JPH04132258A - 半導体基板の接続体およびその接続方法 - Google Patents
半導体基板の接続体およびその接続方法Info
- Publication number
- JPH04132258A JPH04132258A JP2254420A JP25442090A JPH04132258A JP H04132258 A JPH04132258 A JP H04132258A JP 2254420 A JP2254420 A JP 2254420A JP 25442090 A JP25442090 A JP 25442090A JP H04132258 A JPH04132258 A JP H04132258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide resin
- silicon substrate
- semiconductor substrate
- layer
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 43
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の接続体およびその接続方法に関す
る。
る。
従来のシリコン半導体基板どうしを接続する方法を図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
シラノール接合を利用して半導体基板を接続する方法は
、たとえば、新保により電子情報通信学会ｖｏ、１．７
０、Ｎｏ、６．ｐｐ５９３ （１９８７）に報告されて
いる。この方法では、第２図に示すように、鏡面研磨さ
れた第１および第２のシリコン基板１１．１２の表面に
シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）１３を吸着させたのち、こ
のシリコン基板を密着させた状態で加熱・加圧する。こ
の加熱・加圧処理によりＳ ｉ −ＯＨ＋ＨＯ−Ｓ ｉ
→５ｉ−０−８ｉなる反応が生じ、シリコン基板が接続
される。
、たとえば、新保により電子情報通信学会ｖｏ、１．７
０、Ｎｏ、６．ｐｐ５９３ （１９８７）に報告されて
いる。この方法では、第２図に示すように、鏡面研磨さ
れた第１および第２のシリコン基板１１．１２の表面に
シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）１３を吸着させたのち、こ
のシリコン基板を密着させた状態で加熱・加圧する。こ
の加熱・加圧処理によりＳ ｉ −ＯＨ＋ＨＯ−Ｓ ｉ
→５ｉ−０−８ｉなる反応が生じ、シリコン基板が接続
される。
またスピンオングラス（ＳｏＧ）層を介してシリコン基
板どうしを熱圧着する方法が山田、川崎により１９８６
年秋季第４７回応用物理学関連講演会講演予稿集ｐｐ４
９５に報告されている。この方法は、まず第３図（ａ）
に示すように、８００層５が形成された第１および第２
のシリコン基板ＩＡ、ＩＢをベークとしたのち密着させ
、第３図（ｂ）に示すように、大気中で加熱・加圧する
ことによりこのシリコン基板を接続するものである。
板どうしを熱圧着する方法が山田、川崎により１９８６
年秋季第４７回応用物理学関連講演会講演予稿集ｐｐ４
９５に報告されている。この方法は、まず第３図（ａ）
に示すように、８００層５が形成された第１および第２
のシリコン基板ＩＡ、ＩＢをベークとしたのち密着させ
、第３図（ｂ）に示すように、大気中で加熱・加圧する
ことによりこのシリコン基板を接続するものである。
しかしながら、第２図に示したシラノール基１３の化学
反応を利用する場合には、シリコン基板表面どうしが接
触されている必要があるため、表面に凹凸のあるシリコ
ン基板を接続することはできない、また、接続温度が８
００”Ｃ以上であることから、すでにデバイスの形成さ
れているシリコン基板どうしを接続する目的には不向き
である。
反応を利用する場合には、シリコン基板表面どうしが接
触されている必要があるため、表面に凹凸のあるシリコ
ン基板を接続することはできない、また、接続温度が８
００”Ｃ以上であることから、すでにデバイスの形成さ
れているシリコン基板どうしを接続する目的には不向き
である。
一方、接着剤として熱硬化性の無機高分子材料である３
００層をスピンコードにより形成したシリコン基板どう
しを大気中で熱圧着する場合には、４００℃でシリコン
基板どうしを接続できる。この方法では８００層５によ
りシリコン基板表面の凸部３Ａ、３Ｂの段差をある程度
緩和することが可能であるが、完全に平坦面な８００層
５の表面を得ることはできない、この３００層の表面が
完全に平坦面でないシリコン基板どうしを大気中で熱圧
着した場合、熱硬化性である８００層５は粘性流動によ
り変形することができないため、第３図（ｂ）に示した
ように、ＳＯＧ層界面どうしの未接触部に気泡６が存在
してしまう、この気泡６の存在により、シリコン基板全
面にわたる均一な接続を得ることができないため、シリ
コン基板の接続強度が低下する。
００層をスピンコードにより形成したシリコン基板どう
しを大気中で熱圧着する場合には、４００℃でシリコン
基板どうしを接続できる。この方法では８００層５によ
りシリコン基板表面の凸部３Ａ、３Ｂの段差をある程度
