JPH04148873A - 光サンプリング装置 - Google Patents
光サンプリング装置Info
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- JPH04148873A JPH04148873A JP2274731A JP27473190A JPH04148873A JP H04148873 A JPH04148873 A JP H04148873A JP 2274731 A JP2274731 A JP 2274731A JP 27473190 A JP27473190 A JP 27473190A JP H04148873 A JPH04148873 A JP H04148873A
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- optical
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 58
- 238000005070 sampling Methods 0.000 title claims description 14
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 29
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業−にの利用分野〉
この発明は高速の電気信号を測定する装置に関し、特に
S/Nを改善した光サンプリング装置に関するものであ
る。
S/Nを改善した光サンプリング装置に関するものであ
る。
〈従来技術〉
最近の高速電子デバイスは高遠なものが多く開発されて
いる。例えは、HE M T (H1(Ih f +e
ctr。
いる。例えは、HE M T (H1(Ih f +e
ctr。
n Nobility ’transistor )で
はゲート遅延時間が約1.0 p s程度であり、また
光通信などに用いられる半導体レーザーの直接変調帯域
も数十G Hzに達している。このような高速電子デバ
イスによる高速現象の測定は、通常サンプリングオシロ
スコープが用いられている。第4図にサンプリングオシ
ロスコープの原理を示ず。ずなわち、(A)のように連
続するN個の被測定信号に対して、ゲート時間を少しず
つずらしながら測定して行き、その結果を合成して(F
()のような測定値を?)る。
はゲート遅延時間が約1.0 p s程度であり、また
光通信などに用いられる半導体レーザーの直接変調帯域
も数十G Hzに達している。このような高速電子デバ
イスによる高速現象の測定は、通常サンプリングオシロ
スコープが用いられている。第4図にサンプリングオシ
ロスコープの原理を示ず。ずなわち、(A)のように連
続するN個の被測定信号に対して、ゲート時間を少しず
つずらしながら測定して行き、その結果を合成して(F
()のような測定値を?)る。
この技術ては、サンプリング幅が測定結果の分解能にな
る。
る。
しかしながら、第111ン]のサンプリングオシI7ス
コープでは、サンプリング幅はステップリカバリダイオ
ードの速度に制限され、25ps程度が限界であり、光
パルスを用いる光オシ17スコープで610ps程疫が
限界であるという速反上の欠点があっな。
コープでは、サンプリング幅はステップリカバリダイオ
ードの速度に制限され、25ps程度が限界であり、光
パルスを用いる光オシ17スコープで610ps程疫が
限界であるという速反上の欠点があっな。
一方、G a A s基板は゛、E気光学効果を有する
ので、電界の大きさに応じてその戻り光の1祠波面が変
化する。この現象を利用して、光を用いた測定装置が開
発されている。第5図にこのような光を用いた測定装置
の構成を示す。Y A Gレーザー1の出力光はパルス
圧縮部2でps程度のパルス幅に圧縮され、偏光子3、
波長板4を介してG a AS集積回路5に入力される
。また、その戻り光は波長板4を通り、偏光子3で反射
されて受光索子6でその強度がA1す定され、表示部8
て表示される。
ので、電界の大きさに応じてその戻り光の1祠波面が変
化する。この現象を利用して、光を用いた測定装置が開
発されている。第5図にこのような光を用いた測定装置
の構成を示す。Y A Gレーザー1の出力光はパルス
圧縮部2でps程度のパルス幅に圧縮され、偏光子3、
波長板4を介してG a AS集積回路5に入力される
。また、その戻り光は波長板4を通り、偏光子3で反射
されて受光索子6でその強度がA1す定され、表示部8
て表示される。
駆動回路7でG a A、 s集積回路5が発生ずる電
界を変えるとその戻り光の偏光面が変化し、偏光子3に
よって受光索子6に入射する光の強度が変化する。駆動
回路7により、YAGレーザ−1の出力光のタイミング
とG a A s集積回路5を駆動するタイミングを同
