JPH0380187A - Control system for semiconductor vapor growth device - Google Patents
Control system for semiconductor vapor growth deviceInfo
- Publication number
- JPH0380187A JPH0380187A JP21650589A JP21650589A JPH0380187A JP H0380187 A JPH0380187 A JP H0380187A JP 21650589 A JP21650589 A JP 21650589A JP 21650589 A JP21650589 A JP 21650589A JP H0380187 A JPH0380187 A JP H0380187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recipe
- section
- program
- contents
- execution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 102000052567 Anaphase-Promoting Complex-Cyclosome Apc1 Subunit Human genes 0.000 description 1
- 108091006463 SLC25A24 Proteins 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体気相成長装置の制御方式に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a control method for a semiconductor vapor phase growth apparatus.
従来の半導体気相成長装置のプロセス制御方式としては
、例えば特公昭６３−２８４９５号公報に示されている
ように、各シーケンスプロセスに対応してプロセス制御
情報（たとえばシーケンス実行時間、バルブの開閉状態
、ガスの流量、炉内温度や圧力等）を各シーケンスのプ
ロセス制御情報として実行順に並べて１つのプロセスプ
ログラム群（本発明ではレシピソースプログラムと記し
ている）を作成し、実行時には、前記プロセスプログラ
ム群を読み出して実行形成のシーケンス命令にデコード
して成長プロセスを実行していた。As shown in Japanese Patent Publication No. 63-28495, a conventional process control method for a semiconductor vapor phase growth apparatus includes process control information (e.g., sequence execution time, valve opening/closing status, etc.) corresponding to each sequence process. , gas flow rate, furnace temperature, pressure, etc.) are arranged in the order of execution as process control information for each sequence to create one process program group (referred to as a recipe source program in the present invention), and when executed, the process program The growth process was executed by reading out the group and decoding it into sequence instructions for execution formation.
上述した従来の半導体気相成長装置のプロセス制御方式
は、成長プロセスに係るレシピプログラムの作成とレシ
ピプログラムの実行を同一のコンピュータ内で処理して
いたため、レシピプログラムの実行中にレシピプログラ
ムの作成ができない上、レシピプログラムの作成も容易
でなかった。In the process control method of the conventional semiconductor vapor phase growth apparatus described above, the creation of a recipe program related to the growth process and the execution of the recipe program were processed in the same computer, so the recipe program could be created while the recipe program was being executed. Moreover, it was not easy to create a recipe program.
さらにレシピプログラム（レシピソースプログラム）を
実行形式に変換しなからレシピプログラムを実行してい
たので制御処理速度が遅いという欠点があった。Furthermore, since the recipe program (recipe source program) is executed without converting it into an executable format, there is a drawback that the control processing speed is slow.
本発明の半導体気相成長装置の制御方式は、半導体気相
成長に係るプロセスを構成する各ステップの実行時間と
、各ステップにおける複数のガスの流れを制御し、反応
炉に導く管路網上に設けたバルブ群の開閉状態および流
量設定器群の流量値と、前記反応炉内に流出入する複数
のガスの圧力を制御する圧力設定器群の圧力設定値と前
記反応炉内の温度を制御するヒータの温度値とを各ステ
ップのプロセス制御情報として第一のコンピュタ部に登
録する手段と、前記各ステップのプロセス制御情報と前
記圧力設定器群のオン・オフ状態と前記ヒータのオン・
オフ状態と各ステップの流れを制御するシーケンス制御
情報とをステップ内容として記述する手段と、前記ステ
ップ内容を、実行順に組み合わせてマクロ内容として記
述する手段と、前記ステップ内容及びマクロ内容を実行
順に並べてレシピソースプログラムを作成する手段と、
前記レシピソースプログラムを実行形式に変換し、レシ
ピオブジェクトプログラムを生皮する手段と、前記レシ
ピオブジェクトプログラムを第一のコンピュータ部及び
第２のコンピュータ部に接続された双方向メモリに格納
する手段と、第２のコンピュータ部が双方向メモリ部に
格納されたレシピオブジェクトプログラムを読み出して
半導体気相成長に係るプロセスを実行する手段とを含ん
