JPH0380225A - アクティブマトリックス基板 - Google Patents
アクティブマトリックス基板Info
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- JPH0380225A JPH0380225A JP1216481A JP21648189A JPH0380225A JP H0380225 A JPH0380225 A JP H0380225A JP 1216481 A JP1216481 A JP 1216481A JP 21648189 A JP21648189 A JP 21648189A JP H0380225 A JPH0380225 A JP H0380225A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、液晶パネルといった7ラクトパネルデイスプ
レイに用いるアクティブマトリックス基板の構造に関す
る。
レイに用いるアクティブマトリックス基板の構造に関す
る。
[従来の技術]
絶縁性基板上にアテル7アスシリコン、多結晶シリコン
薄膜等を能動領域として用いた薄膜トランジスターをマ
トリックス状に配置し、もう−枚の透明絶縁基板とで液
晶を封じ込めた液晶パネルは、小型液晶テレビ、壁掛は
テレビ、投影型液晶デイスプレ′イ等応用が広い。
薄膜等を能動領域として用いた薄膜トランジスターをマ
トリックス状に配置し、もう−枚の透明絶縁基板とで液
晶を封じ込めた液晶パネルは、小型液晶テレビ、壁掛は
テレビ、投影型液晶デイスプレ′イ等応用が広い。
第3図は、前記液晶パネルのアクティブマトリックス基
板の等価回路である。1はπ本のデータ線群(S、・・
・・・・・・・Sn)、2は風上の走査線群(G1・・
・・・・・・・G喝)、3は躊×ル個の薄膜トランジス
ター 5は液晶容量、4は付加容量である。O印は、対
向基板の電極端子であり共通に短絡されている、第4図
は、液晶パネルの概略断面図である。
板の等価回路である。1はπ本のデータ線群(S、・・
・・・・・・・Sn)、2は風上の走査線群(G1・・
・・・・・・・G喝)、3は躊×ル個の薄膜トランジス
ター 5は液晶容量、4は付加容量である。O印は、対
向基板の電極端子であり共通に短絡されている、第4図
は、液晶パネルの概略断面図である。
6.は、絶縁性基板からなるアクティブマトリックス基
板、7は透明画素電極、8は絶縁性対向基板、9は透明
対向電極、10は、薄膜トランジスターの光リーク電流
及び、画素電極間のもれ光を遮断する遮光膜、11は、
液晶、12はシール剤13は下偏光板、14は上偏光板
である。
板、7は透明画素電極、8は絶縁性対向基板、9は透明
対向電極、10は、薄膜トランジスターの光リーク電流
及び、画素電極間のもれ光を遮断する遮光膜、11は、
液晶、12はシール剤13は下偏光板、14は上偏光板
である。
第5図(α)は、第3図の等価回路の中の一画素の構造
を示す平面図、<b>は、(α)内のα−α′断面図で
ある。
を示す平面図、<b>は、(α)内のα−α′断面図で
ある。
透明絶縁性基板6上に、アモルファスシリコン、多結晶
シリコン薄膜15を堆積し、パターニングして能動領域
とする。次にゲート絶縁[16をOVD法で堆積するか
、シリコン薄膜を酸化して形成したあと、ゲート電極、
ゲート配置s(走査線)17となる多結晶シリコン薄膜
や、金属薄膜を堆積し、パターニングする。次に、別の
導電薄膜を堆積しパターニングして、定電圧共通線18
とする。定電圧共通線18は、ゲート線17と同一材料
とすることもできるが、画素中央を横切ることが多く、
画素電極の開口率を低下させる原因となるため、透明導
電膜とする場合が多い。
シリコン薄膜15を堆積し、パターニングして能動領域
とする。次にゲート絶縁[16をOVD法で堆積するか
、シリコン薄膜を酸化して形成したあと、ゲート電極、
ゲート配置s(走査線)17となる多結晶シリコン薄膜
や、金属薄膜を堆積し、パターニングする。次に、別の
導電薄膜を堆積しパターニングして、定電圧共通線18
とする。定電圧共通線18は、ゲート線17と同一材料
とすることもできるが、画素中央を横切ることが多く、
画素電極の開口率を低下させる原因となるため、透明導
電膜とする場合が多い。
次に、ゲート電極17をマスクにして、N型薄膜トラン
ジスターをつくるならリン原子、p型薄膜トランジスタ
