JPH0379075A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPH0379075A JPH0379075A JP1214811A JP21481189A JPH0379075A JP H0379075 A JPH0379075 A JP H0379075A JP 1214811 A JP1214811 A JP 1214811A JP 21481189 A JP21481189 A JP 21481189A JP H0379075 A JPH0379075 A JP H0379075A
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- Japan
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- light
- photoelectric conversion
- photodiode
- recess
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- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はＸ線ＣＴ用固体放射線検出器に用いるフォトダ
イオードに関する。
イオードに関する。
従来のｘｌｃＴ用固体検出器の一例として、シンチレー
タとフォトダイオードとセパレータ板から成る第２図の
如き装置が知られている（特開昭６３−２６２５８０）
。
タとフォトダイオードとセパレータ板から成る第２図の
如き装置が知られている（特開昭６３−２６２５８０）
。
【発明が解決しようとする課！ｌｌｌ】このような検出
器において、隣接素子間へのＸ線及び光のもれがあると
ＣＴ両画像空間分解能が低下したり濃度分解能が低下す
る。特にセパレータ板とフォトダイオードの間からの光
の漏れを防ぐことが必要であるが、従来においてその解
決策は提案されていない。
器において、隣接素子間へのＸ線及び光のもれがあると
ＣＴ両画像空間分解能が低下したり濃度分解能が低下す
る。特にセパレータ板とフォトダイオードの間からの光
の漏れを防ぐことが必要であるが、従来においてその解
決策は提案されていない。
上記問題を解決する手段として本発明は、複数の光電変
換部から成る光電変換素子において該光電変換部間の不
感部を該光電変換部の光入射面に対し凹状に形成するこ
とを提案する。
換部から成る光電変換素子において該光電変換部間の不
感部を該光電変換部の光入射面に対し凹状に形成するこ
とを提案する。
本発明のフォトダイオードを用いることにより、ＸａＣ
Ｔ用固体検出器において隣接素子間へのＸ線及び光のも
れのうち特にセパレータ板とフォトダイオードの間から
の光の漏れを防ぐことができるので、検出素子間のクロ
ストークを低減することができ、ＣＴ両画像空間分解能
が低下したり濃度分解能が低下することを防ぐことがで
きる。それゆえ、Ｘ線ＣＴ用固体放射線検出器に用いる
のに好適なフォトダイオードを提供することができる。
Ｔ用固体検出器において隣接素子間へのＸ線及び光のも
れのうち特にセパレータ板とフォトダイオードの間から
の光の漏れを防ぐことができるので、検出素子間のクロ
ストークを低減することができ、ＣＴ両画像空間分解能
が低下したり濃度分解能が低下することを防ぐことがで
きる。それゆえ、Ｘ線ＣＴ用固体放射線検出器に用いる
のに好適なフォトダイオードを提供することができる。
第１図を用いて本発明の１実施例を説明する。
図は結晶５ｉ−ｐｉｎフォトダイオードである。
光は２層側から入射する。入射光はｉ層で電子正孔に変
換され電流信号になる。ｐ層は複数個形成されており位
置情報を得ることが可能となっている。各ｐｍによって
作られる光検出素子はそれぞれ基板の四部によって区分
されている。 凹部の深さは例えば２０μｍ程度である。四部の深さが
深くなるに従って素子のリーク電流は大きくなる傾向が
あるので凹部深さは目的を達成する範囲でできるだけ浅
いことが望ましい。この範囲としてはおおよそ１０μｍ
から８０μｍ程度である。溝の幅は例えば５０μｍから
２５０μｍ程度である。ｐ層の幅は例えば１ｍｍ、各ｐ
ｍの間隔は例えば３００μｍ程度である。 凹部の形成方法としては例えばダイシングソーなどを用
いることができる。またレーザによる溝加工でもよい。 第３図は他の実施例を示している。 第１図との違いは凹部にｎ暦を形成したことである。こ
れにより隣接素子への電荷の洩れこみゃ表面リーク電流
を減少することが可能となる。 第４図は前述の光電変換素子を用いてＸ線検出器を作製
