JPH04118958A - 表面実装用多層型配線基板 - Google Patents

表面実装用多層型配線基板

Info

Publication number
JPH04118958A
JPH04118958A JP2239289A JP23928990A JPH04118958A JP H04118958 A JPH04118958 A JP H04118958A JP 2239289 A JP2239289 A JP 2239289A JP 23928990 A JP23928990 A JP 23928990A JP H04118958 A JPH04118958 A JP H04118958A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer lead
pad
lead
area
wiring board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2239289A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Ota
浩昭 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2239289A priority Critical patent/JPH04118958A/ja
Publication of JPH04118958A publication Critical patent/JPH04118958A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15192Resurf arrangement of the internal vias
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は表面実装用多層型配線基板に係り、特に回路特
性を損なうことなく、回路変更ないし回路修正を容易に
なし得る表面実装用多層型配線基板に関する。
(従来の技術) たとえば多ピンベアチップICなど、所要の各種電子部
品を配線基板の所定面に、搭載・実装して成る実装回路
基板ないし実装回路装置は、電子回路の小形化などの点
から注目され、広く実用に供されている。
ところで、多ピンベアチップICを含む複数個の電子部
品を搭載・実装する配線基板の場合は、配線構成など複
雑になり、設計や製造に多くの時間を要するばかりでな
く、回路変更ないし回路修正を要することがしばしばあ
る。このような回路変更などの要求に対し、その都度配
線基板を開発・製造するなど、短期的な対応は事実上困
難である。
こうした事情に対処して、たとえば第3図(a)に要部
を断面的に、また第3図(b)に要部を平面的に示すよ
うな構成の表面実装用多層型配線基板が開発されている
。すなわち、絶縁層1を介して所要の内層パターン2が
配設され、また搭載・実装されるベアチップIC3のイ
ンナー1ツートノく・ノド3aに対応するとともに配線
チエ・ツク端子と回路の機能チェック端子の機能を成す
アウター1ノードパツド4および回路変更用パターン5
が表面に配設されて成る表面実装用多層型配線基板6カ
(使用されている。
しかして、前記アウターリードノく・ノド4および回路
変更用パターン5は、互いに離隔して配設され、スルホ
ール接続7a、 7bおよび内層)くターン2aを介し
て電気的に接続し、またI/Oリード8番よスルホール
接続7Cによって前記回路変更用/<ターン5に接続し
た構成を成している。なお、回路変更など要する場合は
、たとえばダイ、<ノド9上1こ配置されたベアチップ
IC3のアウターリード、(ノド3aとアウターリード
バッド4とを接続するAUワイヤーlOのボンディング
変更によって行うようになっている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記構成の表面実装用多層配線基板6の
場合は、実用上次のような不具合力くある。すなわち回
路変更用ノくターン5とアウターリ−ドバッド4とが、
前記したよう;;分離した形でそれぞれ配線基板6表面
に形設されて−)るため、電子部品の搭載・実装可能な
面積が低減する。つまり、所要電子部品の実装密度が制
約され、実装回路装置ないし実装回路基板のコンノ々ク
トイヒの支障となっている。しかも、前記回路変更用、
<ターン5は、回路変更を要しないと無用の長物であり
、むしろ信号配線の長尺化となって特性的1こ悪影響を
及ぼす恐れもある。
本発明は上記事情に対処して成されたもので、電子部品
の搭載・実装領域面を比較的広く確保でき、しかも配線
パターン(信号配線)の長尺イヒも防止された表面実装
用多層配線基板の提供を目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、少な(とも表面にベアチ・ノブICを含む複
数個の電子部品を搭載する領域および前記搭載する電子
部品のアウターリードボンディングパッドを有し、かつ
前記アウターリードボンディングパッド側に一端が接続
して導出された!/Oリードを具備して成る表面実装用
多層型配線基板において、 前記アウターリードボンディング/り・ノドがベアチッ
プICのアウターリードボンディング領域とI/Oリー
ド接続領域とに切り離し可能に表面に一体に形成され、
かつ配線チェック端子および回路機能チェック端子とし
て使用されることを特徴とするものである。
(作用) 上記構成においては、ベアチップICのアウターリード
ボンディングされるアウターリードボンディングパッド
と配線チェック端子および回路機能チェック端子として
使用されるI/Oリード接続用パターンとが切り離し可
能に一体に形設されている。つまり、アウターリードボ
ンディングパッドとI/Oリード接続用パターンと基板
表面で直接連接し、スルホール接続および内層パターン
を不要としている。このため、電子部品の搭載・実装可
能な表面積の確保は容易となり、実装密度の向上を図り
得るとともに、信号配線の抵抗低減なども達成し得る。
(実施例) 以下第1図(a) 、 (b)および第2図を参照して
本発明の詳細な説明する。
第1図(a)は本発明に係る表面実装用多層型配線基板
の要部構成を断面的に、また第1図(b)は同じく要部
構成を平面的に示したもので、絶縁層11を介して所要
の内層パターン12が配設され、また表面には、搭載・
実装されるベアチップICl3のインナーリードバッド
18aに対応するアウターリードバッド14が配設され
た構成を成している。
しかして、この表面実装用多層型配線基板16において
