JPH0384945A - 位置合せ方法およびそれを用いた検査装置 - Google Patents
位置合せ方法およびそれを用いた検査装置Info
- Publication number
- JPH0384945A JPH0384945A JP1222139A JP22213989A JPH0384945A JP H0384945 A JPH0384945 A JP H0384945A JP 1222139 A JP1222139 A JP 1222139A JP 22213989 A JP22213989 A JP 22213989A JP H0384945 A JPH0384945 A JP H0384945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- electrode terminal
- probe card
- electrode
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 68
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000013524 data verification Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06705—Apparatus for holding or moving single probes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、位置合せ方法とそれを用いた検査装置に関す
る。
る。
(従来の技術)
半導体素子の製造工程においては、半導体ウェハに多数
の素子が形成されている段階で、個々の素子の電極端子
(パッド)に検査端子を接触させ、それぞれの電気的緒
特性を測定する検査装置、いわゆるブローμにより個々
の半導体素子の良否を判定している。
の素子が形成されている段階で、個々の素子の電極端子
(パッド)に検査端子を接触させ、それぞれの電気的緒
特性を測定する検査装置、いわゆるブローμにより個々
の半導体素子の良否を判定している。
ところで、近年の半導体製造工程においては、半導体素
子の多品種少量化が急速に進む現状に対応させるべく、
少量生産に合った生産効率の向上、歩留並びに品質の向
上、製造工程の自動化が進められている。
子の多品種少量化が急速に進む現状に対応させるべく、
少量生産に合った生産効率の向上、歩留並びに品質の向
上、製造工程の自動化が進められている。
このような現状に対応するために、ブローμに関しても
全工程の自動化が進められており、たとえば半導体ウェ
ハに設けられたIDの自動認識機構、プローブカードの
自動交換機構、自動交換されたプローブカードの自動θ
調整機構等が概に提案されており、一部実用化も行われ
ている。
全工程の自動化が進められており、たとえば半導体ウェ
ハに設けられたIDの自動認識機構、プローブカードの
自動交換機構、自動交換されたプローブカードの自動θ
調整機構等が概に提案されており、一部実用化も行われ
ている。
一方、半導体素子の高集積化に伴い、電極端子の多端子
化、端子の狭ピッチ化も同時に進んでおり、このような
多端子化、狭ピッチ化された半導体素子の測定を行う場
合には、プローブ針と電極端子との高精度の位置合せが
必要とされる。
化、端子の狭ピッチ化も同時に進んでおり、このような
多端子化、狭ピッチ化された半導体素子の測定を行う場
合には、プローブ針と電極端子との高精度の位置合せが
必要とされる。
そこで、従来のブローμでは半導体ウェハのθ調整まで
は自動化が図られているが、新品種投入の際には、オペ
レータが顕微鏡等を用いて目視により針先と電極端子と
の位置あわせを行わなければならず、この位置合せ工程
のために全工程の自動化が妨げられている。なお、過去
に投入された品種の半導体ウェハが再度投入された場合
には、新規時の位置合せデータをファイルしておくこと
により、自動にて位置合せを実施し、スルーブツトの向
上を図ることが試みられている。
は自動化が図られているが、新品種投入の際には、オペ
レータが顕微鏡等を用いて目視により針先と電極端子と
の位置あわせを行わなければならず、この位置合せ工程
のために全工程の自動化が妨げられている。なお、過去
に投入された品種の半導体ウェハが再度投入された場合
には、新規時の位置合せデータをファイルしておくこと
により、自動にて位置合せを実施し、スルーブツトの向
上を図ることが試みられている。
(発明が解決しようとする課題)
上述したように、従来のブローμにおいては、プローブ
カードの交換やθ3!l整、さらには再投入された品種
の半導体ウェハに対しては位置合せの自動化が図られて
いるが、新品種に関してはオペレータの目祖による位置
合わせが必要であり、完全自動化には至っていない。
カードの交換やθ3!l整、さらには再投入された品種
の半導体ウェハに対しては位置合せの自動化が図られて
いるが、新品種に関してはオペレータの目祖による位置
合わせが必要であり、完全自動化には至っていない。
ところで、近年の半導体素子の主流はASICに移行し
つつあり、特に最近の傾向としては、10ット数枚中位
のウェハが実際の製造工程に流れている。このような場
合には、10ツト毎に品種が異なると共に、はとんどが
新品種となってしまい、このため各ロット毎にオペ−レ
ータによる針合せを実施する必要があり、大幅な生産効
率の低下を余儀無くされている。
つつあり、特に最近の傾向としては、10ット数枚中位
のウェハが実際の製造工程に流れている。このような場
合には、10ツト毎に品種が異なると共に、はとんどが
新品種となってしまい、このため各ロット毎にオペ−レ
ータによる針合せを実施する必要があり、大幅な生産効
率の低下を余儀無くされている。
このようにASICの普及によって、ロフトの少量化が
さらに進み、ブローμにおいては半導体製造工程の省力
化に逆行する傾向にある。そこで、ブローμの完全な無
人化を図る上で、新品種ウェハが投入された際のプロー
ブ針と電極パッドとの位置合せを自動的に行うことが可
能な装置の開発が強く望まれている。
さらに進み、ブローμにおいては半導体製造工程の省力
化に逆行する傾向にある。そこで、ブローμの完全な無
人化を図る上で、新品種ウェハが投入された際のプロー
ブ針と電極パッドとの位置合せを自動的に行うことが可
能な装置の開発が強く望まれている。
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、例えば新品種ウェハが投入された際の電極パッド
とプローブ針との位置合せのような、位置規定がなされ
ていない電極パッドの位置合わせを自動化することが可
能な位置合せ方法およびそれを用いた検査装置を堤供す
ることを目的とするものである。
ので、例えば新品種ウェハが投入された際の電極パッド
とプローブ針との位置合せのような、位置規定がなされ
ていない電極パッドの位置合わせを自動化することが可
能な位置合せ方法およびそれを用いた検査装置を堤供す
ることを目的とするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために、本発明における第1の位置
合せ方法は、基板に設けられた多数の被処理体の電極端
子に対して処理装置を位置合せするに際し、予め前記基
板上に前記被処理体毎の基準マークを設け、CADシス
テムから前記基準マークに応じた前記電極端子の位置情
報を受信し、この位置情報に応じて前記電極端子の位置
を認識し、この認識結果に基づいて位置合せを行うこと
