JPH0416255Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0416255Y2 JPH0416255Y2 JP1987000170U JP17087U JPH0416255Y2 JP H0416255 Y2 JPH0416255 Y2 JP H0416255Y2 JP 1987000170 U JP1987000170 U JP 1987000170U JP 17087 U JP17087 U JP 17087U JP H0416255 Y2 JPH0416255 Y2 JP H0416255Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical disk
- substrates
- insertion hole
- magnetic body
- spacer
- Prior art date
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- Expired
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本考案は光デイスクに係り、特に光デイスク基
板の複屈折変動等の問題を解消した光デイスクに
関する。 ［従来の技術］ 光デイスクは高密度記録が可能であるなどの優
れた特長を備えることから、近年、その応用分野
が拡大し、需要が高められている。光デイスクと
しては、 長寿命性 半導体レーザパワで情報が記録できる高感度
性 記録の非消去性 情報の追加記録性 記録の高密度性 記録再生の高速処理性 等の性能が要求されることから、これらの要求を
満たすべく、基板や、基板に形成する記録層の研
究、開発が進められている。 従来、デイスク両面又は片面のリード、ライト
が可能な光デイスクとして、第２図に示す如く、
２枚の円盤状透明基板１，２を外周縁及び内周縁
に円環状スペーサ３，４を介して接合し、中心部
にスピンドル挿通孔５を設けた光デイスク２０が
知られている。 この基板１，２には、それぞれ対向する面に感
光層１ａ及び２ａが形成されており、スピンドル
挿通孔５にスピンドル７を通し、光デイスクをタ
ーンテーブル８に載置し、スピンドル７を回転さ
せつつ、下方向からレーザ光を照射して読み取り
を行なう。 従つて、光デイスク２０は、スピンドル７の回
転時にターンテーブル８上で揺動することなく確
実に固定される必要がある。このため、従来の光
デイスク２０においては、第２図に示す光デイス
ク２０のスピンドル挿通孔５周辺の拡大図である
第３図に示す如く、円環状磁性体９，９′が、ス
ピンドル挿通孔５の周縁部の両側に接着されてお
り、光デイスク２０は円環状磁性体９とターンテ
ーブル８内の磁石１１との磁気的吸着力によりタ
ーンテーブル８に固定されるように構成されてい
る。 ［考案が解決しようとする問題点］ レーザ光の照射あるいは駆動用モーターの発熱
等により光デイスクの雰囲気温度は上昇するが、
第３図に示す如く円環状磁性体９が光デイスク２
０の基板１，２に接着されている従来の光デイス
ク２０においては、円環状磁性体９の材質と基板
１，２の材質との熱膨張係数の差に起因して応力
が生じ、この応力歪により基板１，２の光学的特
性である複屈折が上昇する恐れがあつた。このよ
うに基板１，２の複屈折の上昇があると、光デイ
スクのリード、ライト機能が阻害される。 ［問題点を解決するための手段］ 本考案の光デイスクは上記従来の問題点を解決
するものであつて、２枚の基板の間のスピンドル
挿通孔周縁部分に円環状磁性体を非接着状態にて
介装させたものである。 ［作用］ 本考案の光デイスクにおいては、２枚の基板の
間のスピンドル挿通孔周縁部分に円環状磁性体が
介装されているため、この円環状磁性体とターン
テーブル内の磁石との吸着力により、光デイスク
はターンテーブルに確実に固定される。 しかして、円環状磁性体は基板間に非接着状態
で介装されるため、温度変化が起きても磁性体と
基板との間で熱応力が生じることがない。このた
め、基板の複屈折上昇が抑制され、光デイスクの
光学性能は高く維持される。 ［実施例］ 以下、図面を参照して本考案の実施例を説明す
る。 第１図ａ，ｂは本考案の一実施例を示す図であ
つて、ａは縦断面図、ｂはａのＢ−Ｂ線に沿う横
断面図である。 図示の如く、本実施例の光デイスク１０は、２
枚の円盤状基板１，２が基板と同材質の外周スペ
ーサ３及び内周スペーサ４を介して接合され、中
心部にスピンドル挿通孔５が設けられている。し
かして、内周スペーサ４の内周側でスピンドル挿
通孔５の周縁部分には、内周スペーサ４の内径と
ほぼ等しい外径を有し、かつ、内周スペーサ４の
厚さとほぼ等しい厚さを有する円環形状の磁性体
１２が、非接着状態で介装されている。なお、図
中、１ａ及び２ａはそれぞれ基板１及び２に形成
された記録層である。 かかる光デイスク１０においては、円環状磁性
体１２の熱膨張係数が基板１，２の熱膨張係数と
異なつていても、基板に応力が負荷されず、複屈
折の変動を生じない。 また、本実施例では、図示の如く円環状磁性体
１２の外周面とスペーサ４の内周面との間に若干
のクリアランスがとられており、該スペーサ４へ
の円環状磁性体１２からの熱膨張係数の差による
応力の伝達が防止されるという効果が奏される。 本考案において、円環状磁性体１２としては、