で構成される。The control method of the semiconductor vapor phase growth apparatus of the present invention controls the execution time of each step constituting the process related to semiconductor vapor phase growth and the flow of a plurality of gases in each step, and controls the flow of a plurality of gases in the pipeline network leading to the reactor. the opening/closing status of a group of valves provided in the reactor, the flow rate value of a group of flow rate setting devices, the pressure setting value of a group of pressure setting devices that control the pressure of a plurality of gases flowing in and out of the reactor, and the temperature inside the reactor. means for registering a temperature value of a heater to be controlled in a first computer section as process control information for each step;
means for describing an off state and sequence control information for controlling the flow of each step as step contents; means for combining the step contents in execution order and writing them as macro contents; and arranging the step contents and macro contents in execution order. a means for creating a recipe source program;
means for converting the recipe source program into an executable format and converting the recipe object program into an executable format; means for storing the recipe object program in a bidirectional memory connected to a first computer section and a second computer section; The second computer section is configured to include means for reading out a recipe object program stored in a bidirectional memory section and executing a process related to semiconductor vapor phase growth.
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.
マスクＣＰＵ部１０には、コマンドやデータを入力する
キーボード２１デークの表示やプログラム表示等を行う
ＣＲＴ２２． レシピプログラムやシステムを制御する
プログラムを格納する外部メモリ２３．スレーブＣＰＵ
４０とデータの交換を行う双方向メモリ３０とが接続さ
れている。The mask CPU unit 10 includes a keyboard 21 for inputting commands and data, a CRT 22 for displaying programs, and the like. External memory 23 that stores recipe programs and programs that control the system. slave CPU
40 and a bidirectional memory 30 for exchanging data are connected.
スレーブＣＰＵ４０にはシーケンスの実行制御ヤフロセ
スの状態表示を行うコンソール５１．す一
セプタの供給・取出しを行うロード・ロック部５２、反
応炉８０に導く複数のガスの流れを制御するガスミキザ
部６０２反応炉８０内の温度を制御するヒータ７０が接
続されている。The slave CPU 40 has a console 51 that displays the status of the sequence execution control yaphrocess. A load/lock section 52 for supplying and taking out the gas septa, a gas mixer section 602 for controlling the flow of a plurality of gases led to the reactor 80, and a heater 70 for controlling the temperature inside the reactor 80 are connected.
マスタＣＰＵｌ０にはシステム全体を制御するメインプ
ログラム１１．各ステップの制御情報を記述するステッ
プ内容記述部１２．ステップ内容を実行順に組合わせる
マクロ記述部１３．ステップ内容とマクロ記述を実行順
に組み合わせてレシピソースプログラムを作成するレシ
ピプログラム作成部１４．レシピソースプログラムを実
行形式に変換してレシピプログラムを作成するコンパイ
ル部１５．レシピオブジェクトプログラムの実行を制御
するオンライン実行部１６で構成されている。The master CPU 10 has a main program 11. which controls the entire system. Step content description section 12 that describes control information for each step. Macro description section 13 that combines step contents in execution order. Recipe program creation unit 14 that creates a recipe source program by combining step contents and macro descriptions in the order of execution. A compiling unit 15 that converts the recipe source program into an executable format and creates a recipe program. It consists of an online execution section 16 that controls execution of the recipe object program.
スレーブＣＰＵ部４０はスレーブＣＰＵ全体の動作モー
ドを制御するモードプログラム４１． レシピオブジ
ェクトフログラムを双方向メモリより読み出して実行す
るレシピ実行処理部４２．バルブの状態やガスの流量表
示を行うプロセス状態表承部４３で構成される。The slave CPU section 40 has a mode program 41. which controls the operation mode of the slave CPU as a whole. Recipe execution processing unit 42 that reads the recipe object program from the bidirectional memory and executes it. It is comprised of a process status display section 43 that displays valve status and gas flow rate.