期させ、かつその位相差を少しずつずらして行くことに
よって、第4図で説明しなザンブリンク技術と同1.〕
原理でG a A S集積回路5の内部電圧波形を測定
する事が出来る。この装置によればpsオーダーのサン
プリング幅で測定が1.IJ能である。
界を変えるとその戻り光の偏光面が変化し、偏光子3に
よって受光索子6に入射する光の強度が変化する。駆動
回路7により、YAGレーザ−1の出力光のタイミング
とG a A s集積回路5を駆動するタイミングを同
期させ、かつその位相差を少しずつずらして行くことに
よって、第4図で説明しなザンブリンク技術と同1.〕
原理でG a A S集積回路5の内部電圧波形を測定
する事が出来る。この装置によればpsオーダーのサン
プリング幅で測定が1.IJ能である。
〈発明が解決すべき課題〉
しかしながら、第5図の装置ではF1a5hランプ励起
によるNd:YAGレーザが用いられており、これはサ
イズ(全長的2m)、パワー消費、コスl〜および帯域
の各点で問題があり、改善が望まれている。そこで、現
在、半導体レーザや、半導体レーザ励起による固体レー
ザ等で置き変えが考えられているが、光パワーが小さい
なめ、S/Nが悪いという課題かある。
によるNd:YAGレーザが用いられており、これはサ
イズ(全長的2m)、パワー消費、コスl〜および帯域
の各点で問題があり、改善が望まれている。そこで、現
在、半導体レーザや、半導体レーザ励起による固体レー
ザ等で置き変えが考えられているが、光パワーが小さい
なめ、S/Nが悪いという課題かある。
〈発明の目的〉
この発明はL記の課題を解決するなめになされたもので
、半導体レーザ等を用いて高速の測定信号を高いS/N
比で測定できる光サンプリンタ装置を実現することを目
的とする。
、半導体レーザ等を用いて高速の測定信号を高いS/N
比で測定できる光サンプリンタ装置を実現することを目
的とする。
く課題を解決する為の手段〉
本発明は光パルスの偏波面の状態を被測定回路の動作電
圧に応じて変化させ、この偏波面の変化を検出して被測
定回路の電圧波形を測定する光サン゛ブリンク装化゛に
f系るもので、その特徴とするところは第1の光周波数
を持つ光パルスを出力する光パルス発生手段と、この光
パルス発生手段の出力光を入射し°C被測定回路の動作
電圧に対応する電界により偏波面を変化させる電気光学
素子と、第2の光周波数を持つ連続光を出力するレーザ
光源と、前記電気光学素子からの戻り光と前記レザ光源
の出力)〜1とを合波する音波手1jQと、この合波1
段の出力光を受光する受光素r−と、この受光素子の出
力に基ついて被測定回路の電圧波形を演算する演算回路
をfll−え 演算回j路の出力に基づいて被諧j定回
路の電坪波形を測定するように構成[7た点にある。
圧に応じて変化させ、この偏波面の変化を検出して被測
定回路の電圧波形を測定する光サン゛ブリンク装化゛に
f系るもので、その特徴とするところは第1の光周波数
を持つ光パルスを出力する光パルス発生手段と、この光
パルス発生手段の出力光を入射し°C被測定回路の動作
電圧に対応する電界により偏波面を変化させる電気光学
素子と、第2の光周波数を持つ連続光を出力するレーザ
光源と、前記電気光学素子からの戻り光と前記レザ光源
の出力)〜1とを合波する音波手1jQと、この合波1
段の出力光を受光する受光素r−と、この受光素子の出
力に基ついて被測定回路の電圧波形を演算する演算回路
をfll−え 演算回j路の出力に基づいて被諧j定回
路の電坪波形を測定するように構成[7た点にある。
く作用〉
第1の光周波数を持つ光パルスを被測定回路の電界が加
わった電気光学素子において偏波面を回転し、第2の光
周波数を有する局部発振光とともに受光素子に入射して
光周波数ヘテロタイン検波を行うことにより、等測的に
信号を増幅し、被測定回路の内部電圧波形を高いS/N
比で測定することができる。
わった電気光学素子において偏波面を回転し、第2の光
周波数を有する局部発振光とともに受光素子に入射して
光周波数ヘテロタイン検波を行うことにより、等測的に
信号を増幅し、被測定回路の内部電圧波形を高いS/N
比で測定することができる。
〈実施例〉
第1図に本発明に係る光サンプリング装置の−・実施例
を示す。
を示す。
第1図において、10は第1の光周波数で1−Dlを持
った光パルスを出力する光パルス発生手段でコヒーレン
シーの高い半導体レーザ゛からなるもの、11は半導体
レーザ10の出力光を通過し戻り光を団IJ−1する光
アイソレータ、12は光゛γイソレタから出力された光
を透過する面光子、13は偏光子13の出力光の偏波面
を調整する波長板、14(」波長板13から出力された
光をG a、 A s集積回路からなる肢測定回1賂1
.5 (C集光するしンスである。16は半導体し一ザ
IOを1)l<動する電気パルスを介ノlするパルス発
生回路、17は光パルスθ)繰返1−7周波数f′1.
