JPH0412416B2 - - Google Patents
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- JPH0412416B2 JPH0412416B2 JP58113064A JP11306483A JPH0412416B2 JP H0412416 B2 JPH0412416 B2 JP H0412416B2 JP 58113064 A JP58113064 A JP 58113064A JP 11306483 A JP11306483 A JP 11306483A JP H0412416 B2 JPH0412416 B2 JP H0412416B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/90—Investigating the presence of flaws or contamination in a container or its contents
- G01N21/9054—Inspection of sealing surface and container finish
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0078—Testing material properties on manufactured objects
- G01N33/0081—Containers; Packages; Bottles
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はビン検査装置、とくに、コンベア上
を移動中のガラスビン等のビン口およびビン口ネ
ジ部の割れ、欠け、汚れ等の欠陥を検出する装置
に関するものである。
を移動中のガラスビン等のビン口およびビン口ネ
ジ部の割れ、欠け、汚れ等の欠陥を検出する装置
に関するものである。
従来、この種の装置として第1図に示すものが
あつた。第1図は、従来のビン検査装置の構成図
である。
あつた。第1図は、従来のビン検査装置の構成図
である。
図において、1はビン、11はビン口、12は
ビン口ネジ部、1aはビン口についた欠陥、2は
帯状光源で、ビン1の進行方向にそつて両側に設
けられている。3は光電変換器、310はレン
ズ、320は自己走査機能を有するホトダイオー
ド・アレイ、4は二値化回路、5は欠陥検出回
路、7はビン回転駆動機構、8はビン搬送コンベ
ア、70はビンを回転させながら搬送するビン搬
送手段全体を示す。
ビン口ネジ部、1aはビン口についた欠陥、2は
帯状光源で、ビン1の進行方向にそつて両側に設
けられている。3は光電変換器、310はレン
ズ、320は自己走査機能を有するホトダイオー
ド・アレイ、4は二値化回路、5は欠陥検出回
路、7はビン回転駆動機構、8はビン搬送コンベ
ア、70はビンを回転させながら搬送するビン搬
送手段全体を示す。
次に動作について説明する。
ビン1はビン回転駆動機構7により回転しなが
らビン搬送コンベア8上を移動してゆく。このと
き、コンベア8の左右に設置された帯状光源2に
より、ビン1のビン口11およびビン口ネジ部1
2が照射される。ホトダイオード・アレイ320
を光電変換素子とした光電変換器3はコンベア8
の走行方向に細長い視野をもつように設置されて
おり、回転しながら移動しているビン1が1/2回
転する間、ビン1を監視している。ビン1に欠陥
1aがあつた場合には、この欠陥1aにより光が
散乱され、この散乱光の一部はコンベア8の上方
に向い光電変換器3に入る。ここで光は光電変換
された後に、二値化回路4で適当な設定値で二値
化され、この二値化された信号が欠陥検出回路5
に入力される。ところがビン1の合わせ目やネジ
始り部(ビン口に近いほうのネジの切り始めのと
ころ)からも欠陥同様に光が散乱され、コンベア
8上方の光電変換器3に向うことがある。
らビン搬送コンベア8上を移動してゆく。このと
き、コンベア8の左右に設置された帯状光源2に
より、ビン1のビン口11およびビン口ネジ部1
2が照射される。ホトダイオード・アレイ320
を光電変換素子とした光電変換器3はコンベア8
