JPH039945B2 - - Google Patents
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- D01—NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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-
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- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、パラ−ジエチニルベンゼンを熱分解
させることにより得られる高導電性熱分解炭素薄
膜成形物の製造方法に関するものである。
させることにより得られる高導電性熱分解炭素薄
膜成形物の製造方法に関するものである。
従来、導電性の熱分解炭素薄膜を得る方法とし
て、メタン、プロパン、ベンゼン、アセチレン等
の炭化水素の気相熱分解法が最も重要なものと考
えられ、すでに多くの製造条件が提案されてき
た。しかし、反応温度は通常1000〜3000℃と一般
に高く、エネルギー消費が著しい。しかもこの範
囲中の低温領域では、高導電性の薄膜は得られに
くい。たとえば250〜1000S・cm-1の電導度を有す
る薄膜を製造するには、1500〜1700℃の熱分解温
度を必要とする。
て、メタン、プロパン、ベンゼン、アセチレン等
の炭化水素の気相熱分解法が最も重要なものと考
えられ、すでに多くの製造条件が提案されてき
た。しかし、反応温度は通常1000〜3000℃と一般
に高く、エネルギー消費が著しい。しかもこの範
囲中の低温領域では、高導電性の薄膜は得られに
くい。たとえば250〜1000S・cm-1の電導度を有す
る薄膜を製造するには、1500〜1700℃の熱分解温
度を必要とする。
本発明者らはこれらの欠点を解決すべく検討を
重ねた結果、パラ−ジエチニルベンゼンをアルゴ
ンのキヤリアガス中において950〜1050℃の温度
範囲で熱分解すると、電導度が1000S・cm-1以上
の高導電性熱分解炭素薄膜成形物が得られること
を見出し、またこの薄膜を3000〜3300℃の高温で
処理することにより更に高導電性のグラフアイト
薄膜成形物が得られることを見出し、本発明をな
すに到つた。
重ねた結果、パラ−ジエチニルベンゼンをアルゴ
ンのキヤリアガス中において950〜1050℃の温度
範囲で熱分解すると、電導度が1000S・cm-1以上
の高導電性熱分解炭素薄膜成形物が得られること
を見出し、またこの薄膜を3000〜3300℃の高温で
処理することにより更に高導電性のグラフアイト
薄膜成形物が得られることを見出し、本発明をな
すに到つた。
本発明は、パラ−ジエチニルベンゼンをアルゴ
ンのキヤリアガス中において、950〜1050℃の温
度範囲で熱分解することにより、電導度が
1000S・cm-1以上である高導電性熱分解炭素薄膜
成形物の製造方法および当該製造方法により製造
した薄膜を3000〜3300℃の高温で熱処理すること
により更に高導電性のグラフアイト薄膜成形物を
得る方法に関するものである。
ンのキヤリアガス中において、950〜1050℃の温
度範囲で熱分解することにより、電導度が
1000S・cm-1以上である高導電性熱分解炭素薄膜
成形物の製造方法および当該製造方法により製造
した薄膜を3000〜3300℃の高温で熱処理すること
により更に高導電性のグラフアイト薄膜成形物を
得る方法に関するものである。
本発明の高導電性熱分解炭素薄膜成形物は単独
に使用する以外にも、多くの耐熱材料、セラミツ
クスまたは核燃料の被覆材として使用することが
可能である。
に使用する以外にも、多くの耐熱材料、セラミツ
クスまたは核燃料の被覆材として使用することが
可能である。
本発明において、パラ−ジエチニルベンゼンを
アルゴンのキヤリアガスとともに加熱雰囲気下に
導入しやすくするために、パラ−ジエチニルベン
ゼン自体をもその融点もしくは融点以上の温度に
加熱する必要がある。キヤリアガスの流量は、た
とえば反応ガスの流路となる石英管の内径が40mm
の場合0.01〜５/min、好ましくは0.1〜１/mi
ｎである。
アルゴンのキヤリアガスとともに加熱雰囲気下に
導入しやすくするために、パラ−ジエチニルベン
ゼン自体をもその融点もしくは融点以上の温度に
加熱する必要がある。キヤリアガスの流量は、た
とえば反応ガスの流路となる石英管の内径が40mm
の場合0.01〜５/min、好ましくは0.1〜１/mi
ｎである。
上記のアルゴンガス中にパラ−ジエチニルベン
ゼン蒸気を含んだ反応ガスを950〜1050℃の電気
炉等の加熱雰囲気下に導入することにより、電導
度が1000S・cm-1以上の高導電性熱分解炭素薄膜
成形物を得ることができる。これより低い温度で
は薄膜成形物の電導度は1000S・cm-1にまでは達
しない。また、これより高い温度では、通常の流
量下で電導度が1000S・cm-1以上の薄膜成形物を
得ることは困難である。
ゼン蒸気を含んだ反応ガスを950〜1050℃の電気
炉等の加熱雰囲気下に導入することにより、電導
度が1000S・cm-1以上の高導電性熱分解炭素薄膜
成形物を得ることができる。これより低い温度で
は薄膜成形物の電導度は1000S・cm-1にまでは達
しない。また、これより高い温度では、通常の流
量下で電導度が1000S・cm-1以上の薄膜成形物を
得ることは困難である。
本発明の高導電性熱分解炭素薄膜成形物は基板
上に設けることが可能で、基板としては石英ガラ
ス板、アルミナ板、シリコンウエハー等、1050℃
までの温度に耐え得るものが使用可能である。
上に設けることが可能で、基板としては石英ガラ
ス板、アルミナ板、シリコンウエハー等、1050℃
までの温度に耐え得るものが使用可能である。
さらに、本発明の特許請求の範囲第１項記載の
方法によつて製造された高導電性の熱分解炭素薄
膜成形物は、ソフトカーボンすなわち易黒鉛化性
炭素材料としての特色を有している。この薄膜成
形物をアルゴン気流下、3000〜3300℃の温度で熱
処理すると、炭素質の黒鉛化が進行し、電導度が
（１〜2.5）×104S・cm-1の高導電性熱分解炭素薄
膜成形物を得ることができる。当該薄膜成形物は
本質的にグラフアイトであり、グラフアイト材料
自身としての有用性を有している。
方法によつて製造された高導電性の熱分解炭素薄
膜成形物は、ソフトカーボンすなわち易黒鉛化性
炭素材料としての特色を有している。この薄膜成
形物をアルゴン気流下、3000〜3300℃の温度で熱
処理すると、炭素質の黒鉛化が進行し、電導度が
（１〜2.5）×104S・cm-1の高導電性熱分解炭素薄
膜成形物を得ることができる。当該薄膜成形物は