の!上弦波111号でパルス発生回路16を駆動する高
周波発振器、18は発振器17と同期しl:周波数から
微小周波数Δfずれた周波数で被測定回路15を駆動す
る駆動回路、20は局部介JI6光源を楢成し、第2の
光周波数f1.2を持ち、コヒーレンシーの高い連続光
を出力するレーザ光源、21は半導体し・−ザ20の出
力光を通過し戻り光を阻止する光アイソし 夕、22は
被測定回路15からの反射光をレンズト1.波長&13
および偏光子12を介し7て光アイソレータ21の出力
光ととらに音波するtン波手段を禍成するハーフミラ−
223はハーフミラ−22の出力光が入用する受光素1
’−12・′1は受光素−1′23の電気出力に基つい
て被測定四R1,、5の内部電圧波形を演算表小する演
算表示回路である。
った光パルスを出力する光パルス発生手段でコヒーレン
シーの高い半導体レーザ゛からなるもの、11は半導体
レーザ10の出力光を通過し戻り光を団IJ−1する光
アイソレータ、12は光゛γイソレタから出力された光
を透過する面光子、13は偏光子13の出力光の偏波面
を調整する波長板、14(」波長板13から出力された
光をG a、 A s集積回路からなる肢測定回1賂1
.5 (C集光するしンスである。16は半導体し一ザ
IOを1)l<動する電気パルスを介ノlするパルス発
生回路、17は光パルスθ)繰返1−7周波数f′1.
の!上弦波111号でパルス発生回路16を駆動する高
周波発振器、18は発振器17と同期しl:周波数から
微小周波数Δfずれた周波数で被測定回路15を駆動す
る駆動回路、20は局部介JI6光源を楢成し、第2の
光周波数f1.2を持ち、コヒーレンシーの高い連続光
を出力するレーザ光源、21は半導体し・−ザ20の出
力光を通過し戻り光を阻止する光アイソし 夕、22は
被測定回路15からの反射光をレンズト1.波長&13
および偏光子12を介し7て光アイソレータ21の出力
光ととらに音波するtン波手段を禍成するハーフミラ−
223はハーフミラ−22の出力光が入用する受光素1
’−12・′1は受光素−1′23の電気出力に基つい
て被測定四R1,、5の内部電圧波形を演算表小する演
算表示回路である。
上記構成の装置の動作を次に説明する。
パルス発生回iN816の電気パルス出力により、半導
体レーザ10は狭光パルスを発生ずる。この光パルスは
光アイソレータ11.偏光子12.波長板13を透過し
、レンズ14により被測定回路15I−に焦点を結ぶ。
体レーザ10は狭光パルスを発生ずる。この光パルスは
光アイソレータ11.偏光子12.波長板13を透過し
、レンズ14により被測定回路15I−に焦点を結ぶ。
この入射光は、第2図に小ずように、被測定回路15の
裏面から入射してGa A、、 s基板31を透過し、
被測定回路15の表面にあるICパターン32の裏面で
反射され、占ひG a、 A s基板31を逆向きに透
過して裏面から出射される。この反射光の偏波面は、被
測定回路15のGaAs基板が電気光学効果を持つため
、入射光パルスの偏波面に対し、ICパターン上の電気
信号強度に対応して発生ずる電界強度に応じて変化する
。この反射光パルスは、レンズ14.波長板13を逆向
きに透過した後、偏光子12において反射する際にその
偏波面に応じて光強度変調を受ける。藺光了12の反射
光は光アイソレータ21を透過した半導体レーザ20の
連続出力光とバー フミラー22で合波され、受光素子
23で検出され、両光が重なった区間について後述のよ
うにヘデ冒タイン検波が行なわれる。演算表示装置24
は受光素子23の出力に基づいて被測定回路15の内部
信号波形を表示する。
裏面から入射してGa A、、 s基板31を透過し、
被測定回路15の表面にあるICパターン32の裏面で
反射され、占ひG a、 A s基板31を逆向きに透
過して裏面から出射される。この反射光の偏波面は、被
測定回路15のGaAs基板が電気光学効果を持つため
、入射光パルスの偏波面に対し、ICパターン上の電気
信号強度に対応して発生ずる電界強度に応じて変化する
。この反射光パルスは、レンズ14.波長板13を逆向
きに透過した後、偏光子12において反射する際にその
偏波面に応じて光強度変調を受ける。藺光了12の反射
光は光アイソレータ21を透過した半導体レーザ20の
連続出力光とバー フミラー22で合波され、受光素子
23で検出され、両光が重なった区間について後述のよ
