JPH04132288A - 歪量子井戸型半導体レーザ - Google Patents
歪量子井戸型半導体レーザInfo
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- JPH04132288A JPH04132288A JP25441290A JP25441290A JPH04132288A JP H04132288 A JPH04132288 A JP H04132288A JP 25441290 A JP25441290 A JP 25441290A JP 25441290 A JP25441290 A JP 25441290A JP H04132288 A JPH04132288 A JP H04132288A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
Er3+ドープフアイバアンプ励起及びSHG励起用の
光源として、最適な0.8〜1.0μmμm帯刀出力レ
ーザするものである。
光源として、最適な0.8〜1.0μmμm帯刀出力レ
ーザするものである。
(従来の技術)
GaAs基板上に積層したInGaAs/GaAs歪量
子井戸レーザはGaAs/AlGaAs系では得られな
い0.8〜1.0.um帯の発振波長を有するため、0
.98□m帯のEr3+ドープフアイバアンプ励起、S
HG励起、Nd:YAG固体レーザ励起等の高出力光源
として近年注目を集めている。InGaAs/GaAs
歪量子井戸レーザとしては例えば第4図に示すような構
造が報告されている。(エレクトロニクスレター、El
ectronicsLetters、 1989年Vo
1.25. No、 23. p−1564)この構造
では活性層15を構成するInGaAs量子井戸層には
、接合に水平方向に圧縮応力が働くため価電子帯の有効
質量が変化し、低しきい値で高効率な0.98□mの発
振特性が得られる。水平横モードは、発光領域以外のP
−AlyGa1−zAsクラッド層16を、活性層直上
までエツチングで除去したりッジ導波構造により制御さ
れる。P−AIo6Ga、−zAsクラッド層16の屈
折率は空気よりも高いため実効的に発光領域の屈折率が
高くなり、横モード制御が達成される。この構造におい
て、発振しきい値15mA、最大出力85mWの高出力
発振特性が得られている。
子井戸レーザはGaAs/AlGaAs系では得られな
い0.8〜1.0.um帯の発振波長を有するため、0
.98□m帯のEr3+ドープフアイバアンプ励起、S
HG励起、Nd:YAG固体レーザ励起等の高出力光源
として近年注目を集めている。InGaAs/GaAs
歪量子井戸レーザとしては例えば第4図に示すような構
造が報告されている。(エレクトロニクスレター、El
ectronicsLetters、 1989年Vo
1.25. No、 23. p−1564)この構造
では活性層15を構成するInGaAs量子井戸層には
、接合に水平方向に圧縮応力が働くため価電子帯の有効
質量が変化し、低しきい値で高効率な0.98□mの発
振特性が得られる。水平横モードは、発光領域以外のP
−AlyGa1−zAsクラッド層16を、活性層直上
までエツチングで除去したりッジ導波構造により制御さ
れる。P−AIo6Ga、−zAsクラッド層16の屈
折率は空気よりも高いため実効的に発光領域の屈折率が
高くなり、横モード制御が達成される。この構造におい
て、発振しきい値15mA、最大出力85mWの高出力
発振特性が得られている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら従来の技術では、リッジ導波構造であるた
め、P側を上にしてヒートシンクに融着しなければなら
ない。このため熱放散が低下し、高出力動作が熱飽和に
よって制限されてしまう。また、発光領域の活性層にひ
ずみが導入されやすい構造となっているため、良好な信
頼性を確保しにくい。こうした高出力動作の制限、信頼
性の低下を解決することが本発明の目的である。
め、P側を上にしてヒートシンクに融着しなければなら
ない。このため熱放散が低下し、高出力動作が熱飽和に
よって制限されてしまう。また、発光領域の活性層にひ
ずみが導入されやすい構造となっているため、良好な信
