JPH0414860A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0414860A JPH0414860A JP11842190A JP11842190A JPH0414860A JP H0414860 A JPH0414860 A JP H0414860A JP 11842190 A JP11842190 A JP 11842190A JP 11842190 A JP11842190 A JP 11842190A JP H0414860 A JPH0414860 A JP H0414860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- leads
- main body
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に大きいサ
イズの半導体装置の製造に利用して有効な技術に関する
。
イズの半導体装置の製造に利用して有効な技術に関する
。
[従来の技術]
従来の技術としては、第2図に示すようなものがある。
図において1は半導体装置を示す。2は半導体チップで
あり、半導体装置の心臓部となるものである。5はワイ
ヤであり、金属細線からなっており、前記半導体チップ
の電極4と後述するリードとの導通をとる為のものであ
る0 5はリードであり、前記ワイヤ3の一端がボンデ
ィングされている。このリード5は、前記ワイヤ6がボ
ンディングされている一端とは異なる他端が、後述する
本体の側面から、本体主表面に平行して導出した後、L
字状に曲げられている。6はダイパッドであり、四方形
状の板状物で、前記半導体チップが、図示しない接着剤
によってボンディングされている。7は本体であり、前
記半導体チップ2、ワイヤ5等、半導体装置の主要部を
覆う四方形状物である。
あり、半導体装置の心臓部となるものである。5はワイ
ヤであり、金属細線からなっており、前記半導体チップ
の電極4と後述するリードとの導通をとる為のものであ
る0 5はリードであり、前記ワイヤ3の一端がボンデ
ィングされている。このリード5は、前記ワイヤ6がボ
ンディングされている一端とは異なる他端が、後述する
本体の側面から、本体主表面に平行して導出した後、L
字状に曲げられている。6はダイパッドであり、四方形
状の板状物で、前記半導体チップが、図示しない接着剤
によってボンディングされている。7は本体であり、前
記半導体チップ2、ワイヤ5等、半導体装置の主要部を
覆う四方形状物である。
[発明が解決しようとする課題]
本発明者は、上述した従来技術を用い、多ピン(例えば
、100P工N以上のリードのもの)の半導体装置を製
造したところ、以下に示すような問題があることを見い
出した。
、100P工N以上のリードのもの)の半導体装置を製
造したところ、以下に示すような問題があることを見い
出した。
すなわち、多ビンになるに従い、リードを多数配置する
必要がある為、本体の主表面のサイズが大きくなるとい
う問題である。この事により、本体の側面からリードが
導出する従来の半導体装置では、本体のさらに外側にリ
ードがある為、実装(プリント基板等への実装)面積が
大きくなってしまうという問題があることを、本発明者
は見(・出した。
必要がある為、本体の主表面のサイズが大きくなるとい
う問題である。この事により、本体の側面からリードが
導出する従来の半導体装置では、本体のさらに外側にリ
ードがある為、実装(プリント基板等への実装)面積が
大きくなってしまうという問題があることを、本発明者
は見(・出した。
本発明の目的は、多ビンの半導体装置であっても、実装
面積を小さくできる半導体装置の製造技術を提供する事
にある。
面積を小さくできる半導体装置の製造技術を提供する事
にある。
cm題を解決するための手段]
本発明の半導体装置は、半導体チップと半導体チップの
周囲に配されたリードとそれらのうち少なくとも一部を
封止した本体からなる半導体装置において、リードが本
体の下面から突出し、その先端がL字状になっているこ
とを特徴とする。
周囲に配されたリードとそれらのうち少なくとも一部を
封止した本体からなる半導体装置において、リードが本
体の下面から突出し、その先端がL字状になっているこ
とを特徴とする。
[実施例コ
第1図は、本発明の一実施例である半導体装置を示す概
略側面図である。
略側面図である。
図において、8は半導体装置を示す。9は下型であり、
後述する上型とで本体を形成する。1Dは載置部であり
、前記下型の中央部分に設けられ、後述する半導体チッ
プを載置する凹部が形成されている。11はリードであ
り、前記下型9の上面から下面にかけて貫通し、下型9
と一体的に形成されていて、その両端はL字状に曲げら
れている。前記下型9は、例えば、ガラエボ材料からな
っており、その中にリード11を埋め込んだかたちにな
っている。12は半導体チップであり、前記載置部10
に、図示しない接着剤を介して載置されている。15は
電極であり、前記半導体チップ12の上面に設けられて
いる。14はワイヤであり、金属細線からなり、前記半
導体チップ12の電極13と、前記リードとの導通をと
る為に、ボンディングされている。15は上型であり、
樹脂によって成形され、前記半導体チップ等、半導体装
置8の主要部を覆い、前記下型9とで、本体16を形成
する。
後述する上型とで本体を形成する。1Dは載置部であり
、前記下型の中央部分に設けられ、後述する半導体チッ
プを載置する凹部が形成されている。11はリードであ
り、前記下型9の上面から下面にかけて貫通し、下型9
と一体的に形成されていて、その両端はL字状に曲げら
れている。前記下型9は、例えば、ガラエボ材料からな
っており、その中にリード11を埋め込んだかたちにな
っている。12は半導体チップであり、前記載置部10
に、図示しない接着剤を介して載置されている。15は
電極であり、前記半導体チップ12の上面に設けられて
いる。14はワイヤであり、金属細線からなり、前記半
導体チップ12の電極13と、前記リードとの導通をと
る為に、ボンディングされている。15は上型であり、
樹脂によって成形され、前記半導体チップ等、半導体装
置8の主要部を覆い、前記下型9とで、本体16を形成
する。
以下、上述した構成の本発明の一実施例について、その
作用を説明する。
作用を説明する。
ガラエボ材料からなり、リード11と一体化して成形さ
れた下型9を用い、先ず図示しないダイボンダーにより
、半導体チップ12を、その載置10に載置する。この
際、半導体チップ12は、図示しない接着剤により固定
される。次いで、図示しないワイヤボンダーにより、半
導体チップ12の電極13と、リード11の下型9中心
に向ったL字状部分が、ワイヤ14でボンディングされ
る。その後、モールド装置(図示せず)により上型15
が形成され、組立完成品となる。
れた下型9を用い、先ず図示しないダイボンダーにより
、半導体チップ12を、その載置10に載置する。この
際、半導体チップ12は、図示しない接着剤により固定
される。次いで、図示しないワイヤボンダーにより、半
導体チップ12の電極13と、リード11の下型9中心
に向ったL字状部分が、ワイヤ14でボンディングされ
る。その後、モールド装置(図示せず)により上型15