うにヘデ冒タイン検波が行なわれる。演算表示装置24
は受光素子23の出力に基づいて被測定回路15の内部
信号波形を表示する。
一11記へテ17ダイン検波について以−1・に式を用
いて説明する。例えば半導体レーザ10からの光出力は
光周波数がω1であるとすると、E1sinω11で表
され、半導体レーザ20からの光出力は光周波数が6.
12であるとすると、1−”) 2 S 1 n O,
)2[、て表される。この2つの光かハ フミラ−22
によって合波されると、受光素子23の受光部−Lの合
波光を表す式は、 け:sin ω t、 −1E !、
; i n (メ) 2 t )・・
く 1 ) となる。受光素子23により電気信号に変換後、ローパ
スフィルタおよびDCカッ−へ回路を通過した後のf、
−1号は、 E −E C08(ω ω2)t、 =(2)
となる。ここて ω −ω −2π(f −f )1 2
1D1 +112・・(3) である。(2)式において、Elに被)11す定回路1
5の内部電圧信号に対ル6した有益な情報が含まれてい
るが、通常、 E <<F、 、 E2−−−一定であるから、 El(El ・E2 であり、等測的に信号E1がE2倍増幅されたことにな
り、S/N比が改善されることが明らかである。
いて説明する。例えば半導体レーザ10からの光出力は
光周波数がω1であるとすると、E1sinω11で表
され、半導体レーザ20からの光出力は光周波数が6.
12であるとすると、1−”) 2 S 1 n O,
)2[、て表される。この2つの光かハ フミラ−22
によって合波されると、受光素子23の受光部−Lの合
波光を表す式は、 け:sin ω t、 −1E !、
; i n (メ) 2 t )・・
く 1 ) となる。受光素子23により電気信号に変換後、ローパ
スフィルタおよびDCカッ−へ回路を通過した後のf、
−1号は、 E −E C08(ω ω2)t、 =(2)
となる。ここて ω −ω −2π(f −f )1 2
1D1 +112・・(3) である。(2)式において、Elに被)11す定回路1
5の内部電圧信号に対ル6した有益な情報が含まれてい
るが、通常、 E <<F、 、 E2−−−一定であるから、 El(El ・E2 であり、等測的に信号E1がE2倍増幅されたことにな
り、S/N比が改善されることが明らかである。
またサンプリング技術を用いるために、駆動回路18か
ら出力される被測定回路15の駆動信号の基本周波数ゴ
′dは fd二N−f、+Δf ・・・(4)で表
される。ここでN=1.2,3.・・・1、Δfは微小
周波数である。(4)式にお(°)るΔfの存在により
、被測定回路15内の被測電信すに対し、位相を僅かず
つずらして光パルスでサンプリングすることができ、高
速な現象を低速な現象として処理することができる。こ
れを基本周波数によって説明ずれは、被測定物内の高い
周波数fdが低い周波数Δfに変換されることになる。
ら出力される被測定回路15の駆動信号の基本周波数ゴ
′dは fd二N−f、+Δf ・・・(4)で表
される。ここでN=1.2,3.・・・1、Δfは微小
周波数である。(4)式にお(°)るΔfの存在により
、被測定回路15内の被測電信すに対し、位相を僅かず
つずらして光パルスでサンプリングすることができ、高
速な現象を低速な現象として処理することができる。こ
れを基本周波数によって説明ずれは、被測定物内の高い
周波数fdが低い周波数Δfに変換されることになる。
このような構成の光サンプリンタ装置によれば、ヘテロ
ダイン検波を用いることにより、S/N比を改善するこ
とかてさ、半導体レーザや半導体レザ励起固体レー1ノ
゛等のように、光パワーが小さいが→ノーイス、パワー
消費、コスト、帯域の点で而れだ光源の使用を可能とな
る。
ダイン検波を用いることにより、S/N比を改善するこ
とかてさ、半導体レーザや半導体レザ励起固体レー1ノ
゛等のように、光パワーが小さいが→ノーイス、パワー
消費、コスト、帯域の点で而れだ光源の使用を可能とな
る。
また被a!11定物に入射する光パワーを小さくするこ
とができるので、過大光パワー人力によって生じる光電
子や逆電気光学効果の発生を防ぐことができ、被測定回
路への影響を抑えることかできる。
とができるので、過大光パワー人力によって生じる光電
子や逆電気光学効果の発生を防ぐことができ、被測定回
路への影響を抑えることかできる。