頼性を確保しにくい。こうした高出力動作の制限、信頼
性の低下を解決することが本発明の目的である。
(課題を解決するための手段)
本発明の歪量子井戸型レーザは2つあり、その1つは、
n型GaAs基板上に少なくともn型AlxGa1−x
Asクラッド層と、AlyGa1.As光ガイド層(x
と)でInzGa1−xAs歪量子井戸層の両側を挟ん
だSCH構造の活性層と、メサ部を有するP型AlxG
a1−yAsクラッド層の積層構造とを有し前記メサ部
両側の前記P型クラッド層上に、Si、 Se、 Sn
、 Te等のn型ドーパントを少なくとも1つ含みその
濃度が5刈018cm−3以上高濃度に添加したGaA
s層を積層したことを特徴とする構成になっている。第
2の発明はn型GaAs基板上に少なくともn型Alx
Ga1−xASクラッド層と、AlyGa1−As光ガ
イド層(x≧9でInzGa1−xAs歪量子井戸層の
両側を挟んだSCH構造の活性層と、メサ部を有するP
型AlxGa1−xAsクラッド層の積層構造とを有し
前記メサ部両側の前記P型クラッド層上にMg、Zn等
のP型ドーパントを少なくとも1つ含みその濃度が5刈
い8cm−3以上高濃度に添加したGaAs層と、n型
のGaAs層を順次積層したことを特徴とする構成にな
っている。
n型GaAs基板上に少なくともn型AlxGa1−x
Asクラッド層と、AlyGa1.As光ガイド層(x
と)でInzGa1−xAs歪量子井戸層の両側を挟ん
だSCH構造の活性層と、メサ部を有するP型AlxG
a1−yAsクラッド層の積層構造とを有し前記メサ部
両側の前記P型クラッド層上に、Si、 Se、 Sn
、 Te等のn型ドーパントを少なくとも1つ含みその
濃度が5刈018cm−3以上高濃度に添加したGaA
s層を積層したことを特徴とする構成になっている。第
2の発明はn型GaAs基板上に少なくともn型Alx
Ga1−xASクラッド層と、AlyGa1−As光ガ
イド層(x≧9でInzGa1−xAs歪量子井戸層の
両側を挟んだSCH構造の活性層と、メサ部を有するP
型AlxGa1−xAsクラッド層の積層構造とを有し
前記メサ部両側の前記P型クラッド層上にMg、Zn等
のP型ドーパントを少なくとも1つ含みその濃度が5刈
い8cm−3以上高濃度に添加したGaAs層と、n型
のGaAs層を順次積層したことを特徴とする構成にな
っている。
(作用)
第1図に示した本発明の請求項1の構造では、メサ側部
に5刈い8cm−3以上の高濃度n型GaAs埋め込み
層6が形成されている。SCH活性層の一例を第3図に
示した。第3図は伝導帯のバンド図を示す。高濃度Ga
As層6は、不純物によるパントチイル効果のためバン
ド端波長0.8711mより長波長の光に対しても吸収
損失を持つ。従って、InGaAs歪量子井戸層12(
第3図)からの0.9□m以上の発振光に対しても、n
+−GaAs埋め込み層6は吸収媒質として働き、そ
の結果水平方向に等測的な屈折率分布が形成される。従
って本発明の構造を用いることにより、高出力まで水平
横モードの安定したInGaAs歪量子井戸レーザが実
現できる。加えてn”−GaAs埋め込み層は電流ブロ
ック層としても作用するため発光部に有効に電流が注入
され低しきい値で高効率な発振特性が得られる。第2図
に示した本発明の請求項2の構造では、メサ側部に5X
10”cm=以上の高濃度P型GaAs埋め込み層9を
形成した後にn型GaAs埋め込み層10が形成されて
いる。P型GaAs層を用いても、不純物によるパント
チイル効果により、InGaAs歪量子井戸層12から
の0.9μm以上の発振光に対して埋め込み層は、吸収
媒質として作用するため、安定した水平横モード特性が
得られる。加えてP型QaAs層の場合n型GaAs層
よりも吸収係数が大きいため請求項1の構造よりもより
安定した水平横モード特性が得られる。この場合も、高
濃度P型QaAs埋め込み層9上に、n型GaAs埋め
込み層1゜が形成されているため、電流は発光部に有効
に注入され低しきい値で高効率な発振特性が得られる。
に5刈い8cm−3以上の高濃度n型GaAs埋め込み
層6が形成されている。SCH活性層の一例を第3図に
示した。第3図は伝導帯のバンド図を示す。高濃度Ga
As層6は、不純物によるパントチイル効果のためバン
ド端波長0.8711mより長波長の光に対しても吸収