を特徴としている。
合せ方法は、基板に設けられた多数の被処理体の電極端
子に対して処理装置を位置合せするに際し、予め前記基
板上に前記被処理体毎の基準マークを設け、CADシス
テムから前記基準マークに応じた前記電極端子の位置情
報を受信し、この位置情報に応じて前記電極端子の位置
を認識し、この認識結果に基づいて位置合せを行うこと
を特徴としている。
そして、この位置合わせ方法を適用した検査装置は、基
板に設けられた多数の被測定体の電極端子に、プローブ
カードに設けられたプローブ針を当接させて検査を行う
装置において、前記基板上に設けられた被73?1定休
毎の基準マーク位置に応じた前記電極端子の位置情報を
CADシステムから受信する手段と、前記基準位置マー
クの位置を検知し、この基準位置マークから前記電極端
子の位置情報に基づいて前記電極端子の位置を認識する
手段と、この認識結果に基づいて前記電極端子の前記プ
ローブ針への当接を制御する手段とを有することを特徴
とするものである。
板に設けられた多数の被測定体の電極端子に、プローブ
カードに設けられたプローブ針を当接させて検査を行う
装置において、前記基板上に設けられた被73?1定休
毎の基準マーク位置に応じた前記電極端子の位置情報を
CADシステムから受信する手段と、前記基準位置マー
クの位置を検知し、この基準位置マークから前記電極端
子の位置情報に基づいて前記電極端子の位置を認識する
手段と、この認識結果に基づいて前記電極端子の前記プ
ローブ針への当接を制御する手段とを有することを特徴
とするものである。
また、第2の位置合わせ方法は、基板に設けられた多数
の被処理体の電極端子に対して処理装置を位置合せする
に際し、前記被処理体と同一面積の領域内で前記電極端
子を検知して各電極端子の位置を認識し、この認識結果
に基づいて位置合せを行うことを特徴としている。
の被処理体の電極端子に対して処理装置を位置合せする
に際し、前記被処理体と同一面積の領域内で前記電極端
子を検知して各電極端子の位置を認識し、この認識結果
に基づいて位置合せを行うことを特徴としている。
そして、この位置合わせ方法を適用した検査装置は、基
板に設けられた多数の被測定体の電極端子に、プローブ
カードに設けられたプローブ針を当接させて検査を行う
装置において、前記被処理体と同一面積の領域内で前記
電極端子を検知して各電極端子の位置を認識する手段と
、この認識結果に基づいて前記電極端子の前記プローブ
針への当接位置を制御する手段とを有することを特徴と
するものである。
板に設けられた多数の被測定体の電極端子に、プローブ
カードに設けられたプローブ針を当接させて検査を行う
装置において、前記被処理体と同一面積の領域内で前記
電極端子を検知して各電極端子の位置を認識する手段と
、この認識結果に基づいて前記電極端子の前記プローブ
針への当接位置を制御する手段とを有することを特徴と
するものである。
なお、上記検査装置それぞれに、複数のプローブカード
の中から被測定体に応じたプローブカードを選択取出す
ると共に、検査装置本体に装着するカード自動交換手段
と、接続されたプローブカードのプローブ針位置を検出
し、前記プローブカードのθ位置を補正するカード補正
手段と付与することによって、全自動化が達成される。
の中から被測定体に応じたプローブカードを選択取出す
ると共に、検査装置本体に装着するカード自動交換手段
と、接続されたプローブカードのプローブ針位置を検出
し、前記プローブカードのθ位置を補正するカード補正
手段と付与することによって、全自動化が達成される。
(作 用)
本発明の第1の発明においては、CADシステムから電
極端子の位置情報を受信し、この位置情報に基づいて各
電極端子を検出することにより、電極端子の位置認識が
可能となる。また、第2の発明においては、被処理体と
同一面積の領域内で前記電極端子を検知することにより
、各電極端子の位置認識が可能となる。そして、これら
を検査装置に適用することによって、自動で電極端子と
プローブ針との位置合わせを実施することができ、位置
合せの高速化および高精度化が達成されると共に、検査
装置の無人化が達成される。
極端子の位置情報を受信し、この位置情報に基づいて各
電極端子を検出することにより、電極端子の位置認識が
可能となる。また、第2の発明においては、被処理体と
同一面積の領域内で前記電極端子を検知することにより
、各電極端子の位置認識が可能となる。そして、これら
を検査装置に適用することによって、自動で電極端子と
プローブ針との位置合わせを実施することができ、位置
合せの高速化および高精度化が達成されると共に、検査
装置の無人化が達成される。
(実施例)
以下、本発明方性を適用した検査装置の実施例について
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例のウエハプローバの基本シ
ステムを説明するための図である。同図に示すように、
この実施例のウエハブローバはブローバ本体10側の主
制御部20とCADシステム30において、情報通信が
可能なように構成されている。この情報通信は、ブロー
バ本体10側の主制御部20とCADシステム30側の
制御部31とをネットワークによって接続することによ
り実現してもよいし、また磁気記録ディスクのような記
録媒体による情報通信としてもよい。
ステムを説明するための図である。同図に示すように、
この実施例のウエハブローバはブローバ本体10側の主
制御部20とCADシステム30において、情報通信が
可能なように構成されている。この情報通信は、ブロー
バ本体10側の主制御部20とCADシステム30側の
制御部31とをネットワークによって接続することによ
り実現してもよいし、また磁気記録ディスクのような記
録媒体による情報通信としてもよい。
CADシステム30は、例えばマスクデザインシスム4
0に接続された制御部31と、実際に設計操作を行う表
示部32および入力部33と、設計用データや設計され
た半導体素子のデザインデータ等を記憶する記憶部34
とから主として構成されたものである。
0に接続された制御部31と、実際に設計操作を行う表
示部32および入力部33と、設計用データや設計され
た半導体素子のデザインデータ等を記憶する記憶部34
とから主として構成されたものである。
またブローバ本体10は、被測定物となる半導体ウェハ
を保持する試料台をロード・アンロード位置、アライメ
ント位置および検査位置間において移動させるメインス
テージ50と、キャリア内に収容された半導体ウェハの
オートローダユニット60と、プローブカードの自動交
換ユニット70と、自動でセットされたプローブカード
やロードされた半導体ウェハの位置補正を行うと共に、
位置合わせ時の電極端子の位置認識を行うアライメント
ユニット80と、CADシステム30側から受信した各
種情報やアライメント時の位置情報等を記憶する記憶部
90と、これら各機構の動作制御と情報の制御を行う主
制御部20とから主として構成されている。
を保持する試料台をロード・アンロード位置、アライメ
ント位置および検査位置間において移動させるメインス
テージ50と、キャリア内に収容された半導体ウェハの
オートローダユニット60と、プローブカードの自動交
換ユニット70と、自動でセットされたプローブカード
やロードされた半導体ウェハの位置補正を行うと共に、
位置合わせ時の電極端子の位置認識を行うアライメント
ユニット80と、CADシステム30側から受信した各
種情報やアライメント時の位置情報等を記憶する記憶部
90と、これら各機構の動作制御と情報の制御を行う主
