に、イメージプロセ
ッサ７及びＣＰＵ８により、第１の画像と第２の画像と
を比較し、異常があるか否かを検査する。
しかし、この時点では、二つの画像に相違があっても、
第１の画像に異常があるのか、第２の画像に異常がある
のか判断出来ないため、外観検査終了後、これら画像を
デイスプレィ上に映し出し、二つの画像を比較判定して
いた。あるいは、この二つの領域を光学顕微鏡等を用い
て目視で比較していた。また、この観察に間しては、光
源として可視光線領域を含む白色光線が使用されていた
。
第１の画像に異常があるのか、第２の画像に異常がある
のか判断出来ないため、外観検査終了後、これら画像を
デイスプレィ上に映し出し、二つの画像を比較判定して
いた。あるいは、この二つの領域を光学顕微鏡等を用い
て目視で比較していた。また、この観察に間しては、光
源として可視光線領域を含む白色光線が使用されていた
。
この従来のパターンマツチング方式のウェーハ外観検査
装置は、検査光源に白色光源を用いた場合、有機物など
で可視光域で吸収がない透明状の異物等が付着しても、
人間の目視では確認出来ない為、外観異常として検出す
る事は困難である。
装置は、検査光源に白色光源を用いた場合、有機物など
で可視光域で吸収がない透明状の異物等が付着しても、
人間の目視では確認出来ない為、外観異常として検出す
る事は困難である。
そして、この異物は、ＩＣ４ｊ造歩留を著しく低下する
一原因となる。
一原因となる。
また、今後ウェーハのパターンの集積度が上昇していく
場合、従来以上の改造性が望まれる。
場合、従来以上の改造性が望まれる。
本発明の目的は、かかる問題を解消するウェーハ外観検
査装置を提供することである。
査装置を提供することである。
１ 本発明の第］のウェーハ外観検査装置は、ウェーハ
を載置するステージと、ウェーハの一領域を撮像する手
段とを有するウェーハ外観検査装置において、前記ウェ
ーハの一領域を照射する紫外光源を含む複数の検査光源
を有している。
を載置するステージと、ウェーハの一領域を撮像する手
段とを有するウェーハ外観検査装置において、前記ウェ
ーハの一領域を照射する紫外光源を含む複数の検査光源
を有している。
２、本発明の第２ウエーハ外観検査装置は、紫外光源を
含む複数の検査光源と、前記ウェーハの一領域を撮像す
るカラー固体撮像素子を有している。
含む複数の検査光源と、前記ウェーハの一領域を撮像す
るカラー固体撮像素子を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
はウェーハ外観検査装置の一実施例における構成を示す
図である。このウェーハ外観検査装置は、同図に示すよ
うに、検査光源として、ハロゲンランプを用いた可視光
源１３と、高圧水銀等を用いた紫外光源９の２種の光源
を設けなことでる。また、これらから発せられた検査光
をハーフミラ−２ａ、２ｂ及び対物レンズ３を介してウ
ェーハに照射し、その反射光を画像として撮像カメラ５
て取り込むことである。さらに、この検査光源の選択に
はシャッター１０ａ及び１０ｂを用いて行った。この２
つのシャッターをあければ紫外域から可視光域までの検
査光となる。
はウェーハ外観検査装置の一実施例における構成を示す
図である。このウェーハ外観検査装置は、同図に示すよ
うに、検査光源として、ハロゲンランプを用いた可視光
源１３と、高圧水銀等を用いた紫外光源９の２種の光源
を設けなことでる。また、これらから発せられた検査光
をハーフミラ−２ａ、２ｂ及び対物レンズ３を介してウ
ェーハに照射し、その反射光を画像として撮像カメラ５
て取り込むことである。さらに、この検査光源の選択に
はシャッター１０ａ及び１０ｂを用いて行った。この２
つのシャッターをあければ紫外域から可視光域までの検
査光となる。
そして、この取り込んだ第１の画像と第２の画像をイメ
ージプロセッサ７、ｃｐｕｓにより比較を行った。ここ
で、この装置に使用した撮像カメラ５は、２００ｎｍか
ら可視光域まで分光感度を有する撮像管の一種であるサ
チコン、ニュービコン、カルニコンを用いた。第２図＜
ａ、 ）〜（ｅ）は、第１図のウェーハ外観検査装置
で画像を取り込んだ場合に得られた画像を示す図である
。
ージプロセッサ７、ｃｐｕｓにより比較を行った。ここ
で、この装置に使用した撮像カメラ５は、２００ｎｍか
ら可視光域まで分光感度を有する撮像管の一種であるサ
チコン、ニュービコン、カルニコンを用いた。第２図＜
ａ、 ）〜（ｅ）は、第１図のウェーハ外観検査装置
で画像を取り込んだ場合に得られた画像を示す図である
。
第２図（ａ）は、紫外光源と可視光源の両方を合わせて
検査光とした場合に得られた画像である。この場合、紫
外域から可視域まで吸収があるパターンＡと紫外域まで
しか吸収がないパターンＢの両方のパターンの検圧がで
きる。
検査光とした場合に得られた画像である。この場合、紫
外域から可視域まで吸収があるパターンＡと紫外域まで
しか吸収がないパターンＢの両方のパターンの検圧がで
きる。
第２図（ｂ）は可視光源を検査光として検査した場合に