の走行方向に細長い視野をもつように設置されて
おり、回転しながら移動しているビン1が1/2回
転する間、ビン1を監視している。ビン1に欠陥
1aがあつた場合には、この欠陥1aにより光が
散乱され、この散乱光の一部はコンベア8の上方
に向い光電変換器3に入る。ここで光は光電変換
された後に、二値化回路4で適当な設定値で二値
化され、この二値化された信号が欠陥検出回路5
に入力される。ところがビン1の合わせ目やネジ
始り部(ビン口に近いほうのネジの切り始めのと
ころ)からも欠陥同様に光が散乱され、コンベア
8上方の光電変換器3に向うことがある。
したがつて、二値化回路4から出力される信号
には、欠陥1aからの信号とビン1の合わせ目や
ネジ始り部からの信号とが混在している。欠陥検
出回路5では、異常部分の面積に相当する量を計
測し、この量がある設定値を越えたものを欠陥と
することで、欠陥1aとビンの合わせ目やネジ始
り部とを分離している。
には、欠陥1aからの信号とビン1の合わせ目や
ネジ始り部からの信号とが混在している。欠陥検
出回路5では、異常部分の面積に相当する量を計
測し、この量がある設定値を越えたものを欠陥と
することで、欠陥1aとビンの合わせ目やネジ始
り部とを分離している。
従来のビン検査装置は以上のように構成されて
いるので、欠陥からの信号とビンの合せ目やネジ
始り部からの信号とを分離する過程で、小さな欠
陥を見逃してしまい、とくにビンの合わせ目やネ
ジ始り部を含まないビン口部に対して充分な欠陥
検査能力が得られないという欠点があつた。
いるので、欠陥からの信号とビンの合せ目やネジ
始り部からの信号とを分離する過程で、小さな欠
陥を見逃してしまい、とくにビンの合わせ目やネ
ジ始り部を含まないビン口部に対して充分な欠陥
検査能力が得られないという欠点があつた。
ビン口、特にキヤツプと対向してシーリングに
寄与する平面部であるビンの天面は、ビンの密閉
に最も重要な部分でありこの部分の欠陥はたとえ
小さなものであつてもビンの密封性能を損うため
他の部分に比べてより厳しい基準での良否判定が
求められるが、従来のビン検査装置ではこのよう
な要求に充分答えることができていない。
寄与する平面部であるビンの天面は、ビンの密閉
に最も重要な部分でありこの部分の欠陥はたとえ
小さなものであつてもビンの密封性能を損うため
他の部分に比べてより厳しい基準での良否判定が
求められるが、従来のビン検査装置ではこのよう
な要求に充分答えることができていない。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、ビン口のみに光
を照射する第1光源と、ビン口およびビン口ネジ
部に光を照射する第1光源とは発光スペクトル分
布の異なる第2光源を設け、各光源のビン口から
の散乱光、ビン口およびビン口ネジ部からの散乱
光を各々光電変換してビン口からの信号とビン口
およびビン口ネジ部からの信号を分離し、ビン口
の欠陥と、ビン口およびビン口ネジ部の欠陥を分
別して検出し、ビンの良否判定行なうことによ
り、ビン口の欠陥に対する検出感度を向上させた
ビン検査装置を提供することを目的としている。
除去するためになされたもので、ビン口のみに光
を照射する第1光源と、ビン口およびビン口ネジ
部に光を照射する第1光源とは発光スペクトル分
布の異なる第2光源を設け、各光源のビン口から
の散乱光、ビン口およびビン口ネジ部からの散乱
光を各々光電変換してビン口からの信号とビン口
およびビン口ネジ部からの信号を分離し、ビン口
の欠陥と、ビン口およびビン口ネジ部の欠陥を分
別して検出し、ビンの良否判定行なうことによ
り、ビン口の欠陥に対する検出感度を向上させた
ビン検査装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第2図は、この発明の一実施例によるビン検査
装置の構成図である。
装置の構成図である。
図において、13はビン1の回転方向、21は
ビン口11のみに光を照射する第1光源、22は
ビン口11およびビン口ネジ部12に光を照射す
る前記第1光源21とは発光スペクトル分布の異
なる第2光源で、この光源21,22はコンベア
8の走行方向に帯状光源対2をなし、コンベア8