制御部20とから主として構成されている。
上記構成のブローバ本体10の具体的な構成例を第2図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
ブローバ本体10は、3つの筐体によって構成され、中
央の筐体がメインステージ50とされており、その一方
の側面にオートローダユニット60が、また他方の側面
にプローブカードの自動交換ユニット70がそれぞれ配
設されている。
央の筐体がメインステージ50とされており、その一方
の側面にオートローダユニット60が、また他方の側面
にプローブカードの自動交換ユニット70がそれぞれ配
設されている。
オートローダユニット60内には、被測定物である半導
体ウェハ1が複数棚積み収容されたつエバキャリヤ61
が配置されており、このウェハキャリヤ61はキャリア
用エレベータ62によって昇降自在とされている。ウェ
ハキャリヤ61前方には、半導体ウェハ1のプリアライ
メントを行うための回転自在な載置台63が設置されて
おり、この載置台63位置とメインステージ50側での
受渡位置間での半導体ウェハ1の移載を行うためのウェ
ハ搬送アーム64がオートローダユニット60とメイン
ステージ50との境界に配設されている。
体ウェハ1が複数棚積み収容されたつエバキャリヤ61
が配置されており、このウェハキャリヤ61はキャリア
用エレベータ62によって昇降自在とされている。ウェ
ハキャリヤ61前方には、半導体ウェハ1のプリアライ
メントを行うための回転自在な載置台63が設置されて
おり、この載置台63位置とメインステージ50側での
受渡位置間での半導体ウェハ1の移載を行うためのウェ
ハ搬送アーム64がオートローダユニット60とメイン
ステージ50との境界に配設されている。
なお、被測定物となる半導体ウェハ1は、第3図(a)
に示すように、多数の半導体素子(以下、チップと言う
)2が格子状に配列形成されており、個々のチップ2に
は第3図(b)に示すように、周縁部にΔ#1定用端子
となる電極バッド3が形成されており、その外周側に各
電極バッド3の形成位置の基準位置となる基準位置マー
ク4が予め各チップ毎に形成されている。
に示すように、多数の半導体素子(以下、チップと言う
)2が格子状に配列形成されており、個々のチップ2に
は第3図(b)に示すように、周縁部にΔ#1定用端子
となる電極バッド3が形成されており、その外周側に各
電極バッド3の形成位置の基準位置となる基準位置マー
ク4が予め各チップ毎に形成されている。
またメインテージ50には、例えば半導体ウェハ1を吸
着保持する試料台51が試料台ステージ52によってx
−y−z−θ方向に移動自在に配置されており、また上
方に設置されたヘッドプレート53の中央部には、プロ
ーブカード5を保持すると共に、図示を省略したテスト
ヘッドに電気的に接続するインサートリング54が配設
されている。メインステージ50前方には、主制御部2
0や記憶部90等の主制御系が収納されており、またメ
インステージ50の後方には、セットされたプローブカ
ード5やロードされた半導体ウェハ1の位置補正を行う
と共に、位置あわせの際の電極バッド3の位置認識を行
うアライメントユニット80が配置されている。
着保持する試料台51が試料台ステージ52によってx
−y−z−θ方向に移動自在に配置されており、また上
方に設置されたヘッドプレート53の中央部には、プロ
ーブカード5を保持すると共に、図示を省略したテスト
ヘッドに電気的に接続するインサートリング54が配設
されている。メインステージ50前方には、主制御部2
0や記憶部90等の主制御系が収納されており、またメ
インステージ50の後方には、セットされたプローブカ
ード5やロードされた半導体ウェハ1の位置補正を行う
と共に、位置あわせの際の電極バッド3の位置認識を行
うアライメントユニット80が配置されている。
ここで、上記アライメントユニット80の具体的な構成
例を第4図を参照して説明する。
例を第4図を参照して説明する。
第4図は、明視野による黒パターンの画像認識機構の一
構成例であり、光源81から発射された光は、ハーフミ
ラ−82を介して全反射ミラー83によって、試料台5
1に保持された半導体ウェハ1上に照射される。半導体
ウェハ1によって反射された反射光は、全反射ミラー8
3およびハーフミラ−82を介し、収束レンズ84.8
5を通過した後に、制御部86に接続された撮像カメラ
に87人射するよう構成されている。アライメントユニ
ット80の制御部86は、データコンバータ86aSD
MA回路86b、CPU86cおよびデータバッファ8
6dによって構成されており、上記CPU86cはブロ
ーバ本体10の主制御部20のメインCPU21に接続
されている。また、制御部86には確認用のモニタ88
が接続されている。そして、主制御部20内のステージ
ドライバ回路22を介して、アライメントユニット80
の測定結果に基づき、メインステージ50の試料台ステ
ージ52がx−y−z−θ方向に自在に駆動される。
構成例であり、光源81から発射された光は、ハーフミ
ラ−82を介して全反射ミラー83によって、試料台5
1に保持された半導体ウェハ1上に照射される。半導体
ウェハ1によって反射された反射光は、全反射ミラー8
3およびハーフミラ−82を介し、収束レンズ84.8
5を通過した後に、制御部86に接続された撮像カメラ
に87人射するよう構成されている。アライメントユニ
ット80の制御部86は、データコンバータ86aSD
MA回路86b、CPU86cおよびデータバッファ8
6dによって構成されており、上記CPU86cはブロ
ーバ本体10の主制御部20のメインCPU21に接続
されている。また、制御部86には確認用のモニタ88
が接続されている。そして、主制御部20内のステージ
ドライバ回路22を介して、アライメントユニット80
の測定結果に基づき、メインステージ50の試料台ステ
ージ52がx−y−z−θ方向に自在に駆動される。
そして、上記アライメントユニット80によって、チッ
プ2に設けられた電極バッド3の基準位置マーク4にし
たがった位置認識、半導体ウェハ1のθ補正、セットさ
れたプローブカード5のθ補正、図示を省略したプロー
ブ針の位置検出等が行われる。また、このアライメント
ユニット8゜によって半導体ウェハ1上に形成された図
示を省略したIDの検出も行われる。
プ2に設けられた電極バッド3の基準位置マーク4にし
たがった位置認識、半導体ウェハ1のθ補正、セットさ
れたプローブカード5のθ補正、図示を省略したプロー
ブ針の位置検出等が行われる。また、このアライメント
ユニット8゜によって半導体ウェハ1上に形成された図
示を省略したIDの検出も行われる。
メインステージ50の他方の側面に設けられたプローブ
カード自動交換ユニット70は、予め選択された複数の
プローブカード5が収容されたカード収容ラック71と
、このカード収容ラック71から選択的にプローブカー
ド5を取出し、メインステージ50のインサートリング
54位置まで搬送するカード自動搬送機構72とによっ
て構成されており、カード自動搬送機構72は半導体ウ
ェハ1の品種に応じたプローブカード5を供給するよう
制御される。
カード自動交換ユニット70は、予め選択された複数の
プローブカード5が収容されたカード収容ラック71と
、このカード収容ラック71から選択的にプローブカー
ド5を取出し、メインステージ50のインサートリング
54位置まで搬送するカード自動搬送機構72とによっ
て構成されており、カード自動搬送機構72は半導体ウ
ェハ1の品種に応じたプローブカード5を供給するよう