得られた画像である。取り込んだ画像は、検査光の波長
の吸収率に起因しコントラストが得られるため、紫外域
はでにしか吸収を持たないパターンＢは検出されない。
得られた画像である。取り込んだ画像は、検査光の波長
の吸収率に起因しコントラストが得られるため、紫外域
はでにしか吸収を持たないパターンＢは検出されない。
第２図（ｃ）は紫外光源を検査光として検査した場合に
得られた画像である。パターンが紫外光の吸収を持って
いれば検圧される為、紫外域までにしか吸収を持たない
パターンＢも検出される。
得られた画像である。パターンが紫外光の吸収を持って
いれば検圧される為、紫外域までにしか吸収を持たない
パターンＢも検出される。
つまり、ウェーハ状に可視光に透明な異物が付着した場
合でも、紫外域までにしか吸収を持たないパターンＢと
同様に検出が可能である。実際の外観検査を行う場合は
、これらの検査光の選択を、検査するウェーハの各波長
のコントラストに合わせて選択することが望ましい。
合でも、紫外域までにしか吸収を持たないパターンＢと
同様に検出が可能である。実際の外観検査を行う場合は
、これらの検査光の選択を、検査するウェーハの各波長
のコントラストに合わせて選択することが望ましい。
そして、この実施例で、紫外光源を用いて検査を行った
場合、検出されたパターンに対して可視光域に透明状の
パターンかどうが判定する必要がある。
場合、検出されたパターンに対して可視光域に透明状の
パターンかどうが判定する必要がある。
第３図は本発明のウェーハ外観検査装置の他の実施例に
おける構成を示す図である。このウェーハ外観検査装置
は、同図に示すように、前述の実施例のウェーハ外観検
査装置に、カラー固体撮像素子１１を設け、前述の撮像
カメラ５と切り換え可能としたことである。これにより
、ウェーハ上の同一個所で、紫外光源で得られた画像と
カラー固体撮像素子で得られた画像をリアルタイムで比
較することが可能である。
おける構成を示す図である。このウェーハ外観検査装置
は、同図に示すように、前述の実施例のウェーハ外観検
査装置に、カラー固体撮像素子１１を設け、前述の撮像
カメラ５と切り換え可能としたことである。これにより
、ウェーハ上の同一個所で、紫外光源で得られた画像と
カラー固体撮像素子で得られた画像をリアルタイムで比
較することが可能である。
以上説明したように本発明のウェーハ外観検査装置は、
紫外光源を含む複数の検査光源を設けることによって、
ウェーハ外観検査を行うため、可視光を吸収しない透明
状の異物でも検出が可能である。さらに、これら検査光
源は、短波長の光をもっているなめ、よりパターン解像
性が向上する効果を有する。また、カラー固体撮像素子
を設置し、撮像カメラと切り換え可能としなので、ウェ
ーハ上の同一箇所で紫外光源で得られた画像とカラー固
体撮像素子で得られた画像をリアルタイムで比較するこ
とが可能であるという効果を有する。
紫外光源を含む複数の検査光源を設けることによって、
ウェーハ外観検査を行うため、可視光を吸収しない透明
状の異物でも検出が可能である。さらに、これら検査光
源は、短波長の光をもっているなめ、よりパターン解像
性が向上する効果を有する。また、カラー固体撮像素子
を設置し、撮像カメラと切り換え可能としなので、ウェ
ーハ上の同一箇所で紫外光源で得られた画像とカラー固
体撮像素子で得られた画像をリアルタイムで比較するこ
とが可能であるという効果を有する。
第１図は本発明のウェーハ外観検査装置の一実施例にお
ける構成を示す図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は第１図のウ
ェーハ外観検査装置で画像を取り込んだ場合に得られた
画像を示す図、第３図は本発明のウェーハ外観検査装置
の他の実施例における構成を示す図、第４図は従来のウ
ェーハ外観検査装置の一例における構成を示す図である
。 １・・・検査光源、２．２ａ、２ｂ・・・ハーフミラ−
１３・・・対物レンズ、４・・・ウェーハ、５・・・撮
像カメラ、６・・・ステージ、７・・・イメージプロセ
ッサ、８・・・ＣＰＵ、９・・・紫外光源、１０ａ、１
０ｂ・・・シャッター、１１・・・カラー固体撮像素子
、１２・・・デイスプレィ、１３・・・可視光源。
ける構成を示す図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は第１図のウ
ェーハ外観検査装置で画像を取り込んだ場合に得られた
画像を示す図、第３図は本発明のウェーハ外観検査装置
の他の実施例における構成を示す図、第４図は従来のウ
ェーハ外観検査装置の一例における構成を示す図である
。 １・・・検査光源、２．２ａ、２ｂ・・・ハーフミラ−
１３・・・対物レンズ、４・・・ウェーハ、５・・・撮
像カメラ、６・・・ステージ、７・・・イメージプロセ
ッサ、８・・・ＣＰＵ、９・・・紫外光源、１０ａ、１
０ｂ・・・シャッター、１１・・・カラー固体撮像素子