ーをつくるならボロン原子をイオン打込みして、ソース
・ドレイン領域を形成する。適度なアニールの後、層間
絶縁膜19を堆積しソース・ドレイン領域上にコンタク
トホごルを開口した後、透明導電膜を堆積しパターニン
グして、透明画素電極20を形成する。次に、金属材料
を堆積しパターニングして、ソース線(データ線)21
とする。第3図中の付加容量4は、透明画素電極20と
J定電圧共通線18の間の層間絶縁膜19によりつくり
こまれている。
ジスターをつくるならリン原子、p型薄膜トランジスタ
ーをつくるならボロン原子をイオン打込みして、ソース
・ドレイン領域を形成する。適度なアニールの後、層間
絶縁膜19を堆積しソース・ドレイン領域上にコンタク
トホごルを開口した後、透明導電膜を堆積しパターニン
グして、透明画素電極20を形成する。次に、金属材料
を堆積しパターニングして、ソース線(データ線)21
とする。第3図中の付加容量4は、透明画素電極20と
J定電圧共通線18の間の層間絶縁膜19によりつくり
こまれている。
破線22に囲まれている部分が、対向基板上の開口部で
あり、ソース線21.ゲート線17上の領域は遮光膜1
0となる。
あり、ソース線21.ゲート線17上の領域は遮光膜1
0となる。
[発明が解決しようとする課題]
前述したように、定電圧共通線18は、開口率を高める
上で、透明な方が望ましく、透明導電膜は低融点材料が
多いことから層間絶縁膜19としては低温形成できる材
料、すなわち、OVD膜やスパッタ膜の必要がある。通
常、この種の膜はゴミ、フレークが発生しやすいため、
ピンホールによって画素電極20と定電圧共通線が短絡
することが多く不良点欠陥が多発する。付加容量は大き
い方が好ましく、この場合、眉間絶縁膜の膜厚を減少す
ることは困難なため、電極面積を増大するさせるわけで
あるが、点欠陥の発生率は、さらに増加する。
上で、透明な方が望ましく、透明導電膜は低融点材料が
多いことから層間絶縁膜19としては低温形成できる材
料、すなわち、OVD膜やスパッタ膜の必要がある。通
常、この種の膜はゴミ、フレークが発生しやすいため、
ピンホールによって画素電極20と定電圧共通線が短絡
することが多く不良点欠陥が多発する。付加容量は大き
い方が好ましく、この場合、眉間絶縁膜の膜厚を減少す
ることは困難なため、電極面積を増大するさせるわけで
あるが、点欠陥の発生率は、さらに増加する。
この点欠陥の発生をおさえるには、容量をつくる絶縁膜
をピンホールの少ない熱酸化膜にする方法がある。第6
図は付加容量を熱酸化ゲート絶縁膜によってつくる方法
を示したもので、(α)は平面図、(b)は(α)内の
α−α′断面図である。具体的には、付加容量は、定電
圧共通線18と、薄膜トランジスターのドレイン電極の
延長電極との間のゲート絶縁膜容量と画素電極20と定
電圧共通線18との間の層間絶縁膜容量とで構成される
が、絶縁膜厚の関係から、前者の容量が大部分を占める
。したがって、第5図に比べ、付加容量を同程度つくる
場合、電極面積を1桁近く小さくできるため、面積、膜
質からピンホールによる点欠陥は、著しく減少する。
をピンホールの少ない熱酸化膜にする方法がある。第6
図は付加容量を熱酸化ゲート絶縁膜によってつくる方法
を示したもので、(α)は平面図、(b)は(α)内の
α−α′断面図である。具体的には、付加容量は、定電
圧共通線18と、薄膜トランジスターのドレイン電極の
延長電極との間のゲート絶縁膜容量と画素電極20と定
電圧共通線18との間の層間絶縁膜容量とで構成される
が、絶縁膜厚の関係から、前者の容量が大部分を占める
。したがって、第5図に比べ、付加容量を同程度つくる
場合、電極面積を1桁近く小さくできるため、面積、膜
質からピンホールによる点欠陥は、著しく減少する。
しかし、定電圧共通線18の材料を透明材料としても、
ドレイン領域が半透明な半導体薄膜なので透過率が低下
し、開口率の低下の原因となる。
ドレイン領域が半透明な半導体薄膜なので透過率が低下
し、開口率の低下の原因となる。
定電圧共通線18をゲート線17に近接させれば、開口
率は向上できるが、2つの配線間距離Wは、長い平行配
線では、短絡する可能性が強いため、限界があり、画素
中央部を通ることは避けづらい。
率は向上できるが、2つの配線間距離Wは、長い平行配
線では、短絡する可能性が強いため、限界があり、画素
中央部を通ることは避けづらい。