制御される。
次に、上記構成のウエハプローバの新品種ウェハが投入
された際の動作について、第5図のフローチャートを参
照して以下に説明する。
された際の動作について、第5図のフローチャートを参
照して以下に説明する。
まず、オートローダユニット60側からウェハ搬送アー
ム64を駆動することによって半導体ウェハ1が試料台
51上に搬送され、次いで試料台ステージ52を駆動し
てアライメントユニット80の撮像カメラ87の視野内
に半導体ウェハ1が移動される。そして、半導体ウェハ
1上に設けられたIDがアライメントユニット80によ
って検出される(第5図−101)。
ム64を駆動することによって半導体ウェハ1が試料台
51上に搬送され、次いで試料台ステージ52を駆動し
てアライメントユニット80の撮像カメラ87の視野内
に半導体ウェハ1が移動される。そして、半導体ウェハ
1上に設けられたIDがアライメントユニット80によ
って検出される(第5図−101)。
そして、このIDの検出結果に基づくウェハ品種名やロ
フト番号から投入された半導体ウェハ1が新品種である
かどうか判定され(第5図−102)、新品種ウェハと
判定された際に以下の動作が実行される。
フト番号から投入された半導体ウェハ1が新品種である
かどうか判定され(第5図−102)、新品種ウェハと
判定された際に以下の動作が実行される。
なお、−度検査が実行された半導体ウェハが再度投入さ
れた場合については、後述する。
れた場合については、後述する。
IDの検出結果に基づくウェハ品種名やロフト番↓ンに
よって、CADシステム30にウェハパラメータをリク
エストし、CADシステム30からウェハサイズ、チッ
プサイズ、オリフラ位置、基準位置マーク4を基準とす
る各電極パッド3の位置データ等を主制御部20が受信
する(第5図−103)。
よって、CADシステム30にウェハパラメータをリク
エストし、CADシステム30からウェハサイズ、チッ
プサイズ、オリフラ位置、基準位置マーク4を基準とす
る各電極パッド3の位置データ等を主制御部20が受信
する(第5図−103)。
また、IDの検出結果に基づくウェハ品種名やロット番
号によって、測定品種に対応するプローブカード5が選
択的に取出され、ヘッドプレート53に設けられたイン
サートリング54に自動にて装着される(第5図−10
4)。プローブカード5のセツティングが終了したこと
を確認した後、プローブカード5の自動θ補正が行われ
る。
号によって、測定品種に対応するプローブカード5が選
択的に取出され、ヘッドプレート53に設けられたイン
サートリング54に自動にて装着される(第5図−10
4)。プローブカード5のセツティングが終了したこと
を確認した後、プローブカード5の自動θ補正が行われ
る。
このプローブカード5の自動θ補正は、例えば以下の手
順によって自動的に実施される。
順によって自動的に実施される。
まず、ウェハキャリア61からダミーウェハが取出され
、試料台51上に載置されて保持される。
、試料台51上に載置されて保持される。
試料台51は、プローブカード5の下方位置に移動した
後に上昇し、プローブ針の針跡がダミーウェハ上に印加
される。この後、試料台51は撮像カメラ87の視野内
にダミーウェハが位置するよう移動する。
後に上昇し、プローブ針の針跡がダミーウェハ上に印加
される。この後、試料台51は撮像カメラ87の視野内
にダミーウェハが位置するよう移動する。
次いで撮像カメラ87によって、指定された針跡の検出
が行われ、針跡の位置が認識される。この針跡の位置デ
ータは、針跡を付加した位置から撮像カメラで検出され
た位置までのXおよびy方向の距離として測定され、こ
れからプローブカード5のθ方向のずれ量が求められて
θ方向の補正量が決定され、プローブカードのθ方向補
正量と共に、針先の位置データが記憶部90に記憶され
る(第5図−105)。
が行われ、針跡の位置が認識される。この針跡の位置デ
ータは、針跡を付加した位置から撮像カメラで検出され
た位置までのXおよびy方向の距離として測定され、こ
れからプローブカード5のθ方向のずれ量が求められて
θ方向の補正量が決定され、プローブカードのθ方向補
正量と共に、針先の位置データが記憶部90に記憶され
る(第5図−105)。
なお、この際に検出する針跡は、プローブカード5のθ
方向を特定するためだけであれば4角の最低4箇所でよ
いが、後述する電極パッド3の位置データとの照合によ
ってプローブ針の異常検出を行う場合には、全針跡の検
出を行う。
方向を特定するためだけであれば4角の最低4箇所でよ
いが、後述する電極パッド3の位置データとの照合によ
ってプローブ針の異常検出を行う場合には、全針跡の検
出を行う。
この後、記憶した針先の位置データとCADシステム3
0から受信した電極パッド3の位置データとを照合し、
受信したウェハパラメータあるいはセットしたプローブ
カード5に間違いはないか、針先位置に異常はないかを
判定する。(第5図−106)なお、異常発生時には例
えばアラームによってオペレータへ伝達する。
0から受信した電極パッド3の位置データとを照合し、
受信したウェハパラメータあるいはセットしたプローブ
カード5に間違いはないか、針先位置に異常はないかを
判定する。(第5図−106)なお、異常発生時には例
えばアラームによってオペレータへ伝達する。
このようにしてプローブカード5のセツティングが終了
した後、プリアライメント用の載置台63上でオリフラ
位置を基準位置に調整することによって、プリアライメ
ントされた半導体ウェハ1が、ウェハ搬送アーム64を
駆動することによってメインステージ50の試料台51
上に移載される(第5図−+07)。
した後、プリアライメント用の載置台63上でオリフラ
位置を基準位置に調整することによって、プリアライメ
ントされた半導体ウェハ1が、ウェハ搬送アーム64を
駆動することによってメインステージ50の試料台51
上に移載される(第5図−+07)。
被11FJ定物である半導体ウェハ1が移載された試料
台51は、アライメント用撮像カメラ87の視野内に半
導体ウェハ1が位置するよう移動する。
台51は、アライメント用撮像カメラ87の視野内に半
導体ウェハ1が位置するよう移動する。
この後、半導体ウェハ1のθアライメントが行われる(
第5図−108)。
第5図−108)。
半導体ウェハ1のθアライメントは、半導体ウェハ1上
の直線上に存在する同一パターンを検出し、この直線状
パターンからθ方向のずれ量が求められ、半導体ウェハ
1のθ方向の補正が行われる。なお、θ補正のために検
出した直線状パターンは、記憶部90に記憶される。
の直線上に存在する同一パターンを検出し、この直線状
パターンからθ方向のずれ量が求められ、半導体ウェハ
1のθ方向の補正が行われる。なお、θ補正のために検
出した直線状パターンは、記憶部90に記憶される。
この後、半導体ウェハ1に形成されたチップ2の電極パ
ッド3の位置認識が行われる(wi5図−109)。
ッド3の位置認識が行われる(wi5図−109)。
この電極バッド3の位置認識は、まずチップ2内の基準
位置マーク4を検出し、CADシステム30から受信し
た電極バッド3の基準位置データ4にしたがい、基準位
置マーク4から順に各電極バッド3をサーチすることに
よって、各電極バッド3の位置認識を行う。そして、こ
の位置認識の際に電極バッド3の基準位置データからの
ずれ量が、θ補正後の半導体ウェハ1を基準としたパッ
ド位置修正データとして記憶部90に記憶される。
位置マーク4を検出し、CADシステム30から受信し
た電極バッド3の基準位置データ4にしたがい、基準位