損失を持つ。従って、InGaAs歪量子井戸層12(
第3図)からの0.9□m以上の発振光に対しても、n
+−GaAs埋め込み層6は吸収媒質として働き、そ
の結果水平方向に等測的な屈折率分布が形成される。従
って本発明の構造を用いることにより、高出力まで水平
横モードの安定したInGaAs歪量子井戸レーザが実
現できる。加えてn”−GaAs埋め込み層は電流ブロ
ック層としても作用するため発光部に有効に電流が注入
され低しきい値で高効率な発振特性が得られる。第2図
に示した本発明の請求項2の構造では、メサ側部に5X
10”cm=以上の高濃度P型GaAs埋め込み層9を
形成した後にn型GaAs埋め込み層10が形成されて
いる。P型GaAs層を用いても、不純物によるパント
チイル効果により、InGaAs歪量子井戸層12から
の0.9μm以上の発振光に対して埋め込み層は、吸収
媒質として作用するため、安定した水平横モード特性が
得られる。加えてP型QaAs層の場合n型GaAs層
よりも吸収係数が大きいため請求項1の構造よりもより
安定した水平横モード特性が得られる。この場合も、高
濃度P型QaAs埋め込み層9上に、n型GaAs埋め
込み層1゜が形成されているため、電流は発光部に有効
に注入され低しきい値で高効率な発振特性が得られる。
また、第1図、第2図のいずれの構造においてもP電極
側は平坦になっているため、P側を下にしてヒートシン
クに融着することが可能であり、高出力時に熱飽和する
ことがない。さらにメサ側部が半導体層で埋め込まれて
いるため発光部にひずみが加わることもなく、良好な信
頼性を確保することができる。
側は平坦になっているため、P側を下にしてヒートシン
クに融着することが可能であり、高出力時に熱飽和する
ことがない。さらにメサ側部が半導体層で埋め込まれて
いるため発光部にひずみが加わることもなく、良好な信
頼性を確保することができる。
(実施例)
以下図面を用いて、本発明に係る実施例を詳しく述べる
。第1図に本発明の第1の実施例を示す。
。第1図に本発明の第1の実施例を示す。
まずMOVPE気相成長法を用いてn−GaAs基板1
上に、n−AlxGa、xAsクラッド層2、InGa
As/AlGaAs−8CH構造の活性層3、p−Al
xGa1−xAsクラッド層4、p−GaAsキャップ
層5を順次積層する。第3図はSCH活性層部の伝導帯
のバンド図を示す。InGaAs/AlGaAs−8C
H構造3は第3図に示すように、InzGa1゜As量
子井戸層12(z=0−0.3)、AlyGa1−yA
s障壁層11、及びAlyGal−yAs光ガイド層1
3(x≧y)から形成される。次にSiOをマスクとし
てリン酸系のウェットエツチングを用いて、p−クラッ
ド層4中に幅5□mのメサを形成する。メサ側部のp−
クラッド層厚は0.3□mとした。次に、MOVPE気
相成長法を用いて、Si及びSeをドーパントとして高
濃度のn+−GaAs埋め込み層6をメサ側部に選択的
に形成する。
上に、n−AlxGa、xAsクラッド層2、InGa
As/AlGaAs−8CH構造の活性層3、p−Al
xGa1−xAsクラッド層4、p−GaAsキャップ
層5を順次積層する。第3図はSCH活性層部の伝導帯
のバンド図を示す。InGaAs/AlGaAs−8C
H構造3は第3図に示すように、InzGa1゜As量
子井戸層12(z=0−0.3)、AlyGa1−yA
s障壁層11、及びAlyGal−yAs光ガイド層1
3(x≧y)から形成される。次にSiOをマスクとし
てリン酸系のウェットエツチングを用いて、p−クラッ
ド層4中に幅5□mのメサを形成する。メサ側部のp−
クラッド層厚は0.3□mとした。次に、MOVPE気
相成長法を用いて、Si及びSeをドーパントとして高
濃度のn+−GaAs埋め込み層6をメサ側部に選択的
に形成する。
キャリア濃度は5×1018cm−3以上とする。MO
VPE気相成長法の場合、常圧でもSiO□上にGaA
s層は堆積せず良好な選択埋め込み成長が得られる。最
後にn型電極7、p型電極8を形成して第1図に示す本
発明に係る一実施例の構造が形成される。
VPE気相成長法の場合、常圧でもSiO□上にGaA
s層は堆積せず良好な選択埋め込み成長が得られる。最
後にn型電極7、p型電極8を形成して第1図に示す本
発明に係る一実施例の構造が形成される。