磁石に対し被着のものであればよく、例えば鉄、
鋼、磁性を有するSUS430、ニツケツ等の金属あ
るいは金属磁石、セラミツク磁石、その他磁性粉
末を樹脂で固めたプラスチツク磁石等を用いるこ
とができる。また、基板１，２あるいはスペーサ
３，４の材質としては、従来用いられているポリ
カーボネート樹脂又はアクリル樹脂を採用するこ
とができる。 なお、第１図ａ，ｂに示す光デイスクは、本考
案の一実施例であつて、本考案はその要旨を超え
ない範囲において、様々な応用が可能であり、何
ら図示のものに制限されるものではない。 例えば、磁性体１２は、基板１，２間のスピン
ドル挿通孔５周縁部分に非接着状態にて介装され
ていれば良く、その形状は必ずしも円環形状に限
定されず、塊状磁性体が、内周スペーサの内周の
等分位置に陥設された凹部内に嵌装された構成と
されていても良い。 このような構成の光デイスク１０において、各
部材の寸法は特に限定されないが、例えば第１表
のように設定することができる。
板の複屈折変動等の問題を解消した光デイスクに
関する。 ［従来の技術］ 光デイスクは高密度記録が可能であるなどの優
れた特長を備えることから、近年、その応用分野
が拡大し、需要が高められている。光デイスクと
しては、 長寿命性 半導体レーザパワで情報が記録できる高感度
性 記録の非消去性 情報の追加記録性 記録の高密度性 記録再生の高速処理性 等の性能が要求されることから、これらの要求を
満たすべく、基板や、基板に形成する記録層の研
究、開発が進められている。 従来、デイスク両面又は片面のリード、ライト
が可能な光デイスクとして、第２図に示す如く、
２枚の円盤状透明基板１，２を外周縁及び内周縁
に円環状スペーサ３，４を介して接合し、中心部
にスピンドル挿通孔５を設けた光デイスク２０が
知られている。 この基板１，２には、それぞれ対向する面に感
光層１ａ及び２ａが形成されており、スピンドル
挿通孔５にスピンドル７を通し、光デイスクをタ
ーンテーブル８に載置し、スピンドル７を回転さ
せつつ、下方向からレーザ光を照射して読み取り
を行なう。 従つて、光デイスク２０は、スピンドル７の回
転時にターンテーブル８上で揺動することなく確
実に固定される必要がある。このため、従来の光
デイスク２０においては、第２図に示す光デイス
ク２０のスピンドル挿通孔５周辺の拡大図である
第３図に示す如く、円環状磁性体９，９′が、ス
ピンドル挿通孔５の周縁部の両側に接着されてお
り、光デイスク２０は円環状磁性体９とターンテ
ーブル８内の磁石１１との磁気的吸着力によりタ
ーンテーブル８に固定されるように構成されてい
る。 ［考案が解決しようとする問題点］ レーザ光の照射あるいは駆動用モーターの発熱
等により光デイスクの雰囲気温度は上昇するが、
第３図に示す如く円環状磁性体９が光デイスク２
０の基板１，２に接着されている従来の光デイス
ク２０においては、円環状磁性体９の材質と基板
１，２の材質との熱膨張係数の差に起因して応力
が生じ、この応力歪により基板１，２の光学的特
性である複屈折が上昇する恐れがあつた。このよ
うに基板１，２の複屈折の上昇があると、光デイ
スクのリード、ライト機能が阻害される。 ［問題点を解決するための手段］ 本考案の光デイスクは上記従来の問題点を解決
するものであつて、２枚の基板の間のスピンドル
挿通孔周縁部分に円環状磁性体を非接着状態にて
介装させたものである。 ［作用］ 本考案の光デイスクにおいては、２枚の基板の
間のスピンドル挿通孔周縁部分に円環状磁性体が
介装されているため、この円環状磁性体とターン
テーブル内の磁石との吸着力により、光デイスク
はターンテーブルに確実に固定される。 しかして、円環状磁性体は基板間に非接着状態
で介装されるため、温度変化が起きても磁性体と
基板との間で熱応力が生じることがない。このた
め、基板の複屈折上昇が抑制され、光デイスクの
光学性能は高く維持される。 ［実施例］ 以下、図面を参照して本考案の実施例を説明す
る。 第１図ａ，ｂは本考案の一実施例を示す図であ
つて、ａは縦断面図、ｂはａのＢ−Ｂ線に沿う横
断面図である。 図示の如く、本実施例の光デイスク１０は、２
枚の円盤状基板１，２が基板と同材質の外周スペ
ーサ３及び内周スペーサ４を介して接合され、中
心部にスピンドル挿通孔５が設けられている。し
かして、内周スペーサ４の内周側でスピンドル挿
通孔５の周縁部分には、内周スペーサ４の内径と
ほぼ等しい外径を有し、かつ、内周スペーサ４の
厚さとほぼ等しい厚さを有する円環形状の磁性体
１２が、非接着状態で介装されている。なお、図
中、１ａ及び２ａはそれぞれ基板１及び２に形成
された記録層である。 かかる光デイスク１０においては、円環状磁性
体１２の熱膨張係数が基板１，２の熱膨張係数と
異なつていても、基板に応力が負荷されず、複屈
折の変動を生じない。 また、本実施例では、図示の如く円環状磁性体
１２の外周面とスペーサ４の内周面との間に若干
のクリアランスがとられており、該スペーサ４へ
の円環状磁性体１２からの熱膨張係数の差による
応力の伝達が防止されるという効果が奏される。 本考案において、円環状磁性体１２としては、
磁石に対し被着のものであればよく、例えば鉄、
鋼、磁性を有するSUS430、ニツケツ等の金属あ
るいは金属磁石、セラミツク磁石、その他磁性粉
末を樹脂で固めたプラスチツク磁石等を用いるこ