緩和することが可能であるが、完全に平坦面な８００層
５の表面を得ることはできない、この３００層の表面が
完全に平坦面でないシリコン基板どうしを大気中で熱圧
着した場合、熱硬化性である８００層５は粘性流動によ
り変形することができないため、第３図（ｂ）に示した
ように、ＳＯＧ層界面どうしの未接触部に気泡６が存在
してしまう、この気泡６の存在により、シリコン基板全
面にわたる均一な接続を得ることができないため、シリ
コン基板の接続強度が低下する。
また、エポキシ樹脂接着剤を用いて半導体基板を接続す
ることも可能であるが、その接着耐熱性は１４０℃程度
であり耐熱性に劣る。
ることも可能であるが、その接着耐熱性は１４０℃程度
であり耐熱性に劣る。
本発明の目的は既にデバイスの作り込まれていることに
より表面に凹凸の存在するシリコン基板どうしを、素子
の劣化や破壊をきたす恐れのない４５０℃以下の温度で
均一に接続し、かつその基板が２００°Ｃ以上の温度に
保持されても接続強度の低下しない半導体基板の接続体
およびその接続方法を提供することである。
より表面に凹凸の存在するシリコン基板どうしを、素子
の劣化や破壊をきたす恐れのない４５０℃以下の温度で
均一に接続し、かつその基板が２００°Ｃ以上の温度に
保持されても接続強度の低下しない半導体基板の接続体
およびその接続方法を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体基板の接続体は、デバイスが形成され表
面に凹凸が存在する第１の半導体基板と、この第１の半
導体基板上に熱軟化性ポリイミド樹脂による接続された
第２の半導体基板とを有するものである。
面に凹凸が存在する第１の半導体基板と、この第１の半
導体基板上に熱軟化性ポリイミド樹脂による接続された
第２の半導体基板とを有するものである。
また本発明の半導体基板の接続方法は、デバイスが形成
され表面に凹凸が存在する第１の半導体基板と第２の半
導体基板の少なくとも一方の半導体基板表面に熱軟化性
ポリイミド樹脂を塗布する工程と、前記第１の半導体基
板と第２の半導体基板表面を前記熱軟化性ポリイミド樹
脂層を介して真空中で密着させたのち、少なくとも熱軟
化性ポリイミド樹脂の軟化温度以上の温度に加熱し加工
する工程とを含んで構成される。
され表面に凹凸が存在する第１の半導体基板と第２の半
導体基板の少なくとも一方の半導体基板表面に熱軟化性
ポリイミド樹脂を塗布する工程と、前記第１の半導体基
板と第２の半導体基板表面を前記熱軟化性ポリイミド樹
脂層を介して真空中で密着させたのち、少なくとも熱軟
化性ポリイミド樹脂の軟化温度以上の温度に加熱し加工
する工程とを含んで構成される。
（作用）
本発明に係る半導体基板の接続方法においては、熱軟化
温度がデバイスの熱破壊温度よりも低い熱軟化性ポリイ
ミド樹脂を使用することにより、すでにデバイスの形成
されている半導体基板どうしを接続することが可能とな
る。ポリイミド樹脂を接着剤として用いているため、高
温耐熱特性に優れた接続が得られる。また、熱圧着を真
空中で行っているため接着界面に気泡が存在することは
ない。さらに、下地デバイスの存在により塗布したポリ
イミド樹脂の表面に凹凸があったとしても、熱軟化温度
以上ではポリイミド樹脂の粘性流動が生じるため均一の
接続界面を得ることができる。
温度がデバイスの熱破壊温度よりも低い熱軟化性ポリイ
ミド樹脂を使用することにより、すでにデバイスの形成
されている半導体基板どうしを接続することが可能とな
る。ポリイミド樹脂を接着剤として用いているため、高
温耐熱特性に優れた接続が得られる。また、熱圧着を真
空中で行っているため接着界面に気泡が存在することは
ない。さらに、下地デバイスの存在により塗布したポリ
イミド樹脂の表面に凹凸があったとしても、熱軟化温度
以上ではポリイミド樹脂の粘性流動が生じるため均一の
接続界面を得ることができる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を図面にもとすいて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図であり、ここでは熱軟化温度（ガラス転移温
度）が２５０〜３５０°Ｃの縮金型ポリイミド樹脂（耐
熱温度４２０°Ｃ程度）を用いた場合を例にとって述べ
る。
プの断面図であり、ここでは熱軟化温度（ガラス転移温
度）が２５０〜３５０°Ｃの縮金型ポリイミド樹脂（耐
熱温度４２０°Ｃ程度）を用いた場合を例にとって述べ
る。
まず第１図（ａ）に示すように、表面に凸部３Ａが形成
された第１のシリコン基板１と表面に凸部３Ｂが形成さ
れた第２のシリコン基板２上にそれぞれ熱軟化性ポリイ
ミド樹脂層４をスピンコーティング法により形成する。
された第１のシリコン基板１と表面に凸部３Ｂが形成さ
れた第２のシリコン基板２上にそれぞれ熱軟化性ポリイ
ミド樹脂層４をスピンコーティング法により形成する。
次いでポリイミド樹脂層４中の溶媒除去を目的とし、窒
素雰囲気中１００〜１５０°Ｃの温度で第１のシリコン
基板１と第２のシリコン基板２とを１時間程度ベークす
る。さらに、ポリイミド樹脂のイミド化反応（縮合反応
）を生じさせるため、窒素雰囲気中２５０〜３５０°Ｃ
の温度でキュアーする。次に第１のシリコン基板ｌと第