した実施例である。 Ｘ線は上部から入射し、光反射膜を透過したのちシンチ
レータで光に変換される。シンチレータは例えばＧｄ２
Ｏ２Ｓセラミックシンチレータである。放出された光は
フォトダイオード（光電変換素子）に入射する。直接フ
ォトダイオードに入射しない光は光反射膜やセパレータ
により反射されたあとにフォトダイオードに入射する。 シンチレータとフォトダイオードの結合には例えば透明
接着剤を用いる。透明接着剤の厚さは例えば１０μｍか
ら３０μｍ程度である。セパレータの主たる目的はシン
チレータから放出された光が隣接する検出部にしみださ
ないようにすることである。また他の目的として散乱Ｘ
線が隣接する検出部にもれださないようにすることであ
る。本実施例ではセパレータの端部がフォトダイオード
の凹部に確実に組みあっているのでセパレータとフォト
ダイオードの結合部分での光のしみたしが無く素子間ク
ロストークが極めて少ない。そのため高空間分解能Ｘｍ
ＣＴｍＣ用Ｘ線検出器として最適である。 さらにフォトダイオード凹部に０層が形成されているの
でフォトダイオード内部もしくは表面での電荷のしみた
しが無くなり素子感クロストークが極めて少ない、その
ため高空間分解能ｘａｃＴ装置用Ｘ線検出器として極め
て有効である。 本発明はフォトダイオードの凹部の効果を利用したもの
であり本趣旨に逸脱しない範囲で種々の変形が可能であ
る０例えば凹部もしくは凹部近傍の不感帯部分を光反射
膜で覆い不感帯部分に入射する光を再びシンチレータに
戻し光の検出効率を高める事が可能である。 本発明におけるフォトダイオードはｐｉｎ型に限定され
るものではなく、ｐ層型などの異なる方式のものでもよ
いことはいうまでもない。
換され電流信号になる。ｐ層は複数個形成されており位
置情報を得ることが可能となっている。各ｐｍによって
作られる光検出素子はそれぞれ基板の四部によって区分
されている。 凹部の深さは例えば２０μｍ程度である。四部の深さが
深くなるに従って素子のリーク電流は大きくなる傾向が
あるので凹部深さは目的を達成する範囲でできるだけ浅
いことが望ましい。この範囲としてはおおよそ１０μｍ
から８０μｍ程度である。溝の幅は例えば５０μｍから
２５０μｍ程度である。ｐ層の幅は例えば１ｍｍ、各ｐ
ｍの間隔は例えば３００μｍ程度である。 凹部の形成方法としては例えばダイシングソーなどを用
いることができる。またレーザによる溝加工でもよい。 第３図は他の実施例を示している。 第１図との違いは凹部にｎ暦を形成したことである。こ
れにより隣接素子への電荷の洩れこみゃ表面リーク電流
を減少することが可能となる。 第４図は前述の光電変換素子を用いてＸ線検出器を作製
した実施例である。 Ｘ線は上部から入射し、光反射膜を透過したのちシンチ
レータで光に変換される。シンチレータは例えばＧｄ２
Ｏ２Ｓセラミックシンチレータである。放出された光は
フォトダイオード（光電変換素子）に入射する。直接フ
ォトダイオードに入射しない光は光反射膜やセパレータ
により反射されたあとにフォトダイオードに入射する。 シンチレータとフォトダイオードの結合には例えば透明
接着剤を用いる。透明接着剤の厚さは例えば１０μｍか
ら３０μｍ程度である。セパレータの主たる目的はシン
チレータから放出された光が隣接する検出部にしみださ
ないようにすることである。また他の目的として散乱Ｘ
線が隣接する検出部にもれださないようにすることであ
る。本実施例ではセパレータの端部がフォトダイオード
の凹部に確実に組みあっているのでセパレータとフォト
ダイオードの結合部分での光のしみたしが無く素子間ク
ロストークが極めて少ない。そのため高空間分解能Ｘｍ
ＣＴｍＣ用Ｘ線検出器として最適である。 さらにフォトダイオード凹部に０層が形成されているの
でフォトダイオード内部もしくは表面での電荷のしみた
しが無くなり素子感クロストークが極めて少ない、その
ため高空間分解能ｘａｃＴ装置用Ｘ線検出器として極め
て有効である。 本発明はフォトダイオードの凹部の効果を利用したもの
であり本趣旨に逸脱しない範囲で種々の変形が可能であ
る０例えば凹部もしくは凹部近傍の不感帯部分を光反射
膜で覆い不感帯部分に入射する光を再びシンチレータに
戻し光の検出効率を高める事が可能である。 本発明におけるフォトダイオードはｐｉｎ型に限定され
るものではなく、ｐ層型などの異なる方式のものでもよ
いことはいうまでもない。
【発明の効果】
本発明のフォトダイオードを用いることにより、Ｘ線Ｃ
Ｔ用固体検出器において隣接素子間へのＸ線及び光のも
れのうち特にセパレータ板とフォトダイオードの間から
の光の漏れを防ぐことができるので、検出素子間のクロ