置マーク4から順に各電極バッド3をサーチすることに
よって、各電極バッド3の位置認識を行う。そして、こ
の位置認識の際に電極バッド3の基準位置データからの
ずれ量が、θ補正後の半導体ウェハ1を基準としたパッ
ド位置修正データとして記憶部90に記憶される。
次に、サーチすることによって得た電極バッド3の位置
データとCADシステム30から受信した電極バッドの
基準位置データとを照合しく第5図−110) 、パッ
ド位置の確認を行い、この後、図示を省略したプローブ
針と電極バット3とを当接させて、順次チップ2の検査
が実施される(第5図−1ll)。
データとCADシステム30から受信した電極バッドの
基準位置データとを照合しく第5図−110) 、パッ
ド位置の確認を行い、この後、図示を省略したプローブ
針と電極バット3とを当接させて、順次チップ2の検査
が実施される(第5図−1ll)。
このプローブ針と電極バット3との当接は、カードθの
ずれ量8p3定(105)によって得た補正量と、電極
バッド3の位置認識によって得た位置修正データ(10
9)とに基づいて、試料台51の移動量を補正すること
によって、針先と電極バッド3とを位置合せした状態で
実行される。
ずれ量8p3定(105)によって得た補正量と、電極
バッド3の位置認識によって得た位置修正データ(10
9)とに基づいて、試料台51の移動量を補正すること
によって、針先と電極バッド3とを位置合せした状態で
実行される。
このようにして1枚の半導体ウェハ1の検査が終了する
と、検査終了後の半導体ウェハ1はウェハキャリヤ61
に収納され、次の半導体ウェハlがプリアライメント後
に試料台51に移載される。
と、検査終了後の半導体ウェハ1はウェハキャリヤ61
に収納され、次の半導体ウェハlがプリアライメント後
に試料台51に移載される。
次からの半導体ウェハ1に対しては、当初のウェハθ補
正時に記憶した直線状パターンを検出することによって
、同様に半導体ウェハ1のθ補正が行われ、この後、カ
ードθの補正量と電極パッド位置修正データとに基づい
て、プローブ針と電極バット3とが当接されて、順次チ
ップ1の検査が実施される。
正時に記憶した直線状パターンを検出することによって
、同様に半導体ウェハ1のθ補正が行われ、この後、カ
ードθの補正量と電極パッド位置修正データとに基づい
て、プローブ針と電極バット3とが当接されて、順次チ
ップ1の検査が実施される。
以上のようにして10ット分の半導体ウェハ1の検査が
終了し、次ロットの待機状態となる。
終了し、次ロットの待機状態となる。
また、上述した手順によりこの実施例のウエハプローバ
により検査を実施した半導体ウエノ1が再度投入された
場合は、新品種でないと判定された( +02)ところ
で、以下の手順により検査が実施される。
により検査を実施した半導体ウエノ1が再度投入された
場合は、新品種でないと判定された( +02)ところ
で、以下の手順により検査が実施される。
すなわち、プローブカード5の自動セット(104)お
よびθ調整(105) 、データ照合(10B)は、上
述した新品種ウェハの場合と同様に行われる。
よびθ調整(105) 、データ照合(10B)は、上
述した新品種ウェハの場合と同様に行われる。
次いで、半導体ウェハ1がロードされ(107)、θ補
正が行われる(108)。この半導体ウニ/%lのθ補
正は、当初に行われた際の直線状パターンを検出するこ
とによって行われる。
正が行われる(108)。この半導体ウニ/%lのθ補
正は、当初に行われた際の直線状パターンを検出するこ
とによって行われる。
次に、記憶部90に記憶されている電極バッド3の位置
修正データ(θ補正後のウェハ基準)に基づいて、試料
台51の移動量を補正しつつ移動させ、針先と電極バッ
ド3とを位置合せした状態で当接させ、検査が実施され
る。
修正データ(θ補正後のウェハ基準)に基づいて、試料
台51の移動量を補正しつつ移動させ、針先と電極バッ
ド3とを位置合せした状態で当接させ、検査が実施され
る。
このように、再度投入された半導体ウェハについては、
電極バッド3のサーチを行わずに検査を実施することが
可能である。
電極バッド3のサーチを行わずに検査を実施することが
可能である。
このように、この実施例のウエハプローバにおいては、
半導体ウェハ1上に予め各チップ2毎に基準位置マーク
4を設け、CADシステム30からこの基準位置マーク
4に従った各電極バッド3の位置データを受信している
ため、電極パッド3と針先との位置合わせの際に、パッ
ド基準位置データをもとに各電極バッドの位置をサーチ
することが可能となる。そして、実際の電極バッド3の
位置をθ補正後の半導体ウェハ1を基準として求めるこ
とにより、正確に位置合わせした状態でブローブ針と電
極バッド3との当接が行える。
半導体ウェハ1上に予め各チップ2毎に基準位置マーク
4を設け、CADシステム30からこの基準位置マーク
4に従った各電極バッド3の位置データを受信している
ため、電極パッド3と針先との位置合わせの際に、パッ
ド基準位置データをもとに各電極バッドの位置をサーチ
することが可能となる。そして、実際の電極バッド3の
位置をθ補正後の半導体ウェハ1を基準として求めるこ
とにより、正確に位置合わせした状態でブローブ針と電
極バッド3との当接が行える。
また、この位置修正データを記憶しておくことによって
、2枚目以降の半導体ウェハ1、さらには再投入された
半導体ウェハ1に関しては、位置修正データをもとに順
次検査を実施することができる。
、2枚目以降の半導体ウェハ1、さらには再投入された
半導体ウェハ1に関しては、位置修正データをもとに順
次検査を実施することができる。
そして、この実施例のウエハプローバは、他にオートロ
ーダ−ユニット60およびプローブカード自動交換ユニ
ット70を有していることから、全自動化が遠戚される
。
ーダ−ユニット60およびプローブカード自動交換ユニ
ット70を有していることから、全自動化が遠戚される
。
次に、本発明の他の実施例のウエハブローバについて説
明する。
明する。
この実施例のウエハブローバは、前述の実施例と異なり
、CADシステムとの情報通信は行わず、また半導体ウ
ェハの基準位置マークも設けられていない代りに、製造
工程側のホストCPUから少なくともウェハサイズ、チ
ップサイズ、オリフラ位置の受信が可能とされている。
、CADシステムとの情報通信は行わず、また半導体ウ
ェハの基準位置マークも設けられていない代りに、製造
工程側のホストCPUから少なくともウェハサイズ、チ
ップサイズ、オリフラ位置の受信が可能とされている。
そして、電極バッド3の検出の際に、第6図(a)に示
すように、受信したチップサイズ2aによる撮像が可能
なように制御されており、他の構成については前述の実
施例のウエハブローバと同一構成とされている。
すように、受信したチップサイズ2aによる撮像が可能
なように制御されており、他の構成については前述の実
施例のウエハブローバと同一構成とされている。
次に、この実施例のウエノ\プローバの新品種ウェハが
投入された際の動作について、第7図のフローチャート
を参照して以下に説明する。
投入された際の動作について、第7図のフローチャート
を参照して以下に説明する。
まず、前述の実施例と同様に、半導体ウニ/X1上に設
けられたIDがアライメントユニット80によって検出
される(第7図−201)。
けられたIDがアライメントユニット80によって検出
される(第7図−201)。
そして、このIDの検出結果に基づくウェハ品種名やロ
フト番号から投入された半導体ウエノX1が新品種であ