２のシリコン基板２とのポリイミド塗布面を向かい合わ
せる。
素雰囲気中１００〜１５０°Ｃの温度で第１のシリコン
基板１と第２のシリコン基板２とを１時間程度ベークす
る。さらに、ポリイミド樹脂のイミド化反応（縮合反応
）を生じさせるため、窒素雰囲気中２５０〜３５０°Ｃ
の温度でキュアーする。次に第１のシリコン基板ｌと第
２のシリコン基板２とのポリイミド塗布面を向かい合わ
せる。
次に第１図（ｂ）に示すように、向い合わせた第１及び
第２のシリコン基板１，２を真空室中に設置されている
下部加圧ヘッドＩＯＡ上に置く。しかる後、真空ポンプ
により真空室を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以下に減圧し、上部加
圧ヘッドＩＯＢおよび下部加圧ヘッドＩＯＡを介して第
１のシリコン基板１と第２のシリコン基板２とを加圧・
密着さ、せ、さらに上部加圧ヘッドＩＯＢおよび下部加
圧ヘッドＩＯＡに埋め込まれている発熱体により昇温、
加熱する。シリコン基板に加える圧力は１〜２０ｋｇ／
ａｍとし、また保持温度は少なくともシリコン基板に塗
布したポリイミド樹脂のガラス転移温度よりも高く、か
つその熱分解温度よりも低い温度としくここでは３５０
〜４００°Ｃ）、その温度で５分から３０分保持する。
第２のシリコン基板１，２を真空室中に設置されている
下部加圧ヘッドＩＯＡ上に置く。しかる後、真空ポンプ
により真空室を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以下に減圧し、上部加
圧ヘッドＩＯＢおよび下部加圧ヘッドＩＯＡを介して第
１のシリコン基板１と第２のシリコン基板２とを加圧・
密着さ、せ、さらに上部加圧ヘッドＩＯＢおよび下部加
圧ヘッドＩＯＡに埋め込まれている発熱体により昇温、
加熱する。シリコン基板に加える圧力は１〜２０ｋｇ／
ａｍとし、また保持温度は少なくともシリコン基板に塗
布したポリイミド樹脂のガラス転移温度よりも高く、か
つその熱分解温度よりも低い温度としくここでは３５０
〜４００°Ｃ）、その温度で５分から３０分保持する。
その後、真空中で室温までシリコン基板１，２を冷却し
、さらに加圧ヘッドＩＯＡ、ＩＯＢへの荷重を解除し、
真空室を常圧にした後シリコン基板を取り出す。
、さらに加圧ヘッドＩＯＡ、ＩＯＢへの荷重を解除し、
真空室を常圧にした後シリコン基板を取り出す。
上述した本実施例によるシリコン基板の接続方法により
、引っ張り強度１９０ｋｇ／ｃｍ２以上のシリコン基板
接続体かえられた。
、引っ張り強度１９０ｋｇ／ｃｍ２以上のシリコン基板
接続体かえられた。
キュアーした後の熱軟化性ポリイミド樹脂層４の表面は
デバイス層存在部分が凸状となっており、シリコン基板
どうしを密着させると、熱軟化性ポリイミド樹脂表面ど
うしが接触していない領域が存在してしまう。しかし本
実施例による方法では、真空中でシリコン基板どうしの
密着を行っているため、この未接触領域が気体で満たさ
れていることはない。さらに、真空室中で加圧ヘッド１
０Ａ、 ＩＯＢを介して加熱・加圧してゆくと、ポリイ
ミド樹脂のガラス転移温度を越えると粘性流動が生じ、
未接触領域に熱軟化性ポリイミド樹脂の一部が回り込む
ことにより、第１及び第２のシリコン基板１．２の全面
で均一な接続構造を得ることができる。なお、ポリイミ
ド樹脂は４００’Ｃ以上の耐熱温度を有することから、
本実施例により接続された半導体基板は高温耐熱性を有
する。
デバイス層存在部分が凸状となっており、シリコン基板
どうしを密着させると、熱軟化性ポリイミド樹脂表面ど
うしが接触していない領域が存在してしまう。しかし本
実施例による方法では、真空中でシリコン基板どうしの
密着を行っているため、この未接触領域が気体で満たさ
れていることはない。さらに、真空室中で加圧ヘッド１
０Ａ、 ＩＯＢを介して加熱・加圧してゆくと、ポリイ
ミド樹脂のガラス転移温度を越えると粘性流動が生じ、
未接触領域に熱軟化性ポリイミド樹脂の一部が回り込む
ことにより、第１及び第２のシリコン基板１．２の全面
で均一な接続構造を得ることができる。なお、ポリイミ
ド樹脂は４００’Ｃ以上の耐熱温度を有することから、
本実施例により接続された半導体基板は高温耐熱性を有
する。
ここに示した実施例では、すでにデバイスが形成され凹
凸のあるシリコン基板どうしを接続する場合を説明した
が、デバイスの形成されているシリコン基板のデバイス
の形成されていない基板上への接続や、凹凸のないシリ
コン基板どうしの接続も可能であることは自明である。
凸のあるシリコン基板どうしを接続する場合を説明した
が、デバイスの形成されているシリコン基板のデバイス
の形成されていない基板上への接続や、凹凸のないシリ
コン基板どうしの接続も可能であることは自明である。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、表面に凹凸のある
、すなわちすでにデバイスの形成されてとなく接続でき
る効果がある。特にポリイミド樹脂を接着剤として用い
ているため、高温耐熱性の優れた接続体を得ることがで
きる。
、すなわちすでにデバイスの形成されてとなく接続でき
る効果がある。特にポリイミド樹脂を接着剤として用い