第２図（ａ）〜（Ｃ）は双方向メモリ３０の内容につい
て示したものである。FIGS. 2(a) to 2(C) show the contents of the bidirectional memory 30.
第２図（ａ）は全体の構成を示し、相互通信エリア、プ
ロセス状態テーブル、シーケンステーブル及びステップ
内容テーブルで構成される。FIG. 2(a) shows the overall configuration, which is composed of an intercommunication area, a process status table, a sequence table, and a step content table.
第２図（ｂ）はシーケンステーブルの構成を示し、各ス
テップの実行内容が、シーケンスの順に並べられている
。FIG. 2(b) shows the structure of the sequence table, in which the execution contents of each step are arranged in the order of the sequence.
第２図（ｃ）は各ステップの構成を示し各ステップはコ
マンド内容、ステップ内容テーブル番号及びステップ時
間で構成されている。FIG. 2(c) shows the configuration of each step, and each step is composed of command content, step content table number, and step time.
第３図（ａ）はコマンド内容の一覧表を示し、第３図（
ｂ）は１つのステップ内容テーブル番号の示すステップ
内容をし、各ステップ内容は第２図（ａ）のステップ内
容テーブルに格納されている。Figure 3(a) shows a list of command contents, and Figure 3(a) shows a list of command contents.
b) shows the step contents indicated by one step contents table number, and the contents of each step are stored in the step contents table of FIG. 2(a).
又第４図（ａ）はステップ内容記述部１２で作成したス
テップ内容記述の例であり、第４図（ｂ）はステップ内
容記述を組み合わせて作ったマクロ記述の例である。Further, FIG. 4(a) is an example of a step content description created by the step content description section 12, and FIG. 4(b) is an example of a macro description created by combining step content descriptions.
第５図は作成したステップ内容記述とマクロ記述及びシ
ーケンス制御命令を用いて作成したレシピソースプログ
ラムの例である。FIG. 5 is an example of a recipe source program created using the created step content description, macro description, and sequence control command.
次に本実施例の動作について図を参照して詳細に説明す
る。Next, the operation of this embodiment will be explained in detail with reference to the drawings.
まずマスタＣＰＵｌ０においてメインプログラム１１を
起動し、キーボード２１によりステップ内容記述部１２
に制御を移す。First, the main program 11 is started on the master CPU 10, and the step content description section 12 is entered using the keyboard 21.
transfer control to
本ステップ内容記述部１２で第４図（ａ）に示すように
、各ステップ毎にステップ番号［５ＴＥＰ番号〕、ステ
ップ実行時間［ＴＩＭＥ二時二分：秒〕、バルブ開番号
［ＶＡＬＶＥ ：番号２番号、・・・・・・〕、流量設
定ＣＭＦＣ：ＭＦＣＯ１−流量・・・・・・〕、圧力設
定量［ＡＰＣ１＝圧力・・・・・・〕。As shown in FIG. 4(a) in the step content description section 12, for each step, the step number [5TEP number], step execution time [TIME 2:02:2], and valve opening number [VALVE: number 2 number] ,...], flow rate setting CMFC: MFCO1-flow rate...], pressure setting amount [APC1=pressure...].
ヒータ温度［［Ｆ’−温度〕を各ステップ毎に設定し外
部メモリ２３に格納する。The heater temperature [[F'-temperature] is set for each step and stored in the external memory 23.
次にマクロ記述部１３に制御を渡しマクロ記述動作に移
る。第４図（ｂ）に示すように〔マクロ名ステップ番号
、ステップ番号・・・・・・〕マクロを定義し、外部メ
モリ２３に格納する。Next, control is passed to the macro description section 13 and the process moves to macro description operation. As shown in FIG. 4(b), a macro [macro name step number, step number...] is defined and stored in the external memory 23.
さらにある成長プロセスを実行するレシピソースプログ
ラムを作成するためにレシピプログラム作成部１４を起
動する。Furthermore, the recipe program creation unit 14 is activated to create a recipe source program for executing a certain growth process.
