JPH04164382A - 半導体アレイレーザ装置 - Google Patents
半導体アレイレーザ装置Info
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ装置に関するものである。
第３図（＆１は従来のＺｎ 拡散型ストライプレーザを
用いたアレイレーザの断面図、第３ ｆｌ ｌｂ＋は第
３図ｔａ＋のレーザ発振動作時の６エレメントに対応す
る活性層のバンド＠を示す図、第８図１ｏｔに同じく発
振波長を示す図である。図において、 ｔｏ ｔｒｉ
ｐ 型ｔ 惨、ｔｅｌ Ｈｎ ｊｕ Ｇ＆Ａ’！ コン
タクト層、１３１はｎ型ムｌｙ ＧＩＬＬ−７Ａｓ上ク
りッド層％４１１）はＡ／ｚＧａ１−２ Ａｓ活性層１
，６）はｎ型Ａ／ｙＧ＆１−ｙＡｓ下クラッド層、＋６
１ ｈ ｎ ％ ＧａＡ＃基板、＋７１ｉｎ型電極、（
８）はＺｎ拡散領域、（１αは発振時の活性層のバンド
幅、 ＩＪＬｌは発振時の発掘波長を示す。
用いたアレイレーザの断面図、第３ ｆｌ ｌｂ＋は第
３図ｔａ＋のレーザ発振動作時の６エレメントに対応す
る活性層のバンド＠を示す図、第８図１ｏｔに同じく発
振波長を示す図である。図において、 ｔｏ ｔｒｉ
ｐ 型ｔ 惨、ｔｅｌ Ｈｎ ｊｕ Ｇ＆Ａ’！ コン
タクト層、１３１はｎ型ムｌｙ ＧＩＬＬ−７Ａｓ上ク
りッド層％４１１）はＡ／ｚＧａ１−２ Ａｓ活性層１
，６）はｎ型Ａ／ｙＧ＆１−ｙＡｓ下クラッド層、＋６
１ ｈ ｎ ％ ＧａＡ＃基板、＋７１ｉｎ型電極、（
８）はＺｎ拡散領域、（１αは発振時の活性層のバンド
幅、 ＩＪＬｌは発振時の発掘波長を示す。
次にアレイレーザの動作について説明する。
初めに単素子レーザの動作の場合について説明する。ｐ
型電極田とｎ型電極（７）に電圧を印加するさ、ｐ型で
あるＺｎ拡散領域（８１からｎ型上クラッド層（３）へ
電流が流れ、’ｌＥ流１ｊＺｎ拡散領域（８）直下の活
性層■へ閉じ込められる。この閉じ込められた電流は正
孔と電子の再結合により元を発生する。この発生した光
はへき開端面によって共振を起こし、レーザ発掘に至る
。特に発掘波長ｄｌｌはＺｎ拡散領域（８）直下の活性
層（転）のエネルギーバンドギャップ差に相当する波長
となる。
型電極田とｎ型電極（７）に電圧を印加するさ、ｐ型で
あるＺｎ拡散領域（８１からｎ型上クラッド層（３）へ
電流が流れ、’ｌＥ流１ｊＺｎ拡散領域（８）直下の活
性層■へ閉じ込められる。この閉じ込められた電流は正
孔と電子の再結合により元を発生する。この発生した光
はへき開端面によって共振を起こし、レーザ発掘に至る
。特に発掘波長ｄｌｌはＺｎ拡散領域（８）直下の活性
層（転）のエネルギーバンドギャップ差に相当する波長
となる。
アレイレーザの前作についても上記単素子レーザと同じ
発振前作を行う。
発振前作を行う。
しかし、レーザ発振時の連続１作させた場合。
中央部分のレーザが熱の放熱効果が悪いために、活性層
りのバンドキャップが第２図１ｂ＋のようにせばまり発
振波長に長波側にずれ、全エレメントが同一の発振波長
とならずその補正が光学系で必要であった。
りのバンドキャップが第２図１ｂ＋のようにせばまり発
振波長に長波側にずれ、全エレメントが同一の発振波長
とならずその補正が光学系で必要であった。
従来の半導体アレイレーザ装置に以上のように構成され
ていたので１発振動作中に中央部分のレーザ素子が放熱
効果が悪いために、中央付近の素子波長が長波側にずれ
てしまい、光ディスク等での使用時に使い難いという問
題綴がありた。
ていたので１発振動作中に中央部分のレーザ素子が放熱
効果が悪いために、中央付近の素子波長が長波側にずれ
てしまい、光ディスク等での使用時に使い難いという問
題綴がありた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので１発振す作中に発振波長を均一化した半導体ア
レイレーザ装置を得ることを目的とする。
たもので１発振す作中に発振波長を均一化した半導体ア
レイレーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体アレイレーザ装置に、活性層１＆
：ＭＱＪ（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕｎ ｔａｎ −Ｗｅ／／）
とし、テーパ状に５ｉＯ１ｆ ＪａＡｓコンタクト層上
に形成し１次にＲＴ Ａ（Ｒ＆ｐｉｄ−Ｔｎｅｒｍａｌ
−ａｎｅａｌ）を行って８１０１がＧａミラい上げＧａ
のＶａｃａｎｃｙによってＭ ＱＷｉディスオーダさせ
てバンドギャップを広げる効果を利用する。そしてレー
ザ発振動作時にバンドギャップが熱的にせばまるの？こ
の方法音用いて補正し、アレイレーザの発振波長を均一
化したものである。