をはさんで、コンベア8の左右に1組づつ設置さ
れている。
ビン口11のみに光を照射する第1光源、22は
ビン口11およびビン口ネジ部12に光を照射す
る前記第1光源21とは発光スペクトル分布の異
なる第2光源で、この光源21,22はコンベア
8の走行方向に帯状光源対2をなし、コンベア8
をはさんで、コンベア8の左右に1組づつ設置さ
れている。
第2図ではビン1の向こう側の片方だけが示さ
れており、ビン1の手前側に設置されている同一
構成の帯状光源対2は省略している。
れており、ビン1の手前側に設置されている同一
構成の帯状光源対2は省略している。
第1光源は例えば縁色系光源、第2光源22は
例えば赤色系光源よりなる。211はビン口11
の欠陥により散乱され、上方へ向かつた縁色光の
光路、221はビン口11またはビン口ネジ部1
2の欠陥により散乱され、上方に向かつた赤色光
の光路である。9は例えば縁色を透過し、赤色を
反射するダイクロミツクミラーよりなるフイルタ
ー、31は第1光源21からの光を光電変換する
自己走査機能を有するホトダイオード・アレイ3
21を使用した第1光電変換器、32は第2光源
22からの光を光電変換する自己走査機能を有す
るホトダイオード・アレイ322を使用した第2
光電変換器、311,312は集光用レンズ、4
1,42は各々二値化回路、51,52は欠陥検
出回路で、この二値化回路41、欠陥検出回路5
1および二値化回路42、欠陥検出回路52によ
りそれぞれ第1欠陥検出手段61及び第2欠陥検
出手段62を構成している。81はビン移動方
向、10はビン良否判定信号を出力するOR回路
よりなるビン良否判定手段である。
例えば赤色系光源よりなる。211はビン口11
の欠陥により散乱され、上方へ向かつた縁色光の
光路、221はビン口11またはビン口ネジ部1
2の欠陥により散乱され、上方に向かつた赤色光
の光路である。9は例えば縁色を透過し、赤色を
反射するダイクロミツクミラーよりなるフイルタ
ー、31は第1光源21からの光を光電変換する
自己走査機能を有するホトダイオード・アレイ3
21を使用した第1光電変換器、32は第2光源
22からの光を光電変換する自己走査機能を有す
るホトダイオード・アレイ322を使用した第2
光電変換器、311,312は集光用レンズ、4
1,42は各々二値化回路、51,52は欠陥検
出回路で、この二値化回路41、欠陥検出回路5
1および二値化回路42、欠陥検出回路52によ
りそれぞれ第1欠陥検出手段61及び第2欠陥検
出手段62を構成している。81はビン移動方
向、10はビン良否判定信号を出力するOR回路
よりなるビン良否判定手段である。
第3図はこの発明の一実施例によるビン検査装
置の部分正面図であり、第2図に対して見る角度
を90゜かえている。
置の部分正面図であり、第2図に対して見る角度
を90゜かえている。
次にこの実施例の動作を第2図をもとに説明す
る。
る。
ビン搬送コンベア8により検査ステージまで搬
送されてきたビン1はここでビン回転駆動機構7
により回転しながらビン搬送コンベア8上を移動
してゆく。このとき、第3図にも示されている通
りコンベア8の左右に設置された帯状光源対2に
よりビン口11およびビン口ネジ部12が照明さ
れる。帯状光源対2は2組の光源で構成されてお
り、そのうちの1つである第1光源21、ここで
は縁色系光源は回転しながら走行しているビン1
のビン口11だけを照明しておりビン口ネジ部に
は光が当たらないように調整されていた。もう1
つの第2光源22、ここでは赤色系光源はビン1
のビン口11およびビン口ネジ部12全体に光が
当たるように調整されている。ビン1のビン口1
1に欠陥1aがある場合には第1光源21からの
光の一部は欠陥1aにあたりそこで散乱されてそ
の一部が上方に向う。この上方に向つた光は縁色
系の光路211のようにダイクロミツク・ミラー
9を透過し、集光レンズ311によりホトダイオ
ード・アレイ321上に結像される。ここで第1
光電変換器31の出力信号は二値化回路41で適
当な設定値で二値化され、この二値化された出力
信号は欠陥検出回路51に送られる。ホトダイオ
ード・アレイ321の視野はビン搬送コンベア8
の走行方向と一致したビン口11の直径軸上にと