第2図は本発明の別の実施例を示すレーザ構造図である
。MOVPE気相成長法を用いて、第1図と同様な積層
構造と、メサを形成した後、再びMOVPE気相成長法
を用いて高濃度のP+−GaAs埋め込み層9とn−G
aAs埋め込み層10を順次形成する。P”−GaAs
埋め込み層9は、Mg及びZnをドーパントとして5刈
い8cm−3以上の高濃度層とし、層厚は0.3.un
とする。この構造でもP +−GaAs層9上にn−G
aAs層1゜が形成されているため、電流ブロック層と
して有効に作用する。P+−GaAs層9は、リーク電
流の経路となりうるが層厚を発振光の電界が、カップリ
ングする程度の0.3□mとしているので大きな問題と
はならない。最後にn型電極7、P型電極8を形成して
第2図に示す。本発明に係る一実施例の構造が形成され
る。
。MOVPE気相成長法を用いて、第1図と同様な積層
構造と、メサを形成した後、再びMOVPE気相成長法
を用いて高濃度のP+−GaAs埋め込み層9とn−G
aAs埋め込み層10を順次形成する。P”−GaAs
埋め込み層9は、Mg及びZnをドーパントとして5刈
い8cm−3以上の高濃度層とし、層厚は0.3.un
とする。この構造でもP +−GaAs層9上にn−G
aAs層1゜が形成されているため、電流ブロック層と
して有効に作用する。P+−GaAs層9は、リーク電
流の経路となりうるが層厚を発振光の電界が、カップリ
ングする程度の0.3□mとしているので大きな問題と
はならない。最後にn型電極7、P型電極8を形成して
第2図に示す。本発明に係る一実施例の構造が形成され
る。
第1の実施例ではn ” GaAs埋め込み層のドーパ
ントをSiとSeとしたが、SnやTeを用いてもよい
。また第2の実施例ではP+−GaAs埋め込み層のド
ーパントをMgとZnとしたが、Cを用いてもよい。
ントをSiとSeとしたが、SnやTeを用いてもよい
。また第2の実施例ではP+−GaAs埋め込み層のド
ーパントをMgとZnとしたが、Cを用いてもよい。
第1.第2の実施例における効果について述べる。
n−GaAsの埋め込み層を1×1018cm−3以下
の通常のドーピングレベルで形成すると、InGaAs
量子井戸層12からの0.9□m以上の発振光に対して
n−GaAs埋め込み層は透明となる。GaAsの実屈
折率は、AlGaAsより高いため、この結果発光部の
屈折率がメサ側部より低くなり横モード特性が極めて不
安定になる。しかし、本発明によれば第1図に示した請
求項1のレーザ構造では、メサ側部に5刈018cm−
3以上の高濃度n型GaAs埋め込み層6が形成されて
いる。高濃度GaAs層は、不純物によるパントチイル
効果のため、バンド端波長0.86□mより長波長の光
に対しても吸収損失を持つ。従ってInGaAs歪量子
井戸層12からの0.9μm以上の発振光に対しても、
n ”−GaAs埋め込み層6は吸収媒質として働き、
その結果、水平方向に等測的な屈折率分析が形成される
。従って高出力まで水平横モードの安定したInGaA
s歪量子井戸レーザが実現できる。加えてn ”−Ga
As埋め込み層は電流ブロック層としても作用するため
発光部に有効に電流が注入され低しきい値で高効率な発
振特性が得られる。
の通常のドーピングレベルで形成すると、InGaAs
量子井戸層12からの0.9□m以上の発振光に対して
n−GaAs埋め込み層は透明となる。GaAsの実屈
折率は、AlGaAsより高いため、この結果発光部の
屈折率がメサ側部より低くなり横モード特性が極めて不
安定になる。しかし、本発明によれば第1図に示した請
求項1のレーザ構造では、メサ側部に5刈018cm−
3以上の高濃度n型GaAs埋め込み層6が形成されて
いる。高濃度GaAs層は、不純物によるパントチイル
効果のため、バンド端波長0.86□mより長波長の光
に対しても吸収損失を持つ。従ってInGaAs歪量子
井戸層12からの0.9μm以上の発振光に対しても、
n ”−GaAs埋め込み層6は吸収媒質として働き、
その結果、水平方向に等測的な屈折率分析が形成される
。従って高出力まで水平横モードの安定したInGaA
s歪量子井戸レーザが実現できる。加えてn ”−Ga
As埋め込み層は電流ブロック層としても作用するため
発光部に有効に電流が注入され低しきい値で高効率な発