ストークを低減することができ、ＣＴ両画像空間分解能
が低下したり濃変分解能が低下することを防げる。それ
ゆえ、Ｘ線ＣＴ用固体放射線検出器に用いるのに好適な
フォトダイオードを提供できる。 また本発明のフォトダイオードを用いたＸ線ＣＴ用固体
放射線検出器は、隣接素子間へのＸ線及び光のもれのう
ち特にセパレータ板とフォトダイオードの間からの光の
漏れを防ぐことができるので、検出素子間のクロストー
クを低減することができる。
Ｔ用固体検出器において隣接素子間へのＸ線及び光のも
れのうち特にセパレータ板とフォトダイオードの間から
の光の漏れを防ぐことができるので、検出素子間のクロ
ストークを低減することができ、ＣＴ両画像空間分解能
が低下したり濃変分解能が低下することを防げる。それ
ゆえ、Ｘ線ＣＴ用固体放射線検出器に用いるのに好適な
フォトダイオードを提供できる。 また本発明のフォトダイオードを用いたＸ線ＣＴ用固体
放射線検出器は、隣接素子間へのＸ線及び光のもれのう
ち特にセパレータ板とフォトダイオードの間からの光の
漏れを防ぐことができるので、検出素子間のクロストー
クを低減することができる。
第１図、第３図は本発明の実施例の光電変換素子の要部
断面図、第２図は従来例の光電変換素子を示す断面図、
第４図は本発明の他の実施例を示す放射線検出器の断面
図である。 第７目
断面図、第２図は従来例の光電変換素子を示す断面図、
第４図は本発明の他の実施例を示す放射線検出器の断面
図である。 第７目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の光電変換部から成る光電変換素子において、
該光電変換部間の不感部が該光電変換部の光入射面に対
し凹状に形成されていることを特徴とする光電変換素子
。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光電変換素子において
、該凹部に隣接素子への電荷しみだしを防ぐための防御
層が設置してあることを特徴とする光電変換素子。 ３、放射線を光に変換するための複数のシンチレータと
、該複数のシンチレータから放出された光が各々混ざら
ないように該シンチレータ間に設置されたセパレータと
、該シンチレータから放出された該光信号を検出するた
めの複数の光電変換部を有する光電変換素子からなる多
素子放射線検出器において、該光電変換素子は特許請求
の範囲第１項記載の光電変換素子であり、該凹部に該セ
パレータの一部が挿入されていることを特徴とする多素
子放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214811A JPH0379075A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214811A JPH0379075A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0379075A true JPH0379075A (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=16661915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1214811A Pending JPH0379075A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0379075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06285951A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-11 | Kurimoto Ltd | ２軸押出機 |
| JP2002048872A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1214811A patent/JPH0379075A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06285951A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-11 | Kurimoto Ltd | ２軸押出機 |
| JP2002048872A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
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