られており、第1光源21はビン口11のみを照
射しているため、この信号系にはビン1の合せ目
やネジの始り部からのノイズ信号は含まれていな
い。ホトダイオード・アレイ321の各単一セル
によつて1走査期間中に検出される光は、ビン口
の欠陥のうちの微少面積からの散乱光であるか
ら、ビン口直径方向に広がつた欠陥がホトダイオ
ード・アレイ321の1走査期間中にホトダイオ
ード・アレイ321の連続した複数のセルによつ
て検出されれば、二値化回路41の出力として連
続したパルスが得られる。この連続したパルスの
数はビン口直径方向に広がつた欠陥の巾に相当す
る。
送されてきたビン1はここでビン回転駆動機構7
により回転しながらビン搬送コンベア8上を移動
してゆく。このとき、第3図にも示されている通
りコンベア8の左右に設置された帯状光源対2に
よりビン口11およびビン口ネジ部12が照明さ
れる。帯状光源対2は2組の光源で構成されてお
り、そのうちの1つである第1光源21、ここで
は縁色系光源は回転しながら走行しているビン1
のビン口11だけを照明しておりビン口ネジ部に
は光が当たらないように調整されていた。もう1
つの第2光源22、ここでは赤色系光源はビン1
のビン口11およびビン口ネジ部12全体に光が
当たるように調整されている。ビン1のビン口1
1に欠陥1aがある場合には第1光源21からの
光の一部は欠陥1aにあたりそこで散乱されてそ
の一部が上方に向う。この上方に向つた光は縁色
系の光路211のようにダイクロミツク・ミラー
9を透過し、集光レンズ311によりホトダイオ
ード・アレイ321上に結像される。ここで第1
光電変換器31の出力信号は二値化回路41で適
当な設定値で二値化され、この二値化された出力
信号は欠陥検出回路51に送られる。ホトダイオ
ード・アレイ321の視野はビン搬送コンベア8
の走行方向と一致したビン口11の直径軸上にと
られており、第1光源21はビン口11のみを照
射しているため、この信号系にはビン1の合せ目
やネジの始り部からのノイズ信号は含まれていな
い。ホトダイオード・アレイ321の各単一セル
によつて1走査期間中に検出される光は、ビン口
の欠陥のうちの微少面積からの散乱光であるか
ら、ビン口直径方向に広がつた欠陥がホトダイオ
ード・アレイ321の1走査期間中にホトダイオ
ード・アレイ321の連続した複数のセルによつ
て検出されれば、二値化回路41の出力として連
続したパルスが得られる。この連続したパルスの
数はビン口直径方向に広がつた欠陥の巾に相当す
る。
一方ビン口の欠陥が周方向に連続しており、そ
の欠陥がホトダイオード・アレイ321の連続し
た複数の走査期間中にホトダイオード・アレイ3
21によつて検出される場合、二値化回路41か
らはホトダイオード・アレイ321の複数の走査
期間にわたつて、パルスが出力される。このホト
ダイオード・アレイ321の連続した複数の走査
期間の数はビン口の欠陥の周方向の長さに相当す
る。なお後述する二値化回路42からの出力につ
いても同様の関係になることはいうまでもない。
の欠陥がホトダイオード・アレイ321の連続し
た複数の走査期間中にホトダイオード・アレイ3
21によつて検出される場合、二値化回路41か
らはホトダイオード・アレイ321の複数の走査
期間にわたつて、パルスが出力される。このホト
ダイオード・アレイ321の連続した複数の走査
期間の数はビン口の欠陥の周方向の長さに相当す
る。なお後述する二値化回路42からの出力につ
いても同様の関係になることはいうまでもない。
そこで、欠陥検出回路51は二値化回路41の
出力信号を計数することで、異常部分の面積に相
当する量を計測したことになる。この面積がある
設定値以上になつたことを認識すると同時に、欠
陥検出信号をOR回路10に送出する。
出力信号を計数することで、異常部分の面積に相
当する量を計測したことになる。この面積がある
設定値以上になつたことを認識すると同時に、欠
陥検出信号をOR回路10に送出する。
このようにしてホトダイオード・アレイ321
の視野内でビン1が1/2回転することにより、ビ
ン口11を2次元画像としてモニターすることに
よりビン1のビン口11についた欠陥1aはこの