とができる。また、基板１，２あるいはスペーサ
３，４の材質としては、従来用いられているポリ
カーボネート樹脂又はアクリル樹脂を採用するこ
とができる。 なお、第１図ａ，ｂに示す光デイスクは、本考
案の一実施例であつて、本考案はその要旨を超え
ない範囲において、様々な応用が可能であり、何
ら図示のものに制限されるものではない。 例えば、磁性体１２は、基板１，２間のスピン
ドル挿通孔５周縁部分に非接着状態にて介装され
ていれば良く、その形状は必ずしも円環形状に限
定されず、塊状磁性体が、内周スペーサの内周の
等分位置に陥設された凹部内に嵌装された構成と
されていても良い。 このような構成の光デイスク１０において、各
部材の寸法は特に限定されないが、例えば第１表
のように設定することができる。
【表】
［考案の効果］
以上詳述した通り、本考案の光デイスクは、２
枚の基板の間のスピンドル挿通孔周縁部分に磁性
体を非接着状態にて介装させたものであつて、こ
の磁性体とターンテーブル内の磁石との吸着力に
より、光デイスクはターンテーブル上に安定かつ
確実に固定することができ、しかも、温度変化が
起きても磁性体と基板との間で応力が生じること
がないため、基板の複屈折変動が起こらない。ま
た磁性体は従来の如く接着剤を使用して基板と固
定するものでないので、接着剤の誤つた塗布によ
る汚れ、白化の問題も生じない。 従つて、本考案によれば、光感度、複屈折等の
光学特性の変化、劣化がなく、長期間、優れた光
学特性を保持し得る、著しく耐久性の改善された
光デイスクが提供される。
枚の基板の間のスピンドル挿通孔周縁部分に磁性
体を非接着状態にて介装させたものであつて、こ
の磁性体とターンテーブル内の磁石との吸着力に
より、光デイスクはターンテーブル上に安定かつ
確実に固定することができ、しかも、温度変化が
起きても磁性体と基板との間で応力が生じること
がないため、基板の複屈折変動が起こらない。ま
た磁性体は従来の如く接着剤を使用して基板と固
定するものでないので、接着剤の誤つた塗布によ
る汚れ、白化の問題も生じない。 従つて、本考案によれば、光感度、複屈折等の
光学特性の変化、劣化がなく、長期間、優れた光
学特性を保持し得る、著しく耐久性の改善された
光デイスクが提供される。
第１図ａ，ｂは本考案の一実施例を示す図であ
つて、ａは縦断面図、ｂはａのＢ−Ｂ線に沿う横
断面図である。第２図は従来の光デイスクの縦断
面図、第３図は第２図に示す従来の光デイスクの
スピンドル挿通孔周辺の拡大図である。 １，２……基板、１ａ，２ａ……感光層、３，
４……スペーサ、５……スピンドル挿通孔、１０
……光デイスク、１２……円環状磁性体。
つて、ａは縦断面図、ｂはａのＢ−Ｂ線に沿う横
断面図である。第２図は従来の光デイスクの縦断
面図、第３図は第２図に示す従来の光デイスクの
スピンドル挿通孔周辺の拡大図である。 １，２……基板、１ａ，２ａ……感光層、３，
４……スペーサ、５……スピンドル挿通孔、１０
……光デイスク、１２……円環状磁性体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ２枚の円盤状基板がその外周縁近傍及び内周
縁近傍で円環状スペーサを介して接合され、中
心部にはスピンドル挿通孔が設けられた光デイ
スクにおいて、該２枚の基板の間の前記挿通孔
周縁部分に磁性体を非接着状態にて介装させた
ことを特徴とする光デイスク。 (2) 磁性体は円環形状である実用新案登録請求の
範囲第１項に記載の光デイスク。 (3) 磁性体は内縁近傍のスペーサの内径とほぼ等
しい外径でありかつ該スペーサの厚さとほぼ等
しいか又はそれ以下の厚さの円環形状である実
用新案登録請求の範囲第２項に記載の光デイス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987000170U JPH0416255Y2 (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987000170U JPH0416255Y2 (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63109333U JPS63109333U (ja) | 1988-07-14 |
| JPH0416255Y2 true JPH0416255Y2 (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=30776908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987000170U Expired JPH0416255Y2 (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416255Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-05 JP JP1987000170U patent/JPH0416255Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63109333U (ja) | 1988-07-14 |
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