振特性が得られる。
第2図に示した本発明の請求項2の構造では、メサ側部
に5×1018cm−3以上の高濃度P型GaAs埋め
込み層9及びその上にn型GaAs埋め込み層10が形
成されている。P型GaAs層を用いても、不純物によ
るパントチイル効果によりInGaAs歪量子井戸層1
2がらの0.9□m以上の発振光に対して埋め込み層は
、吸収媒質として作用するため安定した水平横モード特
性が得られる。加えてP型GaAs層の場合n型QaA
s層よりも吸収係数が大きいため、第1図に示した構造
よりもより安定した水平横モード特性が得られる。この
場合も、高濃度p型GaAs埋め込み層9上にn型Ga
As埋め込み層10が形成されているため、電流は発光
部に有効に注入され、低しきい値で高効率な発振特性が
得られる。また第1図、第2図のいずれの構造において
もP電極側は平坦になっているため、P側を下にしてヒ
ートシンクに融着することが可能であり、高出力時に熱
飽和することがない。さらにメサ側部が半導体層で埋め
込まれているため発光部にひずみが加わることもなく良
好な信頼性を確保することができる。
に5×1018cm−3以上の高濃度P型GaAs埋め
込み層9及びその上にn型GaAs埋め込み層10が形
成されている。P型GaAs層を用いても、不純物によ
るパントチイル効果によりInGaAs歪量子井戸層1
2がらの0.9□m以上の発振光に対して埋め込み層は
、吸収媒質として作用するため安定した水平横モード特
性が得られる。加えてP型GaAs層の場合n型QaA
s層よりも吸収係数が大きいため、第1図に示した構造
よりもより安定した水平横モード特性が得られる。この
場合も、高濃度p型GaAs埋め込み層9上にn型Ga
As埋め込み層10が形成されているため、電流は発光
部に有効に注入され、低しきい値で高効率な発振特性が
得られる。また第1図、第2図のいずれの構造において
もP電極側は平坦になっているため、P側を下にしてヒ
ートシンクに融着することが可能であり、高出力時に熱
飽和することがない。さらにメサ側部が半導体層で埋め
込まれているため発光部にひずみが加わることもなく良
好な信頼性を確保することができる。
(発明の効果)
以上、本発明の構造によれば、通常の成長技術を用いて
横モードの安定したしかも高信頼な特性の波長0.8〜
1.0□m帯高出力歪量子井戸レーザを得ることができ
る。
横モードの安定したしかも高信頼な特性の波長0.8〜
1.0□m帯高出力歪量子井戸レーザを得ることができ
る。
第1図、第2図は本発明の実施例を示す構造断面図、第
3図は本発明の半導体レーザの活性層近傍における伝導
帯のエネルギーバンド構造を示す図、第4図は従来の技
術の構造断面図をそれぞれ示す。 図において、 1−n−GaAs基板、2・n−AlxGa1−xAs
Asクララ、3−−・InGaAs/AlGaAs−8
CH活性層、4・・・P−AIxGal−xAsAsク
ララ、5・・・P−GaAsキャップ層、 6・・−n”−GaAsWめ込み層、7・・・n型電極
、8・・・P型電極、9・・・P”−GaA−め込み層
、10・・・n−GaA曙め込み層、 1l−AlyGa1.As障壁層、 12・InzGa1−xAs量子井戸層、13−Aly
Ga1−xAsガイド層、14・・・n−AlxGa1
.−zAsクラッド層、15・InGaAs/GaAs
−GRIN−8CH活性層、16・・・P−Alo、6
Gao−zAsクラッド層、17・・・5io2絶縁膜
をそれぞれ示す。
3図は本発明の半導体レーザの活性層近傍における伝導
帯のエネルギーバンド構造を示す図、第4図は従来の技
術の構造断面図をそれぞれ示す。 図において、 1−n−GaAs基板、2・n−AlxGa1−xAs
Asクララ、3−−・InGaAs/AlGaAs−8
CH活性層、4・・・P−AIxGal−xAsAsク
ララ、5・・・P−GaAsキャップ層、 6・・−n”−GaAsWめ込み層、7・・・n型電極
、8・・・P型電極、9・・・P”−GaA−め込み層
、10・・・n−GaA曙め込み層、 1l−AlyGa1.As障壁層、 12・InzGa1−xAs量子井戸層、13−Aly
Ga1−xAsガイド層、14・・・n−AlxGa1
.−zAsクラッド層、15・InGaAs/GaAs
−GRIN−8CH活性層、16・・・P−Alo、6