：ＭＱＪ（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕｎ ｔａｎ −Ｗｅ／／）
とし、テーパ状に５ｉＯ１ｆ ＪａＡｓコンタクト層上
に形成し１次にＲＴ Ａ（Ｒ＆ｐｉｄ−Ｔｎｅｒｍａｌ
−ａｎｅａｌ）を行って８１０１がＧａミラい上げＧａ
のＶａｃａｎｃｙによってＭ ＱＷｉディスオーダさせ
てバンドギャップを広げる効果を利用する。そしてレー
ザ発振動作時にバンドギャップが熱的にせばまるの？こ
の方法音用いて補正し、アレイレーザの発振波長を均一
化したものである。
この発明におけるアレイレーザ装置は、レーザ発振時に
熱的影響で長波側にずれるの１に補正することが１ｌｉ
Ｔ能となり、均一な発振波長が得られる。
熱的影響で長波側にずれるの１に補正することが１ｌｉ
Ｔ能となり、均一な発振波長が得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（＆）ニおいて、１１１＃’ｊｐ型電極、ｌｔＩ
ｔｄ ｎ型ＧａＡＳコンタクト層、（３１はｎ型Ａ／
ｙＧａｘ−ｙＡａ上クラッド層、＋４１ ｉｊ Ｍ Ｑ
Ｗ活性層１．５１ ｉｊ ｎ ｑ Ａ／ｙＧａ ｌ
−ｙ ＡＳ下クラッド層、＋６１ｄｎ型ＧａＡｓ基板、
ｔ７）はｎ型電極、１ＩＩｒｉＺｎ拡散領域である。
ｔｄ ｎ型ＧａＡＳコンタクト層、（３１はｎ型Ａ／
ｙＧａｘ−ｙＡａ上クラッド層、＋４１ ｉｊ Ｍ Ｑ
Ｗ活性層１．５１ ｉｊ ｎ ｑ Ａ／ｙＧａ ｌ
−ｙ ＡＳ下クラッド層、＋６１ｄｎ型ＧａＡｓ基板、
ｔ７）はｎ型電極、１ＩＩｒｉＺｎ拡散領域である。
第１図１ｂ＋ ？’！第１図１＆ｌの各エレメントに対
応するバンドｍを示す図で１図において、１９）は１ｍ
１７１Ｅｔ−注入していない時の活性層のバンド幅、（
１０１は発振動作時の活性層のバンド幅である。
応するバンドｍを示す図で１図において、１９）は１ｍ
１７１Ｅｔ−注入していない時の活性層のバンド幅、（
１０１は発振動作時の活性層のバンド幅である。
第１図（０）に同じく各エレメントに河応する発振時の
発振波長である。
発振波長である。
次に半導体アレイレーザ装置の製造方法について説明す
る。第８図（＆１〜ｔｆｌｒｉ第１図の半導体アレイレ
ーザ製電の製造工程を示す断面図である。初めにｌａ１
図に示すようにｎ型ＧａＡ ｓ基板１６）上にｎ型Ａど
ｙ Ｇ ａ −ｙ Ａ Ｂ下りラッド層１６）を次ｉｃ
ｎ型ＭＱ、Ｗ 活性層＋４１ｓｎ型Ａ ｌ ｙ Ｇ ＋
！Ｌ ’ｌ −７Ａ Ｂ上りラッド層＋３１．ｎ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１２１１に順次結晶成長させる。
る。第８図（＆１〜ｔｆｌｒｉ第１図の半導体アレイレ
ーザ製電の製造工程を示す断面図である。初めにｌａ１
図に示すようにｎ型ＧａＡ ｓ基板１６）上にｎ型Ａど
ｙ Ｇ ａ −ｙ Ａ Ｂ下りラッド層１６）を次ｉｃ
ｎ型ＭＱ、Ｗ 活性層＋４１ｓｎ型Ａ ｌ ｙ Ｇ ＋
！Ｌ ’ｌ −７Ａ Ｂ上りラッド層＋３１．ｎ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１２１１に順次結晶成長させる。
次にｌｂＩ図に示すように、５１０１膜α３ｔ−中央部
分が最も厚くなるように形成する。
分が最も厚くなるように形成する。
次に（Ｃ：図に示すように、ラピッド・サーマル・アニ
ールを行う。この時８１０．膜Ｃ３１がＧａ１に吸い上
げこのＧａのｖａｃａｎｃｙが拡散し、この拡散によっ
てＭＱＷ活性層１４１をディスオーダさせる。このディ
スオーダＩｒ１ＥＩｉＯｓ膜α４厚に比例するため活性
層のバンドギャップＦ９１ ＃’！ （Ｐ） 図ノ！う
な形になる。
ールを行う。この時８１０．膜Ｃ３１がＧａ１に吸い上
げこのＧａのｖａｃａｎｃｙが拡散し、この拡散によっ
てＭＱＷ活性層１４１をディスオーダさせる。このディ
スオーダＩｒ１ＥＩｉＯｓ膜α４厚に比例するため活性
層のバンドギャップＦ９１ ＃’！ （Ｐ） 図ノ！う
な形になる。
次に１６１図に示すように、拡散 Ｑ４を形成しＺｎの
拡散を行う。
拡散を行う。
最後にｌｔＩ図に示すように、ｐ型電極（凰）とｎ型電
極（７１ケ形成する。
極（７１ケ形成する。
次にアレイレーザの前作について説明する。
なお基本的なレーザ１作に従来のものと同じであるが、
活性ｔｉｌｌ １４１のＭＱＷのバンド１＠が第３図Ｃ
Ｐ）のように素子中央部分が広がっているため。
活性ｔｉｌｌ １４１のＭＱＷのバンド１＠が第３図Ｃ
Ｐ）のように素子中央部分が広がっているため。
発振前作させた時に第１図１ｂ＋の（１０１のバンド幅
の−ように放熱効果の悪い中央付近のバンドの収縮５ｒ
補正して均一なバンド幅が得られる。
の−ように放熱効果の悪い中央付近のバンドの収縮５ｒ
補正して均一なバンド幅が得られる。
従って発振波長の均一性は第１図（０：のように艮好呂