特に、高密度の画素ピッチになると、開口率にしめる、
定電圧共通線の面積の比率が高くなり、開口率の低下は
著しい。具体的に、画素ピッチが縦50μm、横50μ
mぐらいの高密度パネルでは、開口率は十分な付加容量
(液晶容量の3〜5倍程度)をつくる場合、20%程度
になり、パネル全体は遮光領域が大半をしめるため暗っ
ぽい表示に々る。
定電圧共通線の面積の比率が高くなり、開口率の低下は
著しい。具体的に、画素ピッチが縦50μm、横50μ
mぐらいの高密度パネルでは、開口率は十分な付加容量
(液晶容量の3〜5倍程度)をつくる場合、20%程度
になり、パネル全体は遮光領域が大半をしめるため暗っ
ぽい表示に々る。
本発明の目的は、高密度パネルにおいても、十分な付加
容量をつくり、かつ開口率の高いパネルが実現できるア
クティブマトリックス基板を提供することにある。
容量をつくり、かつ開口率の高いパネルが実現できるア
クティブマトリックス基板を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明のアクティブマトリックス基板は、絶縁性基板上
に平行配置したデータ線群からなる第1の配線層と該デ
ータ線群と直交する走査線群からなる第2の配線層と、
該配線群の交点には、データ線にソース電極、走査線に
ゲート電極、透明画素電極上にドレイン電極が連結する
薄膜トランジスターと、該ドレイン電極と連結する電極
と誘電体膜を隔てて対向する定電圧共通線群からなる第
3の配線層とから構成されるアクティブマトリックス基
板において、第1の配線層または第2の配線層と、第3
の配線層が近接または重畳し、前記配線層間に第1の絶
縁膜、薄膜トランジスターの半導体膜、第2の絶縁膜が
はさまれていることを特徴とする。
に平行配置したデータ線群からなる第1の配線層と該デ
ータ線群と直交する走査線群からなる第2の配線層と、
該配線群の交点には、データ線にソース電極、走査線に
ゲート電極、透明画素電極上にドレイン電極が連結する
薄膜トランジスターと、該ドレイン電極と連結する電極
と誘電体膜を隔てて対向する定電圧共通線群からなる第
3の配線層とから構成されるアクティブマトリックス基
板において、第1の配線層または第2の配線層と、第3
の配線層が近接または重畳し、前記配線層間に第1の絶
縁膜、薄膜トランジスターの半導体膜、第2の絶縁膜が
はさまれていることを特徴とする。
[作用]
本発明は、開口率を上げるために、定電圧共通線を、ソ
ース線やゲート線や薄膜トランジスターを遮光する遮光
領域に配置“した。そのために、ソース線や、ゲート線
と短絡しないように多層配線とした。具体的には、定電
圧共通線上には、第1の絶縁膜、薄膜トランジスターの
半導体膜、第2の絶縁膜が形成され、その上に、ゲート
線あるいは、ソース線が配線されている。
ース線やゲート線や薄膜トランジスターを遮光する遮光
領域に配置“した。そのために、ソース線や、ゲート線
と短絡しないように多層配線とした。具体的には、定電
圧共通線上には、第1の絶縁膜、薄膜トランジスターの
半導体膜、第2の絶縁膜が形成され、その上に、ゲート
線あるいは、ソース線が配線されている。
第1の絶縁膜、第2の絶縁膜は、それぞれ、定電圧共通
線、半導体薄膜の熱酸化膜とすれば、ピンボールの少な
い絶縁膜となり1点欠陥の少ない高密度パネルが実現で
きる。
線、半導体薄膜の熱酸化膜とすれば、ピンボールの少な
い絶縁膜となり1点欠陥の少ない高密度パネルが実現で
きる。
[実施例コ
第1図は、本発明の第1の実施例を示すもので定電圧共
通線を、ソース線と近接あるいは、重畳させた構造の場
合である。′(α)は、構造の平面図であり、<b>、
<c)は、(α)内のα−α′、b−bt断面図である
。
通線を、ソース線と近接あるいは、重畳させた構造の場
合である。′(α)は、構造の平面図であり、<b>、
<c)は、(α)内のα−α′、b−bt断面図である
。
工程順に説明すれば、絶縁性基板6上に、導電膜を堆積
し、パター ニングして定電圧共通線18とする。導電
膜は、金属でもよいし、高濃度不純物が添加された多結
晶シリコン薄膜でもよい。次に絶縁膜25を堆積する。
し、パター ニングして定電圧共通線18とする。導電
膜は、金属でもよいし、高濃度不純物が添加された多結
晶シリコン薄膜でもよい。次に絶縁膜25を堆積する。
絶縁膜は、OVD法、スパッタ法等によるS i O!