なお上記の実施例では半導体レーザを光源として用いた
が、高いコヒーレンシーを持つ半導体レザ励起による固
体レーザを使用することもてきる。
が、高いコヒーレンシーを持つ半導体レザ励起による固
体レーザを使用することもてきる。
第3図は第1図装置の変形例で、S/N比をさらに改善
するするなめに検出部を差動構成としたものを示す要部
構成ブロック図である。第1図と同じ部分は同一の記号
を付している。半導体し→ノ”10からの光出力は、爛
光子33、回転子37および偏光r−12を透過し、被
測定回路15へ導かれる。被測定回路15からの出力光
は、その偏波面のX、Y方向成分について、それぞれ+
1iI光子12と偏光−r−33で分離され、出力され
る6各分離光は、それぞれバー フミラー 38.39
にて半導体レーザ20の光出力と合波される。各合波光
はそれぞり、受光素子34および35で検出され、減算
器36で互いに引算される。光パルスの偏波面は被測定
回路15においてX、Y方向成分が逆極性で変調される
ので、受光索子34..35に逆位相成分同士が等量入
射するように光学系のアラインメン1〜を行えば、光源
自体のノイズは位相に無関係なので受光素子34.35
で同相となって引算により相殺され、被測定回路15て
変調を受けた検出光の信−り成分は逆相となって引算に
より足し合わされる。しながってS / N比がさらに
白土する。
するするなめに検出部を差動構成としたものを示す要部
構成ブロック図である。第1図と同じ部分は同一の記号
を付している。半導体し→ノ”10からの光出力は、爛
光子33、回転子37および偏光r−12を透過し、被
測定回路15へ導かれる。被測定回路15からの出力光
は、その偏波面のX、Y方向成分について、それぞれ+
1iI光子12と偏光−r−33で分離され、出力され
る6各分離光は、それぞれバー フミラー 38.39
にて半導体レーザ20の光出力と合波される。各合波光
はそれぞり、受光素子34および35で検出され、減算
器36で互いに引算される。光パルスの偏波面は被測定
回路15においてX、Y方向成分が逆極性で変調される
ので、受光索子34..35に逆位相成分同士が等量入
射するように光学系のアラインメン1〜を行えば、光源
自体のノイズは位相に無関係なので受光素子34.35
で同相となって引算により相殺され、被測定回路15て
変調を受けた検出光の信−り成分は逆相となって引算に
より足し合わされる。しながってS / N比がさらに
白土する。
なおこれらの実施例では被測定物かG a、 A s集
積回路の場合すなわち、被測定物自身が電気光学材料で
構成されている場合を説明したが、シリコン等の電気光
学効果を有さないイ1料にも適用される。この場合はシ
リ:7ン等の被測定物に近接して1−7j′I″a O
3単結晶などの電気光学効果を有する材料を配置し、こ
のL i ’I″aO3屯結晶に光全結晶して、シリコ
ン等からなる被測定回路が発生ずる電界により電気光学
効果を生じさせるようにずれはよい。
積回路の場合すなわち、被測定物自身が電気光学材料で
構成されている場合を説明したが、シリコン等の電気光
学効果を有さないイ1料にも適用される。この場合はシ
リ:7ン等の被測定物に近接して1−7j′I″a O
3単結晶などの電気光学効果を有する材料を配置し、こ
のL i ’I″aO3屯結晶に光全結晶して、シリコ
ン等からなる被測定回路が発生ずる電界により電気光学
効果を生じさせるようにずれはよい。
また被測定回路の反射光の1扁波面の状態の変化を検出
する代りに透過光を検出してもよい。
する代りに透過光を検出してもよい。
〈発明の効果〉
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように、本発
明によれは、半導体レーザ等を用いて高速の測定18号
を高いS/N比て測定てきる光サンプリング装置を簡単
な構成て実現することができる。
明によれは、半導体レーザ等を用いて高速の測定18号
を高いS/N比て測定てきる光サンプリング装置を簡単
な構成て実現することができる。
第1図は本発明に係る光サンプリンタ装置の一実施例を
示す構成ブI7ツタ図、第2図は第1図装置の動作を説
明するなめの説明し1、第3I’aは第1図装置の変形
例を示す要部構成ブロック図、第41り1はサンブリン
ク技術の原理図、第5図は従来の光サンプリンタ装置の
構成図である。
示す構成ブI7ツタ図、第2図は第1図装置の動作を説