ているため、高温耐熱性の優れた接続体を得ることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図、第２図及び第３図は従来例を説明するため
の半導体チップの断面図である。 １、 ＩＡ、 １１−１・第１のシリコン基板、２．２
Ａ、 １２・・・第２のシリコン基板、３Ａ、 ３Ｂ・
・・凸部、４・・・ポリイミド樹脂層、５・・・ＳＯＧ
層、６・・・気泡、ＩＯＡ・・・下部加圧ヘッド、１０
Ｂ・・・上部加圧ヘッド、１３・・・シラノール基。
プの断面図、第２図及び第３図は従来例を説明するため
の半導体チップの断面図である。 １、 ＩＡ、 １１−１・第１のシリコン基板、２．２
Ａ、 １２・・・第２のシリコン基板、３Ａ、 ３Ｂ・
・・凸部、４・・・ポリイミド樹脂層、５・・・ＳＯＧ
層、６・・・気泡、ＩＯＡ・・・下部加圧ヘッド、１０
Ｂ・・・上部加圧ヘッド、１３・・・シラノール基。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、デバイスが形成され表面に凹凸が存在する第１の半
導体基板、この第１の半導体基板上に熱軟化性ポリイミ
ド樹脂により接続された第２の半導体基板とを有するこ
とを特徴とする半導体基板の接続体。 ２、デバイスが形成され表面に凹凸が存在する第１の半
導体基板と第２の半導体基板の少なくとも一方の半導体
基板表面に熱軟化性ポリイミド樹脂を塗布する工程と、
前記第１の半導体基板と第２の半導体基板表面を前記熱
軟化性ポリイミド樹脂層を介して真空中で密着させたの
ち、少なくとも熱軟化性ポリイミド樹脂の軟化温度以上
の温度に加熱し加圧する工程とを含むことを特徴とする
半導体基板の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2254420A JPH04132258A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体基板の接続体およびその接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2254420A JPH04132258A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体基板の接続体およびその接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132258A true JPH04132258A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17264734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2254420A Pending JPH04132258A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体基板の接続体およびその接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04132258A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198159B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-03-06 | Ube Industries, Ltd. | Bonded wafer, process for producing same and substrate |
| KR100462755B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2004-12-20 | 동부전자 주식회사 | 폴리이미드 베이크 오븐 |
| US6940180B1 (en) * | 1996-09-05 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| JP2007513512A (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-24 | コミッサリヤ ア レネルジ アトミック | ポリマー膜上にエレクトロニクス構成部品を分子架橋する方法 |
| JP2007208270A (ja) * | 2007-02-15 | 2007-08-16 | Ube Ind Ltd | 張合わせウエハ−及びその製造方法、基板 |
| JP2009147023A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| JP2015146337A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置および接合システム |
| WO2018199117A1 (ja) | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 三井化学株式会社 | 基板積層体及び基板積層体の製造方法 |
| WO2020085183A1 (ja) | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 三井化学株式会社 | 基板積層体の製造方法及び積層体 |