本質的にグラフアイトであり、グラフアイト材料
自身としての有用性を有している。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
内径40mmの石英製円筒内に18mm角の石英ガラス
基板を設置し、その反応管を電気炉内に挿入す
る。反応管の一端に、パラ−ジエチニルベンゼン
の昇華用前室を設け、0.5ｇのパラ−ジエチニル
ベンゼンを入れておく。前室および反応管内に
0.3/minの流速のアルゴンキヤリアガスを30分
間導入する。
基板を設置し、その反応管を電気炉内に挿入す
る。反応管の一端に、パラ−ジエチニルベンゼン
の昇華用前室を設け、0.5ｇのパラ−ジエチニル
ベンゼンを入れておく。前室および反応管内に
0.3/minの流速のアルゴンキヤリアガスを30分
間導入する。
その後、電気炉を1000℃にまで昇温させ、次に
前室を90℃に加熱して、昇華したパラ−ジエチニ
ルベンゼンの蒸気をキヤリアガスとともに電気炉
内に導入した。その結果、２時間で厚さ6000Åの
範囲光沢を有する薄膜成形物が石英ガラス基板上
に得られた。四端子法によりこの薄膜成形物の電
導度を測定したところ、1300S・cm-1であつた。
前室を90℃に加熱して、昇華したパラ−ジエチニ
ルベンゼンの蒸気をキヤリアガスとともに電気炉
内に導入した。その結果、２時間で厚さ6000Åの
範囲光沢を有する薄膜成形物が石英ガラス基板上
に得られた。四端子法によりこの薄膜成形物の電
導度を測定したところ、1300S・cm-1であつた。
実施例 ２
実施例１と同様にしてシリコンウエハー上に厚
さ1.3μｍの薄膜成形物を作製した。この薄膜成形
物をシリコンウエハーからはがし取り、その一片
を超高温炉でアルゴン気流下、3000℃で高温処理
を２時間行つた。処理後の薄膜について、四端子
法により電導度を測定したところ、２×104S・cm
-1であつた。
さ1.3μｍの薄膜成形物を作製した。この薄膜成形
物をシリコンウエハーからはがし取り、その一片
を超高温炉でアルゴン気流下、3000℃で高温処理
を２時間行つた。処理後の薄膜について、四端子
法により電導度を測定したところ、２×104S・cm
-1であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パラ−ジエチニルベンゼンをアルゴンのキヤ
リアガス中において、950〜1050℃の温度範囲で
熱分解することより電導度が1000S・cm-1以上で
ある高導電性熱分解炭素薄膜成形物を製造する方
法 ２ パラ−ジエチニルベンゼンをアルゴンのキユ
リアガス中において、950〜1050℃の温度範囲で
熱分解することにより得られ、かつ電導度が
1000S・cm1以上である高導電性熱分解炭素薄膜成
形物を3000〜3300℃の高温で、熱処理することに
よるグラフアイト薄膜成形物の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232656A JPS60127210A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法 |
| US06/904,823 US4701317A (en) | 1983-06-14 | 1986-09-08 | Highly electroconductive films and process for preparing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232656A JPS60127210A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127210A JPS60127210A (ja) | 1985-07-06 |
| JPH039945B2 true JPH039945B2 (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=16942719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232656A Granted JPS60127210A (ja) | 1983-06-14 | 1983-12-12 | 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127210A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3644124A1 (de) * | 1986-12-23 | 1988-07-07 | Linotype Gmbh | Optisch-mechanischer ablenker |
| JP4929531B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2012-05-09 | 住友電気工業株式会社 | 導電性硬質炭素皮膜 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143321A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Conjugated polymer and its preparation |
| JPS57207329A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-20 | Kanebo Ltd | Organic type semiconductor and manufacture thereof |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP58232656A patent/JPS60127210A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143321A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Conjugated polymer and its preparation |
| JPS57207329A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-20 | Kanebo Ltd | Organic type semiconductor and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60127210A (ja) | 1985-07-06 |
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