Gao−zAsクラッド層、17・・・5io2絶縁膜
をそれぞれ示す。
Claims (2)
- (1)n型GaAs基板上に少なくともn型Al_xG
a_1_−_xAsクラッド層と、Al_yGa_1_
−_yAs光ガイド層(x≧y)でIn_zGa_1_
−_zAs量子井戸層の両側を挟んだSCH構造の活性
層と、メサ部を有するP型Al_xGa_1_−_xA
sクラッド層との積層構造を有し前記メサ部両側の前記
P型クラッド層上に、Si、Se、Sn、Teのn型ド
ーパントのいずれか1つ又は2つ以上を組み合せて5×
10^1^8cm^−^3以上高濃度に添加したGaA
s層を積層したことを特徴とする歪量子井戸型半導体レ
ーザ。 - (2)n型GaAs基板上に少なくともn型Al_xG
a_1_−_xAsクラッド層、Al_yGa_1_−
_yAs光ガイド層(x≧y)でIn_zGa_1_−
_zAs量子井戸層の両側を挟んだSCH構造の活性層
、メサ部を有するP型Al_xGa_1_−_xAsク
ラッド層の積層構造を有し前記メサ部両側の前記P型ク
ラッド層上にMg、Zn、CのP型ドーパントのいずれ
か1つ又は2つ以上を組み合せて5×10^1^8cm
^−^3以上高濃度に添加したGaAs層と、n型のG
aAs層を順次積層したことを特徴とする歪量子井戸型
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25441290A JPH04132288A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 歪量子井戸型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25441290A JPH04132288A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 歪量子井戸型半導体レーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04132288A true JPH04132288A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17264619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25441290A Pending JPH04132288A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 歪量子井戸型半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04132288A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521902A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH05175598A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
US6981721B2 (en) | 2001-06-04 | 2006-01-03 | Karasawa Fine, Ltd | Joint for high pressure fluid |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP25441290A patent/JPH04132288A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521902A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH05175598A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
US6981721B2 (en) | 2001-06-04 | 2006-01-03 | Karasawa Fine, Ltd | Joint for high pressure fluid |
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