第1光源21よりの検査系で検出される。
の視野内でビン1が1/2回転することにより、ビ
ン口11を2次元画像としてモニターすることに
よりビン1のビン口11についた欠陥1aはこの
第1光源21よりの検査系で検出される。
第2光源22、ここでは赤色系光源は、ビン口
11およびビン口ネジ部12を照明しており、こ
の部分の欠陥にあたつた光は、欠陥部で散乱さ
れ、一部は上方に向い、ダイクロミツク・ミラー
9で反射され、集光レンズ312によりホトダイ
オード・アレイ322上に結像される。
11およびビン口ネジ部12を照明しており、こ
の部分の欠陥にあたつた光は、欠陥部で散乱さ
れ、一部は上方に向い、ダイクロミツク・ミラー
9で反射され、集光レンズ312によりホトダイ
オード・アレイ322上に結像される。
このホトダイオード・アレイ322の視野は上
記のホトダイオード・アレイ321の視野と一致
しており、両者は同じ所を見ている。したがつ
て、このホトダイオード・アレイ322にはやは
り、ビン1によつては、ビン1の合せ目やネジ始
まり部で散乱された光が到達することがある。こ
のため、第2光電変換器32の出力信号を二値化
回路42で適当な設定値で二値化した場合には、
ビン1の合せ目やネジ始まり部からのノイズ信号
が含まれている可能性があり、二値化回路42の
出力信号を受けて動作する欠陥検出回路52で
は、このノイズを除去して欠陥検出をしなければ
ならない。
記のホトダイオード・アレイ321の視野と一致
しており、両者は同じ所を見ている。したがつ
て、このホトダイオード・アレイ322にはやは
り、ビン1によつては、ビン1の合せ目やネジ始
まり部で散乱された光が到達することがある。こ
のため、第2光電変換器32の出力信号を二値化
回路42で適当な設定値で二値化した場合には、
ビン1の合せ目やネジ始まり部からのノイズ信号
が含まれている可能性があり、二値化回路42の
出力信号を受けて動作する欠陥検出回路52で
は、このノイズを除去して欠陥検出をしなければ
ならない。
この場合にもホトダイオード・アレイ322の
視野内でビン1が1/2回転することによりビンの
像を2次元画像としてモニタすることができるた
め、ノイズ除去をして欠陥検出する方法として、
ここでは3つの方法を用いる。
視野内でビン1が1/2回転することによりビンの
像を2次元画像としてモニタすることができるた
め、ノイズ除去をして欠陥検出する方法として、
ここでは3つの方法を用いる。
第4図は、この発明の一実施例にかかわる第2
欠陥検出手段に欠陥検出方法を説明する説明図で
ある。
欠陥検出手段に欠陥検出方法を説明する説明図で
ある。
第4図aはビン口11およびビン口ネジ部12
を展開した図、第4図bは二値化回路42の出力
信号を示す。図中、1bは汚れ等の欠陥、1cは
ネジの部分を示す。1dはネジ始まり部、1eは
ビン1の合せ目、fは欠陥1bとビン1の合せ目
1eとの間隔、g,hはビン1の合わせ目1eと
ネジ始まり部1dの間隔を示す。lは欠陥1bの
ビン口あるいはビン口ネジ部の周方向の巾を示
す。
を展開した図、第4図bは二値化回路42の出力
信号を示す。図中、1bは汚れ等の欠陥、1cは
ネジの部分を示す。1dはネジ始まり部、1eは
ビン1の合せ目、fは欠陥1bとビン1の合せ目
1eとの間隔、g,hはビン1の合わせ目1eと
ネジ始まり部1dの間隔を示す。lは欠陥1bの
ビン口あるいはビン口ネジ部の周方向の巾を示
す。
第1の欠陥1bを検出する方法は、二値化回路
42の出力信号を加算することが、個々の異常部
分の面積に相当する量を計測し、この面積がある
設定値以上になつたものを欠陥とする。
42の出力信号を加算することが、個々の異常部
分の面積に相当する量を計測し、この面積がある
設定値以上になつたものを欠陥とする。
第2の方法は、ホトダイオード・アレイ322
の走査を基準にして、ビン口あるいはビン口ネジ
部の周方向の異常部分の幅1がある設定値以上の
ものを欠陥とする。
の走査を基準にして、ビン口あるいはビン口ネジ
部の周方向の異常部分の幅1がある設定値以上の
ものを欠陥とする。
第3の方法は、やはりホトダイオード・アレイ
322の走査を基準にして、ビン口あるいはビン
口ネジ部の異常部分のビン口あるいはビン口ネジ