膜か、熱酸化法による定電圧共通線の酸化膜でもよい。
膜か、熱酸化法による定電圧共通線の酸化膜でもよい。
次に多結晶シリコン薄膜、アモルファスシリコン薄膜等
の半導体薄膜15を堆積しパターニングして、能動領域
を形成する。
の半導体薄膜15を堆積しパターニングして、能動領域
を形成する。
付加容量は、絶縁膜23の膜厚、膜質、容量を構成する
半導体薄膜15と定電圧共通線18の電極面積に依存す
る。熱酸化法によって構成された絶縁膜は、ピンホール
も少なく、均一たため、膜厚もうすくでき、電極面積も
小さくできる長所をもつ。
半導体薄膜15と定電圧共通線18の電極面積に依存す
る。熱酸化法によって構成された絶縁膜は、ピンホール
も少なく、均一たため、膜厚もうすくでき、電極面積も
小さくできる長所をもつ。
次に、半導体薄膜15を熱酸化するか、同様なOvD法
によりゲート絶縁膜16を形成し、つづいて、高ドーピ
ング多結晶シリコン薄膜あるいは金属薄膜を堆積し、パ
ターニングして、ゲート電極、ゲー)1si 7を形成
する。次に、前記ゲート電極をマスクにして、M型薄膜
トランジスターであれば、リン原子、P型薄膜トランジ
スターであれば、ボロン原子をイオン打込みした後、ア
ニールして、ソースドレイン領域24.25を形成する
。
によりゲート絶縁膜16を形成し、つづいて、高ドーピ
ング多結晶シリコン薄膜あるいは金属薄膜を堆積し、パ
ターニングして、ゲート電極、ゲー)1si 7を形成
する。次に、前記ゲート電極をマスクにして、M型薄膜
トランジスターであれば、リン原子、P型薄膜トランジ
スターであれば、ボロン原子をイオン打込みした後、ア
ニールして、ソースドレイン領域24.25を形成する
。
次に、OVD法により層間絶縁膜19を堆積しコンタク
トホールを開口する。透明導電膜を堆積しパターニング
して透明画素電極20.金属薄膜を堆積して、パターニ
ングによりソース線21を形成する。
トホールを開口する。透明導電膜を堆積しパターニング
して透明画素電極20.金属薄膜を堆積して、パターニ
ングによりソース線21を形成する。
定電圧共通線は、共通線上に、チャンネルシリコン薄膜
が形成されているときはチャンネル反転がおこらないよ
うに、接地電位にしておくのが好ましい。また、定電圧
共通線上からチャンネル領域をずらしておけば、定電圧
のレベルは自由に変えることができる。定電圧共通線、
は、ソース線から少々ずれてもかまわないがずれ量によ
り、遮光領域が増加し、破線22が画素電極の内側にく
るため開口率は、少々低下する。
が形成されているときはチャンネル反転がおこらないよ
うに、接地電位にしておくのが好ましい。また、定電圧
共通線上からチャンネル領域をずらしておけば、定電圧
のレベルは自由に変えることができる。定電圧共通線、
は、ソース線から少々ずれてもかまわないがずれ量によ
り、遮光領域が増加し、破線22が画素電極の内側にく
るため開口率は、少々低下する。
第2図は、本発明の第2の実施例を示すもので定電圧共
通線を、ゲート線と近接あるいは、重畳させた構造の場
合である。(α)は、構造の平面図であり、(b)、(
C)は、・α−α/、44/断面図である。
通線を、ゲート線と近接あるいは、重畳させた構造の場
合である。(α)は、構造の平面図であり、(b)、(
C)は、・α−α/、44/断面図である。
プロセスは、第1図のものと同じなので省略する。第6
図と比較すると、定電圧共通線と、ゲート線が多層配置
になっているため、定電圧共通線とゲート線の間隔をな
くすことが可能である。
図と比較すると、定電圧共通線と、ゲート線が多層配置
になっているため、定電圧共通線とゲート線の間隔をな
くすことが可能である。
したがって、第6図に比べれば、透過率と開口率を向上
できる。
できる。
[発明の効果コ
本発明によれば、定電圧共通線と、ソース線あるいは、
ゲート線と近接あるいは、重畳構造にすることで、画素
の開口率を向上することができるこれは、高密度画素を
もつパネル(例えば、ビデオプロジェクタ−のライトパ
ルプ)のような場合には一層効果がある。
ゲート線と近接あるいは、重畳構造にすることで、画素
の開口率を向上することができるこれは、高密度画素を