| CN113707564A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-26 | 浙江同芯祺科技有限公司 | 一种超薄半导体基板加工工艺 |
| WO2022054839A1 (ja) | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 三井化学株式会社 | 組成物、積層体及び積層体の製造方法 |
| WO2023032923A1 (ja) | 2021-09-06 | 2023-03-09 | 三井化学株式会社 | 半導体用の膜を形成するための組成物、積層体及び基板積層体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636136A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS6130059A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62276581A (ja) * | 1986-05-24 | 1987-12-01 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示パネル |
| JPS6355529A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-10 | Nec Corp | アクティブ・マトリクス液晶表示装置の製造方法 |
| JPS63142663A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Sharp Corp | 半導体装置とその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2254420A patent/JPH04132258A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636136A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS6130059A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62276581A (ja) * | 1986-05-24 | 1987-12-01 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示パネル |
| JPS6355529A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-10 | Nec Corp | アクティブ・マトリクス液晶表示装置の製造方法 |
| JPS63142663A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Sharp Corp | 半導体装置とその製造方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940180B1 (en) * | 1996-09-05 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| US7084517B2 (en) | 1996-09-05 | 2006-08-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| US6198159B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-03-06 | Ube Industries, Ltd. | Bonded wafer, process for producing same and substrate |
| KR100462755B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2004-12-20 | 동부전자 주식회사 | 폴리이미드 베이크 오븐 |
| JP2007513512A (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-24 | コミッサリヤ ア レネルジ アトミック | ポリマー膜上にエレクトロニクス構成部品を分子架橋する方法 |
| JP2007208270A (ja) * | 2007-02-15 | 2007-08-16 | Ube Ind Ltd | 張合わせウエハ−及びその製造方法、基板 |
| JP2009147023A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| JP2015146337A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置および接合システム |
| WO2018199117A1 (ja) | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 三井化学株式会社 | 基板積層体及び基板積層体の製造方法 |