、１２・・・デイスプレィ、１３・・・可視光源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハ載置するステージと、ウェーハの一領域を
撮像する手段とを有するウェーハ外観検査装置において
、前記ウェーハの一領域を照射する紫外光源を含む複数
の検査光源を有することを特徴とするウェーハ外観検査
装置。 ２、前記ウェーハの一領域を撮像するカラー固体撮像素
子を有していることを特徴とする請求項１記載のウェー
ハ外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29284390A JPH04165641A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | ウェーハ外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29284390A JPH04165641A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | ウェーハ外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04165641A true JPH04165641A (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=17787085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29284390A Pending JPH04165641A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | ウェーハ外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04165641A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000338049A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Nikon Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
| JP2002006226A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Sony Corp | 検査装置 |
| JP2002214159A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Sony Corp | 基板検査装置と基板検査方法、及び液晶表示装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167327A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01176932A (ja) * | 1988-01-05 | 1989-07-13 | Nikon Corp | 微小異物検査装置 |
| JPH02227642A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-10 | Sony Corp | 表面検査装置 |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP29284390A patent/JPH04165641A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167327A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| JP4622007B2 (ja) * | 1999-06-01 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 欠陥検査装置 |
| JP2002006226A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Sony Corp | 検査装置 |
| JP4560900B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | 検査装置 |
| JP2002214159A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Sony Corp | 基板検査装置と基板検査方法、及び液晶表示装置の製造方法 |
| JP4586272B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-11-24 | ソニー株式会社 | 基板検査装置と基板検査方法、及び液晶表示装置の製造方法 |
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