部の周方向の読取箇所がビン1の合せ目とネジ始
り部間の間隔g,hからはずれている場合に、異
常部分のどちらか一方が欠陥であると判断する。
322の走査を基準にして、ビン口あるいはビン
口ネジ部の異常部分のビン口あるいはビン口ネジ
部の周方向の読取箇所がビン1の合せ目とネジ始
り部間の間隔g,hからはずれている場合に、異
常部分のどちらか一方が欠陥であると判断する。
型中で成形されるビンにおいては、合せ目とネ
ジ始り部との間隔g,hは一定である。したがつ
て、1b部、1e部、1d部の周方向の巾を検出
し、その中央をもつて各部の位置を代表させる。
このとき、間隔g,hとはずれるもの、ここでは
fが間隔異常と判定され、1bが欠陥と認識され
る。なお、周方向の幅等は第2光電変換器の自己
走査を基準として算出することができる。
ジ始り部との間隔g,hは一定である。したがつ
て、1b部、1e部、1d部の周方向の巾を検出
し、その中央をもつて各部の位置を代表させる。
このとき、間隔g,hとはずれるもの、ここでは
fが間隔異常と判定され、1bが欠陥と認識され
る。なお、周方向の幅等は第2光電変換器の自己
走査を基準として算出することができる。
第5図は、この発明の一実施例にかかわる第2
欠陥検出手段のブロツク図である。
欠陥検出手段のブロツク図である。
図中、521はマイクロプロセツサ、522は
カウンタ、523は入力インターフエース、52
4はプログラムメモリ、525はデータメモリ、
526はアドレスデータメモリ、527は出力イ
ンターフエースである。まず、入力インターフエ
ース523に、第2光電変換器32より検査スタ
ート信号が入ると、マイクロプロセツサ521は
ビン1の1/2回転に相当するデータ読取回数を設
定し、入力インターフエース523に走査スター
ト信号が入力されるごとにマイクロプロセツサ5
21はカウンタ522のデータをデータメモリ5
25に読取り、かつ、カウンタ522を0クリア
する。
カウンタ、523は入力インターフエース、52
4はプログラムメモリ、525はデータメモリ、
526はアドレスデータメモリ、527は出力イ
ンターフエースである。まず、入力インターフエ
ース523に、第2光電変換器32より検査スタ
ート信号が入ると、マイクロプロセツサ521は
ビン1の1/2回転に相当するデータ読取回数を設
定し、入力インターフエース523に走査スター
ト信号が入力されるごとにマイクロプロセツサ5
21はカウンタ522のデータをデータメモリ5
25に読取り、かつ、カウンタ522を0クリア
する。
データ読取を設定回数だけ実行するとデータサ
ンプリングは終了し、判定処理に移る。判定処理
はまず、データメモリ525から順次データを読
出し、0以外のデータ(異常部分)を見つける
と、この0以外のデータがいくつ続いているか計
数し、あわせて、データを加算する。ここで第1
の面積による検査および2つ目の幅による検査を
行う。すなわち、加算値が設定値を越えた場合、
欠陥の面積が許容限度以上であるとして欠陥と判
定する。また計数値が設定値を越えた場合、欠陥
の面積とは無関係にビン口あるいはビン口ネジ部
の周方向に大きな巾の欠陥があるとして欠陥と判
定する。
ンプリングは終了し、判定処理に移る。判定処理
はまず、データメモリ525から順次データを読
出し、0以外のデータ(異常部分)を見つける
と、この0以外のデータがいくつ続いているか計
数し、あわせて、データを加算する。ここで第1
の面積による検査および2つ目の幅による検査を
行う。すなわち、加算値が設定値を越えた場合、
欠陥の面積が許容限度以上であるとして欠陥と判
定する。また計数値が設定値を越えた場合、欠陥
の面積とは無関係にビン口あるいはビン口ネジ部
の周方向に大きな巾の欠陥があるとして欠陥と判
定する。
次に、上記異常部分の中央となるメモリアドレ
スを記憶し、第4図に示した第3の間隔による検
査を行う。すなわち、アドレスデータメモリ52
6の内容を調べ、格納されている各アドレスの間
隔が設定値をはずれているときに欠陥とする。
スを記憶し、第4図に示した第3の間隔による検
査を行う。すなわち、アドレスデータメモリ52
6の内容を調べ、格納されている各アドレスの間