るかどうか判定され(第7図−202)、新品種ウェハ
と判定された際に以下の動作が実行される。
フト番号から投入された半導体ウエノX1が新品種であ
るかどうか判定され(第7図−202)、新品種ウェハ
と判定された際に以下の動作が実行される。
IDの検出結果に基づくウェハ品種名やロフト番号によ
って、図示を省略したホストCPUにウェハパラメータ
をリクエストし、ホストCPUから少なくともウェハサ
イズ、チップサイズ、オリフラ位置等を受信する(第7
図−203)。
って、図示を省略したホストCPUにウェハパラメータ
をリクエストし、ホストCPUから少なくともウェハサ
イズ、チップサイズ、オリフラ位置等を受信する(第7
図−203)。
また、前述の実施例と同様な手順により、プローブカー
ド5の自動セット(第7図−204) 、プローブカー
ド5の自動θ補正(第7図−205)が行われる。ただ
し、このプローブカード5の自動θ補正の際に全針跡の
検出を行い、全針先に関する位置データを記憶部90に
記憶する。
ド5の自動セット(第7図−204) 、プローブカー
ド5の自動θ補正(第7図−205)が行われる。ただ
し、このプローブカード5の自動θ補正の際に全針跡の
検出を行い、全針先に関する位置データを記憶部90に
記憶する。
次に、プリアライメントされた半導体ウェハ1をメイン
ステージ50にロードしく第7図−206)、半導体ウ
ェハ1のθアライメントが行われる(第7図−207)
。このθアライメントの手順は前述の実施例と同様であ
る。
ステージ50にロードしく第7図−206)、半導体ウ
ェハ1のθアライメントが行われる(第7図−207)
。このθアライメントの手順は前述の実施例と同様であ
る。
この後、半導体ウェハ1に形成されたチップ2の電極バ
ッド3の位置認識が行われる。
ッド3の位置認識が行われる。
この電極バッド3の位置認識は、まずチップ2をチップ
サイズ2aによって撮像する。この際に、第6図(a)
に示したように、視野内に 1つのチップ2が収まるよ
うに位置した場合には、例えば左角の電極バッド3から
順に周縁に沿って検出し、各電極バッド3の位置を認識
する。また、第6図(b)に示すように、数個のチップ
2例えば4([1のチップ2を同時に撮像したような場
合においては、各チップ2間の境界を検出し、チップ2
の左角に位置する電極バッド3から順に検出し、全電極
バッド3の位置を検出することによって、全電極バッド
3の位置認識を行う。そして、この位置認識結果を各チ
ップ2間の境界をもとにしてlチップ2としての電極バ
ット3の位置データに換算し、この位置データを記憶部
90に記憶する(第7図−208)。
サイズ2aによって撮像する。この際に、第6図(a)
に示したように、視野内に 1つのチップ2が収まるよ
うに位置した場合には、例えば左角の電極バッド3から
順に周縁に沿って検出し、各電極バッド3の位置を認識
する。また、第6図(b)に示すように、数個のチップ
2例えば4([1のチップ2を同時に撮像したような場
合においては、各チップ2間の境界を検出し、チップ2
の左角に位置する電極バッド3から順に検出し、全電極
バッド3の位置を検出することによって、全電極バッド
3の位置認識を行う。そして、この位置認識結果を各チ
ップ2間の境界をもとにしてlチップ2としての電極バ
ット3の位置データに換算し、この位置データを記憶部
90に記憶する(第7図−208)。
次に、記憶した全針先の位置データと検出した全電極バ
ッド3の位置データとを照合し、受信したウェハパラメ
ータあるいはセットしたプローブカード5に間違いはな
いかどうかを判定する(第7図−209)。
ッド3の位置データとを照合し、受信したウェハパラメ
ータあるいはセットしたプローブカード5に間違いはな
いかどうかを判定する(第7図−209)。
この後、プローブカード5のθ補正時に記憶した全針先
データに基づいて、上記lチップサイズ内でのパッド位
置データの位置ずれ量を算出し、位置修正データとして
記憶部90に記憶する(第7図−21O)。
データに基づいて、上記lチップサイズ内でのパッド位
置データの位置ずれ量を算出し、位置修正データとして
記憶部90に記憶する(第7図−21O)。
そして、カードθのずれJa il$1定(205)に
よって得たh[i正量と、電極バッド3の位置認識によ
って涛た位置修正データ(210)とに基づいて、試料
台51の移動量を補正し、プローブ針と電極パッド3と
を位置合せしつつ当接させ、検査測定を実行し、同様に
位置修正データをもとにして1011分の半導体ウェハ
1の検査を行う。
よって得たh[i正量と、電極バッド3の位置認識によ
って涛た位置修正データ(210)とに基づいて、試料
台51の移動量を補正し、プローブ針と電極パッド3と
を位置合せしつつ当接させ、検査測定を実行し、同様に
位置修正データをもとにして1011分の半導体ウェハ
1の検査を行う。
また、上述した手順によりこの実施例のウエハブローバ
により検査を実施した半導体ウェハが再度投入された場
合は、前述の実施例と同様に、電極パッド3の位置認識
を省き、記憶された基準データをもとにして検査が実施
される。
により検査を実施した半導体ウェハが再度投入された場
合は、前述の実施例と同様に、電極パッド3の位置認識
を省き、記憶された基準データをもとにして検査が実施
される。
このように、この実施例のウエハプローバにおいては、
半導体ウェハ1のチップを1チツプサイズで撮像するよ
うに制御していることから、lチップサイズ内の全電極
パッド3の位置をサーチすることが可能となり、また全
針先の位置データを検出していることから、この針先デ
ータをもとにして電極パッド3の位置認識を行うことが
可能となる。そして、この実施例によれば、CADシス
テムと情報通信を行えないような場合においても、無人
化した状態で正確に位置合わせしつつプローブ針と電極
パッド3との当接が行え、また全自動化が可能となる。
半導体ウェハ1のチップを1チツプサイズで撮像するよ
うに制御していることから、lチップサイズ内の全電極
パッド3の位置をサーチすることが可能となり、また全
針先の位置データを検出していることから、この針先デ
ータをもとにして電極パッド3の位置認識を行うことが
可能となる。そして、この実施例によれば、CADシス
テムと情報通信を行えないような場合においても、無人
化した状態で正確に位置合わせしつつプローブ針と電極
パッド3との当接が行え、また全自動化が可能となる。
なお、上述した実施例においては、本発明の位置合わせ
方法をウエハブローバに適用した例について説明したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばダイ
シング装置やダイボンディング装置等の電極パッド位置
を基準として処理を行う各種装置に適用することが可能
である。
方法をウエハブローバに適用した例について説明したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばダイ
シング装置やダイボンディング装置等の電極パッド位置
を基準として処理を行う各種装置に適用することが可能
である。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、人手に頼ることな
く、無人化した状態で正確な位置合わせを行うことが可
能である。そして、例えば半導体検査装置に適用するこ
とによって、無人化が達成され、生産効率の向上、品質
および歩留の向上が図れる。
く、無人化した状態で正確な位置合わせを行うことが可
能である。そして、例えば半導体検査装置に適用するこ