レシピプログラム作成部１４では、ステップ内容記述部
１２で作成した各ステップ、マクロ記述部１３で作成し
たマクロ、圧力設定器群のオン・オフ状態ＣＡＰＣ０Ｎ
１０ＦＦ：］、ヒータオン・オフ状態［ＲＦ ０Ｎ１
０ＦＦ）及びシーケンス制御命令［ＲＥＰＥＡＴ／ＵＮ
ＴＩＬ、ＥＮＤＩとを実行順に並べて第５図に示すよう
なレシピ・ソース・プログラムを作成する。In the recipe program creation section 14, each step created in the step content description section 12, the macro created in the macro description section 13, and the on/off status of the pressure setting device group CAPC0N
10FF: ], heater on/off status [RF 0N1
0FF) and sequence control command [REPEAT/UN
A recipe source program as shown in FIG. 5 is created by arranging TIL and ENDI in the order of execution.
さらに、作成したレシピソースプログラムを外部メモリ
２３に保存し、メインプログラムエ１はコンパイル部１
５を起動する。Furthermore, the created recipe source program is stored in the external memory 23, and the main program 1 is compiled by the compile section 1.
Start 5.
コンパイル部１５はレシピソースプログラムを実行形式
のレシピオブジェクトプログラムに変換後、外部メモリ
２３に格納する。The compiler 15 converts the recipe source program into an executable recipe object program, and then stores it in the external memory 23.
次に、メインプログラム１１はオンライン実行部１６に
制御を移す。実際のレシピオブジェクトプログラム実行
動作について説明する。Next, the main program 11 transfers control to the online execution section 16. The actual recipe object program execution operation will be explained.
９
オンライン実行部１６はサセプタの導入、取り出しとレ
シピの実行を行う。まずサセプタの導入指令を与えると
、第２図（ａ）に示す双方向メモリ３０の相互通信エリ
アにサセプタ導入コマンドを設定し、スレーブＣＰＵの
モードプログラムを起動し、レシピ実行処理部４２に制
御を渡す。9 The online execution unit 16 introduces and takes out the susceptor and executes the recipe. First, when a susceptor installation command is given, the susceptor installation command is set in the mutual communication area of the bidirectional memory 30 shown in FIG. hand over.
レシピ実行処理部４２はロードロック部５２を制御して
反応炉８０ヘサセブタの導入を行う。The recipe execution processing unit 42 controls the load lock unit 52 to introduce the reactor 80 into the reactor 80.
次にサセプタ導入が完了するとモードプログラム４１に
制御を移し、双方向メモリ３０の相互通信エリアに完了
フラグをセットし、サセプタ導入動作を完了する。Next, when the susceptor introduction is completed, control is transferred to the mode program 41, a completion flag is set in the mutual communication area of the bidirectional memory 30, and the susceptor introduction operation is completed.
さらにオンライン実行部１６は、レシピを実行するため
に外部メモリ２３より指定されたレシピオブジェクトプ
ログラムを読み出し、双方向メモリ３０のシーケンステ
ーブルエリアに、各ステップ内容をセテップ内容テーブ
ルに書き込む。Furthermore, the online execution unit 16 reads the specified recipe object program from the external memory 23 in order to execute the recipe, and writes the contents of each step in the sequence table area of the bidirectional memory 30 in the step contents table.
次に、レシピ実行コマンドを相互通信エリアにセットし
て、スレーブＣＰＵのモードプログラムを起動し、レシ
ピ実行処理部４２およびプロセス０−
状態表示部４３に制御を渡す。Next, a recipe execution command is set in the mutual communication area, the mode program of the slave CPU is activated, and control is passed to the recipe execution processing section 42 and the process 0-status display section 43.