明するなめの説明し1、第3I’aは第1図装置の変形
例を示す要部構成ブロック図、第41り1はサンブリン
ク技術の原理図、第5図は従来の光サンプリンタ装置の
構成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光パルスの偏波面の状態を被測定回路の動作電圧に応じ
て変化させ、この偏波面の変化を検出して被測定回路の
電圧波形を測定する光サンプリング装置において、 第1の光周波数を持つ光パルスを出力する光パルス発生
手段と、 この光パルス発生手段の出力光を入射して被測定回路の
動作電圧に対応する電界により偏波面を変化させる電気
光学素子と、 第2の光周波数を持つ連続光を出力するレーザ光源と、 前記電気光学素子からの戻り光と前記レーザ光源の出力
光とを合波する合波手段と、 この合波手段の出力光を受光する受光素子と、この受光
素子の出力に基づいて被測定回路の電圧波形を演算する
演算回路を備え、 演算回路の出力に基づいて被測定回路の電圧波形を測定
するように構成したことを特徴とする光サンプリング装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2274731A JP2906285B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光サンプリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2274731A JP2906285B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光サンプリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04148873A true JPH04148873A (ja) | 1992-05-21 |
JP2906285B2 JP2906285B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=17545795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2274731A Expired - Fee Related JP2906285B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 光サンプリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2906285B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002522770A (ja) * | 1998-08-07 | 2002-07-23 | インテル・コーポレーション | 赤外レーザ・プローブを用いて集積回路における電圧を直接測定する方法および装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104777344A (zh) * | 2015-04-18 | 2015-07-15 | 安庆师范学院 | 基于电光效应的非接触式过电压检测*** |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP2274731A patent/JP2906285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002522770A (ja) * | 1998-08-07 | 2002-07-23 | インテル・コーポレーション | 赤外レーザ・プローブを用いて集積回路における電圧を直接測定する方法および装置 |
JP4846902B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2011-12-28 | インテル・コーポレーション | 赤外レーザ・プローブを用いて集積回路における電圧を直接測定する方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2906285B2 (ja) | 1999-06-14 |
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