は、前記アウターリードバッド14は、ベアチップIC
IIのインナーリードバッド18aに対応するアウター
リードバッド領域14aとI/Oリード接続領域14b
とが一体化した形を成して形設されており、またこのア
ウターリードノく・ソド14は配線チェック端子および
回路の機能チェック端子の機能をもなす。つまり、アウ
ターリードボンディングパッド14は、ベアチップIC
l3に対するアウターリードボンディング領域14aと
I/Oリード接続領域14bとに、たとえばレーザーカ
ットによって容易に切り離しできるように、両端側を膨
大とし中央の幅狭の部分で切り離し可能な形状に形成さ
れている。しかも、このアウターリードバッド14 、
たとえば前記I/Oリード接続領域14bが配線チェッ
ク端子および回路機能チェック端子として使用される構
成となっている。なお、図において18はスルホール接
続17cを介して前記のI/Oリード接続領域14bに
接続し、導出されたI/Oリード端子であり、19はダ
イパッドである。
このように構成された本発明に係る表面実装用多層配線
基板16においては、たとえばベアチップICl3に対
するワイヤーボンディング20が、前記アウターリード
バッド14のアウターリードボンディング領域14aと
の間でなされる。しかして、回路変更ないし修正を要す
る場合には、前記アウターリードバッド14をたとえば
レーザーカットによって、アウターリードボンディング
領域14aとI/Oリード接続−領域14bとに切り離
し、他の所要のアウターリードボンディング領域14a
とI/Oリード接続領域14bとの間をワイヤーボンデ
ィングすれば、容易に所望の回路変更を行ない得る。
なお、この場合はアウターリードボンディング領域14
aが回路の機能チェック端子の役割をなす。
上記したように本発明に係る表面実装用多層配線基板は
、回路変更などが可能であるばかりでなく、電子部品の
表面実装領域を十分確保し得る。
しかも、冗長パターンを最小限に抑え得るので、配線抵
抗も低く保持でき、実装回路装置を構成した場合も良好
な特性を発揮する。
第2図は本発明に係る表面実装用多層配線基板の他の構
成例の要部を断面的に示したもので、たとえばゲートア
レイなど大面積ベアチップICの搭載・実装用に適する
ビングリッドアレイ型配線基板である。この表面実装用
多層配線基板においては、多ビン化に伴いI/Oリード
端子18が、前記大面積ベアチップICl3を搭載・実
装する位置の下側にも導出する場合がある。この場合、
前記I/Oリード端子18ケースは、スルホール接続1
7c1内層パターン12aおよびスルホール接続17a
を介してアウターリードバッド14のI/Oリード接続
領域14bに接続されているが、前記アウターリードボ
ンディング領域14aとI/Oリード接続領域14bと
の一体化によって、配線パターンの冗長も大幅に改善さ
れる。つまり、従来の場合のように、配線パターンの迂
回的な配役が回避され、配線(信号配線)抵抗もそれだ
け低減し、良好な特性を有する実装回路装置の構成が可
能となる。
[発明の効果] 上記説明したように、回路変更用の表面パターン層(I
/Oリード接続領域)とアウターリードボンディング領
域とを切離可能に一体化し、これらの占有面積を全体的
に低減するとともに、スルホール接続数などの低減によ
る配線パターンの冗長化を回避した、本発明に係る表面
実装用多層型配線基板は、電子部品の実装可能な面積を
比較的広く確保でき、これによって実装密度の向上も容
易に図り得る。しかも、スルホール接続の低減などによ
り配線抵抗も低下するため、実装回路として良好な機能
ないし性能の保持発揮にも大きく寄与する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明に係る表面実装用多層型配線基板
の要部構成例を示す断面図、第1図(1))は第1図(
a)に図示した表面実装用多層型配線基板の要部平面図
、第2図は本発明に係る表面実装用多層型配線基板の他
の要部構成例を示す断面図、第3図(a)は従来の表面
実装用多層型配線基板の要部構成を示す断面図、第3図
(b)は第3図(a)に図示した表面実装用多層型配線
基板の要部平面図である。 1.11・・・・・・絶縁層 2、2a、12,12a −内層パターン3.13・・
・・・・ベアチップIC 3a、13a・・・・・・ベアチップICのアウターリ
ードパッド 4 14・・・・・・アウターリードパッド14a・・
・・・・・・・アウターリードボンディング領域14b
・・・・・・・・・I/Oリード接続領域5・・・・・
・・・・・・・回路変更用パターン6.16・・・・・
・表面実装用多層配線基板7a、7b、7c、17cm
・−・−・スルホール接続8.18・・・・・・I/O
リード 9.19・・・・・・ダイパッド /O.20・・・・・・ボンディングワイヤ出願人  
     株式会社 東芝 代理人  弁理士  須 山 佐 − 第3図 ℃、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  少なくとも表面にべアチップICを含む複数個の電子
    部品を搭載する領域および前記搭載する電子部品のアウ
    ターリードボンディングパッドを有し、かつ前記アウタ
    ーリードボンディングパッド側に一端が接続して導出さ
    れたI/Oリードを具備して成る表面実装用多層型配線
    基板において、前記アウターリードボンディングパッド
    がベアチップICのアウターリードボンディング領域と
    I/Oリード接続領域とに切り離し可能に表面に一体的
    に形成され、かつ配線チェック端子および回路機能チェ
    ック端子として使用されることを特徴とする表面実装用
    多層型配線基板。
JP2239289A 1990-09-10 1990-09-10 表面実装用多層型配線基板 Pending JPH04118958A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2239289A JPH04118958A (ja) 1990-09-10 1990-09-10 表面実装用多層型配線基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2239289A JPH04118958A (ja) 1990-09-10 1990-09-10 表面実装用多層型配線基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04118958A true JPH04118958A (ja) 1992-04-20