なる。
なる。
なお、上記実施的では拡散ストライプレーザを使ったア
レイの場合を示したが、他の構造のレーザに通用しても
同様の効果が得られる。
レイの場合を示したが、他の構造のレーザに通用しても
同様の効果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、半導体アレイレーザ装
置ｒｉ＠奈劉作時に発振波長が熱的影響で不均一になる
のｒ防ぐことが可能となり。
置ｒｉ＠奈劉作時に発振波長が熱的影響で不均一になる
のｒ防ぐことが可能となり。
元ディスク等で夏用する場合波長選択性が向上するとい
う効果がめる。
う効果がめる。
第１図１ａ１はこの発明の一実施例である半導体アレイ
レーザ装置の断面図、第１図１ａ１ ｒｉ第１図ＩＪＬ
Ｉに対応する活性層のバンド幅を示す図、第１図１ｏｔ
に第１図１ａ１の６素子に対応する波長分布図、第２図
１ａ＋〜ｔｆｌｔｕＩ１図の半導体アレイレーザ装置の
製造工程を示す断面図、第２図（２）はバンド＠を示す
図、第１図１ａ１に従来の半導体アレイレーザ装置の断
面図、第３図ｉｂ＋に第１図１ａ１に対応する活性層の
バンド幅を示す図、第８図；０］は柔１図（＆１の発振
波長分布図である。 図において山ｔ／′ｉｐ型電極、ｉ２１ ｉｊ ｎ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層、（３１はｎ型ＡｌｙＧａｘ−ｙム
θ上クラッド＋１，４４１はＡｔｚ Ｇａ ｌ−Ｚムロ
活性層、１５＋ ｎ ｎ ％ ＡｌｙＧＡ Ｌ −ｙ
ＡＢ下クラッド層、＋８１ｑ ｎ ％ ｏａＡｇ基板、
（７１はｎ型電極、＋８１はＺｎ拡散領域、Ｕαは発振
時の活性層のバンド幅、ｄυに発振時の発振波長を示す
。 なお図中同−符５＋に、同−又は相当部分を示Ｏ 代理人 大 岩 ｎｌ 為 第２図（￥ｆ）１） 第２図（ゼ０２） （ｄ） 第２図（イΦ３） 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願平 ２−２６１０３８号
２、発明の名称 半導体アレイレーザ装置３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３
号名 称 （６０１１三菱電機株式会社代表者 志
岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３
号５、補正の対象 （１）明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説
明の−６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。 （２）明細書お第４頁第２行のｒＱｕｎｔａ＋ｎＪをｒ
Ｑｕａｎ、ｔａｍＪと訂正す訂正後の特許請求の範囲 ＧａＡｓ系Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ構造を有するヘテ
ｏエピタキシャル層にＳｉＯ□膜をテーパ状に形成し、
５ｉｎ２がＧａを吸い上げＧａのＶａｃａｎｃｙがＱｕ
ａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ構造をディスオーダさせることを
利用してＱｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌのバント幅を制御し
、アレイレーサの発振時の発振波長を均一せしめたこと
を特徴とする半導体アレイレーザ装置。
レーザ装置の断面図、第１図１ａ１ ｒｉ第１図ＩＪＬ
Ｉに対応する活性層のバンド幅を示す図、第１図１ｏｔ
に第１図１ａ１の６素子に対応する波長分布図、第２図
１ａ＋〜ｔｆｌｔｕＩ１図の半導体アレイレーザ装置の
製造工程を示す断面図、第２図（２）はバンド＠を示す
図、第１図１ａ１に従来の半導体アレイレーザ装置の断
面図、第３図ｉｂ＋に第１図１ａ１に対応する活性層の
バンド幅を示す図、第８図；０］は柔１図（＆１の発振
波長分布図である。 図において山ｔ／′ｉｐ型電極、ｉ２１ ｉｊ ｎ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層、（３１はｎ型ＡｌｙＧａｘ−ｙム
θ上クラッド＋１，４４１はＡｔｚ Ｇａ ｌ−Ｚムロ
活性層、１５＋ ｎ ｎ ％ ＡｌｙＧＡ Ｌ −ｙ
ＡＢ下クラッド層、＋８１ｑ ｎ ％ ｏａＡｇ基板、
（７１はｎ型電極、＋８１はＺｎ拡散領域、Ｕαは発振
時の活性層のバンド幅、ｄυに発振時の発振波長を示す
。 なお図中同−符５＋に、同−又は相当部分を示Ｏ 代理人 大 岩 ｎｌ 為 第２図（￥ｆ）１） 第２図（ゼ０２） （ｄ） 第２図（イΦ３） 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願平 ２−２６１０３８号