が形成され、組立完成品となる。
このようにして得られた半導体装置8は、リード11が
本体16の下面から突出している^、本体の側面から突
出するものに比べ、リードの本体主表面方向への突出面
積を小さくでき、実装面積を少なくできる。
本体16の下面から突出している^、本体の側面から突
出するものに比べ、リードの本体主表面方向への突出面
積を小さくでき、実装面積を少なくできる。
[発明の効果]
(1) 半導体装置の、本体下面からリードを導出し、
導出した先端をL字状に成形することにより、本体の側
面からリードが突出するものに比べ、本体の主表面方向
へのリードの突出を低減できる為、多ピンの半導体装置
においても、その実装面積を小さくできるという効果が
得られる。
導出した先端をL字状に成形することにより、本体の側
面からリードが突出するものに比べ、本体の主表面方向
へのリードの突出を低減できる為、多ピンの半導体装置
においても、その実装面積を小さくできるという効果が
得られる。
(2) 半導体装置の本体下面からリードを導出し、導
出した先端をL字状に成形することにより、−に本体下
面から、直線的に伸ばしたものに比べ、実装時に安定す
るという効果が得られる。
出した先端をL字状に成形することにより、−に本体下
面から、直線的に伸ばしたものに比べ、実装時に安定す
るという効果が得られる。
第1図は、本発明の一実施例である半導体装置を示す概
略側面図。 第2図は、従来技術を説明する為の、半導体装置を示す
概略側面図。 1.8−−−−・・・・半導体装置 2 、12 ・・・−・半導体チップ 3.14−・−ワイヤ 4.13−・−・電 極 5,11・・・・・・−リード 6・・・・−・−・−・−・・・・ダイパッド7.16
−・−・−・本 体 9・・・・・・・・・−・・・・・−下 型10・−一
・−・−・−・載置部 15−・・・−・・・・−・上 型 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部(他1名)下型 リード ワイヤ 本体 第1図
略側面図。 第2図は、従来技術を説明する為の、半導体装置を示す
概略側面図。 1.8−−−−・・・・半導体装置 2 、12 ・・・−・半導体チップ 3.14−・−ワイヤ 4.13−・−・電 極 5,11・・・・・・−リード 6・・・・−・−・−・−・・・・ダイパッド7.16
−・−・−・本 体 9・・・・・・・・・−・・・・・−下 型10・−一
・−・−・−・載置部 15−・・・−・・・・−・上 型 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部(他1名)下型 リード ワイヤ 本体 第1図
Claims (1)
- (1)半導体チップと半導体チップの周囲に配されたリ
ードと、それらのうち少なくとも一部を封止した本体と
からなる半導体装置において、リードが本体の下面から
突出し、その先端がL字状になっていることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11842190A JPH0414860A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11842190A JPH0414860A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0414860A true JPH0414860A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14736225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11842190A Pending JPH0414860A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0414860A (ja) |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP11842190A patent/JPH0414860A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH08222681A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
EP1662565A3 (en) | Semiconductor package | |
JPH03177060A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JP3099382B2 (ja) | 小型発振器 | |
JPH03108745A (ja) | 半導体装置 | |
JP2003197663A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JPH0414860A (ja) | 半導体装置 | |
JPH01196153A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
JPH03177055A (ja) | 半導体素子搭載用基体 | |
JP2000349222A (ja) | リードフレーム及び半導体パッケージ | |
JPH02133942A (ja) | セラミックチップキャリア型半導体装置 | |
JP3226035B2 (ja) | 電子部品の位置決めリード曲げ装置及び曲げ法 | |
JP2001177007A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0642348Y2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH1012802A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 | |
KR100215119B1 (ko) | 알루미늄 박판을 이용한 csp 패키지 제조방법 | |
JPS61194861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS6236299Y2 (ja) | ||
JPH03263362A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0766357A (ja) | リ−ドフレ−ムとその製造方法、及び、このリ−ドフレ−ムを用いた半導体装置 | |
JPH08264705A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた実装構造及び実装方法 | |
JPH0414861A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6116556A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH05243317A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04290254A (ja) | 半導体装置用リードフレーム |