Family

ID=17042524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2239289A Pending JPH04118958A (ja) 1990-09-10 1990-09-10 表面実装用多層型配線基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04118958A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757078A (en) * 1995-04-27 1998-05-26 Nec Corporation Semiconductor device with increased multi-bumps and adhered multilayered insulating films and method for installing same
US6376906B1 (en) 1997-02-12 2002-04-23 Denso Corporation Mounting structure of semiconductor element
CN114900953A (zh) * 2022-04-19 2022-08-12 微智医疗器械有限公司 多个电子元件与电路板的连接方法、组件及电子设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757078A (en) * 1995-04-27 1998-05-26 Nec Corporation Semiconductor device with increased multi-bumps and adhered multilayered insulating films and method for installing same
US6376906B1 (en) 1997-02-12 2002-04-23 Denso Corporation Mounting structure of semiconductor element
CN114900953A (zh) * 2022-04-19 2022-08-12 微智医疗器械有限公司 多个电子元件与电路板的连接方法、组件及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7563645B2 (en) Electronic package having a folded package substrate
US5061990A (en) Semiconductor device and the manufacture thereof
JP2004235606A (ja) キャノピー型キャリアを有する電子モジュール
WO2003005445A1 (fr) Dispositif a semiconducteur et module a semiconducteur
JPH1168026A (ja) 配線用補助パッケージおよび印刷回路配線板構造
KR100336081B1 (ko) 반도체 칩
JPH04118958A (ja) 表面実装用多層型配線基板
JP2664485B2 (ja) セラミック多層配線板
JPS6256664B2 (ja)
JPH11177225A (ja) プリント基板
JPH03187253A (ja) 半導体装置
JP3692353B2 (ja) 半導体装置のアッセンブリ方法
JP2003124430A (ja) 集積回路装置および集積回路用コンデンサ
JPH0778938A (ja) 複合半導体装置及びその製造方法
JP4229086B2 (ja) 半導体装置
JPH10150065A (ja) チップサイズパッケージ
JP2857823B2 (ja) 回路基板に対する電子部品の実装構造
JPH0482244A (ja) 半導体集積回路装置およびその配線変更方法
JP3645701B2 (ja) 半導体装置
JPH05166812A (ja) 半導体素子
JPS6286744A (ja) Lsiチツプ
JPH05211380A (ja) 電子部品の実装構造
JPH0613535A (ja) 電子部品搭載装置
JPH019160Y2 (ja)
JP2606673B2 (ja) 実装体