２、発明の名称 半導体アレイレーザ装置３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３
号名 称 （６０１１三菱電機株式会社代表者 志
岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３
号５、補正の対象 （１）明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説
明の−６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。 （２）明細書お第４頁第２行のｒＱｕｎｔａ＋ｎＪをｒ
Ｑｕａｎ、ｔａｍＪと訂正す訂正後の特許請求の範囲 ＧａＡｓ系Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ構造を有するヘテ
ｏエピタキシャル層にＳｉＯ□膜をテーパ状に形成し、
５ｉｎ２がＧａを吸い上げＧａのＶａｃａｎｃｙがＱｕ
ａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ構造をディスオーダさせることを
利用してＱｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌのバント幅を制御し
、アレイレーサの発振時の発振波長を均一せしめたこと
を特徴とする半導体アレイレーザ装置。
Claims (1)
- ＧａＡｓ系Ｑｕａｕｎｔａｍ−Ｗｅｌｌ構造を有するヘ
テロエピタキシャル層にＳｉＯ＿２膜をテーパ状に形成
し、ＳｉＯ＿２がＧａを吸い上げＧａのＶａｃａｎｃｙ
がＱｕａｕｎｔａｍ−Ｗｅｌｌ構造をディスオーダさせ
ることを利用してＱｕａｍｔａｍＷｅｌｌバンド幅を制
御し、アレイレーザの発振時の発振波長を均一せしめた
ことを特徴とする半導体アレイレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26103890A JPH04164382A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 半導体アレイレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26103890A JPH04164382A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 半導体アレイレーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164382A true JPH04164382A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17356195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26103890A Pending JPH04164382A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 半導体アレイレーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164382A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004743A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Sony Corp | 半導体レーザアレイおよび光学装置 |
| JPWO2019163276A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2021-02-04 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP26103890A patent/JPH04164382A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004743A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Sony Corp | 半導体レーザアレイおよび光学装置 |
| JPWO2019163276A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2021-02-04 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
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