| KR20190136059A (ko) | 2017-04-28 | 2019-12-09 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 기판 적층체 및 기판 적층체의 제조 방법 |
| US11859110B2 (en) | 2017-04-28 | 2024-01-02 | Mitsui Chemicals, Inc. | Substrate laminated body and method of manufacturing substrate laminated body |
| WO2020085183A1 (ja) | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 三井化学株式会社 | 基板積層体の製造方法及び積層体 |
| KR20210060571A (ko) | 2018-10-26 | 2021-05-26 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 기판 적층체의 제조 방법 및 적층체 |
| WO2022054839A1 (ja) | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 三井化学株式会社 | 組成物、積層体及び積層体の製造方法 |
| CN113707564A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-26 | 浙江同芯祺科技有限公司 | 一种超薄半导体基板加工工艺 |
| WO2023032923A1 (ja) | 2021-09-06 | 2023-03-09 | 三井化学株式会社 | 半導体用の膜を形成するための組成物、積層体及び基板積層体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6963132B2 (en) | Integrated semiconductor device having co-planar device surfaces | |
| JPH04132258A (ja) | 半導体基板の接続体およびその接続方法 | |
| US20110272092A1 (en) | Bonding method | |
| WO1998021750A1 (fr) | Procede d'aplanissement d'un substrat, et procede de fabrication de substrats recouverts d'un film et de dispositifs a semi-conducteur | |
| CN103117229A (zh) | 制作电子组件的方法 | |
| KR101942967B1 (ko) | 실록산계 단량체를 이용한 접합 기판 구조체 및 그 제조방법 | |
| CN106058074A (zh) | 封装件及封装方法、固化装置、封装***、显示装置 | |
| US5376586A (en) | Method of curing thin films of organic dielectric material | |
| JP7309692B2 (ja) | 半導体ウェハのハイブリッド接合方法及び関連する３次元集積デバイス | |
| JPH01185947A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
| JPS608426Y2 (ja) | 半導体ウエハ−の保持基板 | |
| JP2003249510A (ja) | 半導体封止方法 | |
| JP2806348B2 (ja) | 半導体素子の実装構造及びその製造方法 | |
| EP3510632B1 (en) | Wafer stacking to form a multi-wafer-bonded structure | |
| JP6446450B2 (ja) | チップをウェハに対し集積する方法及びその装置 | |
| JPH03246937A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003249509A (ja) | 半導体封止方法および封止された半導体 | |
| KR100683322B1 (ko) | 온도제어용 플레이트의 제조방법 | |
| JPS6245045A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI248652B (en) | Chip bonding process | |
| CN108281398A (zh) | 半导体封装件及其制造方法 | |
| CN102842517A (zh) | 覆晶接合方法及装置 | |
| JPS63248148A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2669324B2 (ja) | 基板の圧着方法 | |
| Schindler et al. | Development of UV-curable molding materials with minimum die-shift for FOWLP/FOPLP |