レシピ実行処理部４２は双方向メモリ３０のシーケンス
・テーブルより、第２図（ｂ）に示すようにシーケンス
順に第２図（Ｃ）に示すコマンド内容、ステップ内容番
号、ステップ時間を読み出し、第３図（ａ）に示すコマ
ンド内容及び第３図（ｂ）に示すようステップ内容番号
によって決まるステップ内容に従って、バルブ群の開閉
、流量設定器の流量設定、圧力設定器のオン・オフと圧
力設定。The recipe execution processing unit 42 reads out the command content, step content number, and step time shown in FIG. 2(C) in sequence order as shown in FIG. 2(b) from the sequence table in the bidirectional memory 30, and reads the third Opening/closing the valve group, setting the flow rate of the flow rate setting device, turning on/off the pressure setting device, and setting the pressure according to the step content determined by the command content shown in FIG. 3(a) and the step content number shown in FIG. 3(b).
ヒータオン・オフと温度設定を実行する。Executes heater on/off and temperature settings.
この動作をシーケンステーブルに従って各ステップ毎に
実行し、一連の成長プロセスを完遂させる。This operation is executed for each step according to the sequence table to complete a series of growth processes.
レシピの実行が完了するとモードプログラム４１に移り
レシピ実行完了フラグを相互通信エリアにセットし、完
了をオンライン実行部１６に知らせる。When the execution of the recipe is completed, the program moves to the mode program 41, sets a recipe execution completion flag in the mutual communication area, and notifies the online execution unit 16 of the completion.
さらにこのレシピ実行中にプロセス状態表示部４３はバ
ルブの開閉状態、ガスの流量を計測し、コンソールにプ
ロセス状態を表示するとともに双方向メモリ３０のプロ
セス状態テーブルにもプロセス状態を書き込みメインＣ
ＰＵ側にプロセスの状態が監視できるようにする。Furthermore, while this recipe is being executed, the process status display unit 43 measures the opening/closing status of the valves and the flow rate of gas, displays the process status on the console, and also writes the process status in the process status table of the bidirectional memory 30.
Allows the PU side to monitor the process status.
次にオンライン実行部１６はサセプタの取出し動作に移
る。Next, the online execution unit 16 moves on to the susceptor extraction operation.
サセプタ導入の動作と同じように取出しコマンドを双方
向メモリ３０の相互通信エリアにセットしスレーブＣＰ
Ｕ４０のモードプログラム４１を呼び出し、レシピ実行
処理部４２に制御を渡す。In the same way as the operation of introducing the susceptor, set the fetch command in the mutual communication area of the bidirectional memory 30 and send it to the slave CP.
The mode program 41 of U40 is called and control is passed to the recipe execution processing section 42.
レシピ実行処理部４２はロードロック部５２を制御して
反応炉８０からサセプタを取り出す。The recipe execution processing section 42 controls the load lock section 52 to take out the susceptor from the reactor 80 .
これによりスレーブＣＰＵ４０がレシピ実行中でも、メ
インＣＰＵ２０はオンライン実行部１６でプロセスの状
態を監視するだけでよく、実際のレシピ実行動作には直
接的に関係しないので、ステップ内容記述部１２．マク
ロ記述部１３． レシピプログラム作成部１４を起動
することにより、レシピプログラムの作成を並列に実行
することが容易にできる上、マクロ記述によりレシピソ
ースプログラムの作成が容易にできる。As a result, even when the slave CPU 40 is executing a recipe, the main CPU 20 only needs to monitor the process status in the online execution unit 16, and is not directly related to the actual recipe execution operation, so the step content description unit 12. Macro description part 13. By activating the recipe program creation section 14, creation of recipe programs can be easily executed in parallel, and recipe source programs can also be easily created by macro description.
さらにレシピ・ソース・プログラムを実行形式のレシピ
オブジェクトプログラムに変換しているのでレシピ実行
処理部４２の処理速度が増大する。Furthermore, since the recipe source program is converted into an executable recipe object program, the processing speed of the recipe execution processing section 42 is increased.