隔が設定値をはずれているときに欠陥とする。
このように、欠陥検出回路52にこの3通りの
欠陥検出能力をもたせることにより、ビン1の合
せ目1eやネジ始り部1dからのノイズ信号と欠
陥信号を区別して欠陥検出が可能になる。欠陥検
出回路52からの欠陥検出信号はOR回路10に
送られ、このOR回路10の出力信号をもつて欠
陥ビンを排出するための制御信号等に使用する。
欠陥検出能力をもたせることにより、ビン1の合
せ目1eやネジ始り部1dからのノイズ信号と欠
陥信号を区別して欠陥検出が可能になる。欠陥検
出回路52からの欠陥検出信号はOR回路10に
送られ、このOR回路10の出力信号をもつて欠
陥ビンを排出するための制御信号等に使用する。
なお、上記実施例では発光スペクトル分布の異
なる光源2として赤色系光源22と縁色系光源2
1の組み合せを用いたが、赤外光と可視光の組み
合せ等のように他の組み合せも使用できる。
なる光源2として赤色系光源22と縁色系光源2
1の組み合せを用いたが、赤外光と可視光の組み
合せ等のように他の組み合せも使用できる。
また、上記実施例ではフイルタ9は赤色系の光
を反射し縁色系の光を透過させるダイクロミツ
ク・ミラー9を使用したが、赤色系の光を透過し
縁色系の光を反射させるダイクロミツク・ミラー
9を使用してもよい。
を反射し縁色系の光を透過させるダイクロミツ
ク・ミラー9を使用したが、赤色系の光を透過し
縁色系の光を反射させるダイクロミツク・ミラー
9を使用してもよい。
また、上記実施例では2台の光電変換器31,
32とダイクロミツク・ミラー9を個別部品とし
て使用しているが、第6図に示すごとく集光用レ
ンズ310とホトダイオード・アレイ321,3
22の中間にダイクロミツク・ミラー9を入れる
ことで一体型の光電変換器3を構成してもよい。
32とダイクロミツク・ミラー9を個別部品とし
て使用しているが、第6図に示すごとく集光用レ
ンズ310とホトダイオード・アレイ321,3
22の中間にダイクロミツク・ミラー9を入れる
ことで一体型の光電変換器3を構成してもよい。
第6図は、この発明の他の実施例にかかわる光
電変換器の構成例を示す。
電変換器の構成例を示す。
以上のようにこの発明によれば、ビン口のみを
照射する第1光源と、ビン口およびビン口ネジ部
に光を照射する第1光源とは発光スペクトル分布
の異なる第2光源を設け、各光源のビン口および
ビン口ネジ部での散乱光を各々光電変換してビン
口の欠陥と、ビン口ネジ部の欠陥を分別して検出
し、ビンの良否判定を行つたので、高精度のビン
検査装置が得られる効果がある。
照射する第1光源と、ビン口およびビン口ネジ部
に光を照射する第1光源とは発光スペクトル分布
の異なる第2光源を設け、各光源のビン口および
ビン口ネジ部での散乱光を各々光電変換してビン
口の欠陥と、ビン口ネジ部の欠陥を分別して検出
し、ビンの良否判定を行つたので、高精度のビン
検査装置が得られる効果がある。
第1図は、従来のビン検査装置の構成図、第2
図はこの発明の一実施例によるビン検査装置の構
成図、第3図はこの発明の一実施例によるビン検
査装置の部分正面図、第4図はこの発明の一実施
例にかかわる第2欠陥検出手段の欠陥検出方法を
説明する説明図、第5図はこの発明の一実施例に
かかわる第2欠陥検出手段のブロツク図、第6図
はこの発明の他の実施例にかかわる光電変換器の
構成図である。 図において、1はビン、11はビン口、12は
ビン口ネジ部、21は第1光源、22は第2光
源、31は第1光電変換器、32は第2光電変換
器、61は第1欠陥検出手段、62は第2欠陥検
出手段、70はビン搬送手段、9はフイルタ、1
0はビン良否判定手段である。なお、図中、同一
符号は同一又は相当部分を示す。
図はこの発明の一実施例によるビン検査装置の構
成図、第3図はこの発明の一実施例によるビン検
査装置の部分正面図、第4図はこの発明の一実施
例にかかわる第2欠陥検出手段の欠陥検出方法を
説明する説明図、第5図はこの発明の一実施例に
かかわる第2欠陥検出手段のブロツク図、第6図
はこの発明の他の実施例にかかわる光電変換器の
構成図である。 図において、1はビン、11はビン口、12は
ビン口ネジ部、21は第1光源、22は第2光