とによって、無人化が達成され、生産効率の向上、品質
および歩留の向上が図れる。
第1図は本発明の一実施例によるウエハブローバを説明
するための図、第2図<a>お′よび(b)はそのブロ
ーバ本体の一構成例を示す図、第3図は本発明の一実施
例で使用した半導体ウェハを示す図、第4図は本発明の
一実施例で使用したアライメントユニットの一構成例を
示す図、第5図は本発明の一実施例のウエハプローバの
動作手順を示す図、第6図は本発明の他の実施例におけ
る−合わせ時のパッド撮像状態を示す図、第7図は本発
明の他の実施例のウエハプローバの動作手順を示す図で
ある。 1・・・・・・半導体ウェハ、2・・・・・・チップ、
3・・・・・・電極パッド、4・・・・・・基準位置マ
ーク、5・・・・・・プローブカード、10・・・・・
・ブローバ本体、20・・・・・・主制御部、30・・
・・・・CADシステム、50・・・・・・メインステ
ージ、60・・・・・・オートローダユニット、70・
・・・・・プローブカード自動交換ユニット、80・・
・・・・アライメントユニット、90・・・・・・記憶
部。
するための図、第2図<a>お′よび(b)はそのブロ
ーバ本体の一構成例を示す図、第3図は本発明の一実施
例で使用した半導体ウェハを示す図、第4図は本発明の
一実施例で使用したアライメントユニットの一構成例を
示す図、第5図は本発明の一実施例のウエハプローバの
動作手順を示す図、第6図は本発明の他の実施例におけ
る−合わせ時のパッド撮像状態を示す図、第7図は本発
明の他の実施例のウエハプローバの動作手順を示す図で
ある。 1・・・・・・半導体ウェハ、2・・・・・・チップ、
3・・・・・・電極パッド、4・・・・・・基準位置マ
ーク、5・・・・・・プローブカード、10・・・・・
・ブローバ本体、20・・・・・・主制御部、30・・
・・・・CADシステム、50・・・・・・メインステ
ージ、60・・・・・・オートローダユニット、70・
・・・・・プローブカード自動交換ユニット、80・・
・・・・アライメントユニット、90・・・・・・記憶
部。
Claims (6)
- (1)基板に設けられた多数の被処理体の電極端子に対
して処理装置を位置合せするに際し、予め前記基板上に
前記被処理体毎の基準マークを設け、CADシステムか
ら前記基準マークに応じた前記電極端子の位置情報を受
信し、この位置情報に応じて前記電極端子の位置を認識
し、この認識結果に基づいて位置合せを行うことを特徴
とする位置合せ方法。 - (2)基板に設けられた多数の被測定体の電極端子に、
プローブカードに設けられたプローブ針を当接させて検
査を行う装置において、 前記基板上に設けられた被測定体毎の基準マーク位置に
応じた前記電極端子の位置情報をCADシステムから受
信する手段と、 前記基準位置マークの位置を検知し、この基準位置マー
クから前記電極端子の位置情報に基づいて前記電極端子
の位置を認識する手段と、 この認識結果に基づいて前記電極端子の前記プローブ針
への当接を制御する手段と を有することを特徴とする検査装置。 - (3)請求項2記載の検査装置において、 複数のプローブカードの中から被測定体に応じたプロー
ブカードを選択取出すると共に、検査装置本体に装着す
るカード自動交換手段と、 接続されたプローブカードのプローブ針位置を検出し、
前記プローブカードのθ位置を補正するカード補正手段
と を有することを特徴とする検査装置。 - (4)基板に設けられた多数の被処理体の電極端子に対
して処理装置を位置合せするに際し、前記被処理体と同
一面積の領域内で前記電極端子を検知して各電極端子の
位置を認識し、この認識結果に基づいて位置合せを行う
ことを特徴とする位置合せ方法。 - (5)基板に設けられた多数の被測定体の電極端子に、
プローブカードに設けられたプローブ針を当接させて検
査を行う装置において、 前記被処理体と同一面積の領域内で前記電極端子を検知
して各電極端子の位置を認識する手段と、この認識結果
に基づいて前記電極端子の前記プローブ針への当接位置
を制御する手段と を有することを特徴とする検査装置。 - (6)請求項5記載の検査装置において、 複数のプローブカードの中から被測定体に応じたプロー
ブカードを選択取出すると共に、検査装置本体に接続す
るカード自動交換手段と、 接続されたプローブカードのプローブ針位置を検出し、
前記プローブカードのθ位置を補正するカード補正手段
と を有することを特徴とする検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1222139A JPH0384945A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 位置合せ方法およびそれを用いた検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1222139A JPH0384945A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 位置合せ方法およびそれを用いた検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0384945A true JPH0384945A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16777787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1222139A Pending JPH0384945A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 位置合せ方法およびそれを用いた検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0384945A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161787A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその特性測定方法 |
JPH08262114A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Hioki Ee Corp | 回路基板検査装置におけるプローブの移動制御方法 |
JPH09148387A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-06-06 | Nec Corp | 半導体製品の処理装置 |
JP2007095993A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Micronics Japan Co Ltd | プローブの針先と被検査体の電極との位置合わせ方法 |
JP2007200934A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fujitsu Ltd | プローブカードのプローブ針の針跡評価方法 |
JP2009133806A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | King Yuan Electronics Co Ltd | プローブカード校正設備 |
KR20140031538A (ko) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 검사장치 및 검사방법과 이를 사용한 표시장치 제조방법 |