もつパネル(例えば、ビデオプロジェクタ−のライトパ
ルプ)のような場合には一層効果がある。
また、付加容量の絶縁膜を熱酸化膜にした場合ピンホー
ルが少なく、点欠陥の少ないパネルが実現でき歩留りが
向上、コストダウンにつながる。
ルが少なく、点欠陥の少ないパネルが実現でき歩留りが
向上、コストダウンにつながる。
第1図、第2図は、本発明の実施例を示す、アクティブ
マトリックス基板の平面図と断面図である。 第3図は、アクティブマトリックス基板の基本回路図で
ある。 第4図は、アクティブマトリックス基板を用いた液晶パ
ネルの構造断面図である。 第5図、第6図は、従来のアクティブマトリックス基板
の平面図と断面図である。 1・・・・・・・・・ソース線(データ線)2・・・・
・・・・・ゲー)M(走査a>3・・・・・・・・・薄
膜トランジスター4・・・・・・・・・付加容量 5・・・・・・・・・液晶容量 6・・・・・・・・・絶縁性基板 7・・・・・・・・・画素電極 8・・・・・・・・・対向基板 9・・・・・・・・・対向電極 0・・・・・・・・・遮光層 1・・・・・・・・・液 晶 2・・・・・・・・・シール剤 3・・・・・・・・・下偏光板 4・・・・・・・・・上偏光板 5・・・・・・・・・半導体薄膜 6・・・・・・・・・ゲート絶縁膜 7・・・・・・・・・ゲート線(ゲート電極)8・・・
・・・・・・定電圧共通線 9・・・・・・・・・層間絶縁膜 0・・・・・・・・・画素電極 1・・・・・・・・・ソース線 2・・・・・・・・・対向基板の開口領域と遮光領域の
境界 3・・・・・・・・・付加容量絶縁膜 4・・・・・・・・・V−X領m 25 ・・・・・・・・・ ドレイン領域 以 上
マトリックス基板の平面図と断面図である。 第3図は、アクティブマトリックス基板の基本回路図で
ある。 第4図は、アクティブマトリックス基板を用いた液晶パ
ネルの構造断面図である。 第5図、第6図は、従来のアクティブマトリックス基板
の平面図と断面図である。 1・・・・・・・・・ソース線(データ線)2・・・・
・・・・・ゲー)M(走査a>3・・・・・・・・・薄
膜トランジスター4・・・・・・・・・付加容量 5・・・・・・・・・液晶容量 6・・・・・・・・・絶縁性基板 7・・・・・・・・・画素電極 8・・・・・・・・・対向基板 9・・・・・・・・・対向電極 0・・・・・・・・・遮光層 1・・・・・・・・・液 晶 2・・・・・・・・・シール剤 3・・・・・・・・・下偏光板 4・・・・・・・・・上偏光板 5・・・・・・・・・半導体薄膜 6・・・・・・・・・ゲート絶縁膜 7・・・・・・・・・ゲート線(ゲート電極)8・・・
・・・・・・定電圧共通線 9・・・・・・・・・層間絶縁膜 0・・・・・・・・・画素電極 1・・・・・・・・・ソース線 2・・・・・・・・・対向基板の開口領域と遮光領域の
境界 3・・・・・・・・・付加容量絶縁膜 4・・・・・・・・・V−X領m 25 ・・・・・・・・・ ドレイン領域 以 上
Claims (1)
- 絶縁性基板上に平行配置したデータ線群からなる第4
の配線層と、前記データ線群と直交する走査線群からな
る第2の配線層と、該配線群の交点には、データ線にソ
ース電極、走査線にゲート電極、透明画素電極にドレイ
ン電極が連結する薄膜トランジスターと、該ドレイン電
極と連結する電極と誘電体膜を隔てて対向する定電圧共
通線群からなる第3の配線層とから構成されるアクティ
ブマトリックス基板において、第1の配線層または第2
の配線層と、第3の配線層が近接または重畳し、前記配
線層間に第1の絶縁膜、薄膜トランジスターの半導体薄
膜、第2の絶縁膜がはさまれていることを特徴とするア
クティブマトリックス基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21648189A JP2906470B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | アクティブマトリックス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
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