本発明の半導体気相成長装置の制御方式はマスクＣＰＵ
でマクロ記述を利用してレシピソースプログラムを作成
後、レシピソースプログラムを実行形式に変換して実行
用レシピオブジェクトプログラムを作り、双方向メモリ
を介してスレーブＣＰＵに送り、スレーブＣＰＵ側で実
行用レシピオブジェクトプログラムを読み出しレシピを
実行できるため、レシピソースプログラムの作成が効率
よく行える上レシピプログラムの作成とレシピの実行が
同時に行えるという効果がある。The control system of the semiconductor vapor phase growth apparatus of the present invention is a mask CPU.
After creating a recipe source program using a macro description, convert the recipe source program into an executable format to create a recipe object program for execution, send it to the slave CPU via bidirectional memory, and write the recipe for execution on the slave CPU side. Since the object program can be read and the recipe executed, the recipe source program can be efficiently created, and the recipe program can be created and the recipe can be executed simultaneously.
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図（
ａ）〜（ｃ）は双方向メモリの内容を示す模式図、第３
図（ａ） 、 （ｂ）はコマンド内容およびステップ内
容を示す模式図、第４図（ａ）、（ｂ）はス３
テップ内容およびマクロ記述例を示す模式図、第５図は
レシピソースプログラムの一例を示す模式％式％
ラム、１２・・・・・・ステップ内容記述部、１３・・
・・・・マクロ記述部、１４・・・・・・レシピプログ
ラム作成部、１５・・・・・・コンパイル部、１６・・
・・・・オンライン実行部、２１・・・・・・キーボー
ド、２２・・・・・・ＣＲＴ、２３・・・・・・外部メ
モリ、３０・・・・・・双方向メモリ、４０・・・・・
スレーブＣＰＵ、４１・・・・・・モートフログラム、
４２・・・・・・レシピ実行処理部、５１・・・・・・
コンソール、５２・・・・・・ロードロック、６０・・
・・・・ガスミキザ、７０・・・・・・ヒータ、８０・
・・・・・反応炉。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 (
a) to (c) are schematic diagrams showing the contents of the bidirectional memory;
Figures (a) and (b) are schematic diagrams showing command contents and step contents, Figures 4 (a) and (b) are schematic diagrams showing step 3 contents and macro description examples, and Figure 5 is a recipe source program. Schematic % expression showing an example of % Ram, 12... Step content description part, 13...
... Macro description section, 14 ... Recipe program creation section, 15 ... Compilation section, 16 ...
...Online execution unit, 21...Keyboard, 22...CRT, 23...External memory, 30...Bidirectional memory, 40... ...
Slave CPU, 41...Mortophogram,
42... Recipe execution processing section, 51...
Console, 52... Load lock, 60...
... Gas mixer, 70 ... Heater, 80.
...Reactor.
Claims (1)
の実行時間と、各ステップにおける複数のガスの流れを
制御し、反応炉に導く管路網上に設けたバルブ群の開閉
状態および流量設定器群の流量値と、前記反応炉内に流
出入する複数のガスの圧力を制御する圧力設定器群の圧
力設定値と前記反応炉内の温度を制御するヒータの温度
値とを各ステップのプロセス制御情報として第一のコン
ピュータ部に登録する手段と、前記各ステップのプロセ
ス制御情報と前記圧力設定器群のオン・オフ状態と前記
ヒータのオン・オフ状態と各ステップの流れを制御する
シーケンス制御情報とをステップ内容として記述する手
段と、前記ステップ内容を実行順に組み合わせてマクロ
内容として記述する手段と、前記ステップ内容及びマク
ロ内容を実行順に並べてレシピソースプログラムを作成
する手段と、前記レシピソースプログラムを実行形式に
変換し、レシピオブジェクトプログラムを生成する手段
と、前記レシピオブジェクトプログラムを前記第一のコ
ンピュータ部及び第２のコンピュータ部に接続された双
方向メモリに格納する手段と、前記第２のコンピュータ
部が双方向メモリ部に格納されたレシピオブジェクトプ
ログラムを読み出して半導体気相成長に係るプロセスを
実行する手段とを含むことを特徴とする半導体気相成長
装置の制御方式。The execution time of each step that makes up the process related to semiconductor vapor phase growth, the opening/closing status of valve groups installed on the pipe network leading to the reactor, and the flow rate setting device group that controls the flow of multiple gases in each step. , the pressure set value of a group of pressure setting devices that control the pressure of a plurality of gases flowing in and out of the reactor, and the temperature value of a heater that controls the temperature inside the reactor are used for process control of each step. means for registering information in the first computer section; process control information for each step; on/off status of the pressure setting device group; on/off status of the heater; and sequence control information for controlling the flow of each step. means for writing the step contents as step contents; means for combining the step contents in the order of execution and writing them as macro contents; means for arranging the step contents and the macro contents in the order of execution to create a recipe source program; means for converting into an executable format and generating a recipe object program; means for storing the recipe object program in a bidirectional memory connected to the first computer section and the second computer section; and the second computer. 