源、31は第1光電変換器、32は第2光電変換
器、61は第1欠陥検出手段、62は第2欠陥検
出手段、70はビン搬送手段、9はフイルタ、1
0はビン良否判定手段である。なお、図中、同一
符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 1 ビンを回転させながら搬送するビン搬送手
段、ビン口のみに光を照射する第1光源、ビン口
およびビン口ネジ部に光を照射する上記第1光源
と発光スペクトル分布の異なる第2光源、上記第
1光源の上記ビン口よりの散乱光と上記第2光源
の上記ビン口およびビン口ネジ部よりの散乱光を
分別するフイルタ、上記第1光源の上記ビン口よ
りの散乱光を光電変換する第1光電変換器、上記
第2光源の上記ビン口およびビン口ネジ部よりの
散乱光を光電変換する第2光電変換器、上記第1
光電変換器の出力信号を二値化し、上記ビン口の
欠陥を検出する第1欠陥検出手段、上記第2光電
変換器の出力信号を二値化し、上記ビン口および
ビン口ネジ部の欠陥を検出する第2欠陥検出手段
を備えたビン検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58113064A JPS603542A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | ビン検査装置 |
US06/622,169 US4650326A (en) | 1983-06-21 | 1984-06-19 | Apparatus for inspecting bottles |
DE19843422870 DE3422870A1 (de) | 1983-06-21 | 1984-06-20 | Einrichtung zur ueberpruefung von flaschen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58113064A JPS603542A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | ビン検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS603542A JPS603542A (ja) | 1985-01-09 |
JPH0412416B2 true JPH0412416B2 (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=14602580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58113064A Granted JPS603542A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | ビン検査装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4650326A (ja) |
JP (1) | JPS603542A (ja) |
DE (1) | DE3422870A1 (ja) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1983
- 1983-06-21 JP JP58113064A patent/JPS603542A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-19 US US06/622,169 patent/US4650326A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-20 DE DE19843422870 patent/DE3422870A1/de active Granted
Also Published As
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DE3422870C2 (ja) | 1989-10-05 |
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