KR20140098482A (ko) * | 2013-01-31 | 2014-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 영상 표시장치의 검사 시스템 및 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62219940A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ワ−クステ−シヨンテスタ− |
JPS6351651A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | Tokyo Electron Ltd | ウエハプロ−バのウエハ自動位置合わせ方法 |
JPS63179267A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Tokyo Electron Ltd | 多品種測定装置 |
JPS6486530A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Canon Kk | Prober |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1222139A patent/JPH0384945A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62219940A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ワ−クステ−シヨンテスタ− |
JPS6351651A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | Tokyo Electron Ltd | ウエハプロ−バのウエハ自動位置合わせ方法 |
JPS63179267A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Tokyo Electron Ltd | 多品種測定装置 |
JPS6486530A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Canon Kk | Prober |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161787A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその特性測定方法 |
JPH08262114A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Hioki Ee Corp | 回路基板検査装置におけるプローブの移動制御方法 |
JPH09148387A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-06-06 | Nec Corp | 半導体製品の処理装置 |
JP2007095993A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Micronics Japan Co Ltd | プローブの針先と被検査体の電極との位置合わせ方法 |
JP2007200934A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fujitsu Ltd | プローブカードのプローブ針の針跡評価方法 |
JP2009133806A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | King Yuan Electronics Co Ltd | プローブカード校正設備 |
KR20140031538A (ko) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 검사장치 및 검사방법과 이를 사용한 표시장치 제조방법 |
KR20140098482A (ko) * | 2013-01-31 | 2014-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 영상 표시장치의 검사 시스템 및 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2963603B2 (ja) | プローブ装置のアライメント方法 | |
US7724007B2 (en) | Probe apparatus and probing method | |
US5274575A (en) | Method of probing test | |
US20200379012A1 (en) | Contact accuracy assurance method, contact accuracy assurance mechanism, and inspection device | |
JP2008053624A (ja) | アライメント装置 | |
US8327525B2 (en) | Magnetic head slider testing method | |
JPH07147304A (ja) | オートセットアップ式プローブ検査方法 | |
US7977957B2 (en) | Method and apparatus for electrical testing of a unit under test, as well as a method for production of a contact-making apparatus which is used for testing | |
JPH0384945A (ja) | 位置合せ方法およびそれを用いた検査装置 | |
JPH09138256A (ja) | 被検査基板のアライメント方法 | |
US4966520A (en) | Method of positioning objects to be measured | |
JPH05198662A (ja) | プローブ装置及び同装置におけるアライメント方法 | |
US20050099196A1 (en) | Semiconductor inspection device based on use of probe information, and semiconductor inspection method | |
JP4156968B2 (ja) | プローブ装置及びアライメント方法 | |
JPS6351651A (ja) | ウエハプロ−バのウエハ自動位置合わせ方法 | |
JP2913609B2 (ja) | プロービング装置、プロービング方法およびプローブカード | |
US5642432A (en) | Probe device | |
JPH08327658A (ja) | 基板検査装置 | |
JP3202577B2 (ja) | プローブ方法 | |
JPH02224260A (ja) | 位置合わせ方法 | |
JPH0290A (ja) | 液晶表示体プローブ装置及び液晶表示体の位置合わせ方法 | |
JP2661872B2 (ja) | プローブ装置及びプロービング方法 | |
JPS6216018B2 (ja) | ||
JPH0750730B2 (ja) | プロ−ブ装置 | |
JPH03142848A (ja) | 位置合わせ方法 |