1. A control method for a semiconductor vapor phase growth apparatus, characterized in that a section reads a recipe object program stored in a bidirectional memory section and executes a process related to semiconductor vapor phase growth.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21650589A JP2946545B2 (en) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | Control device for semiconductor vapor deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21650589A JP2946545B2 (en) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | Control device for semiconductor vapor deposition equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380187A true JPH0380187A (en) | 1991-04-04 |
| JP2946545B2 JP2946545B2 (en) | 1999-09-06 |
Family
ID=16689482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21650589A Expired - Fee Related JP2946545B2 (en) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | Control device for semiconductor vapor deposition equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2946545B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6502866B1 (en) | 1999-05-26 | 2003-01-07 | Osaka Gas Co., Ltd. | One-touch joint for flexible tube |
| CN103911602A (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 | Control system of chemical vapor deposition equipment |
-
1989
- 1989-08-22 JP JP21650589A patent/JP2946545B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6502866B1 (en) | 1999-05-26 | 2003-01-07 | Osaka Gas Co., Ltd. | One-touch joint for flexible tube |
| CN103911602A (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 | Control system of chemical vapor deposition equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2946545B2 (en) | 1999-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11650718B2 (en) | Derived and linked definitions with override | |
| US4736320A (en) | Computer language structure for process control applications, and translator therefor | |
| US5555179A (en) | Control method and control apparatus of factory automation system | |
| JP2000112757A (en) | Microprocessor | |
| US5511167A (en) | Program processing method and apparatus for producing a data flow type program | |
| JPH04336378A (en) | Information processor | |
| JPH0380187A (en) | Control system for semiconductor vapor growth device | |
| Kumar et al. | On optimal sensing and actuation design for an industrial scale steam methane reformer furnace | |
| US7272453B2 (en) | Method and apparatus for utilizing a sequence interpreter approach to control logic of a programmable logic controller | |
| JPH0356678A (en) | Control system for vapor growth device | |
| JPH03164498A (en) | Control system for semiconductor vapor growth device | |
| Jia et al. | Real-time optimization of converter inlet temperature in acid production with flue gas | |
| JPH0354194A (en) | Controlling method of semiconductor vapor phase growing device | |
| CN112818433A (en) | Rapid modeling method for simulation model of control system of nuclear power plant | |
| JPS60220406A (en) | Controller for dyeing machine | |
| JPS63172303A (en) | Programming display method for programmable controller | |
| JPH0695713A (en) | Programmable controller and its programming method | |
| JP2006099622A (en) | Method and system for creating sequence program, and sequence control system | |
| JPH08314702A (en) | Visual programming system and graphic program editing method | |
| JP3238193B2 (en) | Plant operation management system | |
| JPS6316618A (en) | Control of semiconductor diffusion furnace | |
| JPH09128003A (en) | Distributed control system | |
| CN117170298A (en) | Upper computer program generation method for variable procedure control | |
| JPH02227703A (en) | Programmable controller system | |
| JP2533373B2 (en) | Control program creation method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070702 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080702 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |